Wynik wyszukiwania
Zapytanie:
GAN
Liczba odnalezionych rekordów:
15
Przejście do opcji zmiany formatu
|
Wyświetlenie wyników w wersji do druku
|
Pobranie pliku do edytora
|
Przesłanie wyników do modułu analizy
|
excel
|
Nowe wyszukiwanie
1/15
Nr opisu:
0000139064
Effect of carrier drift-diffusion transport process on thermal quenching of photoluminescence in GaN.
[Aut.]: M.
Matys
, Bogusława
Adamowicz
, T.
Kachi
, T.
Hashizume
.
-
J. Phys., D Appl. Phys.
2021 vol. 54 iss. 5
, s. 1-13, bibliogr. 33 poz..
Impact Factor
3.169.
Punktacja MNiSW
70.000
GaN
;
stan powierzchniowy
GaN
;
surface states
;
drift diffusion
2/15
Nr opisu:
0000136097
Porównanie falowników klasy DE z pasma 13,56 MHz zbudowanych na tranzystorach SiC MOSFET i GaN FET.
[Aut.]: Krzysztof
Przybyła
, Marcin
Kasprzak
.
-
Prz. Elektrot.
2020 R. 96 nr 7
, s. 68-71, bibliogr. 15 poz..
Punktacja MNiSW
20.000
falownik klasy DE
;
wysoka częstotliwość
;
SiC
;
GaN
;
MOSFET
;
drajwer
class DE inverter
;
high frequency
;
SiC
;
GaN
;
MOSFET
;
driver
3/15
Nr opisu:
0000132122
Analiza i badania wysokoczęstotliwościowych falowników klasy DE z tranzystorami MOSFET na bazie SiC i GaN. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Krzysztof
Przybyła
.
Gliwice, 2019, 143 k., bibliogr. 118 poz.
Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny. Promotor: dr hab. inż. Marcin Kasprzak, dr inż. Marcin Zygmanowski
falownik klasy DE
;
wysoka częstotliwość
;
tranzystor MOSFET
;
SiC
;
GaN
class DE inverter
;
high frequency
;
MOSFET transistor
;
SiC
;
GaN
4/15
Nr opisu:
0000133268
Feasibility of high frequency zero-voltage switching boost converters achieving high power density using wide-bandgap devices.
[Aut.]: Piotr
Zimoch
, Kamil
Kierepka
, Marcin
Kasprzak
.
W:
2019 International Conference on Electrical Drives & Power Electronics (EDPE)
. 9th Joint Slovakian-Croatian Conference, 24-26 September 2019, Novy Smokovec, The High Tatras, Slovak Republic. Conference proceedings. Piscataway : Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2019
, s. 24-29, bibliogr. 12 poz..
Punktacja MNiSW
20.000
GaN
;
gęstość mocy
;
przekształtnik DC/DC typu boost
;
przełączenie miękkie
GaN
;
power density
;
DC/DC boost converter
;
zero voltage switching
5/15
Nr opisu:
0000134052
Porównanie falowników klasy DE z pasma 13,56 MHz zbudowanych na tranzystorach SiC MOSFET i GaN FET.
[Aut.]: Krzysztof
Przybyła
, Marcin
Kasprzak
.
W:
Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym "SENE 2019"
. XIV Konferencja naukowa, Łódź, 20-22 listopada 2019. [Dokument elektroniczny]. Łódź : Instytut Automatyki Politechniki Łódzkiej, 2019
, pamięć USB (PenDrive) s. 1-4, bibliogr. 16 poz..
Punktacja MNiSW
20.000
falownik klasy DE
;
wysoka częstotliwość
;
SiC
;
GaN
;
MOSFET
;
drajwer
class DE inverter
;
high frequency
;
SiC
;
GaN
;
MOSFET
;
driver
6/15
Nr opisu:
0000122770
Possible application of SiC and GaN MOSFET transistors in class de inverter.
[Aut.]: Krzysztof
Przybyła
.
-
Pr. Nauk. PŚl., Elektr.
2016 R. 62 z. 3/4
, s. 23-33, bibliogr. 25 poz..
Punktacja MNiSW
6.000
MOSFET
;
SiC
;
GaN
;
falownik klasy DE
MOSFET
;
SiC
;
GaN
;
class DE inverter
7/15
Nr opisu:
0000107443
Właściwości tranzystorów MOSFET na bazie SiC i GaN.
[Aut.]: Krzysztof
Przybyła
.
W:
Energoelektronika w nauce i dydaktyce
. ENiD 2016. XV Sympozjum, Gliwice - Tarnowskie Góry, 12-14 maja 2016. Materiały. Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny. Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki Śląskiej, 2016
, s. 129-134, bibliogr. 16 poz.
tranzystor MOSFET
;
węglik krzemu
;
azotek galu
;
SiC
;
GaN
MOSFET transistor
;
silicon carbide
;
gallium nitride
;
SiC
;
GaN
8/15
Nr opisu:
0000093838
Fotodetektor ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/GaN i AlGaN/GaN.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Rafał*
Ucka
, Maciej*
Matys
, Alina
Domanowska
, Z.
Żytkiewicz
, M.
Sobańska
, A.
Taube
, R.
Kruszka
.
