Wynik wyszukiwania
Zapytanie:
MOSFET
Liczba odnalezionych rekordów:
30
Przejście do opcji zmiany formatu
|
Wyświetlenie wyników w wersji do druku
|
Pobranie pliku do edytora
|
Przesłanie wyników do modułu analizy
|
excel
|
Nowe wyszukiwanie
1/30
Nr opisu:
0000136097
Porównanie falowników klasy DE z pasma 13,56 MHz zbudowanych na tranzystorach SiC MOSFET i GaN FET.
[Aut.]: Krzysztof
Przybyła
, Marcin
Kasprzak
.
-
Prz. Elektrot.
2020 R. 96 nr 7
, s. 68-71, bibliogr. 15 poz..
Punktacja MNiSW
20.000
falownik klasy DE
;
wysoka częstotliwość
;
SiC
;
GaN
;
MOSFET
;
drajwer
class DE inverter
;
high frequency
;
SiC
;
GaN
;
MOSFET
;
driver
2/30
Nr opisu:
0000134052
Porównanie falowników klasy DE z pasma 13,56 MHz zbudowanych na tranzystorach SiC MOSFET i GaN FET.
[Aut.]: Krzysztof
Przybyła
, Marcin
Kasprzak
.
W:
Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym "SENE 2019"
. XIV Konferencja naukowa, Łódź, 20-22 listopada 2019. [Dokument elektroniczny]. Łódź : Instytut Automatyki Politechniki Łódzkiej, 2019
, pamięć USB (PenDrive) s. 1-4, bibliogr. 16 poz..
Punktacja MNiSW
20.000
falownik klasy DE
;
wysoka częstotliwość
;
SiC
;
GaN
;
MOSFET
;
drajwer
class DE inverter
;
high frequency
;
SiC
;
GaN
;
MOSFET
;
driver
3/30
Nr opisu:
0000122075
Porównanie falowników klasy D-ZVS 300 kHz do nagrzewania indukcyjnego z tranzystorami MOSFET na bazie Si oraz SiC.
[Aut.]: Marcin
Kasprzak
, Krzysztof
Przybyła
.
-
Prz. Elektrot.
2018 R. 94 nr 3
, s. 60-64, bibliogr. 14 poz..
Punktacja MNiSW
14.000
falownik klasy D-ZVS
;
SiC
;
MOSFET
;
połączenie równoległe
class D-ZVS inverter
;
SiC
;
MOSFET
;
parallel connection
4/30
Nr opisu:
0000122113
Quasi - rezonansowy dwufazowy przekształtnik DC/DC podwyższający napięcie.
[Aut.]: Piotr
Zimoch
.
-
Prz. Elektrot.
2018 R. 94 nr 3
, s. 116-119, bibliogr. 8 poz..
Punktacja MNiSW
14.000
przekształtnik podwyższający napięcie
;
zawór rezonansowy
;
ZVS
;
MOSFET
boost converter
;
resonant switch
;
ZVS
;
MOSFET
5/30
Nr opisu:
0000121201
Weryfikacja mocy strat w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET na bazie Si i SiC.
[Aut.]: Krzysztof
Przybyła
.
-
Prz. Elektrot.
2018 R. 94 nr 1
, s. 129-132, bibliogr. 12 poz..
Punktacja MNiSW
14.000
straty mocy
;
MOSFET
;
obwód bramkowy
;
SiC
power losses
;
MOSFET
;
circuit gate
;
SiC
6/30
Nr opisu:
0000122111
Wpływ obudowy tranzystora SiC MOSFET na sprawność energetyczną falownika klasy DE z pasma 13,56 MHz.
[Aut.]: Krzysztof
Przybyła
, Marcin
Kasprzak
.
-
Prz. Elektrot.
2018 R. 94 nr 3
, s. 87-90, bibliogr. 14 poz..
Punktacja MNiSW
14.000
falownik klasy DE
;
wysoka częstotliwość
;
SiC
;
MOSFET
;
drajwer
class DE inverter
;
high frequency
;
SiC
;
MOSFET
;
driver
7/30
Nr opisu:
0000122132
Porównanie falowników klasy D-ZVS 300 kHz do nagrzewania indukcyjnego z tranzystorami MOSFET na bazie Si oraz SiC.
[Aut.]: Marcin
Kasprzak
, Krzysztof
Przybyła
.
W:
Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym
. SENE 2017. XIII Krajowa konferencja naukowa, Łódź, 22-24 listopada 2017. [Dokument elektroniczny]. Łódź : Instytut Automatyki Politechniki Łódzkiej, 2017
, pamięć USB (PenDrive) s. 1-5, bibliogr. 14 poz.
falownik klasy D-ZVS
;
SiC
;
MOSFET
;
połączenie równoległe
class D-ZVS inverter
;
SiC
;
MOSFET
;
parallel placement
8/30
Nr opisu:
0000122226
Quasi - rezonansowy dwufazowy przekształtnik DC/DC podwyższający napięcie.
