Wynik wyszukiwania
Zapytanie:
SIC
Liczba odnalezionych rekordów:
19
Przejście do opcji zmiany formatu
|
Wyświetlenie wyników w wersji do druku
|
Pobranie pliku do edytora
|
Przesłanie wyników do modułu analizy
|
excel
|
Nowe wyszukiwanie
1/19
Nr opisu:
0000136097
Porównanie falowników klasy DE z pasma 13,56 MHz zbudowanych na tranzystorach SiC MOSFET i GaN FET.
[Aut.]: Krzysztof
Przybyła
, Marcin
Kasprzak
.
-
Prz. Elektrot.
2020 R. 96 nr 7
, s. 68-71, bibliogr. 15 poz..
Punktacja MNiSW
20.000
falownik klasy DE
;
wysoka częstotliwość
;
SiC
;
GaN
;
MOSFET
;
drajwer
class DE inverter
;
high frequency
;
SiC
;
GaN
;
MOSFET
;
driver
2/19
Nr opisu:
0000132122
Analiza i badania wysokoczęstotliwościowych falowników klasy DE z tranzystorami MOSFET na bazie SiC i GaN. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Krzysztof
Przybyła
.
Gliwice, 2019, 143 k., bibliogr. 118 poz.
Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny. Promotor: dr hab. inż. Marcin Kasprzak, dr inż. Marcin Zygmanowski
falownik klasy DE
;
wysoka częstotliwość
;
tranzystor MOSFET
;
SiC
;
GaN
class DE inverter
;
high frequency
;
MOSFET transistor
;
SiC
;
GaN
3/19
Nr opisu:
0000134052
Porównanie falowników klasy DE z pasma 13,56 MHz zbudowanych na tranzystorach SiC MOSFET i GaN FET.
[Aut.]: Krzysztof
Przybyła
, Marcin
Kasprzak
.
W:
Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym "SENE 2019"
. XIV Konferencja naukowa, Łódź, 20-22 listopada 2019. [Dokument elektroniczny]. Łódź : Instytut Automatyki Politechniki Łódzkiej, 2019
, pamięć USB (PenDrive) s. 1-4, bibliogr. 16 poz..
Punktacja MNiSW
20.000
falownik klasy DE
;
wysoka częstotliwość
;
SiC
;
GaN
;
MOSFET
;
drajwer
class DE inverter
;
high frequency
;
SiC
;
GaN
;
MOSFET
;
driver
4/19
Nr opisu:
0000129700
Zastosowanie węglika krzemu w odlewnictwie żeliwa.
[Aut.]: Martyna
Król
, Mirosław
Cholewa
.
W:
XV Seminarium Studenckiego Koła Naukowego Odlewników SFEROID '2019, Ustroń-Jaszowiec, 15-16 maja 2019
. Red. Jan Szajnar, Andrzej Studnicki, Jacek Suchoń. Gliwice : Komisja Odlewnictwa PAN. Oddział Katowice, 2019
, s. 129-137, bibliogr. 10 poz. (
Zeszyty Studenckich Prac Naukowych "Sferoid"
; nr 21).
Punktacja MNiSW
20.000
węglik krzemu
;
właściwości fizykochemiczne
;
SiC
silicon carbide
;
physicochemical properties
;
SiC
5/19
Nr opisu:
0000122075
Porównanie falowników klasy D-ZVS 300 kHz do nagrzewania indukcyjnego z tranzystorami MOSFET na bazie Si oraz SiC.
[Aut.]: Marcin
Kasprzak
, Krzysztof
Przybyła
.
-
Prz. Elektrot.
2018 R. 94 nr 3
, s. 60-64, bibliogr. 14 poz..
Punktacja MNiSW
14.000
falownik klasy D-ZVS
;
SiC
;
MOSFET
;
połączenie równoległe
class D-ZVS inverter
;
SiC
;
MOSFET
;
parallel connection
6/19
Nr opisu:
0000121201
Weryfikacja mocy strat w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET na bazie Si i SiC.
[Aut.]: Krzysztof
Przybyła
.
-
Prz. Elektrot.
2018 R. 94 nr 1
, s. 129-132, bibliogr. 12 poz..
Punktacja MNiSW
14.000
straty mocy
;
MOSFET
;
obwód bramkowy
;
SiC
power losses
;
MOSFET
;
circuit gate
;
SiC
7/19
Nr opisu:
0000122111
Wpływ obudowy tranzystora SiC MOSFET na sprawność energetyczną falownika klasy DE z pasma 13,56 MHz.
[Aut.]: Krzysztof
Przybyła
, Marcin
Kasprzak
.
-
Prz. Elektrot.
2018 R. 94 nr 3
, s. 87-90, bibliogr. 14 poz..
