Wynik wyszukiwania
Zapytanie:
SEMICONDUCTOR
Liczba odnalezionych rekordów:
43
Przejście do opcji zmiany formatu
|
Wyświetlenie wyników w wersji do druku
|
Pobranie pliku do edytora
|
Przesłanie wyników do modułu analizy
|
excel
|
Nowe wyszukiwanie
1/43
Nr opisu:
0000134645
Humidity dependent impedance characteristics of SbSeI nanowires.
[Aut.]: Krystian
Mistewicz
, Anna
Starczewska
, Marcin
Jesionek
, Marian
Nowak
, Mateusz
Kozioł
, D.
Stróż
.
-
Appl. Surf. Sci.
2020 vol. 513
, art. no. 145859 s. 1-7, bibliogr. 53 poz..
Impact Factor
6.182.
Punktacja MNiSW
140.000
selenojodek antymonu
;
SbSeI
;
nanodruty
;
czujnik wilgotności
;
spektroskopia impedancyjna
;
półprzewodnik
antimony selenoiodide
;
SbSeI
;
nanowires
;
humidity sensor
;
impedance spectroscopy
;
semiconductor
2/43
Nr opisu:
0000134535
Recent developments in electrospun ZnO nanofibers: a short review.
[Aut.]: Tomasz
Błachowicz
, A.
Ehrmann
.
-
J. Eng. Fiber Fabr.
2020 vol. 15
, s. 1-6, bibliogr. 51 poz..
Impact Factor
0.814.
Punktacja MNiSW
40.000
elektroprzędzenie
;
nanowłókno
;
półprzewodnik
;
superkondensator
;
nanopręty
;
nanoarkusz
electrospinning
;
ZnO
;
nanofiber
;
semiconductor
;
supercapacitor
;
nanorods
;
nanosheets
3/43
Nr opisu:
0000135427
Recent developments of solar cells from PbS colloidal quantum dots.
[Aut.]: Tomasz
Błachowicz
, A.
Ehrmann
.
-
Appl. Sci.
2020 vol. 10 iss. 5
, art. no. 1743 s. 1-16, bibliogr. 106 poz..
Impact Factor
2.474.
Punktacja MNiSW
70.000
koloidalne kropki kwantowe PbS
;
kropki kwantowe
;
półprzewodnik
;
heterozłącze
;
ligand
;
napięcie jałowe
;
prąd zwarciowy
;
konwersja energii
;
współczynnik wypełnienia
;
ogniwo słoneczne
colloidal PbS quantum dots
;
quantum dots
;
semiconductor
;
heterojunction
;
ligand
;
open-cirquit voltage
;
short-circuit current
;
power conversion
;
fill factor
;
solar cell
4/43
Nr opisu:
0000133217
Humidity dependent impedance characteristics of SbSeI nanowires.
[Aut.]: Krystian
Mistewicz
, Anna
Starczewska
, Marcin
Jesionek
, Marian
Nowak
, Mateusz
Kozioł
, D.
Stróż
.
W:
Progress in applied surface, interface and thin film science
. SURFINT-SREN VI, 18-21 November 2019, Florence, Italy. Extended abstract book. Bratislava : Comenius University, 2019
, s. 110
selenojodek antymonu
;
SbSeI
;
nanodruty
;
czujnik wilgotności
;
spektroskopia impedancyjna
;
półprzewodnik
antimony selenoiodide
;
SbSeI
;
nanowires
;
humidity sensor
;
impedance spectroscopy
;
semiconductor
5/43
Nr opisu:
0000122386
Anisotropic-cyclicgraphene: a new two-dimensional semiconducting carbon allotrope.
[Aut.]: M.
Maździarz
, A.
Mrozek
, Wacław
Kuś
, T.
Burczyński
.
-
Materials
2018 vol. 11 iss. 3
, art. no. 432 s. 1-12, bibliogr. 55 poz..
Impact Factor
2.972.
Punktacja MNiSW
35.000
węgiel
;
grafen
;
graphyne
;
obliczenia ab initio
;
półprzewodnik
carbon
;
graphene
;
graphyne
;
ab initio calculations
;
semiconductor
6/43
Nr opisu:
0000118845
ZnO semiconductor for applications in optoelectronics sensors structures.
[Aut.]: Przemysław
Struk
, Tadeusz
Pustelny
.
