Wynik wyszukiwania
Zapytanie:
GAAS
Liczba odnalezionych rekordów:
5
Przejście do opcji zmiany formatu
|
Wyświetlenie wyników w wersji do druku
|
Pobranie pliku do edytora
|
Przesłanie wyników do modułu analizy
|
excel
|
Nowe wyszukiwanie
1/5
Nr opisu:
0000063355
Surface passivation of III-V semiconductors for future CMOS devices - past research, present status and key issues for future.
[Aut.]: H.
Hasegawa
, M.
Akazawa
, Alina
Domanowska
, Bogusława
Adamowicz
.
-
Appl. Surf. Sci.
2010 vol. 256 iss. 19
, s. 5698-5707, bibliogr. 65 poz..
Impact Factor
1.795
półprzewodnik grupy III-V
;
pasywacja powierzchni
;
MISFET
;
dielektryk o wysokiej przenikalności elektrycznej
;
arsenek galu
;
GaAs
;
fotoluminescencja
III-V semiconductor
;
surface passivation
;
MISFET
;
high-k dielectric
;
gallium arsenide
;
GaAs
;
photoluminescence
2/5
Nr opisu:
0000047690
Analysis of mechanism of carbon removal from GaAs(1 0 0) surface by atomic hydrogen.
[Aut.]: Paweł*
Tomkiewicz
, A.
Winkler
, Maciej
Krzywiecki
, T.
Chasse
, Jacek**
Szuber
.
-
Appl. Surf. Sci.
2008 vol. 254 iss. 24
, s. 8035-8040, bibliogr. 42 poz..
Impact Factor
1.576
GaAs
;
oczyszczanie
;
wytrawianie
;
wodór atomowy
;
spektroskopia elektronów Augera
;
spektrometria mas
;
rentgenowska spektroskopia fotoelektronów
GaAs
;
cleaning
;
etching
;
atomic hydrogen
;
Auger electron spectroscopy
;
mass spectrometry
;
X-ray photoelectron spectroscopy
3/5
Nr opisu:
0000025449
Comparative study of the GaAs(1 0 0) surface cleaned by atomic hydrogen.
[Aut.]: Paweł*
Tomkiewicz
, A.
Winkler
, Jacek**
Szuber
.
-
Appl. Surf. Sci.
2006 vol. 252 iss. 21
, s. 7647-7658, bibliogr. 58 poz.
Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005.
Impact Factor
1.436
GaAs
;
wodór atomowy
;
spektroskopia elektronów Augera
;
spektrometria masowa
;
stan powierzchniowy
;
poziom Fermiego
;
funkcja pracy
;
potencjał jonizacyjny
GaAs
;
atomic hydrogen
;
Auger electron spectroscopy
;
mass spectrometry
;
surface states
;
Fermi level
;
work function
;
ionization potential
4/5
Nr opisu:
0000025453
XPS analysis of surface chemistry of near surface region of epiready GaAs(1 0 0) surface treated with (NH
4
)
2
S
x
solution.
[Aut.]: Sebastian*
Arabasz
, E.
Bergignat
, G.
Hollinger
, Jacek**
Szuber
.
-
Appl. Surf. Sci.
2006 vol. 252 iss. 21
, s. 7659-7663, bibliogr. 32 poz.
Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005.
Impact Factor
1.436
GaAs
;
pasywacja
;
XPS
;
siarkowanie
GaAs
;
passivation
;
XPS
;
sulfidation
5/5
Nr opisu:
0000025543
XPS study of surface chemistry of epiready GaAs(1 0 0) surface after (NH
4
)
2
S
x
passivation.
[Aut.]: Sebastian*
Arabasz
, E.
Bergignat
, G.
Hollinger
, Jacek**
Szuber
.
-
Vacuum
2006 vol. 80 iss. 8
, s. 888-893, bibliogr. 36 poz..
Impact Factor
0.834
GaAs
;
siarkowanie
;
pasywacja
;
XPS
;
półprzewodnik
GaAs
;
sulfidation
;
passivation
;
XPS
;
semiconductor
stosując format:
standardowy
pełny z etykietami pól
roboczy
redakcja skr.
redakcja peł.
kontrolny
Nowe wyszukiwanie