Wynik wyszukiwania
Zapytanie:
POZIOM FERMIEGO
Liczba odnalezionych rekordów:
7
Przejście do opcji zmiany formatu
|
Wyświetlenie wyników w wersji do druku
|
Pobranie pliku do edytora
|
Przesłanie wyników do modułu analizy
|
excel
|
Nowe wyszukiwanie
1/7
Nr opisu:
0000082832
Photoemission studies of the surface electronic properties of L-CVD SnO
2
ultra thin films.
[Aut.]: Monika
Kwoka
, L.
Ottaviano
, Jacek**
Szuber
.
-
Appl. Surf. Sci.
2012 vol. 258 iss. 21
, s. 8425-8429, bibliogr. 30 poz..
Impact Factor
2.112.
Punktacja MNiSW
30.000
cienka powłoka L-CVD
;
poziom Fermiego
;
dwutlenek cyny
L-CVD thin film
;
Fermi level
;
tin dioxide
2/7
Nr opisu:
0000056791
Surface electronic properties of sulfur-treated GaAs determined by surface photovoltage measurement and its computer simulation.
[Aut.]: Paweł*
Tomkiewicz
, Sebastian*
Arabasz
, Bogusława
Adamowicz
, Marcin**
Miczek
, J.
Mizsei
, D.
Zahn
, H.
Hasegawa
, Jacek**
Szuber
.
-
Surf. Sci.
2009 vol. 603 iss. 3
, s. 498-502, bibliogr. 39 poz..
Impact Factor
1.798
Gats
;
pasywacja
;
chlorek siarki
;
powierzchnia rozdziału faz
;
poziom Fermiego
;
fotonapięcie powierzchniowe
;
potencjał styku
;
sonda Kelvina
Gats
;
passivation
;
sulphur chloride
;
interface
;
Fermi level
;
surface photovoltage
;
contact potential
;
Kelvin probe
3/7
Nr opisu:
0000047684
Surface state density distribution at vacuum-annealed InP(1 0 0) surface as derived from the rigorous analysis of photoluminescence efficiency.
[Aut.]: Paweł*
Tomkiewicz
, Bogusława
Adamowicz
, Marcin**
Miczek
, H.
Hasegawa
, Jacek**
Szuber
.
-
Appl. Surf. Sci.
2008 vol. 254 iss. 24
, s. 8046-8049, bibliogr. 28 poz..
Impact Factor
1.576
InP
;
wyżarzanie
;
pasywacja
;
oczyszczanie
;
powierzchnia rozdziału faz
;
poziom Fermiego
;
fotoluminescencja
;
MISFET
InP
;
annealing
;
passivation
;
cleaning
;
interface
;
Fermi level
;
photoluminescence
;
MISFET
4/7
Nr opisu:
0000025450
Comparative photoemission study of the electronic properties of L-CVD SnO
2
thin films.
[Aut.]: Monika
Kwoka
, L.
Ottaviano
, M.
Passacantando
, G.
Czempik
, S.
Santucci
, Jacek**
Szuber
.
-
Appl. Surf. Sci.
2006 vol. 252 iss. 21
, s. 7734-7738, bibliogr. 23 poz.
Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005.
Impact Factor
1.436
dwutlenek cyny
;
powłoka cienka
;
nakładanie L-CVD
;
właściwości elektroniczne warstwy ładunku przestrzennego
;
poziom Fermiego
;
elektroniczne pasmo wzbronione
tin dioxide
;
thin film
;
L-CVD deposition
;
electronic properties of space charge layer
;
Fermi level
;
electronic band gap
5/7
Nr opisu:
0000025449
Comparative study of the GaAs(1 0 0) surface cleaned by atomic hydrogen.
[Aut.]: Paweł*
Tomkiewicz
, A.
Winkler
, Jacek**
Szuber
.
-
Appl. Surf. Sci.
2006 vol. 252 iss. 21
, s. 7647-7658, bibliogr. 58 poz.
Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005.
Impact Factor
1.436
GaAs
;
wodór atomowy
;
spektroskopia elektronów Augera
;
spektrometria masowa
;
stan powierzchniowy
;
poziom Fermiego
;
funkcja pracy
;
potencjał jonizacyjny
GaAs
;
atomic hydrogen
;
Auger electron spectroscopy
;
mass spectrometry
;
surface states
;
Fermi level
;
work function
;
ionization potential
6/7
Nr opisu:
0000007661
Characterisation of the electronic status of III-V-based surfaces and interfaces for nanoelectronics applications.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, H.
Hasegawa
.
W:
27-th International Conference and Exhibition IMAPS - Poland 2003, Podlesice, Gliwice, 16-19 September, 2003
. Proceedings. Eds: M. Drelichowska [i in.]. [Kraków] : [International Microelectronics and Packaging Society IMAPS. Poland Chapter], 2003
, s. 11-20, bibliogr. 32 poz.
stan powierzchniowy
;
rekombinacja powierzchniowa
;
poziom Fermiego
;
pasywacja
;
fotoluminescencja
;
fotonapięcie powierzchniowe
;
algorytm genetyczny
surface states
;
surface recombination
;
Fermi level
;
passivation
;
photoluminescence
;
surface photovoltage
;
genetic algorithm
7/7
Nr opisu:
0000123735
Rigorous analysis of the electronic properties of InP interfaces for gas sensing.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Marcin**
Miczek
, C.
Brun
, B.
Gruzza
, H.
Hasegawa
.
-
Thin Solid Films
2003 vol. 436 iss. 1
, s. 101-106, bibliogr. 24 poz.
Referat wygłoszony na: 3rd International Seminar on Semiconductor Gas Sensors. SGS'2002, Ustroń, Poland, 19-22 September 2002.
Impact Factor
1.598
InP
;
interfejs
;
właściwości elektroniczne
;
stan powierzchniowy
;
poziom Fermiego
;
wykrywanie gazu
InP
;
interface
;
electronic properties
;
surface states
;
Fermi level
;
gas sensing
stosując format:
standardowy
pełny z etykietami pól
roboczy
redakcja skr.
redakcja peł.
kontrolny
Nowe wyszukiwanie