[Aut.]: Piotr
Zimoch
.
W:
Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym
. SENE 2017. XIII Krajowa konferencja naukowa, Łódź, 22-24 listopada 2017. [Dokument elektroniczny]. Łódź : [b.w.], 2017
, pamięć USB (PenDrive) s. 1-4, bibliogr. 8 poz.
przekształtnik podwyższający napięcie
;
zawór rezonansowy
;
ZVS
;
MOSFET
boost converter
;
resonant switch
;
ZVS
;
MOSFET
9/30
Nr opisu:
0000127072
Selection of 5 kW Converter Leg for Power Electronic System.
[Aut.]: Marcin
Zygmanowski
, Jarosław
Michalak
, Michał
Jeleń
, Grzegorz
Jarek
.
-
Meas. Autom. Monit.
2017 vol. 63 nr 8
, s.282-287, bibliogr..
Punktacja MNiSW
11.000
IGBT
;
węglik krzemu
;
SiC
;
MOSFET
;
microgrid
IGBT
;
silicon carbide
;
SiC
;
MOSFET
;
inverter
;
microgrid
10/30
Nr opisu:
0000122223
Wpływ obudowy tranzystora SiC MOSFET na sprawność energetyczną falownika klasy DE z pasma 13,56 MHz.
[Aut.]: Krzysztof
Przybyła
, Marcin
Kasprzak
.
W:
Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym
. SENE 2017. XIII Krajowa konferencja naukowa, Łódź, 22-24 listopada 2017. [Dokument elektroniczny]. Łódź : Instytut Automatyki Politechniki Łódzkie, 2017
, pamięć USB (PenDrive) s. 1-4, bibliogr. 14 poz.
falownik klasy DE
;
wysoka częstotliwość
;
SiC
;
MOSFET
;
drajwer
class DE inverter
;
high frequency
;
SiC
;
MOSFET
;
driver
11/30
Nr opisu:
0000122770
Possible application of SiC and GaN MOSFET transistors in class de inverter.
[Aut.]: Krzysztof
Przybyła
.
-
Pr. Nauk. PŚl., Elektr.
2016 R. 62 z. 3/4
, s. 23-33, bibliogr. 25 poz..
Punktacja MNiSW
6.000
MOSFET
;
SiC
;
GaN
;
falownik klasy DE
MOSFET
;
SiC
;
GaN
;
class DE inverter
12/30
Nr opisu:
0000110902
Selection of 5 kW converter leg for power electronic system for residential buildings.
[Aut.]: Marcin
Zygmanowski
, Jarosław
Michalak
, Michał
Jeleń
, Grzegorz
Jarek
, Jan**
Popczyk
.
W:
2016 18th European Conference on Power Electronics and Applications
. EPE'16 ECCE Europe, [Karlsruhe, Germany, 5-9 September 2016]. Piscataway : Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2016
, s. 1-10, bibliogr. 9 poz.
projektowanie
;
węglik krzemu
;
SiC
;
MOSFET
;
microgrid
design
;
IGBT
;
silicon carbide
;
SiC
;
MOSFET
;
microgrid
13/30
Nr opisu:
0000106658
Układy dopasowania L-C oraz L-LC w falownikach klasy D do nagrzewania indukcyjnego - teoria i praktyka.
[Aut.]: Marcin
Kasprzak
, Piotr
Legutko
, Kamil
Kierepka
.
-
Prz. Elektrot.
2016 R. 92 nr 6
, s. 8-11, bibliogr. 12 poz..
Punktacja MNiSW
14.000
falownik klasy D
;
MOSFET
;
L-LC
;
nagrzewanie indukcyjne
class D inverter
;
MOSFET
;
L-LC
;
induction heating
14/30
Nr opisu:
0000105709
Wysokoczęstotliwościowe drajwery dedykowane do tranzystorów MOSFET serii DE.
[Aut.]: Piotr
Legutko
, Marcin
Kasprzak
.
W:
Seminarium Młodych Naukowców Wydziału Elektrycznego Politechniki Śląskiej
. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki Śląskiej, 2016
, s. 81-83, bibliogr. 3 poz.
sterownik bramkowy
;
MOSFET
;
transformator
gate driver
;
MOSFET
;
transformer
15/30
Nr opisu:
0000107444
Wysokoczęstotliwościowe drajwery dedykowane do tranzystorów MOSFET serii DE - rozwiązania i perspektywa rozwoju.
[Aut.]: Piotr
Legutko
.
