Wyniki wyszukiwania

Wynik wyszukiwania

1/22
Nr opisu: 0000132122
Analiza i badania wysokoczęstotliwościowych falowników klasy DE z tranzystorami MOSFET na bazie SiC i GaN. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Krzysztof Przybyła.
Gliwice, 2019, 143 k., bibliogr. 118 poz.
Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny. Promotor: dr hab. inż. Marcin Kasprzak, dr inż. Marcin Zygmanowski

falownik klasy DE ; wysoka częstotliwość ; tranzystor MOSFET ; SiC ; GaN

class DE inverter ; high frequency ; MOSFET transistor ; SiC ; GaN

2/22
Nr opisu: 0000122077
Falownik klasy E (30 MHz, 300 W) z niskostratnym drajwerem hybrydowym.
[Aut.]: Piotr Legutko.
-Prz. Elektrot. 2018 R. 94 nr 3, s. 69-74, bibliogr. 11 poz.. Punktacja MNiSW 14.000

falownik klasy E ; drajwer niskostratny ; tranzystor MOSFET ; straty mocy ; drajwer hybrydowy ; platerowanie ; bonding kulkowy ; połączenie drutowe

class E inverter ; low-losses driver ; MOSFET transistor ; power losses ; hybrid driver ; cladding ; ball-bonding ; wire bonding

3/22
Nr opisu: 0000123685
Problem zwarć skrośnych w scalonych sterownikach bramkowych pracujących z częstotliwością 30 MHz.
[Aut.]: Piotr Legutko.
-Prz. Elektrot. 2018 R. 94 nr 6, s. 74-77, bibliogr. 10 poz.. Punktacja MNiSW 14.000

sterownik bramkowy ; drajwer niskostratny ; tranzystor MOSFET ; wysoka częstotliwość ; zwarcie skrośne ; straty mocy

MOSFET driver ; low-losses driver ; MOSFET transistor ; high frequency ; short circuit ; power losses

4/22
Nr opisu: 0000124793
Problematyka określenia sprawności niskostratnych drajwerów pracujących z częstotliwością 30 MHz.
[Aut.]: Piotr Legutko, Marcin Kasprzak, Kamil Kierepka.
-Prz. Elektrot. 2018 R. 94 nr 8, s. 120-123, bibliogr. 13 poz.. Punktacja MNiSW 14.000

sterownik bramkowy ; drajwer niskostratny ; sprawność ; tranzystor MOSFET ; wysoka częstotliwość

driver ; MOSFET transistor ; low-losses driver ; high-frequency ; efficiency

5/22
Nr opisu: 0000122065
Straty mocy i rezystancja zastępcza związane z przeładowywaniem nieliniowej pojemności wyjściowej tranzystora MOSFET.
[Aut.]: Zbigniew Kaczmarczyk, Michał Zellner, Krystian Frania.
-Prz. Elektrot. 2018 R. 94 nr 3, s. 55-59, bibliogr. 9 poz.. Punktacja MNiSW 14.000

falownik rezonansowy ; tranzystor MOSFET ; pojemność nieliniowa ; wysoka częstotliwość ; straty mocy

resonant inverter ; MOSFET transistor ; nonlinear capacitance ; high frequency ; power losses

6/22
Nr opisu: 0000118716
Analiza wysokoczęstotliwościowych drajwerów tranzystorów MOSFET mocy stosowanych w falownikach rezonansowych. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Piotr Legutko.
Gliwice, 2017, 145 k., 114 poz.
Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny. Promotor: dr hab. inż. Marcin Kasprzak, dr inż. Mariusz Stępień

tranzystor MOSFET ; elektronika przemysłowa ; wysoka częstotliwość ; falownik rezonansowy ; straty mocy ; sterownik bramkowy

MOSFET transistor ; industrial electornics ; high frequency ; resonant inverter ; power losses ; gate driver

7/22
Nr opisu: 0000122135
Falownik klasy E (30 MHz, 300 W) z niskostratnym drajwerem hybrydowym.
[Aut.]: Piotr Legutko.
W: Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym. SENE 2017. XIII Krajowa konferencja naukowa, Łódź, 22-24 listopada 2017. [Dokument elektroniczny]. Łódź : Instytut Automatyki Politechniki Łódzkiej, 2017, pamięć USB (PenDrive) s. 1-6, bibliogr. 11 poz.

falownik klasy E ; drajwer niskostratny ; tranzystor MOSFET ; straty mocy ; drajwer hybrydowy ; cienkie połączenia drutowe ; platerowanie

class E inverter ; low-losses driver ; resonant inverter ; MOSFET transistor ; power losses ; thermal clad ; hybrid driver ; wire-bonding ; ball-bonding