Punktacja MNiSW
14.000
falownik klasy DE
;
wysoka częstotliwość
;
SiC
;
MOSFET
;
drajwer
class DE inverter
;
high frequency
;
SiC
;
MOSFET
;
driver
8/19
Nr opisu:
0000123825
Zwilżanie ceramiki SiC cyną, stopem SN-Ti oraz cynkiem.
[Aut.]: Aleksandra
Kotarska
, Bernard
Wyględacz
, Andrzej**
Gruszczyk
.
W:
Nowoczesne zastosowania technologii spawalniczych
. Sympozjum Katedr i Zakładów Spawalnictwa, Brenna, 12-13 czerwca 2018 r. Praca zbiorowa. Pod red. Jacka Górki. Gliwice : Komisja Odlewnictwa PAN. Oddział Katowice, 2018
, s. 113-122, bibliogr. 10 poz..
Punktacja MNiSW
20.000
ceramika
;
SiC
;
zwilżanie
ceramics
;
SiC
;
wetting
9/19
Nr opisu:
0000126392
Zwilżanie ceramiki SiC cyną, stopem Sn-Ti oraz cynkiem.
[Aut.]: Aleksandra
Kotarska
, Bernard
Wyględacz
, Andrzej**
Gruszczyk
.
-
Spajanie Mater. Konstr.
2018 nr 3
, s. 26-29, bibliogr. 10 poz..
Punktacja MNiSW
1.000
materiały kompozytowe
;
ceramika
;
SiC
;
zwilżanie
composite materials
;
ceramics
;
SiC
;
wetting
10/19
Nr opisu:
0000122132
Porównanie falowników klasy D-ZVS 300 kHz do nagrzewania indukcyjnego z tranzystorami MOSFET na bazie Si oraz SiC.
[Aut.]: Marcin
Kasprzak
, Krzysztof
Przybyła
.
W:
Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym
. SENE 2017. XIII Krajowa konferencja naukowa, Łódź, 22-24 listopada 2017. [Dokument elektroniczny]. Łódź : Instytut Automatyki Politechniki Łódzkiej, 2017
, pamięć USB (PenDrive) s. 1-5, bibliogr. 14 poz.
falownik klasy D-ZVS
;
SiC
;
MOSFET
;
połączenie równoległe
class D-ZVS inverter
;
SiC
;
MOSFET
;
parallel placement
11/19
Nr opisu:
0000127072
Selection of 5 kW Converter Leg for Power Electronic System.
[Aut.]: Marcin
Zygmanowski
, Jarosław
Michalak
, Michał
Jeleń
, Grzegorz
Jarek
.
-
Meas. Autom. Monit.
2017 vol. 63 nr 8
, s.282-287, bibliogr..
Punktacja MNiSW
11.000
IGBT
;
węglik krzemu
;
SiC
;
MOSFET
;
microgrid
IGBT
;
silicon carbide
;
SiC
;
MOSFET
;
inverter
;
microgrid
12/19
Nr opisu:
0000122223
Wpływ obudowy tranzystora SiC MOSFET na sprawność energetyczną falownika klasy DE z pasma 13,56 MHz.
[Aut.]: Krzysztof
Przybyła
, Marcin
Kasprzak
.
W:
Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym
. SENE 2017. XIII Krajowa konferencja naukowa, Łódź, 22-24 listopada 2017. [Dokument elektroniczny]. Łódź : Instytut Automatyki Politechniki Łódzkie, 2017
, pamięć USB (PenDrive) s. 1-4, bibliogr. 14 poz.
falownik klasy DE
;
wysoka częstotliwość
;
SiC
;
MOSFET
;
drajwer
class DE inverter
;
high frequency
;
SiC
;
MOSFET
;
driver
13/19
Nr opisu:
0000107445
Falownik rezonansowy klasy D 300 kHz/20 kW z tranzystorami SiC MOSFET.
[Aut.]: Marcin
Kasprzak
, Zbigniew
Kaczmarczyk
, Piotr
Legutko
, Krzysztof
Przybyła
.
W:
Energoelektronika w nauce i dydaktyce
. ENiD 2016. XV Sympozjum, Gliwice - Tarnowskie Góry, 12-14 maja 2016. Materiały. Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny. Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki Śląskiej, 2016
, s. 141-144, bibliogr. 8 poz.
falownik rezonansowy
;
tranzystor MOSFET
;
SiC
resonant inverter
;
MOSFET transistor
;
SiC
14/19
Nr opisu:
0000110406
Porównanie strat mocy w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET Si i SiC o zbliżonej klasie prądowo-napięciowej.
[Aut.]: Krzysztof
Przybyła
, Marcin
Kasprzak
.
