Wynik wyszukiwania
Zapytanie:
DETEKTOR ULTRAFIOLETU
Liczba odnalezionych rekordów:
4
Przejście do opcji zmiany formatu
|
Wyświetlenie wyników w wersji do druku
|
Pobranie pliku do edytora
|
Przesłanie wyników do modułu analizy
|
excel
|
Nowe wyszukiwanie
1/4
Nr opisu:
0000088327
Two-dimensional modeling of surface photovoltage in metal/insulator/n-GaN structure with cylindrical symmetry.
[Aut.]: Maciej*
Matys
, P.
Powroźnik
, D.
Kupka
, Bogusława
Adamowicz
.
-
Opt. Appl.
2013 vol. 43 no. 1
, s. 47-52, bibliogr. 7 poz..
Impact Factor
0.643.
Punktacja MNiSW
15.000
fotonapięcie powierzchniowe
;
azotek galu
;
metal/izolator/GaN
;
struktura MIS
;
detektor ultrafioletu
surface photovoltage
;
gallium nitride
;
metal/insulator/GaN
;
MIS structure
;
UV detector
2/4
Nr opisu:
0000082739
Modelowanie fotodetektora ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/GaN i AlGaN/GaN.
[Aut.]: Marcin**
Miczek
, Maciej*
Matys
, Bogusława
Adamowicz
.
W:
Jedenasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 11-14.06.2012]
. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2012
, s. 157
Pełny tekst na CD-ROM
detektor ultrafioletu
;
napięcie powierzchniowe
;
AlGaN/GaN
;
defekt objętościowy
;
fotonapięcie powierzchniowe
;
metal/izolator/półprzewodnik
UV detector
;
surface tension
;
AlGaN/GaN
;
volume defect
;
surface photovoltage
;
MIS
3/4
Nr opisu:
0000082582
Modelowanie zjawisk fotoelektrycznych w zakresie ultrafioletu w strukturach metal/izolator/GaN.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Piotr*
Bidziński
, Marcin**
Miczek
, Maciej*
Matys
.
W:
Dziesiąta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 05-09.06.2011]
. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2011
, s. 137
Pełny tekst na CD-ROM
GaN
;
fotonapięcie powierzchniowe
;
rekombinacja
;
detektor ultrafioletu
;
metoda elementów skończonych
GaN
;
surface photovoltage
;
recombination
;
UV detector
;
finite element method
4/4
Nr opisu:
0000084444
Modelowanie zjawisk fotoelektrycznych w zakresie ultrafioletu w strukturach metal/izolator/GaN.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Piotr*
Bidziński
, Marcin**
Miczek
, Maciej*
Matys
.
-
Elektronika
2011 R. 52 nr 9
, s. 43-45, bibliogr. 6 poz..
Punktacja MNiSW
6.000
GaN
;
fotonapięcie powierzchniowe
;
rekombinacja
;
detektor ultrafioletu
;
metoda elementów skończonych
;
MES
GaN
;
surface photovoltage
;
recombination
;
UV detector
;
finite element method
;
FEM
stosując format:
standardowy
pełny z etykietami pól
roboczy
redakcja skr.
redakcja peł.
kontrolny
Nowe wyszukiwanie