Wynik wyszukiwania
Zapytanie:
STRUKTURA MIS
Liczba odnalezionych rekordów:
5
Przejście do opcji zmiany formatu
|
Wyświetlenie wyników w wersji do druku
|
Pobranie pliku do edytora
|
Przesłanie wyników do modułu analizy
|
excel
|
Nowe wyszukiwanie
1/5
Nr opisu:
0000089615
Analysis of MIS equivalent electrical circuit of Au/Pd/Ti-SiO
2
-GaAs structure based on DLTS measurements.
[Aut.]: Stanisław**
Kochowski
, Łukasz
Drewniak
, K.
Nitsch
, R.
Paszkiewicz
, B.
Paszkiewicz
.
-
Mater. Sci. Pol.
2013 vol. 31 no. 3
, s. 446-453, bibliogr. 30 poz..
Impact Factor
0.327.
Punktacja MNiSW
15.000
struktura MIS
;
głęboki poziom
;
stany międzypowierzchni
;
spektroskopia admitancyjna
;
DLTS
MIS structure
;
deep level
;
interface states
;
admittance spectroscopy
;
DLTS
2/5
Nr opisu:
0000088327
Two-dimensional modeling of surface photovoltage in metal/insulator/n-GaN structure with cylindrical symmetry.
[Aut.]: Maciej*
Matys
, P.
Powroźnik
, D.
Kupka
, Bogusława
Adamowicz
.
-
Opt. Appl.
2013 vol. 43 no. 1
, s. 47-52, bibliogr. 7 poz..
Impact Factor
0.643.
Punktacja MNiSW
15.000
fotonapięcie powierzchniowe
;
azotek galu
;
metal/izolator/GaN
;
struktura MIS
;
detektor ultrafioletu
surface photovoltage
;
gallium nitride
;
metal/insulator/GaN
;
MIS structure
;
UV detector
3/5
Nr opisu:
0000084466
Determination of the deep donor-like interface state density distribution in metal/Al
2
O
3
/n-GaN structures from the photocapacitance-light intensity measurement.
[Aut.]: Maciej*
Matys
, Bogusława
Adamowicz
, T.
Hashizume
.
-
Appl. Phys. Lett.
2012 vol. 101 iss. 23
, s. 231608-1 - 231608-4, bibliogr. 18 poz..
Impact Factor
3.794.
Punktacja MNiSW
40.000
związki aluminium
;
związki galu
;
półprzewodnik grupy III-V
;
struktura MIS
;
fotopojemność
;
pasmo walencyjne
;
półprzewodnik szerokoprzerwowy
aluminium compounds
;
gallium compounds
;
III-V semiconductor
;
MIS structure
;
photocapacitance
;
valence band
;
wide bandgap semiconductor
4/5
Nr opisu:
0000071269
The influence of interface states and bulk carrier lifetime on the minority carrier behavior in an illuminated metal/insulator/GaN structure.
[Aut.]: Marcin**
Miczek
, P.
Bidziński
, Bogusława
Adamowicz
, C.
Mizue
, T.
Hashizume
.
-
Solid State Commun.
2011 vol. 151 iss. 11
, s. 830-833, bibliogr. 37 poz..
Impact Factor
1.649
azotek galu
;
struktura MIS
;
fotodetektor typu "solar blind"
gallium nitride
;
MIS structure
;
"solar blind" photodetector
5/5
Nr opisu:
0000081093
Analiza numeryczna zjawisk fotoelektronowych w detektorach promieniowania UV typu MIS na bazie n-GaN.
[Aut.]: Piotr*
Bidziński
, Marcin**
Miczek
, Bogusława
Adamowicz
, T.
Hashizume
.
W:
IV Krajowa Konferencja Nanotechnologii
. NANO 2010, Poznań, 28.06-02.07 2010. Program i streszczenia. Wydział Fizyki Technicznej Politechniki Poznańskiej [et al.].. Poznań : [b.w.], 2010
, s. 235, bibliogr. 4 poz.
GaN
;
struktura MIS
;
COMSOL
GaN
;
MIS structure
;
COMSOL
stosując format:
standardowy
pełny z etykietami pól
roboczy
redakcja skr.
redakcja peł.
kontrolny
Nowe wyszukiwanie