W:
II Seminarium Młodych Naukowców Wydziału Elektrycznego Politechniki Śląskiej
. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki Śląskiej, 2016
, s. 94-96, bibliogr. 3 poz.
straty mocy
;
tranzystor MOSFET
;
SiC
;
Si
;
obwód bramkowy
power losses
;
MOSFET transistor
;
SiC
;
Si
;
circuit gate
15/19
Nr opisu:
0000122770
Possible application of SiC and GaN MOSFET transistors in class de inverter.
[Aut.]: Krzysztof
Przybyła
.
-
Pr. Nauk. PŚl., Elektr.
2016 R. 62 z. 3/4
, s. 23-33, bibliogr. 25 poz..
Punktacja MNiSW
6.000
MOSFET
;
SiC
;
GaN
;
falownik klasy DE
MOSFET
;
SiC
;
GaN
;
class DE inverter
16/19
Nr opisu:
0000110902
Selection of 5 kW converter leg for power electronic system for residential buildings.
[Aut.]: Marcin
Zygmanowski
, Jarosław
Michalak
, Michał
Jeleń
, Grzegorz
Jarek
, Jan**
Popczyk
.
W:
2016 18th European Conference on Power Electronics and Applications
. EPE'16 ECCE Europe, [Karlsruhe, Germany, 5-9 September 2016]. Piscataway : Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2016
, s. 1-10, bibliogr. 9 poz.
projektowanie
;
węglik krzemu
;
SiC
;
MOSFET
;
microgrid
design
;
IGBT
;
silicon carbide
;
SiC
;
MOSFET
;
microgrid
17/19
Nr opisu:
0000107443
Właściwości tranzystorów MOSFET na bazie SiC i GaN.
[Aut.]: Krzysztof
Przybyła
.
W:
Energoelektronika w nauce i dydaktyce
. ENiD 2016. XV Sympozjum, Gliwice - Tarnowskie Góry, 12-14 maja 2016. Materiały. Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny. Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki Śląskiej, 2016
, s. 129-134, bibliogr. 16 poz.
tranzystor MOSFET
;
węglik krzemu
;
azotek galu
;
SiC
;
GaN
MOSFET transistor
;
silicon carbide
;
gallium nitride
;
SiC
;
GaN
18/19
Nr opisu:
0000014718
Cutting properties of the Al
2
O
3
+SiC
(w)
based tool ceramic reinforced with the PVD and CVD wear resistant coatings.
[Aut.]: M.
Sokovic
, Jarosław
Mikuła
, Leszek**
Dobrzański
, J.
Kopac
, L.
Kosec
, P.
Panjan
, Janusz
Madejski
, A.
Piech
.
-
J. Mater. Process. Technol.
2005 vol. 164/165
, s. 924-929, bibliogr. 24 poz.
Zawiera materiały z: 8th International Scientific Conference on Advances in Materials & Processing Technologies &13th International Scientific Conference on Achievements in Mechanical & Materials Engineering in the framework of Worldwide Congress on Materials and Manufacturing Engineering and Technology, Gliwice-Wisła, Poland, 16-19 May 2005.
Impact Factor
0.592
ceramika tlenkowa
;
Al2O3
;
SiC
;
powłoka gradientowa
;
powłoka wielowarstwowa
;
powłoka wieloskładnikowa
;
PVD
;
CVD
;
TEM
;
SEM
oxide ceramics
;
Al2O3
;
SiC
;
gradient coating
;
multilayer coating
;
multicomponent coating
;
PVD
;
CVD
;
TEM
;
SEM
19/19
Nr opisu:
0000013029
Cutting properties of the Al
2
O
3
+SiC
(w)
based tool ceramic reinforced with the PVD and CVD wear-resistant coatings.
[Aut.]: M.
Soković
, Jarosław
Mikuła
, Leszek**
Dobrzański
, J.
Kopac
, L.
Kosec
, P.
Panjan
, Janusz
Madejski
, A.
Piech
.
W:
Achievements in mechanical and materials engineering
. Proceedings of the 13th international scientific conference, Gliwice-Wisła, Poland, May 16-19, 2005. Ed. L. A. Dobrzański. Gliwice : Organising Committee of the International Scientific Conferences Institute of Engineering Materials and Biomaterials of the Silesian University of Technology, 2005
, s. 605-610, bibliogr. 9 poz.
ceramika tlenkowa
;
Al2O3
;
SiC
;
powłoka wielowarstwowa
;
powłoka wieloskładnikowa
;
powłoka gradientowa
;
zużycie
oxide ceramics
;
Al2O3
;
SiC
;
multilayer coating
;
multicomponent coating
;
gradient coating
;
wear
stosując format:
standardowy
pełny z etykietami pól
roboczy
redakcja skr.
redakcja peł.
kontrolny
Nowe wyszukiwanie