Wynik wyszukiwania
Zapytanie:
STAN POWIERZCHNIOWY
Liczba odnalezionych rekordów:
17
Przejście do opcji zmiany formatu
|
Wyświetlenie wyników w wersji do druku
|
Pobranie pliku do edytora
|
Przesłanie wyników do modułu analizy
|
excel
|
Nowe wyszukiwanie
1/17
Nr opisu:
0000121534
Surface condition of new γ-γ' Co-Al-Mo-Nb and Co-Al-W cobalt-based superalloys after oxidation at 800 °C.
[Aut.]: Damian
Migas
, Grzegorz
Moskal
, Dawid
Niemiec
.
-
J. Mater. Eng. Perform.
2018 vol. 27 iss. 2
, s. 447-456, bibliogr. 41 poz..
Impact Factor
1.476.
Punktacja MNiSW
20.000
stan powierzchniowy
;
utlenianie cykliczne
;
nadstop Co-Al-W
;
nadstop Co-Al-Mo-Nb
;
nadstop kobaltu typu gamma-gamma'
surface condition
;
cyclic oxidation
;
Co-Al-W superalloy
;
Co-Al-Mo-Nb superalloy
;
gamma-gamma' cobalt-based superalloy
2/17
Nr opisu:
0000098291
Influence of surface condition on oxides layer morphology on NiCrAlY coating during oxidation at temperature 1000
o
C and 1100
o
C.
[Aut.]: Grzegorz
Moskal
, Dawid
Niemiec
.
W:
Corrosion and surface engineering
. Selected, peer reviewed papers from the International Scientific Conference Corrosion 2014, November 18-21, 2014, Gliwice, Poland. Ed. by Joanna Michalska and Maciej Sowa. Stafa-Zurich : Trans Tech Publications, 2015
, s. 385-388, bibliogr. 9 poz. (
Solid State Phenomena
; vol. 227 1662-9779)
odporność na utlenianie
;
warstwa NiCrAlY
;
stan powierzchniowy
oxidation resistance
;
NiCrAlY coating
;
surface condition
3/17
Nr opisu:
0000095715
Numerical modeling of the phenomena of frictional coupling between wheel and rail to describe and verify the operation of surface condition detector.
[Aut.]: A.
Niedworok
, Andrzej
Baier
.
W:
Mechatronic systems and materials VI
. Selected, peer reviewed papers from the 9th International Conference on Mechatronic Systems and Materials (MSM 2013), Vilnius, Lithuania, July 1-3, 2013. Ed. by A. V. Valiulis, O. Cernasejus and V. Moksin. Stafa-Zurich : Trans Tech Publications, 2015
, s. 251-256 (
Solid State Phenomena
; vol. 220/221 1662-9779)
sprzęgło cierne
;
detektor
;
stan powierzchniowy
;
poślizg
;
model numeryczny
;
współczynnik tarcia
frictional coupling
;
detector
;
surface condition
;
slip
;
numerical model
;
friction coefficient
4/17
Nr opisu:
0000096588
Profilometric assessment of surface condition of zinc coatings formed by the continuous galvanizing method.
[Aut.]: Jacek
Mendala
, Jakub
Wieczorek
.
W:
Technologies and properties of modern utility materials XXII
. Selected, peer reviewed papers from the XXII Conference on Technologies and Properties of Modern Utility Materials (TPMUM 2014), May 16, 2014, Katowice, Poland. Ed. by Jacek Mendala, Paweł Gradoń. Stafa-Zurich : Trans Tech Publications, 2015
, s. 127-132 (
Solid State Phenomena
; vol. 226 1662-9779)
cynkowanie
;
powłoka Zn
;
stan powierzchniowy
;
profilometria
galvanizing
;
Zn coating
;
surface condition
;
profilometry
5/17
Nr opisu:
0000103989
The influence of NiCrAlY coatings roughness on oxidation kinetics during static oxidation test at temperature 1000
o
C and 1100
o
C.
[Aut.]: Dawid
Niemiec
, Grzegorz
Moskal
, Anna
Jasik
.
-
Arch. Metall. Mater.
2015 vol. 60 iss. 4
, s. 2671-2680, bibliogr. 15 poz..
Punktacja MNiSW
30.000
warstwa NiCrAlY
;
kinetyka utleniania
;
stan powierzchniowy
NiCrAlY coating
;
oxidation kinetics
;
surface condition
6/17
Nr opisu:
0000095394
Influence of surface condition on oxides layer morphology on NiCrAlY coating during oxidation at temperature 1000 and 1100
o
C.
