Wynik wyszukiwania
Zapytanie:
TRANZYSTOR MOSFET
Liczba odnalezionych rekordów:
22
Przejście do opcji zmiany formatu
|
Wyświetlenie wyników w wersji do druku
|
Pobranie pliku do edytora
|
Przesłanie wyników do modułu analizy
|
excel
|
Nowe wyszukiwanie
1/22
Nr opisu:
0000132122
Analiza i badania wysokoczęstotliwościowych falowników klasy DE z tranzystorami MOSFET na bazie SiC i GaN. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Krzysztof
Przybyła
.
Gliwice, 2019, 143 k., bibliogr. 118 poz.
Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny. Promotor: dr hab. inż. Marcin Kasprzak, dr inż. Marcin Zygmanowski
falownik klasy DE
;
wysoka częstotliwość
;
tranzystor MOSFET
;
SiC
;
GaN
class DE inverter
;
high frequency
;
MOSFET transistor
;
SiC
;
GaN
2/22
Nr opisu:
0000122077
Falownik klasy E (30 MHz, 300 W) z niskostratnym drajwerem hybrydowym.
[Aut.]: Piotr
Legutko
.
-
Prz. Elektrot.
2018 R. 94 nr 3
, s. 69-74, bibliogr. 11 poz..
Punktacja MNiSW
14.000
falownik klasy E
;
drajwer niskostratny
;
tranzystor MOSFET
;
straty mocy
;
drajwer hybrydowy
;
platerowanie
;
bonding kulkowy
;
połączenie drutowe
class E inverter
;
low-losses driver
;
MOSFET transistor
;
power losses
;
hybrid driver
;
cladding
;
ball-bonding
;
wire bonding
3/22
Nr opisu:
0000123685
Problem zwarć skrośnych w scalonych sterownikach bramkowych pracujących z częstotliwością 30 MHz.
[Aut.]: Piotr
Legutko
.
-
Prz. Elektrot.
2018 R. 94 nr 6
, s. 74-77, bibliogr. 10 poz..
Punktacja MNiSW
14.000
sterownik bramkowy
;
drajwer niskostratny
;
tranzystor MOSFET
;
wysoka częstotliwość
;
zwarcie skrośne
;
straty mocy
MOSFET driver
;
low-losses driver
;
MOSFET transistor
;
high frequency
;
short circuit
;
power losses
4/22
Nr opisu:
0000124793
Problematyka określenia sprawności niskostratnych drajwerów pracujących z częstotliwością 30 MHz.
[Aut.]: Piotr
Legutko
, Marcin
Kasprzak
, Kamil
Kierepka
.
-
Prz. Elektrot.
2018 R. 94 nr 8
, s. 120-123, bibliogr. 13 poz..
Punktacja MNiSW
14.000
sterownik bramkowy
;
drajwer niskostratny
;
sprawność
;
tranzystor MOSFET
;
wysoka częstotliwość
driver
;
MOSFET transistor
;
low-losses driver
;
high-frequency
;
efficiency
5/22
Nr opisu:
0000122065
Straty mocy i rezystancja zastępcza związane z przeładowywaniem nieliniowej pojemności wyjściowej tranzystora MOSFET.
[Aut.]: Zbigniew
Kaczmarczyk
, Michał
Zellner
, Krystian
Frania
.
-
Prz. Elektrot.
2018 R. 94 nr 3
, s. 55-59, bibliogr. 9 poz..
Punktacja MNiSW
14.000
falownik rezonansowy
;
tranzystor MOSFET
;
pojemność nieliniowa
;
wysoka częstotliwość
;
straty mocy
resonant inverter
;
MOSFET transistor
;
nonlinear capacitance
;
high frequency
;
power losses
6/22
Nr opisu:
0000118716
Analiza wysokoczęstotliwościowych drajwerów tranzystorów MOSFET mocy stosowanych w falownikach rezonansowych. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Piotr
Legutko
.
Gliwice, 2017, 145 k., 114 poz.
Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny. Promotor: dr hab. inż. Marcin Kasprzak, dr inż. Mariusz Stępień
tranzystor MOSFET
;
elektronika przemysłowa
;
wysoka częstotliwość
;
falownik rezonansowy
;
straty mocy
;
sterownik bramkowy
MOSFET transistor
;
industrial electornics
;
high frequency
;
resonant inverter
;
power losses
;
gate driver
7/22
Nr opisu:
0000122135
Falownik klasy E (30 MHz, 300 W) z niskostratnym drajwerem hybrydowym.
[Aut.]: Piotr
Legutko
.
W:
Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym
. SENE 2017. XIII Krajowa konferencja naukowa, Łódź, 22-24 listopada 2017. [Dokument elektroniczny]. Łódź : Instytut Automatyki Politechniki Łódzkiej, 2017
, pamięć USB (PenDrive) s. 1-6, bibliogr. 11 poz.
falownik klasy E
;
drajwer niskostratny
;
tranzystor MOSFET
;
straty mocy
;
drajwer hybrydowy
;
cienkie połączenia drutowe
;
platerowanie
class E inverter
;
low-losses driver
;
resonant inverter
;
MOSFET transistor
;
power losses
;
thermal clad
;
hybrid driver
;
wire-bonding
;
ball-bonding
8/22
Nr opisu:
0000122126
Straty mocy i rezystancja zastępcza związane z przeładowywaniem nieliniowej pojemności wyjściowej tranzystora MOSFET.
