Wynik wyszukiwania
Zapytanie: SURFACE PHOTOVOLTAGE
Liczba odnalezionych rekordów: 12



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/12
Nr opisu: 0000093864
Optymalizacja konstrukcji i warunków pracy demonstratora sensora gazów toksycznych opartego na zjawisku fotonapięcia powierzchniowego.
[Aut.]: Aleksander* Miera, Jacek** Szuber, P. Tomkiewicz, A. Piotrowska, M. Borysiewicz, E. Kamińska, Maciej Setkiewicz.
W: Trzynasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 09-13.06.2014]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2014, s. 105-106 + tekst na CD-ROM, bibliogr. 2 poz.
Pełny tekst na CD-ROM

fotonapięcie powierzchniowe ; sensor gazów ; gaz toksyczny

surface photovoltage ; gas sensor ; toxic gas

2/12
Nr opisu: 0000093843
Demonstrator sensora gazów toksycznych oparty na zjawisku fotonapięcia powierzchniowego.
[Aut.]: P. Tomkiewicz, Jacek** Szuber, Aleksander* Miera, M. Borysiewicz, E. Kamińska, A. Piotrowska, Maciej Setkiewicz.
W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 199 + tekst na CD-ROM
Pełny tekst na CD-ROM

sensor gazu ; fotonapięcie powierzchniowe ; gaz toksyczny

gas sensor ; surface photovoltage ; toxic gas

3/12
Nr opisu: 0000093838
Fotodetektor ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/GaN i AlGaN/GaN.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Rafał* Ucka, Maciej* Matys, Alina Domanowska, Z. Żytkiewicz, M. Sobańska, A. Taube, R. Kruszka.
W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 184 + tekst na CD-ROM
Pełny tekst na CD-ROM

fotodetektor ultrafioletu ; GaN ; AlGaN/GaN ; stan powierzchniowy ; fotonapięcie powierzchniowe ; fotopojemność ; pasywacja ; struktura metal-izolator-półprzewodnik

UV photodetector ; GaN ; AlGaN/GaN ; surface condition ; surface photovoltage ; photocapacitance ; passivation ; metal-insulator-semiconductor structure

4/12
Nr opisu: 0000088327   
Two-dimensional modeling of surface photovoltage in metal/insulator/n-GaN structure with cylindrical symmetry.
[Aut.]: Maciej* Matys, P. Powroźnik, D. Kupka, Bogusława Adamowicz.
-Opt. Appl. 2013 vol. 43 no. 1, s. 47-52, bibliogr. 7 poz.. Impact Factor 0.643. Punktacja MNiSW 15.000

fotonapięcie powierzchniowe ; azotek galu ; metal/izolator/GaN ; struktura MIS ; detektor ultrafioletu

surface photovoltage ; gallium nitride ; metal/insulator/GaN ; MIS structure ; UV detector

5/12
Nr opisu: 0000071978
Modelowanie dwuwymiarowe fotonapięcia powierzchniowego w strukturach metal/izolator/GaN o symetrii cylindrycznej.
[Aut.]: Maciej* Matys, P. Powroźnik, D. Kupka, Bogusława Adamowicz.
W: Powierzchnia i struktury cienkowarstwowe. XII Seminarium. SemPiSC, Szklarska Poręba, 9-12 maja 2012. Książka streszczeń. [B.m.] : [b.w.], 2012, s. 1-2, bibliogr. 3 poz.

fotonapięcie powierzchniowe ; metal/izolator/GaN ; symetria cylindryczna

surface photovoltage ; metal/insulator/GaN ; cylindrical symmetry

6/12
Nr opisu: 0000082739
Modelowanie fotodetektora ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/GaN i AlGaN/GaN.
[Aut.]: Marcin** Miczek, Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz.
W: Jedenasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 11-14.06.2012]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2012, s. 157
Pełny tekst na CD-ROM

detektor ultrafioletu ; napięcie powierzchniowe ; AlGaN/GaN ; defekt objętościowy ; fotonapięcie powierzchniowe ; metal/izolator/półprzewodnik

UV detector ; surface tension ; AlGaN/GaN ; volume defect ; surface photovoltage ; MIS

