Wyniki wyszukiwania

Wynik wyszukiwania

1/30
Nr opisu: 0000136097
Porównanie falowników klasy DE z pasma 13,56 MHz zbudowanych na tranzystorach SiC MOSFET i GaN FET.
[Aut.]: Krzysztof Przybyła, Marcin Kasprzak.
-Prz. Elektrot. 2020 R. 96 nr 7, s. 68-71, bibliogr. 15 poz.. Punktacja MNiSW 20.000

falownik klasy DE ; wysoka częstotliwość ; SiC ; GaN ; MOSFET ; drajwer

class DE inverter ; high frequency ; SiC ; GaN ; MOSFET ; driver

2/30
Nr opisu: 0000134052
Porównanie falowników klasy DE z pasma 13,56 MHz zbudowanych na tranzystorach SiC MOSFET i GaN FET.
[Aut.]: Krzysztof Przybyła, Marcin Kasprzak.
W: Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym "SENE 2019". XIV Konferencja naukowa, Łódź, 20-22 listopada 2019. [Dokument elektroniczny]. Łódź : Instytut Automatyki Politechniki Łódzkiej, 2019, pamięć USB (PenDrive) s. 1-4, bibliogr. 16 poz.. Punktacja MNiSW 20.000

falownik klasy DE ; wysoka częstotliwość ; SiC ; GaN ; MOSFET ; drajwer

class DE inverter ; high frequency ; SiC ; GaN ; MOSFET ; driver

3/30
Nr opisu: 0000122075
Porównanie falowników klasy D-ZVS 300 kHz do nagrzewania indukcyjnego z tranzystorami MOSFET na bazie Si oraz SiC.
[Aut.]: Marcin Kasprzak, Krzysztof Przybyła.
-Prz. Elektrot. 2018 R. 94 nr 3, s. 60-64, bibliogr. 14 poz.. Punktacja MNiSW 14.000

falownik klasy D-ZVS ; SiC ; MOSFET ; połączenie równoległe

class D-ZVS inverter ; SiC ; MOSFET ; parallel connection

4/30
Nr opisu: 0000122113
Quasi - rezonansowy dwufazowy przekształtnik DC/DC podwyższający napięcie.
[Aut.]: Piotr Zimoch.
-Prz. Elektrot. 2018 R. 94 nr 3, s. 116-119, bibliogr. 8 poz.. Punktacja MNiSW 14.000

przekształtnik podwyższający napięcie ; zawór rezonansowy ; ZVS ; MOSFET

boost converter ; resonant switch ; ZVS ; MOSFET

5/30
Nr opisu: 0000121201
Weryfikacja mocy strat w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET na bazie Si i SiC.
[Aut.]: Krzysztof Przybyła.
-Prz. Elektrot. 2018 R. 94 nr 1, s. 129-132, bibliogr. 12 poz.. Punktacja MNiSW 14.000

straty mocy ; MOSFET ; obwód bramkowy ; SiC

power losses ; MOSFET ; circuit gate ; SiC

6/30
Nr opisu: 0000122111
Wpływ obudowy tranzystora SiC MOSFET na sprawność energetyczną falownika klasy DE z pasma 13,56 MHz.
[Aut.]: Krzysztof Przybyła, Marcin Kasprzak.
-Prz. Elektrot. 2018 R. 94 nr 3, s. 87-90, bibliogr. 14 poz.. Punktacja MNiSW 14.000

falownik klasy DE ; wysoka częstotliwość ; SiC ; MOSFET ; drajwer

class DE inverter ; high frequency ; SiC ; MOSFET ; driver

7/30
Nr opisu: 0000122132
Porównanie falowników klasy D-ZVS 300 kHz do nagrzewania indukcyjnego z tranzystorami MOSFET na bazie Si oraz SiC.
[Aut.]: Marcin Kasprzak, Krzysztof Przybyła.
W: Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym. SENE 2017. XIII Krajowa konferencja naukowa, Łódź, 22-24 listopada 2017. [Dokument elektroniczny]. Łódź : Instytut Automatyki Politechniki Łódzkiej, 2017, pamięć USB (PenDrive) s. 1-5, bibliogr. 14 poz.

