Wynik wyszukiwania
Zapytanie:
SURFACE PHOTOVOLTAGE
Liczba odnalezionych rekordów:
12
Przejście do opcji zmiany formatu
|
Wyświetlenie wyników w wersji do druku
|
Pobranie pliku do edytora
|
Przesłanie wyników do modułu analizy
|
excel
|
Nowe wyszukiwanie
1/12
Nr opisu:
0000093864
Optymalizacja konstrukcji i warunków pracy demonstratora sensora gazów toksycznych opartego na zjawisku fotonapięcia powierzchniowego.
[Aut.]: Aleksander*
Miera
, Jacek**
Szuber
, P.
Tomkiewicz
, A.
Piotrowska
, M.
Borysiewicz
, E.
Kamińska
, Maciej
Setkiewicz
.
W:
Trzynasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 09-13.06.2014]
. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2014
, s. 105-106 + tekst na CD-ROM, bibliogr. 2 poz.
Pełny tekst na CD-ROM
fotonapięcie powierzchniowe
;
sensor gazów
;
gaz toksyczny
surface photovoltage
;
gas sensor
;
toxic gas
2/12
Nr opisu:
0000093843
Demonstrator sensora gazów toksycznych oparty na zjawisku fotonapięcia powierzchniowego.
[Aut.]: P.
Tomkiewicz
, Jacek**
Szuber
, Aleksander*
Miera
, M.
Borysiewicz
, E.
Kamińska
, A.
Piotrowska
, Maciej
Setkiewicz
.
W:
Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]
. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013
, s. 199 + tekst na CD-ROM
Pełny tekst na CD-ROM
sensor gazu
;
fotonapięcie powierzchniowe
;
gaz toksyczny
gas sensor
;
surface photovoltage
;
toxic gas
3/12
Nr opisu:
0000093838
Fotodetektor ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/GaN i AlGaN/GaN.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Rafał*
Ucka
, Maciej*
Matys
, Alina
Domanowska
, Z.
Żytkiewicz
, M.
Sobańska
, A.
Taube
, R.
Kruszka
.
W:
Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]
. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013
, s. 184 + tekst na CD-ROM
Pełny tekst na CD-ROM
fotodetektor ultrafioletu
;
GaN
;
AlGaN/GaN
;
stan powierzchniowy
;
fotonapięcie powierzchniowe
;
fotopojemność
;
pasywacja
;
struktura metal-izolator-półprzewodnik
UV photodetector
;
GaN
;
AlGaN/GaN
;
surface condition
;
surface photovoltage
;
photocapacitance
;
passivation
;
metal-insulator-semiconductor structure
4/12
Nr opisu:
0000088327
Two-dimensional modeling of surface photovoltage in metal/insulator/n-GaN structure with cylindrical symmetry.
[Aut.]: Maciej*
Matys
, P.
Powroźnik
, D.
Kupka
, Bogusława
Adamowicz
.
-
Opt. Appl.
2013 vol. 43 no. 1
, s. 47-52, bibliogr. 7 poz..
Impact Factor
0.643.
Punktacja MNiSW
15.000
fotonapięcie powierzchniowe
;
azotek galu
;
metal/izolator/GaN
;
struktura MIS
;
detektor ultrafioletu
surface photovoltage
;
gallium nitride
;
metal/insulator/GaN
;
MIS structure
;
UV detector
5/12
Nr opisu:
0000071978
Modelowanie dwuwymiarowe fotonapięcia powierzchniowego w strukturach metal/izolator/GaN o symetrii cylindrycznej.
[Aut.]: Maciej*
Matys
, P.
Powroźnik
, D.
Kupka
, Bogusława
Adamowicz
.
W:
Powierzchnia i struktury cienkowarstwowe
. XII Seminarium. SemPiSC, Szklarska Poręba, 9-12 maja 2012. Książka streszczeń. [B.m.] : [b.w.], 2012
, s. 1-2, bibliogr. 3 poz.
fotonapięcie powierzchniowe
;
metal/izolator/GaN
;
symetria cylindryczna
surface photovoltage
;
metal/insulator/GaN
;
cylindrical symmetry
6/12
Nr opisu:
0000082739
Modelowanie fotodetektora ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/GaN i AlGaN/GaN.
[Aut.]: Marcin**
Miczek
, Maciej*
Matys
, Bogusława
Adamowicz
.
W:
Jedenasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 11-14.06.2012]
. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2012
, s. 157
Pełny tekst na CD-ROM
detektor ultrafioletu
;
napięcie powierzchniowe
;
AlGaN/GaN
;
defekt objętościowy
;
fotonapięcie powierzchniowe
;
metal/izolator/półprzewodnik
UV detector
;
surface tension
;
AlGaN/GaN
;
volume defect
;
surface photovoltage
;
MIS
7/12
Nr opisu:
0000080343
Surface photovoltage and Auger electron spectromicroscopy studies of HfO
2
/SiO
2
/4H-SiC and HfO
2
/Al
2
O
3
/4H-SiC structures.
