Wynik wyszukiwania
Zapytanie: WŁAŚCIWOŚCI ELEKTRONICZNE
Liczba odnalezionych rekordów: 4



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/4
Nr opisu: 0000063754   
Influence of ambient air exposure on surface chemistry and electronic properties of thin copper phthalocyanine sensing layers.
[Aut.]: Lucyna Grządziel, Maciej Krzywiecki, H. Peisert, T. Chasse, Jacek** Szuber.
-Thin Solid Films 2011 vol. 519 iss. 7, s. 2187-2192, bibliogr. 41 poz.. Impact Factor 1.890. Punktacja MNiSW 30.000

półprzewodnik organiczny ; ftalocyjanina miedzi ; warstwa cienka ; właściwości elektroniczne ; rentgenowska spektroskopia fotoelektronów ; spektroskopia fotoelektronów w nadfiolecie

organic semiconductor ; copper phthalocyanine ; thin film ; electronic properties ; X-ray photoelectron spectroscopy ; ultraviolet photoelectron spectroscopy

2/4
Nr opisu: 0000063473   
Optical absorption measurements and quantum-chemical simulations of optical properties of novel fluoro derivatives of pyrazoloquinoline.
[Aut.]: M. G. Brik, Wojciech* Kuźnik, E. Gondek, I. V. Kityk, T. Uchacz, P. Szlachcic, B. Jarosz, K. Pluciński.
-Chem. Phys. 2010 vol. 370 iss. 1/3, s. 194-200, bibliogr. 14 poz.. Impact Factor 2.017

właściwości elektroniczne ; widmo widzialne ; ultrafiolet ; obliczenia DFT ; dyskretna transformata Fouriera

electronic properties ; visible spectra ; ultraviolet ; DFT calculations ; discrete Fourier transform (DFT)

3/4
Nr opisu: 0000048984   
Electronic properties of orthorhombic LiGaS2 and LiGaSe2.
[Aut.]: A. H. Reshak, S. Auluck, Iwan* Kityk, Y. Al-Douri, R. Khenata, A. Bouhemadou.
-Appl. Phys., A 2009 vol. 94 iss. 2, s. 315-320, bibliogr. 19 poz.. Impact Factor 1.595

struktura pasmowa ; krystalografia ; przewodnictwo elektryczne ; ruchliwość elektronów ; właściwości elektroniczne ; enzymy ; gal ; lit

band structure ; crystallography ; electron mobility ; electronic properties ; enzymes ; gallium ; lithium

4/4
Nr opisu: 0000123735   
Rigorous analysis of the electronic properties of InP interfaces for gas sensing.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, C. Brun, B. Gruzza, H. Hasegawa.
-Thin Solid Films 2003 vol. 436 iss. 1, s. 101-106, bibliogr. 24 poz.
Referat wygłoszony na: 3rd International Seminar on Semiconductor Gas Sensors. SGS'2002, Ustroń, Poland, 19-22 September 2002. Impact Factor 1.598

InP ; interfejs ; właściwości elektroniczne ; stan powierzchniowy ; poziom Fermiego ; wykrywanie gazu

InP ; interface ; electronic properties ; surface states ; Fermi level ; gas sensing

stosując format:
Nowe wyszukiwanie