falownik klasy D-ZVS ; SiC ; MOSFET ; połączenie równoległe

class D-ZVS inverter ; SiC ; MOSFET ; parallel placement

8/30
Nr opisu: 0000122226
Quasi - rezonansowy dwufazowy przekształtnik DC/DC podwyższający napięcie.
[Aut.]: Piotr Zimoch.
W: Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym. SENE 2017. XIII Krajowa konferencja naukowa, Łódź, 22-24 listopada 2017. [Dokument elektroniczny]. Łódź : [b.w.], 2017, pamięć USB (PenDrive) s. 1-4, bibliogr. 8 poz.

przekształtnik podwyższający napięcie ; zawór rezonansowy ; ZVS ; MOSFET

boost converter ; resonant switch ; ZVS ; MOSFET

9/30
Nr opisu: 0000127072
Selection of 5 kW Converter Leg for Power Electronic System.
[Aut.]: Marcin Zygmanowski, Jarosław Michalak, Michał Jeleń, Grzegorz Jarek.
-Meas. Autom. Monit. 2017 vol. 63 nr 8, s.282-287, bibliogr.. Punktacja MNiSW 11.000

IGBT ; węglik krzemu ; SiC ; MOSFET ; microgrid

IGBT ; silicon carbide ; SiC ; MOSFET ; inverter ; microgrid

10/30
Nr opisu: 0000122223
Wpływ obudowy tranzystora SiC MOSFET na sprawność energetyczną falownika klasy DE z pasma 13,56 MHz.
[Aut.]: Krzysztof Przybyła, Marcin Kasprzak.
W: Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym. SENE 2017. XIII Krajowa konferencja naukowa, Łódź, 22-24 listopada 2017. [Dokument elektroniczny]. Łódź : Instytut Automatyki Politechniki Łódzkie, 2017, pamięć USB (PenDrive) s. 1-4, bibliogr. 14 poz.

falownik klasy DE ; wysoka częstotliwość ; SiC ; MOSFET ; drajwer

class DE inverter ; high frequency ; SiC ; MOSFET ; driver

11/30
Nr opisu: 0000122770
Possible application of SiC and GaN MOSFET transistors in class de inverter.
[Aut.]: Krzysztof Przybyła.
-Pr. Nauk. PŚl., Elektr. 2016 R. 62 z. 3/4, s. 23-33, bibliogr. 25 poz.. Punktacja MNiSW 6.000

MOSFET ; SiC ; GaN ; falownik klasy DE

MOSFET ; SiC ; GaN ; class DE inverter

12/30
Nr opisu: 0000110902
Selection of 5 kW converter leg for power electronic system for residential buildings.
[Aut.]: Marcin Zygmanowski, Jarosław Michalak, Michał Jeleń, Grzegorz Jarek, Jan** Popczyk.
W: 2016 18th European Conference on Power Electronics and Applications. EPE'16 ECCE Europe, [Karlsruhe, Germany, 5-9 September 2016]. Piscataway : Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2016, s. 1-10, bibliogr. 9 poz.

projektowanie ; węglik krzemu ; SiC ; MOSFET ; microgrid

design ; IGBT ; silicon carbide ; SiC ; MOSFET ; microgrid

13/30
Nr opisu: 0000106658
Układy dopasowania L-C oraz L-LC w falownikach klasy D do nagrzewania indukcyjnego - teoria i praktyka.
[Aut.]: Marcin Kasprzak, Piotr Legutko, Kamil Kierepka.
-Prz. Elektrot. 2016 R. 92 nr 6, s. 8-11, bibliogr. 12 poz.. Punktacja MNiSW 14.000

falownik klasy D ; MOSFET ; L-LC ; nagrzewanie indukcyjne

class D inverter ; MOSFET ; L-LC ; induction heating

14/30
Nr opisu: 0000105709
Wysokoczęstotliwościowe drajwery dedykowane do tranzystorów MOSFET serii DE.
[Aut.]: Piotr Legutko, Marcin Kasprzak.
W: Seminarium Młodych Naukowców Wydziału Elektrycznego Politechniki Śląskiej. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki Śląskiej, 2016, s. 81-83, bibliogr. 3 poz.

sterownik bramkowy ; MOSFET ; transformator

gate driver ; MOSFET ; transformer

15/30
Nr opisu: 0000107444
Wysokoczęstotliwościowe drajwery dedykowane do tranzystorów MOSFET serii DE - rozwiązania i perspektywa rozwoju.
[Aut.]: Piotr Legutko.
W: Energoelektronika w nauce i dydaktyce. ENiD 2016. XV Sympozjum, Gliwice - Tarnowskie Góry, 12-14 maja 2016. Materiały. Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny. Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki Śląskiej, 2016, s. 135-140, bibliogr. 9 poz.