W:
12th Conference on Integrated Optics: Sensors, Sensing Structures, and Methods, Szczyrk-Gliwice, 28 February - 3 March 2017
. Eds.: Przemyslaw Struk, Tadeusz Pustelny. Bellingham : SPIE, 2017
, art. no. 104550K, bibliogr. 19 poz. (
Proceedings of SPIE
; vol. 10455 0277-786X).
Punktacja MNiSW
15.000
zintegrowane struktury optyczne
;
jednomodowy falowód polimerowy
;
tlenek cynku
;
półprzewodnik
integrated optics structures
;
single mode polymer waveguide
;
zinc oxide
;
semiconductor
7/43
Nr opisu:
0000107689
Determination of electrical conductivity type of SbSI nanowires.
[Aut.]: Krystian
Mistewicz
, Marian
Nowak
, Anna
Starczewska
, Marcin
Jesionek
, Tomasz
Rzychoń
, R.
Wrzalik
, A.
Guiseppi-Elie
.
-
Mater. Lett.
2016 vol. 182
, s. 78-80, bibliogr. 10 poz..
Impact Factor
2.572.
Punktacja MNiSW
35.000
jodosiarczek antymonu
;
SbSI
;
nanodruty
;
przewodność elektryczna
;
czujnik gazowy
;
półprzewodnik
;
ferroelektryk
antimony sulfoiodide
;
SbSI
;
nanowires
;
electrical conductivity
;
gas sensor
;
semiconductor
;
ferroelectrics
8/43
Nr opisu:
0000110590
Influence of external gaseous environments on the electrical properties of ZnO nanostructures obtained by a hydrothermal method.
[Aut.]: Marcin
Procek
, Tadeusz
Pustelny
, Agnieszka
Stolarczyk
.
-
Nanomaterials
2016 vol. 6 iss. 12
, s. 1-17, bibliogr. 54 poz..
Impact Factor
3.553.
Punktacja MNiSW
35.000
nanostruktura tlenku cynku
;
elektryczny czujnik gazu
;
rezystywność nanostruktury ZnO
;
wykrywanie dwutlenku azotu
;
wzbudzanie ultrafioletowe
;
półprzewodnik
zinc oxide nanostructure
;
electrical gas sensor
;
electrical resistivity of ZnO nanostructure
;
nitrogen dioxide detection
;
ultraviolet excitation
;
semiconductor
9/43
Nr opisu:
0000115986
Sonochemical growth of nanomaterials.
[Aut.]: Marian
Nowak
, Piotr
Szperlich
, Marcin
Jesionek
, Anna
Starczewska
, Krystian
Mistewicz
, B.
Totoń
.
W:
1st International Conference InterNanoPoland 2016
. International Conference Center, Katowice, 14-15 June, 2016. Abstracts book. Ed. Agnieszka Piekara, Karol Lemański. Katowice : The Foundation of Nanoscience and Nanotechnology Support Nanonet, 2016
, s. 27, bibliogr. 3 poz.
sonochemia
;
nanodruty
;
kryształ fotoniczny
;
ferroelektryk
;
półprzewodnik
sonochemistry
;
nanowires
;
photonic crystal
;
ferroelectrics
;
semiconductor
10/43
Nr opisu:
0000107707
Sonochemical growth of nanomaterials in carbon nanotube.
[Aut.]: Marcin
Jesionek
, Marian
Nowak
, Krystian
Mistewicz
, D.
Stróż
, Iwona
Bednarczyk
, A.
Guiseppi-Elie
, R.
Paszkiewicz
.
W:
ULTRASONICS 2016
. II International Conference on Ultrasonic-based Applications: from analysis to synthesis, 6th - 8th June 2016, Caparica, Portugal. Proceedings Book. Caparica : ProteoMass, 2016
, s. 181-182
nanorurki węglowe
;
jodosiarczek antymonu
;
sonochemia
;
hermetyzacja
;
półprzewodnik
carbon nanotubes
;
antimony sulfoiodide
;
sonochemistry
;
encapsulation
;
semiconductor
11/43
Nr opisu:
0000104967
Synthesis of kesterite nanopowders with bandgap tuning ligands.
[Aut.]: S.
Podsiadło
, M.
Bialoglowski
, M.
Fadaghi
, G.
Matyszczak
, K.
Kardas
, P.
Dłużewski
, Przemysław
Data
, Mieczysław
Łapkowski
.
-
Cryst. Res. Technol.
2015 vol. 50 iss. 9/10
, s. 743-746, bibliogr. 16 poz..
Impact Factor
0.908.
Punktacja MNiSW
20.000
fotowoltaika
;
półprzewodnik
photovoltaics
;
semiconductor
;
kesterite
12/43
Nr opisu:
0000099759
Analysis of implementation opportunities for selected conventional counter-based circuits in selected FPGA structures in terms of time performance.
[Aut.]: Jarosław
Wrotniak
, Krzysztof*
Pucher
, Dariusz
Polok
.
W:
International Conference on Applied and Theoretical Electricity (ICATE), Craiova, 23-25 Oct. 2014
. Piscataway : IEEE, 2014
, s. 1-7, bibliogr. 13 poz.
FPGA
;
układ logiczny
;
półprzewodnik
Field Programmable Gate Array
;
logic array
;
semiconductor
13/43
Nr opisu:
0000092753
Doping behaviour of electrochemically generated model bithiophene meta-substituted star shaped oligomer.
[Aut.]: Przemysław
Ledwoń
, Roman
Turczyn
, K.
Idzik
, R.
Beckert
, J.
Frydel
, Mieczysław
Łapkowski
, Wojciech
Domagała
.
-
Mater. Chem. Phys.
2014 vol. 147 iss. 1/2
, s. 254-260, bibliogr. 57 poz..
Impact Factor
2.259.
Punktacja MNiSW
35.000
materiały optyczne
;
półprzewodnik
;
warstwa cienka
;
technika elektrochemiczna
;
rezonans elektronowy
optical materials
;
semiconductor
;
thin film
;
electrochemical technique
;
electron resonance
14/43
Nr opisu:
0000096041
Energy level alignment at the Si(111)/RCA-SiO2/copper(II) phthalocyanine ultra-thin film interface.
[Aut.]: Maciej
Krzywiecki
, Lucyna
Grządziel
.
-
Appl. Surf. Sci.
2014 vol. 311
, s. 740-748, bibliogr. 46 poz..
Impact Factor
2.711.
Punktacja MNiSW
35.000
interfejs
;
struktura elektronowa
;
półprzewodnik
;
powłoka cienka
;
spektroskopia fotoelektronowa
;
związki organiczne
interface
;
electronic structure
;
semiconductor
;
thin film
;
photoelectron spectroscopy
;
organic compounds
15/43
Nr opisu:
0000092464
Fabrication and characterization of SbSI gel for humidity sensors.
[Aut.]: Marian
Nowak
, Andrzej
Nowrot
, Piotr
Szperlich
, Marcin
Jesionek
, Mirosława
Kępińska
, Anna
Starczewska
, Krystian
Mistewicz
, D.
Stróż
, Janusz**
Szala
, Tomasz
Rzychoń
, E.
Talik
, R.
Wrzalik
.
-
Sens. Actuators, A Phys.
2014 vol. 210
, s. 119-130, bibliogr. 77 poz..
Impact Factor
1.903.
Punktacja MNiSW
35.000
jodosiarczek antymonu
;
nanodruty
;
półprzewodnik
;
ferroelektryk
;
sonochemia
antimony sulfoiodide
;
nanowires
;
semiconductor
;
ferroelectrics
;
sonochemistry
16/43
Nr opisu:
0000092706
Quantum efficiency coefficient for photogeneration of carriers in SbSI nanowires.
[Aut.]: Marian
Nowak
, Ł.
Bober
, B.
Borkowski
, Mirosława
Kępińska
, Piotr
Szperlich
, D.
Stróż
, Maria
Sozańska
.
-
Opt. Mater.
2014 vol. 35 iss. 12
, s. 2208-2216, bibliogr. 48 poz..
Impact Factor
1.981.
Punktacja MNiSW
35.000
jodosiarczek antymonu
;
nanodruty
;
półprzewodnik
;
fotoprzewodnictwo
antimony sulfoiodide
;
nanowires
;
semiconductor
;
photoconductivity
17/43
Nr opisu:
0000095366
Studies of changes in electrical resistance of zinc oxide nanostructures under the influence of variable gaseous environments.
[Aut.]: Marcin
Procek
, Tadeusz
Pustelny
, Agnieszka
Stolarczyk
, Erwin
Maciak
.
-
Bull. Pol. Acad. Sci., Tech. Sci.
2014 vol. 62 no. 4
, s. 365-646, biblioogr. 27 poz..
Impact Factor
0.914.
Punktacja MNiSW
25.000
tlenek cynku
;
ZnO
;
nanostruktura
;
czujnik gazu
;
półprzewodnik
;
właściwości elektryczne
;
półprzewodnik szerokoprzerwowy
;
nanostruktura kwiatopodobna
zinc oxide
;
ZnO
;
nanostructure
;
gas sensor
;
semiconductor
;
electric properties
;
wide bandgap semiconductor
;
flower-like nanostructure
18/43
Nr opisu:
0000079690
Optical identification of crystal defects in CCD matrix.
[Aut.]: Adam
Popowicz
.
-
Prz. Elektrot.
2013 R. 89 nr 3a
, s. 79-82, bibliogr. 22 poz..
Punktacja MNiSW
14.000
matryca CCD
;
defekt
;
półprzewodnik
;
prąd ciemny
CCD matrix
;
defect
;
semiconductor
;
dark current
19/43
Nr opisu:
0000087248
Optical properties of semiconductors.
[Aut.]: Marian
Nowak
.
W:
Silicon based thin film solar cells
. Ed. R. Murri. [B.m.] : Bentham Science Publishers, 2013
, s. 177-242, bibliogr. 87 poz.
półprzewodnik
;
transmitancja
;
współczynnik odbicia
;
wydajność kwantowa
;
fotogeneracja
;
własności optyczne
;
struktura wielowarstwowa
;
krzem amorficzny
;
współczynnik załamania światła
;
współczynnik absorpcji
;
rozkład przestrzenny
;
natężenie promieniowania
;
rekombinacja
;
fotoprzewodnictwo
;
niejednorodność optyczna
semiconductor
;
transmittance
;
reflectance
;
quantum efficiency
;
photogeneration
;
optical properties
;
multilayer structure
;
amorphous silicon
;
refractive index
;
absorption coefficient
;
spatial distribution
;
radiation intensity
;
recombination
;
photoconductivity
;
optical inhomogeneity
20/43
Nr opisu:
0000094446
Quantum efficiency coefficient for photogeneration of carriers in SbSI nanowires.
[Aut.]: Marian
Nowak
, Ł.
Bober
, B.
Borkowski
, Mirosława
Kępińska
, Piotr
Szperlich
, D.
Stróż
, Maria
Sozańska
.
-
Opt. Mater.
2013 vol. 35 iss. 12
, s. 2208-2216, bibliogr. 48 poz..
Impact Factor
2.075.
Punktacja MNiSW
35.000
jodosiarczek antymonu
;
nanodruty
;
półprzewodnik
;
fotoprzewodnictwo
antimony sulfoiodide
;
nanowires
;
semiconductor
;
photoconductivity
21/43
Nr opisu:
0000095306
Temperature dependence of energy band gap and spontaneous polarization of SbSI nanowires.
[Aut.]: Marian
Nowak
, Piotr
Szperlich
.
-
Opt. Mater.
2013 vol. 3\56 iss. 6
, s. 1200-1206, bibliogr. 71 poz..
Impact Factor
2.075.
Punktacja MNiSW
35.000
jodosiarczek antymonu
;
nanodruty
;
ferroelektryk
;
półprzewodnik
;
optyczna przerwa energetyczna
antimony sulfoiodide
;
nanowires
;
ferroelectrics
;
semiconductor
;
optical energy gap
22/43
Nr opisu:
0000076718
Optical properties of SbSI heterostructures.
[Aut.]: Bartłomiej
Toroń
, Marian
Nowak
, Andrzej
Grabowski
, Mirosława
Kępińska
, Janusz**
Szala
, Tomasz
Rzychoń
.
W:
Photonic fiber and crystal devices
. Advances in materials and innovations in device applications VI, San Diego, California, United States, 12-13 August, 2012. Eds: Shizhuo Yin, Ruyan Guo. Bellingham : SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2012
, paper no. 8497-58 s. 1-8, bibliogr. 27 poz. (
Proceedings of SPIE
; vol. 8497 0277-786X)
antymon
;
kryształ
;
dioda
;
promieniowanie laserowe
;
własności optyczne
;
półprzewodnik
;
heterozłącze
antimony
;
crystal
;
diode
;
laser irradiation
;
optical properties
;
semiconductor
;
heterojunction
23/43
Nr opisu:
0000071272
Sonochemical growth of antimony selenoiodide in multiwalled carbon nanotube.
[Aut.]: Marcin
Jesionek
, Marian
Nowak
, Piotr
Szperlich
, D.
Stróż
, Janusz**
Szala
, K.
Jesionek
, Tomasz
Rzychoń
.
-
Ultrason. Sonochem.
2012 vol. 19 iss. 1
, s. 179-185, bibliogr. 39 poz..
Impact Factor
3.516.
Punktacja MNiSW
45.000
nanorurki węglowe
;
sonochemia
;
hermetyzacja
;
półprzewodnik
carbon nanotubes
;
sonochemistry
;
encapsulation
;
semiconductor
24/43
Nr opisu:
0000107673
Patent. Polska, nr 213 015.
Sposób wyznaczania energii aktywacji procesu rekombinacji nośników ładunku w półprzewodnikach zwłaszcza dla monokrystalicznego siarczku galu. Int. Cl. G01N 21/00.
Politechnika Śląska, Polska
Twórcy: Marian
Nowak
, Maria**
Szałajko
.
Zgłosz. nr 379 556 z 27.04.2006. Opubl. 31.12.2012, s. 1-4
siarczek galu
;
półprzewodnik
gallium sulphide
;
semiconductor
25/43
Nr opisu:
0000071917
Wpływ stanów powierzchniowych na półprzewodnikowe struktury sensorowe.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
.
W:
Powierzchnia i struktury cienkowarstwowe
. XII Seminarium. SemPiSC, Szklarska Poręba, 9-12 maja 2012. Książka streszczeń. [B.m.] : [b.w.], 2012
, s. 1-2, bibliogr. 5 poz.
struktura sensorowa
;
półprzewodnik
;
właściwości elektronowe
;
czujnik gazowy
sensor structure
;
semiconductor
;
electronic properties
;
gas sensor
26/43
Nr opisu:
0000062792
Analytical model of semiconductor sensor layers in SAW gas sensors.
[Aut.]: T.
Hejczyk
, Marian**
Urbańczyk
, Wiesław
Jakubik
.
-
Acta Phys. Pol. A
2010 vol. 118 no. 6
, s. 1148-1152, bibliogr. 16 poz..
Impact Factor
0.467
półprzewodnik
;
materiały piezoelektryczne
;
prędkość
;
piezoelektryczność
;
elektroakustyka
semiconductor
;
piezoelectric materials
;
speed
;
piezoelectricity
;
electro-acoustics
27/43
Nr opisu:
0000059508
Domieszkowanie dyfuzyjne krzemu ze szkliw o podwyższonej zawartości koncentracji domieszki.
[Aut.]: Edyta
Wróbel
, Krzysztof**
Waczyński
, Wojciech
Filipowski
.
-
Elektronika
2010 R. 51 nr 9
, s. 111-113, bibliogr. 15 poz.
domieszkowanie dyfuzyjne
;
metoda spin-on
;
półprzewodnik
diffusion doping
;
spin-on method
;
semiconductor
28/43
Nr opisu:
0000082621
Domieszkowanie dyfuzyjne krzemu ze szkliw o podwyższonej zawartości koncentracji domieszki.
[Aut.]: Edyta
Wróbel
, Krzysztof**
Waczyński
, Wojciech
Filipowski
.
W:
Dziewiąta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 30.05-02.06.2010]
. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2010
, s. 26
Pełny tekst na CD-ROM
domieszkowanie dyfuzyjne
;
metoda spin-on
;
półprzewodnik
;
warstwa dyfuzyjna
diffusion doping
;
spin-on method
;
semiconductor
;
diffusion layer
29/43
Nr opisu:
0000062794
Numerical results of modeling semiconductor sensor layers in SAW gas sensors.
[Aut.]: T.
Hejczyk
, Marian**
Urbańczyk
, Wiesław
Jakubik
.
-
Acta Phys. Pol. A
2010 vol. 118 no. 6
, s. 1158-1160, bibliogr. 9 poz..
Impact Factor
0.467
półprzewodnik
;
materiały piezoelektryczne
;
przewodnictwo elektryczne
;
dyfuzja
semiconductor
;
piezoelectric materials
;
electric conductivity
;
diffusion
30/43
Nr opisu:
0000062799
Researches on the spectral transmittance of zinc oxide ZnO semiconductor layers.
[Aut.]: Przemysław
Struk
, Tadeusz
Pustelny
, Zbigniew
Opilski
.