7/12
Nr opisu: 0000080343   
Surface photovoltage and Auger electron spectromicroscopy studies of HfO2/SiO2/4H-SiC and HfO2/Al2O3/4H-SiC structures.
[Aut.]: Alina Domanowska, Marcin** Miczek, Rafał* Ucka, Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, J. Żywicki, A. Taube, K. Korwin-Mikke, S. Gierałtowska, M. Sochacki.
-Appl. Surf. Sci. 2012 vol. 258 iss. 21, s. 8354-8359, bibliogr. 43 poz.. Impact Factor 2.112. Punktacja MNiSW 30.000

węglik krzemu ; pasywacja powierzchni ; fotonapięcie powierzchniowe ; spektroskopia elektronów Augera

silicon carbide ; surface passivation ; surface photovoltage ; Auger electron spectroscopy ; chemical in-depth profiling ; interface charge

8/12
Nr opisu: 0000082582
Modelowanie zjawisk fotoelektrycznych w zakresie ultrafioletu w strukturach metal/izolator/GaN.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Maciej* Matys.
W: Dziesiąta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 05-09.06.2011]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2011, s. 137
Pełny tekst na CD-ROM

GaN ; fotonapięcie powierzchniowe ; rekombinacja ; detektor ultrafioletu ; metoda elementów skończonych

GaN ; surface photovoltage ; recombination ; UV detector ; finite element method

9/12
Nr opisu: 0000084444
Modelowanie zjawisk fotoelektrycznych w zakresie ultrafioletu w strukturach metal/izolator/GaN.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Maciej* Matys.
-Elektronika 2011 R. 52 nr 9, s. 43-45, bibliogr. 6 poz.. Punktacja MNiSW 6.000

GaN ; fotonapięcie powierzchniowe ; rekombinacja ; detektor ultrafioletu ; metoda elementów skończonych ; MES

GaN ; surface photovoltage ; recombination ; UV detector ; finite element method ; FEM

10/12
Nr opisu: 0000056791   
Surface electronic properties of sulfur-treated GaAs determined by surface photovoltage measurement and its computer simulation.
[Aut.]: Paweł* Tomkiewicz, Sebastian* Arabasz, Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, J. Mizsei, D. Zahn, H. Hasegawa, Jacek** Szuber.
-Surf. Sci. 2009 vol. 603 iss. 3, s. 498-502, bibliogr. 39 poz.. Impact Factor 1.798

Gats ; pasywacja ; chlorek siarki ; powierzchnia rozdziału faz ; poziom Fermiego ; fotonapięcie powierzchniowe ; potencjał styku ; sonda Kelvina

Gats ; passivation ; sulphur chloride ; interface ; Fermi level ; surface photovoltage ; contact potential ; Kelvin probe

11/12
Nr opisu: 0000018246   
Influence of surface states and bulk traps on non-equilibrium phenomena at GaAs and GaN surfaces.
[Aut.]: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume, H. Hasegawa.
-Opt. Appl. 2005 vol. 35 no. 3, s. 355-361, bibliogr. 28 poz.. Impact Factor 0.459

arsenek galu ; azotek galu ; stan powierzchniowy ; fotoluminescencja ; fotonapięcie powierzchniowe

gallium arsenide ; gallium nitride ; surface states ; photoluminescence ; surface photovoltage

12/12
Nr opisu: 0000007661
Characterisation of the electronic status of III-V-based surfaces and interfaces for nanoelectronics applications.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa.
W: 27-th International Conference and Exhibition IMAPS - Poland 2003, Podlesice, Gliwice, 16-19 September, 2003. Proceedings. Eds: M. Drelichowska [i in.]. [Kraków] : [International Microelectronics and Packaging Society IMAPS. Poland Chapter], 2003, s. 11-20, bibliogr. 32 poz.

stan powierzchniowy ; rekombinacja powierzchniowa ; poziom Fermiego ; pasywacja ; fotoluminescencja ; fotonapięcie powierzchniowe ; algorytm genetyczny

surface states ; surface recombination ; Fermi level ; passivation ; photoluminescence ; surface photovoltage ; genetic algorithm

stosując format:
Nowe wyszukiwanie