[Aut.]: Zbigniew
Kaczmarczyk
, Michał
Zellner
, Krystian
Frania
.
W:
Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym
. SENE 2017. XIII Krajowa konferencja naukowa, Łódź, 22-24 listopada 2017. [Dokument elektroniczny]. Łódź : Instytut Automatyki Politechniki Łódzkie, 2017
, pamięć USB (PenDrive) s. 1-5, bibliogr. 9 poz.
falownik rezonansowy
;
tranzystor MOSFET
;
pojemność nieliniowa
;
wysoka częstotliwość
;
straty mocy
resonant inverter
;
MOSFET transistor
;
nonlinear capacitance
;
high frequency
;
power losses
9/22
Nr opisu:
0000110404
Falownik klasy E (30 MHz, 300 W) z niskostratnym drajwerem hybrydowym własnej konstrukcji.
[Aut.]: Piotr
Legutko
, Marcin
Kasprzak
.
W:
II Seminarium Młodych Naukowców Wydziału Elektrycznego Politechniki Śląskiej
. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki Śląskiej, 2016
, s. 91-93, bibliogr. 1 poz.
falownik klasy E
;
wysokoczęstotliwościowy drajwer
;
drajwer hybrydowy
;
tranzystor MOSFET
class E inverter
;
high frequency driver
;
hybrid driver
;
MOSFET transistor
10/22
Nr opisu:
0000107445
Falownik rezonansowy klasy D 300 kHz/20 kW z tranzystorami SiC MOSFET.
[Aut.]: Marcin
Kasprzak
, Zbigniew
Kaczmarczyk
, Piotr
Legutko
, Krzysztof
Przybyła
.
W:
Energoelektronika w nauce i dydaktyce
. ENiD 2016. XV Sympozjum, Gliwice - Tarnowskie Góry, 12-14 maja 2016. Materiały. Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny. Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki Śląskiej, 2016
, s. 141-144, bibliogr. 8 poz.
falownik rezonansowy
;
tranzystor MOSFET
;
SiC
resonant inverter
;
MOSFET transistor
;
SiC
11/22
Nr opisu:
0000110406
Porównanie strat mocy w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET Si i SiC o zbliżonej klasie prądowo-napięciowej.
[Aut.]: Krzysztof
Przybyła
, Marcin
Kasprzak
.
W:
II Seminarium Młodych Naukowców Wydziału Elektrycznego Politechniki Śląskiej
. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki Śląskiej, 2016
, s. 94-96, bibliogr. 3 poz.
straty mocy
;
tranzystor MOSFET
;
SiC
;
Si
;
obwód bramkowy
power losses
;
MOSFET transistor
;
SiC
;
Si
;
circuit gate
12/22
Nr opisu:
0000107443
Właściwości tranzystorów MOSFET na bazie SiC i GaN.
[Aut.]: Krzysztof
Przybyła
.
W:
Energoelektronika w nauce i dydaktyce
. ENiD 2016. XV Sympozjum, Gliwice - Tarnowskie Góry, 12-14 maja 2016. Materiały. Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny. Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki Śląskiej, 2016
, s. 129-134, bibliogr. 16 poz.
tranzystor MOSFET
;
węglik krzemu
;
azotek galu
;
SiC
;
GaN
MOSFET transistor
;
silicon carbide
;
gallium nitride
;
SiC
;
GaN
13/22
Nr opisu:
0000105621
Wysokoczęstotliwościowe, dyskretne drajwery małej mocy dedykowane do tranzystorów MOSFET serii DE.
[Aut.]: Piotr
Legutko
.
-
Prz. Elektrot.
2016 R. 92 nr 4
, s. 132-136, bibliogr. 17 poz..
Punktacja MNiSW
14.000
wysokoczęstotliwościowy drajwer
;
falownik rezonansowy
;
tranzystor MOSFET
;
straty mocy
;
parametry pasożytnicze
high frequency driver
;
resonant inverter
;
MOSFET transistor
;
power losses
;
parasitic parameters
;
thermal clad
14/22
Nr opisu:
0000100441
Analiza zjawisk cieplnych w tranzystorach polowych MOSFET.
[Aut.]: Łukasz*
Cichoń
, Ewa
Majchrzak
.