[Aut.]: Alina
Domanowska
, Marcin**
Miczek
, Rafał*
Ucka
, Maciej*
Matys
, Bogusława
Adamowicz
, J.
Żywicki
, A.
Taube
, K.
Korwin-Mikke
, S.
Gierałtowska
, M.
Sochacki
.
-
Appl. Surf. Sci.
2012 vol. 258 iss. 21
, s. 8354-8359, bibliogr. 43 poz..
Impact Factor
2.112.
Punktacja MNiSW
30.000
węglik krzemu
;
pasywacja powierzchni
;
fotonapięcie powierzchniowe
;
spektroskopia elektronów Augera
silicon carbide
;
surface passivation
;
surface photovoltage
;
Auger electron spectroscopy
;
chemical in-depth profiling
;
interface charge
8/12
Nr opisu:
0000082582
Modelowanie zjawisk fotoelektrycznych w zakresie ultrafioletu w strukturach metal/izolator/GaN.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Piotr*
Bidziński
, Marcin**
Miczek
, Maciej*
Matys
.
W:
Dziesiąta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 05-09.06.2011]
. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2011
, s. 137
Pełny tekst na CD-ROM
GaN
;
fotonapięcie powierzchniowe
;
rekombinacja
;
detektor ultrafioletu
;
metoda elementów skończonych
GaN
;
surface photovoltage
;
recombination
;
UV detector
;
finite element method
9/12
Nr opisu:
0000084444
Modelowanie zjawisk fotoelektrycznych w zakresie ultrafioletu w strukturach metal/izolator/GaN.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Piotr*
Bidziński
, Marcin**
Miczek
, Maciej*
Matys
.
-
Elektronika
2011 R. 52 nr 9
, s. 43-45, bibliogr. 6 poz..
Punktacja MNiSW
6.000
GaN
;
fotonapięcie powierzchniowe
;
rekombinacja
;
detektor ultrafioletu
;
metoda elementów skończonych
;
MES
GaN
;
surface photovoltage
;
recombination
;
UV detector
;
finite element method
;
FEM
10/12
Nr opisu:
0000056791
Surface electronic properties of sulfur-treated GaAs determined by surface photovoltage measurement and its computer simulation.
[Aut.]: Paweł*
Tomkiewicz
, Sebastian*
Arabasz
, Bogusława
Adamowicz
, Marcin**
Miczek
, J.
Mizsei
, D.
Zahn
, H.
Hasegawa
, Jacek**
Szuber
.
-
Surf. Sci.
2009 vol. 603 iss. 3
, s. 498-502, bibliogr. 39 poz..
Impact Factor
1.798
Gats
;
pasywacja
;
chlorek siarki
;
powierzchnia rozdziału faz
;
poziom Fermiego
;
fotonapięcie powierzchniowe
;
potencjał styku
;
sonda Kelvina
Gats
;
passivation
;
sulphur chloride
;
interface
;
Fermi level
;
surface photovoltage
;
contact potential
;
Kelvin probe
11/12
Nr opisu:
0000018246
Influence of surface states and bulk traps on non-equilibrium phenomena at GaAs and GaN surfaces.
[Aut.]: Marcin**
Miczek
, Bogusława
Adamowicz
, T.
Hashizume
, H.
Hasegawa
.
-
Opt. Appl.
2005 vol. 35 no. 3
, s. 355-361, bibliogr. 28 poz..
Impact Factor
0.459
arsenek galu
;
azotek galu
;
stan powierzchniowy
;
fotoluminescencja
;
fotonapięcie powierzchniowe
gallium arsenide
;
gallium nitride
;
surface states
;
photoluminescence
;
surface photovoltage
12/12
Nr opisu:
0000007661
Characterisation of the electronic status of III-V-based surfaces and interfaces for nanoelectronics applications.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, H.
Hasegawa
.
W:
27-th International Conference and Exhibition IMAPS - Poland 2003, Podlesice, Gliwice, 16-19 September, 2003
. Proceedings. Eds: M. Drelichowska [i in.]. [Kraków] : [International Microelectronics and Packaging Society IMAPS. Poland Chapter], 2003
, s. 11-20, bibliogr. 32 poz.
stan powierzchniowy
;
rekombinacja powierzchniowa
;
poziom Fermiego
;
pasywacja
;
fotoluminescencja
;
fotonapięcie powierzchniowe
;
algorytm genetyczny
surface states
;
surface recombination
;
Fermi level
;
passivation
;
photoluminescence
;
surface photovoltage
;
genetic algorithm
stosując format:
standardowy
pełny z etykietami pól
roboczy
redakcja skr.
redakcja peł.
kontrolny
Nowe wyszukiwanie