Wynik wyszukiwania
Zapytanie: GALLIUM ARSENIDE
Liczba odnalezionych rekordów: 7



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/7
Nr opisu: 0000063355   
Surface passivation of III-V semiconductors for future CMOS devices - past research, present status and key issues for future.
[Aut.]: H. Hasegawa, M. Akazawa, Alina Domanowska, Bogusława Adamowicz.
-Appl. Surf. Sci. 2010 vol. 256 iss. 19, s. 5698-5707, bibliogr. 65 poz.. Impact Factor 1.795

półprzewodnik grupy III-V ; pasywacja powierzchni ; MISFET ; dielektryk o wysokiej przenikalności elektrycznej ; arsenek galu ; GaAs ; fotoluminescencja

III-V semiconductor ; surface passivation ; MISFET ; high-k dielectric ; gallium arsenide ; GaAs ; photoluminescence

2/7
Nr opisu: 0000025451   
Charge transient spectroscopy measurements of GaAs metal-insulator-semiconductor structures.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, Michał* Szydłowski, I. Thurzo, D. Zahn.
-Appl. Surf. Sci. 2006 vol. 252 iss. 21, s. 2631-2635, bibliogr. 32 poz.
Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005. Impact Factor 1.436

arsenek galu ; struktura metal-izolator-półprzewodnik ; spektroskopia produktów przejściowych ; właściwości elektryczne ; miernictwo elektryczne

gallium arsenide ; metal-insulator-semiconductor structure ; charge transient spectroscopy ; electrical properties ; electrical measurement

3/7
Nr opisu: 0000021188   
Micro-Raman spectroscopy of disordered and ordered sulfur phases on a passivated GaAs surface.
[Aut.]: Tomasz Błachowicz, G. Salvan, D. Zahn, Jacek** Szuber.
-Appl. Surf. Sci. 2006 vol. 252 nr 21, s. 7642-7646, bibliogr. 18 poz.
Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005. Impact Factor 1.436

arsenek galu ; pasywacja siarki ; spektroskopia Ramana ; morfologia powierzchni ; (NH4)2Sx ; S2Cl2

gallium arsenide ; sulfur passivation ; Raman spectroscopy ; surface morphology ; (NH4)2Sx ; S2Cl2

4/7
Nr opisu: 0000018246   
Influence of surface states and bulk traps on non-equilibrium phenomena at GaAs and GaN surfaces.
[Aut.]: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume, H. Hasegawa.
-Opt. Appl. 2005 vol. 35 no. 3, s. 355-361, bibliogr. 28 poz.. Impact Factor 0.459

arsenek galu ; azotek galu ; stan powierzchniowy ; fotoluminescencja ; fotonapięcie powierzchniowe

gallium arsenide ; gallium nitride ; surface states ; photoluminescence ; surface photovoltage

5/7
Nr opisu: 0000011168   
Characterization of the interface and the bulk phenomena in metal-SiO2-(n) GaAs structure by analysis of the equivalent circuit parameters at different temperatures.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz.
-Thin Solid Films 2004 vol. 467 iss. 1/2, s. 190-196, bibliogr. 42 poz.. Impact Factor 1.647

element stałofazowy ; właściwości elektryczne ; miernictwo elektryczne ; arsenek galu

constant phase element ; electrical properties ; electrical measurement ; gallium arsenide ; metal-insulator-semiconductor structure

6/7
Nr opisu: 0000011325   
Studies of GaAs metal-insulator-semiconductor strucutres by the admittance spectroscopy method.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz, M. Szydlowski.
-Appl. Surf. Sci. 2004 vol. 235 iss. 3, s. 389-394, bibliogr. 28 poz.. Impact Factor 1.497

element stałofazowy ; struktura metal-izolator-półprzewodnik ; właściwości elektryczne ; pomiary elektryczne ; arsenek galu

constant phase element ; metal-insulator-semiconductor structure ; electrical properties ; electrical measurements ; gallium arsenide

7/7
Nr opisu: 0000008347   
Two constant phase element behaviour of the admittance characteristics of GaAs metal-insulator-semiconductor structure with deep traps.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz.
-Thin Solid Films 2003 vol. 444 iss. 1/2, s. 208-214, bibliogr. 34 poz.. Impact Factor 1.598

element stałofazowy ; struktura metal-izolator-półprzewodnik ; właściwości elektryczne ; arsenek galu

constant phase element ; metal-insulator-semiconductor structure ; electrical properties ; gallium arsenide

stosując format:
Nowe wyszukiwanie