W:
Metody komputerowe - 2015
. Studencka konferencja naukowa, Gliwice, maj 2015. Instytut Mechaniki i Inżynierii Obliczeniowej. Wydział Mechaniczny Technologiczny. Politechnika Śląska. Gliwice : Instytut Mechaniki i Inżynierii Obliczeniowej. Wydział Mechaniczny Technologiczny. Politechnika Śląska, 2015
, s. 9-12, bibliogr. 3 poz.
tranzystor MOSFET
;
zjawiska cieplne
;
przepływ ciepła w mikroskali
MOSFET transistor
;
heat effects
;
microscale heat transfer
15/22
Nr opisu:
0000103154
Wysokoczęstotliwościowe, dyskretne drajwery małej mocy dedykowane do tranzystorów MOSFET serii DE.
[Aut.]: Piotr
Legutko
.
W:
Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym
. SENE 2015. XII Krajowa konferencja naukowa, Łódź, 18-20 listopada 2015. [Dokument elektroniczny]. Łódź : [b.w.], 2015
, dysk optyczny (CD-ROM) s. 1-5, bibliogr. 17 poz.
wysokoczęstotliwościowy drajwer
;
falownik rezonansowy
;
tranzystor MOSFET
;
straty mocy
;
parametry pasożytnicze
high frequency driver
;
resonant inverter
;
MOSFET transistor
;
power losses
;
parasitic parameters
;
thermal clad
16/22
Nr opisu:
0000091690
Niskostratny drajwer tranzystora MOSFET mocy.
[Aut.]: Piotr
Legutko
.
-
Pomiary Autom. Kontr.
2014 vol. 60 nr 3
, s. 188-191, bibliogr. 11 poz..
Punktacja MNiSW
11.000
drajwer
;
straty mocy
;
tranzystor MOSFET
driver
;
power losses
;
MOSFET transistor
17/22
Nr opisu:
0000091564
Wysokoczęstotliwościowe drajwery tranzystorów MOFSET mocy.
[Aut.]: Piotr
Legutko
.
-
Prz. Elektrot.
2014 R. 90 nr 5
, s. 229-234, bibliogr. 17 poz..
Punktacja MNiSW
14.000
drajwer
;
analiza
;
straty mocy
;
tranzystor MOSFET
driver
;
analysis
;
power losses
;
MOSFET transistor
18/22
Nr opisu:
0000094734
Nowe niskostratne drajwery transystorów MOSFET mocy.
[Aut.]: Piotr
Legutko
.
-
Pr. Nauk. PŚl., Elektr.
2013 R. 59 z. 2/3
, s. 67-77, bibliogr. 10 poz..
Punktacja MNiSW
6.000
sterownik bramkowy
;
analiza
;
moc czynna
;
straty mocy
;
tranzystor MOSFET
;
tranzystor mocy
gate driver
;
analysis
;
active power
;
power losses
;
MOSFET transistor
;
power transistor
19/22
Nr opisu:
0000077709
Możliwości realizacji falownika klasy DE 13,56 MHz 500 W pracy optymalnej.
[Aut.]: Marcin
Kasprzak
.
-
Pr. Nauk. PŚl., Elektr.
2011 R. 57 z. 2 (218)
, s. 79-89, bibliogr. 19 poz..
Punktacja MNiSW
4.000
falownik klasy DE
;
przełączanie miękkie
;
wysoka częstotliwość
;
MOSFET
;
tranzystor MOSFET
class DE inverter
;
soft switching
;
high frequency
;
MOSFET
;
MOSFET transistor
20/22
Nr opisu:
0000057543
Analiza właściwości falownika klasy E przy maksymalnych częstotliwościach przełączania tranzystorów mocy MOSFET. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Wojciech*
Jurczak
.
Gliwice, 2010, 159 k., bibliogr.
Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny. Promotor: dr hab. inż. Zbigniew Kaczmarczyk
falownik klasy E
;
tranzystor mocy
;
tranzystor MOSFET
class E inverter
;
power transistor
;
MOSFET transistor
21/22
Nr opisu:
0000028315
Poprawa właściwości energetycznych falowników klasy E przez maksymalizację wykorzystania tranzystora.
[Aut.]: Zbigniew
Kaczmarczyk
.
Gliwice : Wydaw. Politechniki Śląskiej, 2007, 177 s., bibliogr. 112 poz.
(
Zeszyty Naukowe
;
Politechnika Śląska
nr 1749
Elektryka
; z. 200)
Rozprawa habilitacyjna
falownik klasy E
;
tranzystor mocy
;
tranzystor MOSFET
;
właściwości energetyczne
class E inverter
;
power transistor
;
MOSFET transistor
;
energetic properties
22/22
Nr opisu:
0000009667
Falownik rezonansowy klasy DE 8 MHz z drajwerem sinusoidalnym.
[Aut.]: Marcin
Kasprzak
.
-
Zesz. Nauk. PŚl., Elektr.
2004 z. 192
, s. 85-90, bibliogr. 12 poz.
falownik rezonansowy
;
klasa DE
;
tranzystor MOSFET
;
drajwer
resonant inverter
;
class DE
;
MOSFET transistor
;
driver
stosując format:
standardowy
pełny z etykietami pól
roboczy
redakcja skr.
redakcja peł.
kontrolny
Nowe wyszukiwanie