Wynik wyszukiwania
Zapytanie:
GALLIUM NITRIDE
Liczba odnalezionych rekordów:
11
Przejście do opcji zmiany formatu
|
Wyświetlenie wyników w wersji do druku
|
Pobranie pliku do edytora
|
Przesłanie wyników do modułu analizy
|
excel
|
Nowe wyszukiwanie
1/11
Nr opisu:
0000131194
Evaluation of SiC and GaN FETs in zero-voltage switching interleaved boost converters.
[Aut.]: Piotr
Zimoch
.
-
Prz. Elektrot.
2019 R. 95 nr 9
, s. 186-192, bibliogr. 23 poz..
Punktacja MNiSW
20.000
wielofazowy przekształtnik typu boost
;
węglik krzemu
;
azotek galu
;
przełączenie miękkie
interleaved boost converter
;
silicon carbide
;
gallium nitride
;
zero voltage switching
2/11
Nr opisu:
0000127121
On the interpretation of cathodoluminescence intensity maps of wide band gap nanowires.
[Aut.]: M.
Matys
, Bogusława
Adamowicz
.
-
Nanotechnology
2019 vol. 30 iss. 3
, s. 1-8, bibliogr. 30 poz..
Impact Factor
3.551.
Punktacja MNiSW
100.000
szerokopasmowe materiały szczelinowe
;
azotek galu
;
metoda elementów skończonych
wide band gap materials
;
gallium nitride
;
finite element method
3/11
Nr opisu:
0000107443
Właściwości tranzystorów MOSFET na bazie SiC i GaN.
[Aut.]: Krzysztof
Przybyła
.
W:
Energoelektronika w nauce i dydaktyce
. ENiD 2016. XV Sympozjum, Gliwice - Tarnowskie Góry, 12-14 maja 2016. Materiały. Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny. Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki Śląskiej, 2016
, s. 129-134, bibliogr. 16 poz.
tranzystor MOSFET
;
węglik krzemu
;
azotek galu
;
SiC
;
GaN
MOSFET transistor
;
silicon carbide
;
gallium nitride
;
SiC
;
GaN
4/11
Nr opisu:
0000088327
Two-dimensional modeling of surface photovoltage in metal/insulator/n-GaN structure with cylindrical symmetry.
[Aut.]: Maciej*
Matys
, P.
Powroźnik
, D.
Kupka
, Bogusława
Adamowicz
.
-
Opt. Appl.
2013 vol. 43 no. 1
, s. 47-52, bibliogr. 7 poz..
Impact Factor
0.643.
Punktacja MNiSW
15.000
fotonapięcie powierzchniowe
;
azotek galu
;
metal/izolator/GaN
;
struktura MIS
;
detektor ultrafioletu
surface photovoltage
;
gallium nitride
;
metal/insulator/GaN
;
MIS structure
;
UV detector
5/11
Nr opisu:
0000082736
Charakteryzacja właściwości chemicznych, optycznych i elektronowych pasywowanych in-situ powierzchni n-GaN.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Alina
Domanowska
, Piotr*
Kościelniak
, Rafał*
Ucka
, Maciej*
Matys
, Marcin**
Miczek
, Michał*
Sitarz
, Jacek**
Szuber
, Z.
Żytkiewicz
, M.
Sobańska
, K.
Kłosek
, A.
Taube
.
W:
Jedenasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 11-14.06.2012]
. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2012
, s. 152
Pełny tekst na CD-ROM
azotek galu
;
pasywacja
;
stan powierzchniowy
;
skład chemiczny
gallium nitride
;
passivation
;
surface condition
;
chemical composition
6/11
Nr opisu:
0000084471
Analiza wpływu stanów powierzchniowych na fotoluminescencję z azotku galu.
[Aut.]: Maciej*
Matys
, Bogusława
Adamowicz
.