W:
Energoelektronika w nauce i dydaktyce
. ENiD 2016. XV Sympozjum, Gliwice - Tarnowskie Góry, 12-14 maja 2016. Materiały. Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny. Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki Śląskiej, 2016
, s. 135-140, bibliogr. 9 poz.
sterownik bramkowy
;
MOSFET
;
tranzystor
;
drajwer
gate driver
;
MOSFET
;
transistor
;
driver
16/30
Nr opisu:
0000103151
Układy dopasowania L-C oraz L-LC w falownikach klasy D do nagrzewania indukcyjnego - teoria i praktyka.
[Aut.]: Marcin
Kasprzak
, Piotr
Legutko
, Kamil
Kierepka
.
W:
Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym
. SENE 2015. XII Krajowa konferencja naukowa, Łódź, 18-20 listopada 2015. [Dokument elektroniczny]. Łódź : [b.w.], 2015
, dysk optyczny (CD-ROM) s. 1-4, bibliogr. 12 poz.
falownik klasy D
;
MOSFET
;
L-LC
;
nagrzewanie indukcyjne
class D inverter
;
MOSFET
;
L-LC
;
induction heating
17/30
Nr opisu:
0000113996
Wysokoczęstotliwościowe falowniki rezonansowe klasy DE i E - modelowanie, sterowanie, zastosowania.
[Aut.]: Marcin
Kasprzak
, Zbigniew
Kaczmarczyk
, Piotr
Legutko
, Piotr
Zaleśny
.
-
Pr. Nauk. PŚl., Elektr.
2015 R. 61 z. 4
, s. 69-80, bibliogr. 18 poz..
Punktacja MNiSW
6.000
falownik klasy DE
;
falownik klasy E
;
MOSFET
;
drajwer
;
nagrzewanie pojemnościowe
class DE inverter
;
class E inverter
;
MOSFET
;
driver
;
dielectric heating
18/30
Nr opisu:
0000100978
Porównanie układów dopasowania L-C oraz L-LC dla falownika klasy D 1,5 kW/300 kHz.
[Aut.]: Marcin
Kasprzak
, Piotr
Legutko
, Kamil
Kierepka
.
-
Pr. Nauk. PŚl., Elektr.
2014 R. 60 z. 2/3
, s. 83-93, bibliogr. 11 poz..
Punktacja MNiSW
6.000
falownik klasy D
;
MOSFET
;
falownik L-LC
;
nagrzewanie indukcyjne
D class inverter
;
MOSFET
;
L-LC inverter
;
induction heating
19/30
Nr opisu:
0000092028
Sterowanie falownika klasy DE metodą PWM-FM.
[Aut.]: Marcin
Kasprzak
.
-
Prz. Elektrot.
2014 R. 90 nr 6
, s. 83-86, bibliogr. 11 poz..
Punktacja MNiSW
14.000
falownik klasy DE
;
PWM
;
MOSFET
;
komutacja optymalna
class DE inverter
;
PWM
;
MOSFET
;
optimal commutation
20/30
Nr opisu:
0000081567
Falownik klasy D-ZVS 300 kHz/1,5 kW do nagrzewania indukcyjnego - możliwości pracy w klasie D i DE.
[Aut.]: Marcin
Kasprzak
.
-
Prz. Elektrot.
2013 R. 89 nr 4
, s. 29-32, bibliogr. 15 poz..
Punktacja MNiSW
14.000
falownik klasy D
;
ZVS
;
MOSFET
;
komutacja optymalna
class D inverter
;
ZVS
;
MOSFET
;
optimal commutation
21/30
Nr opisu:
0000078150
Falownik klasy DE 8 MHz/300 W z rezonansowym sterownikiem klasy D o sinusoidalnym kształcie napięcia bramkowego.
[Aut.]: Marcin
Kasprzak
.
-
Prz. Elektrot.
2013 R. 89 nr 2a
, s. 28-33, bibliogr. 16 poz..
Punktacja MNiSW
14.000
falownik klasy DE
;
MOSFET
;
drajwer
;
sprawność falownika
class DE inverter
;
MOSFET
;
driver
;
inverter efficiency
22/30
Nr opisu:
0000093412
Możliwości realizacji falownika klasy DE 13,56 MhZ 500 W przy pracy optymalnej.
[Aut.]: Marcin
Kasprzak
.
-
Pr. Nauk. PŚl., Elektr.
2013 R. 59 z. 1
, s. 93-102, bibliogr. 19 poz..
Punktacja MNiSW
6.000
falownik klasy DE
;
przełączanie miękkie
;
wysoka częstotliwość
;
MOSFET
;
drajwer
class DE inverter
;
soft switching
;
high frequency
;
MOSFET
;
driver
23/30
Nr opisu:
0000070879
Falownik klasy DE 13,56 MHz/450 W - wpływ nieliniowej pojemności wyjściowej tranzystora Mosfet na sterowanie metodą AM.