sterownik bramkowy ; MOSFET ; tranzystor ; drajwer

gate driver ; MOSFET ; transistor ; driver

16/30
Nr opisu: 0000103151
Układy dopasowania L-C oraz L-LC w falownikach klasy D do nagrzewania indukcyjnego - teoria i praktyka.
[Aut.]: Marcin Kasprzak, Piotr Legutko, Kamil Kierepka.
W: Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym. SENE 2015. XII Krajowa konferencja naukowa, Łódź, 18-20 listopada 2015. [Dokument elektroniczny]. Łódź : [b.w.], 2015, dysk optyczny (CD-ROM) s. 1-4, bibliogr. 12 poz.

falownik klasy D ; MOSFET ; L-LC ; nagrzewanie indukcyjne

class D inverter ; MOSFET ; L-LC ; induction heating

17/30
Nr opisu: 0000113996
Wysokoczęstotliwościowe falowniki rezonansowe klasy DE i E - modelowanie, sterowanie, zastosowania.
[Aut.]: Marcin Kasprzak, Zbigniew Kaczmarczyk, Piotr Legutko, Piotr Zaleśny.
-Pr. Nauk. PŚl., Elektr. 2015 R. 61 z. 4, s. 69-80, bibliogr. 18 poz.. Punktacja MNiSW 6.000

falownik klasy DE ; falownik klasy E ; MOSFET ; drajwer ; nagrzewanie pojemnościowe

class DE inverter ; class E inverter ; MOSFET ; driver ; dielectric heating

18/30
Nr opisu: 0000100978
Porównanie układów dopasowania L-C oraz L-LC dla falownika klasy D 1,5 kW/300 kHz.
[Aut.]: Marcin Kasprzak, Piotr Legutko, Kamil Kierepka.
-Pr. Nauk. PŚl., Elektr. 2014 R. 60 z. 2/3, s. 83-93, bibliogr. 11 poz.. Punktacja MNiSW 6.000

falownik klasy D ; MOSFET ; falownik L-LC ; nagrzewanie indukcyjne

D class inverter ; MOSFET ; L-LC inverter ; induction heating

19/30
Nr opisu: 0000092028
Sterowanie falownika klasy DE metodą PWM-FM.
[Aut.]: Marcin Kasprzak.
-Prz. Elektrot. 2014 R. 90 nr 6, s. 83-86, bibliogr. 11 poz.. Punktacja MNiSW 14.000

falownik klasy DE ; PWM ; MOSFET ; komutacja optymalna

class DE inverter ; PWM ; MOSFET ; optimal commutation

20/30
Nr opisu: 0000081567
Falownik klasy D-ZVS 300 kHz/1,5 kW do nagrzewania indukcyjnego - możliwości pracy w klasie D i DE.
[Aut.]: Marcin Kasprzak.
-Prz. Elektrot. 2013 R. 89 nr 4, s. 29-32, bibliogr. 15 poz.. Punktacja MNiSW 14.000

falownik klasy D ; ZVS ; MOSFET ; komutacja optymalna

class D inverter ; ZVS ; MOSFET ; optimal commutation

21/30
Nr opisu: 0000078150
Falownik klasy DE 8 MHz/300 W z rezonansowym sterownikiem klasy D o sinusoidalnym kształcie napięcia bramkowego.
[Aut.]: Marcin Kasprzak.
-Prz. Elektrot. 2013 R. 89 nr 2a, s. 28-33, bibliogr. 16 poz.. Punktacja MNiSW 14.000

falownik klasy DE ; MOSFET ; drajwer ; sprawność falownika

class DE inverter ; MOSFET ; driver ; inverter efficiency

22/30
Nr opisu: 0000093412
Możliwości realizacji falownika klasy DE 13,56 MhZ 500 W przy pracy optymalnej.
[Aut.]: Marcin Kasprzak.
-Pr. Nauk. PŚl., Elektr. 2013 R. 59 z. 1, s. 93-102, bibliogr. 19 poz.. Punktacja MNiSW 6.000

falownik klasy DE ; przełączanie miękkie ; wysoka częstotliwość ; MOSFET ; drajwer