[Aut.]: Grzegorz
Moskal
, Dawid
Niemiec
.
W:
Corrosion 2014
. International scientific conference, Gliwice, Poland, 18-21 November 2014. Book of abstracts. Ed. by Artur Maciej. [B.m.] : [b.w.], 2014
, s. 174
odporność na utlenianie
;
warstwa NiCrAlY
;
stan powierzchniowy
oxidation resistance
;
NiCrAlY coating
;
surface condition
7/17
Nr opisu:
0000093838
Fotodetektor ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/GaN i AlGaN/GaN.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Rafał*
Ucka
, Maciej*
Matys
, Alina
Domanowska
, Z.
Żytkiewicz
, M.
Sobańska
, A.
Taube
, R.
Kruszka
.
W:
Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]
. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013
, s. 184 + tekst na CD-ROM
Pełny tekst na CD-ROM
fotodetektor ultrafioletu
;
GaN
;
AlGaN/GaN
;
stan powierzchniowy
;
fotonapięcie powierzchniowe
;
fotopojemność
;
pasywacja
;
struktura metal-izolator-półprzewodnik
UV photodetector
;
GaN
;
AlGaN/GaN
;
surface condition
;
surface photovoltage
;
photocapacitance
;
passivation
;
metal-insulator-semiconductor structure
8/17
Nr opisu:
0000093841
Wyznaczanie energetycznego rozkładu gęstości powierzchniowych na granicy fazowej Al
2
O
3
/GaN i Al
2
O
3
/AlGaN.
[Aut.]: Maciej*
Matys
, Rafał*
Ucka
, Bogusława
Adamowicz
, Y.
Hori
, T.
Hashizume
.
W:
Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]
. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013
, s. 194 + tekst na CD-ROM
Pełny tekst na CD-ROM
Al2O3
;
GaN
;
AlGaN
;
pasywacja
;
fotopojemność
;
stan powierzchniowy
;
struktura metal-izolator-półprzewodnik
Al2O3
;
GaN
;
AlGaN
;
passivation
;
photocapacitance
;
surface condition
;
metal-insulator-semiconductor structure
9/17
Nr opisu:
0000082736
Charakteryzacja właściwości chemicznych, optycznych i elektronowych pasywowanych in-situ powierzchni n-GaN.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Alina
Domanowska
, Piotr*
Kościelniak
, Rafał*
Ucka
, Maciej*
Matys
, Marcin**
Miczek
, Michał*
Sitarz
, Jacek**
Szuber
, Z.
Żytkiewicz
, M.
Sobańska
, K.
Kłosek
, A.
Taube
.
W:
Jedenasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 11-14.06.2012]
. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2012
, s. 152
Pełny tekst na CD-ROM
azotek galu
;
pasywacja
;
stan powierzchniowy
;
skład chemiczny
gallium nitride
;
passivation
;
surface condition
;
chemical composition
10/17
Nr opisu:
0000084471
Analiza wpływu stanów powierzchniowych na fotoluminescencję z azotku galu.
[Aut.]: Maciej*
Matys
, Bogusława
Adamowicz
.
W:
V Krajowa Konferencja Nanotechnologii
. NANO 2011, Gdańsk, 3-7 lipca 2011. Streszczenia wystąpień. Pod red. Jarosława Rybickiego i Wojciecha Sadowskiego. Gdańsk : TASK Publishing, 2011
, s. 158-159, bibliogr. 3 poz.
fotoluminescencja
;
stan powierzchniowy
;
azotek galu
photoluminescence
;
surface condition
;
gallium nitride
11/17
Nr opisu:
0000025449
Comparative study of the GaAs(1 0 0) surface cleaned by atomic hydrogen.
[Aut.]: Paweł*
Tomkiewicz
, A.
Winkler
, Jacek**
Szuber
.
-
Appl. Surf. Sci.
2006 vol. 252 iss. 21
, s. 7647-7658, bibliogr. 58 poz.
Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005.
Impact Factor
1.436
GaAs
;
wodór atomowy
;
spektroskopia elektronów Augera
;
spektrometria masowa
;
stan powierzchniowy
;
poziom Fermiego
;
funkcja pracy
;
potencjał jonizacyjny
GaAs
;
atomic hydrogen
;
Auger electron spectroscopy
;
mass spectrometry
;
surface states
;
Fermi level
;
work function
;
ionization potential
12/17
Nr opisu:
0000029174
Dynamics and control of recombination process at semiconductor surfaces, interfaces and nano-structures.
[Aut.]: H.
Hasegawa
, T.
Sato
, S.
Kasai
, Bogusława
Adamowicz
, T.
Hashizume
.
-
Sol. Energy
2006 vol. 80 iss. 6
, s. 629-644, bibliogr..
Impact Factor
1.431
stan powierzchniowy
;
rekombinacja powierzchniowa
;
spektroskopia tunelowa
;
nanostruktura
surface states
;
surface recombination
;
tunnelling spectroscopy
;
nanostructure
;
Fermi level pinning
;
capacitance voltage method
13/17
Nr opisu:
0000025312
Room temperature photoluminescence studies of nitrided InP(100) surfaces.
[Aut.]: Sebastian*
Arabasz
, Bogusława
Adamowicz
, M.
Petit
, B.
Gruzza
, C.
Robert-Goumet
, T.
Piwnowski
, M.
Bugajski
, H.
Hasegawa
.
-
Mater. Sci. Eng., C Mater. Biol. Appl.
2006 vol. 26 nr 2/3
, s. 378-382, bibliogr. 28 poz..
Impact Factor
1.325
InP
;
powierzchnia
;
pasywacja
;
azotowanie
;
stan powierzchniowy
;
fotoluminescencja
;
model zjawisk nierównowagowych
InP
;
surface
;
passivation
;
nitridation
;
surface states
;
photoluminescence
;
model of non-equilibrium phenomena
14/17
Nr opisu:
0000018248
High-sensitivity NO
2
sensor based on n-type InP epitaxial layers.
[Aut.]: K.
Wierzbowska
, Bogusława
Adamowicz
, L.
Mazet
, J.
Brunet
, A.
Pauly
, L.
Bideux
, Ch.
Varenne
, L.
Berry
, J.P.
Germain
.
-
Opt. Appl.
2005 vol. 35 no. 3
, s. 655-662, bibliogr. 11 poz..
Impact Factor
0.459
fosforek indu
;
warstwa epitaksjalna
;
czujnik gazu
;
stan powierzchniowy
;
symulacja komputerowa
indium phosphide
;
epitaxial layer
;
gas sensor
;
surface states
;
computer simulation
15/17
Nr opisu:
0000018246
Influence of surface states and bulk traps on non-equilibrium phenomena at GaAs and GaN surfaces.
[Aut.]: Marcin**
Miczek
, Bogusława
Adamowicz
, T.
Hashizume
, H.
Hasegawa
.
-
Opt. Appl.
2005 vol. 35 no. 3
, s. 355-361, bibliogr. 28 poz..
Impact Factor
0.459
arsenek galu
;
azotek galu
;
stan powierzchniowy
;
fotoluminescencja
;
fotonapięcie powierzchniowe
gallium arsenide
;
gallium nitride
;
surface states
;
photoluminescence
;
surface photovoltage
16/17
Nr opisu:
0000007661
Characterisation of the electronic status of III-V-based surfaces and interfaces for nanoelectronics applications.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, H.
Hasegawa
.
W:
27-th International Conference and Exhibition IMAPS - Poland 2003, Podlesice, Gliwice, 16-19 September, 2003
. Proceedings. Eds: M. Drelichowska [i in.]. [Kraków] : [International Microelectronics and Packaging Society IMAPS. Poland Chapter], 2003
, s. 11-20, bibliogr. 32 poz.
stan powierzchniowy
;
rekombinacja powierzchniowa
;
poziom Fermiego
;
pasywacja
;
fotoluminescencja
;
fotonapięcie powierzchniowe
;
algorytm genetyczny
surface states
;
surface recombination
;
Fermi level
;
passivation
;
photoluminescence
;
surface photovoltage
;
genetic algorithm
17/17
Nr opisu:
0000123735
Rigorous analysis of the electronic properties of InP interfaces for gas sensing.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Marcin**
Miczek
, C.
Brun
, B.
Gruzza
, H.
Hasegawa
.
-
Thin Solid Films
2003 vol. 436 iss. 1
, s. 101-106, bibliogr. 24 poz.
Referat wygłoszony na: 3rd International Seminar on Semiconductor Gas Sensors. SGS'2002, Ustroń, Poland, 19-22 September 2002.
Impact Factor
1.598
InP
;
interfejs
;
właściwości elektroniczne
;
stan powierzchniowy
;
poziom Fermiego
;
wykrywanie gazu
InP
;
interface
;
electronic properties
;
surface states
;
Fermi level
;
gas sensing
stosując format:
standardowy
pełny z etykietami pól
roboczy
redakcja skr.
redakcja peł.
kontrolny
Nowe wyszukiwanie