W:
Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]
. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013
, s. 184 + tekst na CD-ROM
Pełny tekst na CD-ROM
fotodetektor ultrafioletu
;
GaN
;
AlGaN/GaN
;
stan powierzchniowy
;
fotonapięcie powierzchniowe
;
fotopojemność
;
pasywacja
;
struktura metal-izolator-półprzewodnik
UV photodetector
;
GaN
;
AlGaN/GaN
;
surface condition
;
surface photovoltage
;
photocapacitance
;
passivation
;
metal-insulator-semiconductor structure
9/15
Nr opisu:
0000093844
Wykorzystanie nanodrutów GaN na podłożach Si w strukturach sensorów chemicznych.
[Aut.]: K.
Kłosek
, M.
Sobańska
, Z.
Żytkiewicz
, A.
Wierzbicka
, A.
Reszka
, R.
Kruszka
, K.
Gołaszewska
, Maciej
Setkiewicz
, Tadeusz
Pustelny
.
W:
Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]
. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013
, s. 201-203 + tekst na CD-ROM
Pełny tekst na CD-ROM
GaN
;
sensor chemiczny
;
nanodruty
;
epitaksja z wiązek molekularnych
GaN
;
chemical sensor
;
nanowires
;
molecular beam epitaxy
10/15
Nr opisu:
0000093841
Wyznaczanie energetycznego rozkładu gęstości powierzchniowych na granicy fazowej Al
2
O
3
/GaN i Al
2
O
3
/AlGaN.
[Aut.]: Maciej*
Matys
, Rafał*
Ucka
, Bogusława
Adamowicz
, Y.
Hori
, T.
Hashizume
.
W:
Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]
. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013
, s. 194 + tekst na CD-ROM
Pełny tekst na CD-ROM
Al2O3
;
GaN
;
AlGaN
;
pasywacja
;
fotopojemność
;
stan powierzchniowy
;
struktura metal-izolator-półprzewodnik
Al2O3
;
GaN
;
AlGaN
;
passivation
;
photocapacitance
;
surface condition
;
metal-insulator-semiconductor structure
11/15
Nr opisu:
0000082582
Modelowanie zjawisk fotoelektrycznych w zakresie ultrafioletu w strukturach metal/izolator/GaN.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Piotr*
Bidziński
, Marcin**
Miczek
, Maciej*
Matys
.
W:
Dziesiąta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 05-09.06.2011]
. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2011
, s. 137
Pełny tekst na CD-ROM
GaN
;
fotonapięcie powierzchniowe
;
rekombinacja
;
detektor ultrafioletu
;
metoda elementów skończonych
GaN
;
surface photovoltage
;
recombination
;
UV detector
;
finite element method
12/15
Nr opisu:
0000084444
Modelowanie zjawisk fotoelektrycznych w zakresie ultrafioletu w strukturach metal/izolator/GaN.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Piotr*
Bidziński
, Marcin**
Miczek
, Maciej*
Matys
.
-
Elektronika
2011 R. 52 nr 9
, s. 43-45, bibliogr. 6 poz..
Punktacja MNiSW
6.000
GaN
;
fotonapięcie powierzchniowe
;
rekombinacja
;
detektor ultrafioletu
;
metoda elementów skończonych
;
MES
GaN
;
surface photovoltage
;
recombination
;
UV detector
;
finite element method
;
FEM
13/15
Nr opisu:
0000081093
Analiza numeryczna zjawisk fotoelektronowych w detektorach promieniowania UV typu MIS na bazie n-GaN.
[Aut.]: Piotr*
Bidziński
, Marcin**
Miczek
, Bogusława
Adamowicz
, T.
Hashizume
.
W:
IV Krajowa Konferencja Nanotechnologii
. NANO 2010, Poznań, 28.06-02.07 2010. Program i streszczenia. Wydział Fizyki Technicznej Politechniki Poznańskiej [et al.].. Poznań : [b.w.], 2010
, s. 235, bibliogr. 4 poz.
GaN
;
struktura MIS
;
COMSOL
GaN
;
MIS structure
;
COMSOL
14/15
Nr opisu:
0000063105
Modeling of metal/insulator/GaN ultraviolet photodetector by finite element method.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Marcin**
Miczek
, Piotr*
Bidziński
, T.
Hashizume
.
W:
18th International Conference on Microwaves, Radar and Wireless Communications
. MIKON-2010, Vilnius, Lithuania, June 14-16, 2010. Conference proceedings. Picataway : Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2010
, s. 1-3, bibliogr. 7 poz.
GaN
;
metal/izolator/półprzewodnik
;
fotodekoder UV
;
modelowanie komputerowe
;
metoda elementów skończonych
;
COMSOL
GaN
;
MIS
;
UV photodecoder
;
computer modelling
;
finite element method
;
COMSOL
15/15
Nr opisu:
0000041375
Response to oxygen and chemical properties of SnO
2
thin-film gas sensors.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Weronika
Izydorczyk
, Jacek
Izydorczyk
, Andrzej**
Klimasek
, Wiesław
Jakubik
, J.
Żywicki
.
W:
Proceedings of the 9th Electron Technology Conference
. ELTE 2007, Cracow, 4-7 September 2007. Ed. by B. Dziurdzia, T. Pisarkiewicz. [B.m.] : Elsevier, 2008
, s. 966-970, bibliogr. 16 poz. (
Vacuum
; vol. 82, iss. 10 0042-207X)
GaN
;
technika wzrostu MOVPE
;
podłoża proszkowe nanokrystaliczne
GaN
;
MOVPE growth technique
;
nanocrystalline powder substrates
stosując format:
standardowy
pełny z etykietami pól
roboczy
redakcja skr.
redakcja peł.
kontrolny
Nowe wyszukiwanie