class DE inverter ; soft switching ; high frequency ; MOSFET ; driver

23/30
Nr opisu: 0000070879
Falownik klasy DE 13,56 MHz/450 W - wpływ nieliniowej pojemności wyjściowej tranzystora Mosfet na sterowanie metodą AM.
[Aut.]: Marcin Kasprzak.
-Prz. Elektrot. 2012 R. 88 nr 4b, s. 122-127, bibliogr. 21 poz.. Punktacja MNiSW 15.000

falownik klasy DE ; MOSFET ; pojemność nieliniowa

class DE inverter ; MOSFET ; nonlinear capacitance

24/30
Nr opisu: 0000077709
Możliwości realizacji falownika klasy DE 13,56 MHz 500 W pracy optymalnej.
[Aut.]: Marcin Kasprzak.
-Pr. Nauk. PŚl., Elektr. 2011 R. 57 z. 2 (218), s. 79-89, bibliogr. 19 poz.. Punktacja MNiSW 4.000

falownik klasy DE ; przełączanie miękkie ; wysoka częstotliwość ; MOSFET ; tranzystor MOSFET

class DE inverter ; soft switching ; high frequency ; MOSFET ; MOSFET transistor

25/30
Nr opisu: 0000068889
Falownik klasy DE 13,56 MHz/500 W z drajwerem typu flyback - pomiary sprawności.
[Aut.]: Marcin Kasprzak.
-Pr. Nauk. PŚl., Elektr. 2010 R. 56 z. 4 (216), s. 103-113, bibliogr. 13 poz.

falownik klasy DE ; MOSFET ; drajwer ; Flyback

class DE inverter ; MOSFET ; driver ; Flyback

26/30
Nr opisu: 0000055547
Falownik klasy DE 13,56MHZ/500W z drajwerem typu flyback.
[Aut.]: Marcin Kasprzak, D. Rędzia.
-Prz. Elektrot. 2010 R. 86 nr 2, s. 243-246, bibliogr. 11 poz.. Impact Factor 0.242

falownik klasy E ; przełączanie miękkie ; wysoka częstotliwość ; wysoka sprawność ; MOSFET

class E inverter ; soft switching ; high frequency ; high efficiency ; MOSFET

27/30
Nr opisu: 0000055777
Falownik klasy E 27 MHz, 500 W o podwyższonej sprawności.
[Aut.]: Zbigniew Kaczmarczyk, Wojciech* Jurczak.
-Prz. Elektrot. 2010 R. 86 nr 2, s. 221-224, bibliogr. 13 poz.. Impact Factor 0.242

falownik klasy E ; przełączanie miękkie ; wysoka częstotliwość ; MOSFET

class E inverter ; soft switching ; high frequency ; high efficiency ; MOSFET

28/30
Nr opisu: 0000048668
Falownik klasy E - 27MHz, 500 W.
[Aut.]: Zbigniew Kaczmarczyk, Wojciech* Jurczak.
-Pr. Nauk. PŚl., Elektr. 2008 R. 54 z. 4 (208), s. 207-218, bibliogr. 10 poz.

falownik klasy E ; przełączanie miękkie ; wysoka częstotliwość ; MOSFET

class E inverter ; soft switching ; high frequency ; MOSFET

29/30
Nr opisu: 0000049454
Patent. Polska, nr 200 087. Wielowejściowy tranzystor polowy MOS o bramkach swobodnych. Int. Cl. H01L 29/772.
Politechnika Śląska, Polska
Twórcy: Lesław** Topór-Kamiński.
Zgłosz. nr 347 756 z 26.05.2001. Opubl. 31.12.2008, 4 s.

tranzystor polowy MOS ; MOSFET ; tranzystor polowy metal- tlenek-półprzewodnik ; bramka swobodna

field-effect transistor MOS ; MOSFET ; Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor ; free gate

30/30
Nr opisu: 0000011352
Multiple-input floating-gate MOS transistor in analogue electronics circuit.
[Aut.]: Lesław** Topór-Kamiński, Piotr Holajn.
-Bull. Pol. Acad. Sci., Tech. Sci. 2004 vol. 52 no. 3, s. 251-256, bibliogr. 8 poz.

MOSFET ; bramka pływająca ; wzmacniacz analogowy ; wielowejściowy wzmacniacz operacyjny

MOSFET ; floating gate ; analogue amplifier ; multiple-input operational amplifier ; voltage controlled resistor

stosując format: