Wynik wyszukiwania
Zapytanie: GAAS
Liczba odnalezionych rekordów: 5



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/5
Nr opisu: 0000063355   
Surface passivation of III-V semiconductors for future CMOS devices - past research, present status and key issues for future.
[Aut.]: H. Hasegawa, M. Akazawa, Alina Domanowska, Bogusława Adamowicz.
-Appl. Surf. Sci. 2010 vol. 256 iss. 19, s. 5698-5707, bibliogr. 65 poz.. Impact Factor 1.795

półprzewodnik grupy III-V ; pasywacja powierzchni ; MISFET ; dielektryk o wysokiej przenikalności elektrycznej ; arsenek galu ; GaAs ; fotoluminescencja

III-V semiconductor ; surface passivation ; MISFET ; high-k dielectric ; gallium arsenide ; GaAs ; photoluminescence

2/5
Nr opisu: 0000047690   
Analysis of mechanism of carbon removal from GaAs(1 0 0) surface by atomic hydrogen.
[Aut.]: Paweł* Tomkiewicz, A. Winkler, Maciej Krzywiecki, T. Chasse, Jacek** Szuber.
-Appl. Surf. Sci. 2008 vol. 254 iss. 24, s. 8035-8040, bibliogr. 42 poz.. Impact Factor 1.576

GaAs ; oczyszczanie ; wytrawianie ; wodór atomowy ; spektroskopia elektronów Augera ; spektrometria mas ; rentgenowska spektroskopia fotoelektronów

GaAs ; cleaning ; etching ; atomic hydrogen ; Auger electron spectroscopy ; mass spectrometry ; X-ray photoelectron spectroscopy

3/5
Nr opisu: 0000025449   
Comparative study of the GaAs(1 0 0) surface cleaned by atomic hydrogen.
[Aut.]: Paweł* Tomkiewicz, A. Winkler, Jacek** Szuber.
-Appl. Surf. Sci. 2006 vol. 252 iss. 21, s. 7647-7658, bibliogr. 58 poz.
Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005. Impact Factor 1.436

GaAs ; wodór atomowy ; spektroskopia elektronów Augera ; spektrometria masowa ; stan powierzchniowy ; poziom Fermiego ; funkcja pracy ; potencjał jonizacyjny

GaAs ; atomic hydrogen ; Auger electron spectroscopy ; mass spectrometry ; surface states ; Fermi level ; work function ; ionization potential

4/5
Nr opisu: 0000025453   
XPS analysis of surface chemistry of near surface region of epiready GaAs(1 0 0) surface treated with (NH4)2Sx solution.
[Aut.]: Sebastian* Arabasz, E. Bergignat, G. Hollinger, Jacek** Szuber.
-Appl. Surf. Sci. 2006 vol. 252 iss. 21, s. 7659-7663, bibliogr. 32 poz.
Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005. Impact Factor 1.436

GaAs ; pasywacja ; XPS ; siarkowanie

GaAs ; passivation ; XPS ; sulfidation

5/5
Nr opisu: 0000025543   
XPS study of surface chemistry of epiready GaAs(1 0 0) surface after (NH4)2Sx passivation.
[Aut.]: Sebastian* Arabasz, E. Bergignat, G. Hollinger, Jacek** Szuber.
-Vacuum 2006 vol. 80 iss. 8, s. 888-893, bibliogr. 36 poz.. Impact Factor 0.834

GaAs ; siarkowanie ; pasywacja ; XPS ; półprzewodnik

GaAs ; sulfidation ; passivation ; XPS ; semiconductor

stosując format:
Nowe wyszukiwanie