8/22
Nr opisu: 0000122126
Straty mocy i rezystancja zastępcza związane z przeładowywaniem nieliniowej pojemności wyjściowej tranzystora MOSFET.
[Aut.]: Zbigniew Kaczmarczyk, Michał Zellner, Krystian Frania.
W: Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym. SENE 2017. XIII Krajowa konferencja naukowa, Łódź, 22-24 listopada 2017. [Dokument elektroniczny]. Łódź : Instytut Automatyki Politechniki Łódzkie, 2017, pamięć USB (PenDrive) s. 1-5, bibliogr. 9 poz.

falownik rezonansowy ; tranzystor MOSFET ; pojemność nieliniowa ; wysoka częstotliwość ; straty mocy

resonant inverter ; MOSFET transistor ; nonlinear capacitance ; high frequency ; power losses

9/22
Nr opisu: 0000110404
Falownik klasy E (30 MHz, 300 W) z niskostratnym drajwerem hybrydowym własnej konstrukcji.
[Aut.]: Piotr Legutko, Marcin Kasprzak.
W: II Seminarium Młodych Naukowców Wydziału Elektrycznego Politechniki Śląskiej. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki Śląskiej, 2016, s. 91-93, bibliogr. 1 poz.

falownik klasy E ; wysokoczęstotliwościowy drajwer ; drajwer hybrydowy ; tranzystor MOSFET

class E inverter ; high frequency driver ; hybrid driver ; MOSFET transistor

10/22
Nr opisu: 0000107445
Falownik rezonansowy klasy D 300 kHz/20 kW z tranzystorami SiC MOSFET.
[Aut.]: Marcin Kasprzak, Zbigniew Kaczmarczyk, Piotr Legutko, Krzysztof Przybyła.
W: Energoelektronika w nauce i dydaktyce. ENiD 2016. XV Sympozjum, Gliwice - Tarnowskie Góry, 12-14 maja 2016. Materiały. Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny. Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki Śląskiej, 2016, s. 141-144, bibliogr. 8 poz.

falownik rezonansowy ; tranzystor MOSFET ; SiC

resonant inverter ; MOSFET transistor ; SiC

11/22
Nr opisu: 0000110406
Porównanie strat mocy w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET Si i SiC o zbliżonej klasie prądowo-napięciowej.
[Aut.]: Krzysztof Przybyła, Marcin Kasprzak.
W: II Seminarium Młodych Naukowców Wydziału Elektrycznego Politechniki Śląskiej. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki Śląskiej, 2016, s. 94-96, bibliogr. 3 poz.

straty mocy ; tranzystor MOSFET ; SiC ; Si ; obwód bramkowy

power losses ; MOSFET transistor ; SiC ; Si ; circuit gate

12/22
Nr opisu: 0000107443
Właściwości tranzystorów MOSFET na bazie SiC i GaN.
[Aut.]: Krzysztof Przybyła.
W: Energoelektronika w nauce i dydaktyce. ENiD 2016. XV Sympozjum, Gliwice - Tarnowskie Góry, 12-14 maja 2016. Materiały. Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny. Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki Śląskiej, 2016, s. 129-134, bibliogr. 16 poz.

tranzystor MOSFET ; węglik krzemu ; azotek galu ; SiC ; GaN

MOSFET transistor ; silicon carbide ; gallium nitride ; SiC ; GaN

13/22
Nr opisu: 0000105621
Wysokoczęstotliwościowe, dyskretne drajwery małej mocy dedykowane do tranzystorów MOSFET serii DE.
[Aut.]: Piotr Legutko.
-Prz. Elektrot. 2016 R. 92 nr 4, s. 132-136, bibliogr. 17 poz.. Punktacja MNiSW 14.000

wysokoczęstotliwościowy drajwer ; falownik rezonansowy ; tranzystor MOSFET ; straty mocy ; parametry pasożytnicze

high frequency driver ; resonant inverter ; MOSFET transistor ; power losses ; parasitic parameters ; thermal clad

14/22
Nr opisu: 0000100441
Analiza zjawisk cieplnych w tranzystorach polowych MOSFET.
[Aut.]: Łukasz* Cichoń, Ewa Majchrzak.
W: Metody komputerowe - 2015. Studencka konferencja naukowa, Gliwice, maj 2015. Instytut Mechaniki i Inżynierii Obliczeniowej. Wydział Mechaniczny Technologiczny. Politechnika Śląska. Gliwice : Instytut Mechaniki i Inżynierii Obliczeniowej. Wydział Mechaniczny Technologiczny. Politechnika Śląska, 2015, s. 9-12, bibliogr. 3 poz.

