Wynik wyszukiwania
Zapytanie:
GALLIUM ARSENIDE
Liczba odnalezionych rekordów:
7
Przejście do opcji zmiany formatu
|
Wyświetlenie wyników w wersji do druku
|
Pobranie pliku do edytora
|
Przesłanie wyników do modułu analizy
|
excel
|
Nowe wyszukiwanie
1/7
Nr opisu:
0000063355
Surface passivation of III-V semiconductors for future CMOS devices - past research, present status and key issues for future.
[Aut.]: H.
Hasegawa
, M.
Akazawa
, Alina
Domanowska
, Bogusława
Adamowicz
.
-
Appl. Surf. Sci.
2010 vol. 256 iss. 19
, s. 5698-5707, bibliogr. 65 poz..
Impact Factor
1.795
półprzewodnik grupy III-V
;
pasywacja powierzchni
;
MISFET
;
dielektryk o wysokiej przenikalności elektrycznej
;
arsenek galu
;
GaAs
;
fotoluminescencja
III-V semiconductor
;
surface passivation
;
MISFET
;
high-k dielectric
;
gallium arsenide
;
GaAs
;
photoluminescence
2/7
Nr opisu:
0000025451
Charge transient spectroscopy measurements of GaAs metal-insulator-semiconductor structures.
[Aut.]: Stanisław**
Kochowski
, Michał*
Szydłowski
, I.
Thurzo
, D.
Zahn
.
-
Appl. Surf. Sci.
2006 vol. 252 iss. 21
, s. 2631-2635, bibliogr. 32 poz.
Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005.
Impact Factor
1.436
arsenek galu
;
struktura metal-izolator-półprzewodnik
;
spektroskopia produktów przejściowych
;
właściwości elektryczne
;
miernictwo elektryczne
gallium arsenide
;
metal-insulator-semiconductor structure
;
charge transient spectroscopy
;
electrical properties
;
electrical measurement
3/7
Nr opisu:
0000021188
Micro-Raman spectroscopy of disordered and ordered sulfur phases on a passivated GaAs surface.
[Aut.]: Tomasz
Błachowicz
, G.
Salvan
, D.
Zahn
, Jacek**
Szuber
.
-
Appl. Surf. Sci.
2006 vol. 252 nr 21
, s. 7642-7646, bibliogr. 18 poz.
Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005.
Impact Factor
1.436
arsenek galu
;
pasywacja siarki
;
spektroskopia Ramana
;
morfologia powierzchni
;
(NH4)2Sx
;
S2Cl2
gallium arsenide
;
sulfur passivation
;
Raman spectroscopy
;
surface morphology
;
(NH4)2Sx
;
S2Cl2
4/7
Nr opisu:
0000018246
Influence of surface states and bulk traps on non-equilibrium phenomena at GaAs and GaN surfaces.
[Aut.]: Marcin**
Miczek
, Bogusława
Adamowicz
, T.
Hashizume
, H.
Hasegawa
.
-
Opt. Appl.
2005 vol. 35 no. 3
, s. 355-361, bibliogr. 28 poz..
Impact Factor
0.459
arsenek galu
;
azotek galu
;
stan powierzchniowy
;
fotoluminescencja
;
fotonapięcie powierzchniowe
gallium arsenide
;
gallium nitride
;
surface states
;
photoluminescence
;
surface photovoltage
5/7
Nr opisu:
0000011168
Characterization of the interface and the bulk phenomena in metal-SiO2-(n) GaAs structure by analysis of the equivalent circuit parameters at different temperatures.
[Aut.]: Stanisław**
Kochowski
, K.
Nitsch
, B.
Paszkiewicz
, R.
Paszkiewicz
.
-
Thin Solid Films
2004 vol. 467 iss. 1/2
, s. 190-196, bibliogr. 42 poz..
Impact Factor
1.647
element stałofazowy
;
właściwości elektryczne
;
miernictwo elektryczne
;
arsenek galu
constant phase element
;
electrical properties
;
electrical measurement
;
gallium arsenide
;
metal-insulator-semiconductor structure
6/7
Nr opisu:
0000011325
Studies of GaAs metal-insulator-semiconductor strucutres by the admittance spectroscopy method.
[Aut.]: Stanisław**
Kochowski
, K.
Nitsch
, B.
Paszkiewicz
, R.
Paszkiewicz
, M.
Szydlowski
.
-
Appl. Surf. Sci.
2004 vol. 235 iss. 3
, s. 389-394, bibliogr. 28 poz..
Impact Factor
1.497
element stałofazowy
;
struktura metal-izolator-półprzewodnik
;
właściwości elektryczne
;
pomiary elektryczne
;
arsenek galu
constant phase element
;
metal-insulator-semiconductor structure
;
electrical properties
;
electrical measurements
;
gallium arsenide
7/7
Nr opisu:
0000008347
Two constant phase element behaviour of the admittance characteristics of GaAs metal-insulator-semiconductor structure with deep traps.
[Aut.]: Stanisław**
Kochowski
, K.
Nitsch
, B.
Paszkiewicz
, R.
Paszkiewicz
.
-
Thin Solid Films
2003 vol. 444 iss. 1/2
, s. 208-214, bibliogr. 34 poz..
Impact Factor
1.598
element stałofazowy
;
struktura metal-izolator-półprzewodnik
;
właściwości elektryczne
;
arsenek galu
constant phase element
;
metal-insulator-semiconductor structure
;
electrical properties
;
gallium arsenide
stosując format:
standardowy
pełny z etykietami pól
roboczy
redakcja skr.
redakcja peł.
kontrolny
Nowe wyszukiwanie