[Aut.]: Marcin
Kasprzak
.
-
Prz. Elektrot.
2012 R. 88 nr 4b
, s. 122-127, bibliogr. 21 poz..
Punktacja MNiSW
15.000
falownik klasy DE
;
MOSFET
;
pojemność nieliniowa
class DE inverter
;
MOSFET
;
nonlinear capacitance
24/30
Nr opisu:
0000077709
Możliwości realizacji falownika klasy DE 13,56 MHz 500 W pracy optymalnej.
[Aut.]: Marcin
Kasprzak
.
-
Pr. Nauk. PŚl., Elektr.
2011 R. 57 z. 2 (218)
, s. 79-89, bibliogr. 19 poz..
Punktacja MNiSW
4.000
falownik klasy DE
;
przełączanie miękkie
;
wysoka częstotliwość
;
MOSFET
;
tranzystor MOSFET
class DE inverter
;
soft switching
;
high frequency
;
MOSFET
;
MOSFET transistor
25/30
Nr opisu:
0000068889
Falownik klasy DE 13,56 MHz/500 W z drajwerem typu flyback - pomiary sprawności.
[Aut.]: Marcin
Kasprzak
.
-
Pr. Nauk. PŚl., Elektr.
2010 R. 56 z. 4 (216)
, s. 103-113, bibliogr. 13 poz.
falownik klasy DE
;
MOSFET
;
drajwer
;
Flyback
class DE inverter
;
MOSFET
;
driver
;
Flyback
26/30
Nr opisu:
0000055547
Falownik klasy DE 13,56MHZ/500W z drajwerem typu flyback.
[Aut.]: Marcin
Kasprzak
, D.
Rędzia
.
-
Prz. Elektrot.
2010 R. 86 nr 2
, s. 243-246, bibliogr. 11 poz..
Impact Factor
0.242
falownik klasy E
;
przełączanie miękkie
;
wysoka częstotliwość
;
wysoka sprawność
;
MOSFET
class E inverter
;
soft switching
;
high frequency
;
high efficiency
;
MOSFET
27/30
Nr opisu:
0000055777
Falownik klasy E 27 MHz, 500 W o podwyższonej sprawności.
[Aut.]: Zbigniew
Kaczmarczyk
, Wojciech*
Jurczak
.
-
Prz. Elektrot.
2010 R. 86 nr 2
, s. 221-224, bibliogr. 13 poz..
Impact Factor
0.242
falownik klasy E
;
przełączanie miękkie
;
wysoka częstotliwość
;
MOSFET
class E inverter
;
soft switching
;
high frequency
;
high efficiency
;
MOSFET
28/30
Nr opisu:
0000048668
Falownik klasy E - 27MHz, 500 W.
[Aut.]: Zbigniew
Kaczmarczyk
, Wojciech*
Jurczak
.
-
Pr. Nauk. PŚl., Elektr.
2008 R. 54 z. 4 (208)
, s. 207-218, bibliogr. 10 poz.
falownik klasy E
;
przełączanie miękkie
;
wysoka częstotliwość
;
MOSFET
class E inverter
;
soft switching
;
high frequency
;
MOSFET
29/30
Nr opisu:
0000049454
Patent. Polska, nr 200 087.
Wielowejściowy tranzystor polowy MOS o bramkach swobodnych. Int. Cl. H01L 29/772.
Politechnika Śląska, Polska
Twórcy: Lesław**
Topór-Kamiński
.
Zgłosz. nr 347 756 z 26.05.2001. Opubl. 31.12.2008, 4 s.
tranzystor polowy MOS
;
MOSFET
;
tranzystor polowy metal- tlenek-półprzewodnik
;
bramka swobodna
field-effect transistor MOS
;
MOSFET
;
Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor
;
free gate
30/30
Nr opisu:
0000011352
Multiple-input floating-gate MOS transistor in analogue electronics circuit.
[Aut.]: Lesław**
Topór-Kamiński
, Piotr
Holajn
.
-
Bull. Pol. Acad. Sci., Tech. Sci.
2004 vol. 52 no. 3
, s. 251-256, bibliogr. 8 poz.
MOSFET
;
bramka pływająca
;
wzmacniacz analogowy
;
wielowejściowy wzmacniacz operacyjny
MOSFET
;
floating gate
;
analogue amplifier
;
multiple-input operational amplifier
;
voltage controlled resistor
stosując format:
standardowy
pełny z etykietami pól
roboczy
redakcja skr.
redakcja peł.
kontrolny
Nowe wyszukiwanie