-
Acta Phys. Pol. A
2010 vol. 118 no. 6
, s. 1239-1241, bibliogr. 8 poz..
Impact Factor
0.467
tlenek cynku
;
półprzewodnik
;
włókno kwarcowe
;
technika światłowodowa
;
optoelektronika
;
fotonika
zinc oxide
;
semiconductor
;
quartz fiber
;
fibre optics
;
optoelectronics
;
photonics
31/43
Nr opisu:
0000062793
Semiconductor sensor layer in SAW gas sensors configuration.
[Aut.]: T.
Hejczyk
, Marian**
Urbańczyk
, Wiesław
Jakubik
.
-
Acta Phys. Pol. A
2010 vol. 118 no. 6
, s. 1153-1157, bibliogr. 11 poz..
Impact Factor
0.467
półprzewodnik
;
Fala Rayleigha
;
piezoelektryczność
;
fala seismiczna
semiconductor
;
Rayleigh wave
;
piezoelectricity
;
seismic wave
32/43
Nr opisu:
0000058646
Sonochemical preparation of antimony subiodide.
[Aut.]: Marian
Nowak
, Piotr
Szperlich
, E.
Talik
, Janusz**
Szala
, Tomasz
Rzychoń
, D.
Stróż
, Andrzej
Nowrot
, Barbara
Solecka
.
-
Ultrason. Sonochem.
2010 vol. 17 iss. 1
, s. 219-227, bibliogr. 76 poz..
Impact Factor
3.203
sonochemia
;
półprzewodnik
;
nanocząstki
sonochemistry
;
semiconductor
;
nanoparticles
33/43
Nr opisu:
0000062800
Zinc oxide semiconductor for photonics structures applications.
[Aut.]: Przemysław
Struk
, Tadeusz
Pustelny
, Barbara**
Pustelny
, K.
Gołaszewska
, E.
Kamińska
, A.
Piotrowska
, M.
Borysiewicz
, M.
Ekielski
.
-
Acta Phys. Pol. A
2010 vol. 118 no. 6
, s. 1242-1245, bibliogr. 17 poz..
Impact Factor
0.467
tlenek cynku
;
półprzewodnik
;
sprzęgacz kierunkowy
;
fotonika
;
falowód
zinc oxide
;
semiconductor
;
directional coupler
;
photonics
;
waveguide
34/43
Nr opisu:
0000049927
Ferroelectric properties of ultrasonochemically preapred SbSI ethanogel.
[Aut.]: Piotr
Szperlich
, Marian
Nowak
, Łukasz*
Bober
, Janusz**
Szala
, D.
Stróż
.
-
Ultrason. Sonochem.
2009 vol. 16 iss. 3
, s. 398-401, bibliogr. 33 poz..
Impact Factor
2.993
sonochemia
;
nanodruty
;
ferroelektryk
;
jodosiarczek antymonu
;
półprzewodnik
sonochemistry
;
nanowires
;
ferroelectric
;
antimony sulfoiodide
;
semiconductor
35/43
Nr opisu:
0000056886
Sonochemical growth of antimony sulfoiodide in multiwalled carbon nanotube.
[Aut.]: Marian
Nowak
, Marcin
Jesionek
, Piotr
Szperlich
, Janusz**
Szala
, Tomasz
Rzychoń
, D.
Stróż
.
-
Ultrason. Sonochem.
2009 vol. 16 iss. 6
, s. 800-804, bibliogr. 26 poz..
Impact Factor
2.993
nanorurki węglowe
;
jodosiarczek antymonu
;
sonochemia
;
hermetyzacja
;
półprzewodnik
carbon nanotubes
;
antimony sulfoiodide
;
sonochemistry
;
encapsulation
;
semiconductor
36/43
Nr opisu:
0000056910
XPS analysis of sonochemically prepared SbSl ethanogel.
[Aut.]: Marian
Nowak
, E.
Talik
, Piotr
Szperlich
, D.
Stróż
.
-
Appl. Surf. Sci.
2009 vol. 255 iss. 17
, s. 7689-7694, bibliogr. 48 poz..
Impact Factor
1.616
rentgenowska spektroskopia fotoelektronów
;
nanoprzewody
;
półprzewodnik
;
sonochemia
X-ray photoelectron spectroscopy
;
nanowires
;
semiconductor
;
sonochemistry
37/43
Nr opisu:
0000047644
Circularly polarized light stimulation of spin transport in zinc-blende semiconductors.
[Aut.]: M.
Miah
, Iwan*
Kityk
, E.
Gray
.
-
Opt. Commun.
2008 vol. 281 iss. 21
, s. 5355-5359, bibliogr. 33 poz..
Impact Factor
1.552
transport spinowy
;
prąd spinowy
;
zjawisko Halla
;
pseudopotential
;
półprzewodnik
spin transport
;
spin current
;
Hall effect
;
pseudopotential
;
semiconductor
38/43
Nr opisu:
0000043100
Kształtowanie warstw dyfuzyjnych przy wykorzystaniu domieszek wolnodyfundujących.
[Aut.]: Edyta
Wróbel
, Wojciech
Filipowski
, Krzysztof**
Waczyński
.
-
Elektronika
2008 R. 49 nr 11
, s. 70-72, bibliogr. 3 poz.
półprzewodnik
;
domieszkowanie
;
rezystancja powierzchniowa
;
arsen
;
szkliwo domieszkowe
semiconductor
;
doping
;
sheet resistance
;
arsenic
;
silica glasses
39/43
Nr opisu:
0000025311
Elektroniczne przyrządy półprzewodnikowe. Zasady działania diod i tranzystorów - rozwiązywanie zadań.
[Aut.]: Krzysztof**
Waczyński
, Edyta
Wróbel
.
Gliwice : Wydaw. Politechniki Śląskiej, 2007, 251 s., bibliogr. 22 poz.
Skrypt nr 2396
półprzewodnik
;
nośnik ładunku
;
dioda półprzewodnikowa
;
tranzystor bipolarny
;
tranzystor polowy MOS
;
konduktywność elektryczna
semiconductor
;
charge carrier
;
semiconductor diode
;
bipolar transistor
;
field-effect transistor MOS
;
electrical conductivity
40/43
Nr opisu:
0000023907
Dyfuzyjne odbicie światła od półprzewodników. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Beata*
Kauch
.
Gliwice, 2006, 94 k., bibliogr. 74 poz.
Politechnika Śląska. Wydział Matematyczno-Fizyczny. Promotor: prof. dr hab. inż. Marian** Nowak
półprzewodnik
;
odbicie dyfuzyjne
;
rozpraszanie światła
;
mikroskopia elektronowa
semiconductor
;
diffuse reflection
;
light scattering
;
electron microscopy
41/43
Nr opisu:
0000022957
Technologie mikroelektroniczne. Metody wytwarzania materiałów i struktur półprzewodnikowych.
[Aut.]: Krzysztof**
Waczyński
, Edyta
Wróbel
.
Gliwice : Wydaw. Politechniki Śląskiej, 2006, 283 s., bibliogr.
mikroelektronika
;
półprzewodnik
;
płytka krzemowa
;
monokryształ
microelectronics
;
semiconductor
;
silicon wafer
;
monocrystal
42/43
Nr opisu:
0000025543
XPS study of surface chemistry of epiready GaAs(1 0 0) surface after (NH
4
)
2
S
x
passivation.
[Aut.]: Sebastian*
Arabasz
, E.
Bergignat
, G.
Hollinger
, Jacek**
Szuber
.
-
Vacuum
2006 vol. 80 iss. 8
, s. 888-893, bibliogr. 36 poz..
Impact Factor
0.834
GaAs
;
siarkowanie
;
pasywacja
;
XPS
;
półprzewodnik
GaAs
;
sulfidation
;
passivation
;
XPS
;
semiconductor
43/43
Nr opisu:
0000011270
Odbicie dyfuzyjne a przerwa energetyczna w półprzewodnikach.
[Aut.]: B.
Kauch
, Marian
Nowak
.
W:
Nowe technologie i materiały w metalurgii i inżynierii materiałowej
. Materiały XII seminarium naukowego, Katowice, 7 maja 2004. [Katowice] : [Wydział Inżynierii Materiałowej i Metalurgii Politechniki Śląskiej], [2004]
, s. 225-228, bibliogr. 12 poz.
półprzewodnik
;
odbicie dyfuzyjne
;
przerwa energetyczna
semiconductor
;
diffuse reflection
;
energy band gap
stosując format:
standardowy
pełny z etykietami pól
roboczy
redakcja skr.
redakcja peł.
kontrolny
Nowe wyszukiwanie