W:
V Krajowa Konferencja Nanotechnologii
. NANO 2011, Gdańsk, 3-7 lipca 2011. Streszczenia wystąpień. Pod red. Jarosława Rybickiego i Wojciecha Sadowskiego. Gdańsk : TASK Publishing, 2011
, s. 158-159, bibliogr. 3 poz.
fotoluminescencja
;
stan powierzchniowy
;
azotek galu
photoluminescence
;
surface condition
;
gallium nitride
7/11
Nr opisu:
0000082601
Modelowanie wpływu stanów powierzchniowych na zjawiska rekombinacyjne w GaN.
[Aut.]: Maciej*
Matys
, Bogusława
Adamowicz
.
W:
Dziesiąta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 05-09.06.2011]
. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2011
, s. 167
Pełny tekst na CD-ROM
azotek galu
;
fotoluminescencja
;
rekombinacja powierzchniowa
;
metoda elementów skończonych
;
defekt radiacyjny
gallium nitride
;
photoluminescence
;
surface recombination
;
finite element method
;
radiation defect
8/11
Nr opisu:
0000071269
The influence of interface states and bulk carrier lifetime on the minority carrier behavior in an illuminated metal/insulator/GaN structure.
[Aut.]: Marcin**
Miczek
, P.
Bidziński
, Bogusława
Adamowicz
, C.
Mizue
, T.
Hashizume
.
-
Solid State Commun.
2011 vol. 151 iss. 11
, s. 830-833, bibliogr. 37 poz..
Impact Factor
1.649
azotek galu
;
struktura MIS
;
fotodetektor typu "solar blind"
gallium nitride
;
MIS structure
;
"solar blind" photodetector
9/11
Nr opisu:
0000039315
Capacitance-voltage and Auger chemical profile studies on AIGaN/GaN structures passivated by SiO
2
/Si
3
N
4
and SiN
x
/Si
3
N
4
bilayers.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Marcin**
Miczek
, T.
Hashizume
, Andrzej**
Klimasek
, P.
Bobek
, J.
Żywicki
.
-
Opt. Appl.
2007 vol. 37 no. 4
, s. 327-334, bibliogr. 25 poz..
Impact Factor
0.284
azotek galu
;
HEMT
;
bramka izolowana
;
pasywacja
;
C-V
;
spektroskopia elektronów Augera
gallium nitride
;
HEMT
;
insulated gate
;
passivation
;
C-V
;
Auger electron spectroscopy
;
chemical in-depth profiles
10/11
Nr opisu:
0000018246
Influence of surface states and bulk traps on non-equilibrium phenomena at GaAs and GaN surfaces.
[Aut.]: Marcin**
Miczek
, Bogusława
Adamowicz
, T.
Hashizume
, H.
Hasegawa
.
-
Opt. Appl.
2005 vol. 35 no. 3
, s. 355-361, bibliogr. 28 poz..
Impact Factor
0.459
arsenek galu
;
azotek galu
;
stan powierzchniowy
;
fotoluminescencja
;
fotonapięcie powierzchniowe
gallium arsenide
;
gallium nitride
;
surface states
;
photoluminescence
;
surface photovoltage
11/11
Nr opisu:
0000123637
Thermal conductivity of AlN and AlN-GaN thin films deposited on Si and GaAs substrates.
[Aut.]: Jerzy
Bodzenta
, Bogusław*
Burak
, A.
Jagoda
, B.
Stańczyk
.
-
Diamond Relat. Mater.
2005 vol. 14 iss. 3-7
, s. 1169-1174, bibliogr. 11 poz.
Referat wygłoszony na: 15th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides, and Silicon Carbide. Diamond 2004, Riva del Garda, Italy, September 12-17, 2004..
Impact Factor
1.988
azotek glinu
;
azotek galu
;
powłoka
aluminium nitride
;
gallium nitride
;
coating
stosując format:
standardowy
pełny z etykietami pól
roboczy
redakcja skr.
redakcja peł.
kontrolny
Nowe wyszukiwanie