tranzystor MOSFET ; zjawiska cieplne ; przepływ ciepła w mikroskali

MOSFET transistor ; heat effects ; microscale heat transfer

15/22
Nr opisu: 0000103154
Wysokoczęstotliwościowe, dyskretne drajwery małej mocy dedykowane do tranzystorów MOSFET serii DE.
[Aut.]: Piotr Legutko.
W: Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym. SENE 2015. XII Krajowa konferencja naukowa, Łódź, 18-20 listopada 2015. [Dokument elektroniczny]. Łódź : [b.w.], 2015, dysk optyczny (CD-ROM) s. 1-5, bibliogr. 17 poz.

wysokoczęstotliwościowy drajwer ; falownik rezonansowy ; tranzystor MOSFET ; straty mocy ; parametry pasożytnicze

high frequency driver ; resonant inverter ; MOSFET transistor ; power losses ; parasitic parameters ; thermal clad

16/22
Nr opisu: 0000091690
Niskostratny drajwer tranzystora MOSFET mocy.
[Aut.]: Piotr Legutko.
-Pomiary Autom. Kontr. 2014 vol. 60 nr 3, s. 188-191, bibliogr. 11 poz.. Punktacja MNiSW 11.000

drajwer ; straty mocy ; tranzystor MOSFET

driver ; power losses ; MOSFET transistor

17/22
Nr opisu: 0000091564
Wysokoczęstotliwościowe drajwery tranzystorów MOFSET mocy.
[Aut.]: Piotr Legutko.
-Prz. Elektrot. 2014 R. 90 nr 5, s. 229-234, bibliogr. 17 poz.. Punktacja MNiSW 14.000

drajwer ; analiza ; straty mocy ; tranzystor MOSFET

driver ; analysis ; power losses ; MOSFET transistor

18/22
Nr opisu: 0000094734
Nowe niskostratne drajwery transystorów MOSFET mocy.
[Aut.]: Piotr Legutko.
-Pr. Nauk. PŚl., Elektr. 2013 R. 59 z. 2/3, s. 67-77, bibliogr. 10 poz.. Punktacja MNiSW 6.000

sterownik bramkowy ; analiza ; moc czynna ; straty mocy ; tranzystor MOSFET ; tranzystor mocy

gate driver ; analysis ; active power ; power losses ; MOSFET transistor ; power transistor

19/22
Nr opisu: 0000077709
Możliwości realizacji falownika klasy DE 13,56 MHz 500 W pracy optymalnej.
[Aut.]: Marcin Kasprzak.
-Pr. Nauk. PŚl., Elektr. 2011 R. 57 z. 2 (218), s. 79-89, bibliogr. 19 poz.. Punktacja MNiSW 4.000

falownik klasy DE ; przełączanie miękkie ; wysoka częstotliwość ; MOSFET ; tranzystor MOSFET

class DE inverter ; soft switching ; high frequency ; MOSFET ; MOSFET transistor

20/22
Nr opisu: 0000057543
Analiza właściwości falownika klasy E przy maksymalnych częstotliwościach przełączania tranzystorów mocy MOSFET. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Wojciech* Jurczak.
Gliwice, 2010, 159 k., bibliogr.
Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny. Promotor: dr hab. inż. Zbigniew Kaczmarczyk

falownik klasy E ; tranzystor mocy ; tranzystor MOSFET

class E inverter ; power transistor ; MOSFET transistor

21/22
Nr opisu: 0000028315
Poprawa właściwości energetycznych falowników klasy E przez maksymalizację wykorzystania tranzystora.
[Aut.]: Zbigniew Kaczmarczyk.
Gliwice : Wydaw. Politechniki Śląskiej, 2007, 177 s., bibliogr. 112 poz.
(Zeszyty Naukowe ; Politechnika Śląska nr 1749 Elektryka ; z. 200)
Rozprawa habilitacyjna

falownik klasy E ; tranzystor mocy ; tranzystor MOSFET ; właściwości energetyczne

class E inverter ; power transistor ; MOSFET transistor ; energetic properties

22/22
Nr opisu: 0000009667
Falownik rezonansowy klasy DE 8 MHz z drajwerem sinusoidalnym.
[Aut.]: Marcin Kasprzak.
-Zesz. Nauk. PŚl., Elektr. 2004 z. 192, s. 85-90, bibliogr. 12 poz.

falownik rezonansowy ; klasa DE ; tranzystor MOSFET ; drajwer

resonant inverter ; class DE ; MOSFET transistor ; driver

stosując format: