Wyniki wyszukiwania

Wynik wyszukiwania

1/19
Nr opisu: 0000136097
Porównanie falowników klasy DE z pasma 13,56 MHz zbudowanych na tranzystorach SiC MOSFET i GaN FET.
[Aut.]: Krzysztof Przybyła, Marcin Kasprzak.
-Prz. Elektrot. 2020 R. 96 nr 7, s. 68-71, bibliogr. 15 poz.. Punktacja MNiSW 20.000

falownik klasy DE ; wysoka częstotliwość ; SiC ; GaN ; MOSFET ; drajwer

class DE inverter ; high frequency ; SiC ; GaN ; MOSFET ; driver

2/19
Nr opisu: 0000132122
Analiza i badania wysokoczęstotliwościowych falowników klasy DE z tranzystorami MOSFET na bazie SiC i GaN. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Krzysztof Przybyła.
Gliwice, 2019, 143 k., bibliogr. 118 poz.
Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny. Promotor: dr hab. inż. Marcin Kasprzak, dr inż. Marcin Zygmanowski

falownik klasy DE ; wysoka częstotliwość ; tranzystor MOSFET ; SiC ; GaN

class DE inverter ; high frequency ; MOSFET transistor ; SiC ; GaN

3/19
Nr opisu: 0000134052
Porównanie falowników klasy DE z pasma 13,56 MHz zbudowanych na tranzystorach SiC MOSFET i GaN FET.
[Aut.]: Krzysztof Przybyła, Marcin Kasprzak.
W: Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym "SENE 2019". XIV Konferencja naukowa, Łódź, 20-22 listopada 2019. [Dokument elektroniczny]. Łódź : Instytut Automatyki Politechniki Łódzkiej, 2019, pamięć USB (PenDrive) s. 1-4, bibliogr. 16 poz.. Punktacja MNiSW 20.000

falownik klasy DE ; wysoka częstotliwość ; SiC ; GaN ; MOSFET ; drajwer

class DE inverter ; high frequency ; SiC ; GaN ; MOSFET ; driver

4/19
Nr opisu: 0000129700
Zastosowanie węglika krzemu w odlewnictwie żeliwa.
[Aut.]: Martyna Król, Mirosław Cholewa.
W: XV Seminarium Studenckiego Koła Naukowego Odlewników SFEROID '2019, Ustroń-Jaszowiec, 15-16 maja 2019. Red. Jan Szajnar, Andrzej Studnicki, Jacek Suchoń. Gliwice : Komisja Odlewnictwa PAN. Oddział Katowice, 2019, s. 129-137, bibliogr. 10 poz. (Zeszyty Studenckich Prac Naukowych "Sferoid" ; nr 21). Punktacja MNiSW 20.000

węglik krzemu ; właściwości fizykochemiczne ; SiC

silicon carbide ; physicochemical properties ; SiC

5/19
Nr opisu: 0000122075
Porównanie falowników klasy D-ZVS 300 kHz do nagrzewania indukcyjnego z tranzystorami MOSFET na bazie Si oraz SiC.
[Aut.]: Marcin Kasprzak, Krzysztof Przybyła.
-Prz. Elektrot. 2018 R. 94 nr 3, s. 60-64, bibliogr. 14 poz.. Punktacja MNiSW 14.000

falownik klasy D-ZVS ; SiC ; MOSFET ; połączenie równoległe

class D-ZVS inverter ; SiC ; MOSFET ; parallel connection

6/19
Nr opisu: 0000121201
Weryfikacja mocy strat w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET na bazie Si i SiC.
[Aut.]: Krzysztof Przybyła.
-Prz. Elektrot. 2018 R. 94 nr 1, s. 129-132, bibliogr. 12 poz.. Punktacja MNiSW 14.000

straty mocy ; MOSFET ; obwód bramkowy ; SiC

power losses ; MOSFET ; circuit gate ; SiC

7/19
Nr opisu: 0000122111
Wpływ obudowy tranzystora SiC MOSFET na sprawność energetyczną falownika klasy DE z pasma 13,56 MHz.
[Aut.]: Krzysztof Przybyła, Marcin Kasprzak.
-Prz. Elektrot. 2018 R. 94 nr 3, s. 87-90, bibliogr. 14 poz.. Punktacja MNiSW 14.000

falownik klasy DE ; wysoka częstotliwość ; SiC ; MOSFET ; drajwer

class DE inverter ; high frequency ; SiC ; MOSFET ; driver

8/19
Nr opisu: 0000123825
Zwilżanie ceramiki SiC cyną, stopem SN-Ti oraz cynkiem.
[Aut.]: Aleksandra Kotarska, Bernard Wyględacz, Andrzej** Gruszczyk.
W: Nowoczesne zastosowania technologii spawalniczych. Sympozjum Katedr i Zakładów Spawalnictwa, Brenna, 12-13 czerwca 2018 r. Praca zbiorowa. Pod red. Jacka Górki. Gliwice : Komisja Odlewnictwa PAN. Oddział Katowice, 2018, s. 113-122, bibliogr. 10 poz.. Punktacja MNiSW 20.000

ceramika ; SiC ; zwilżanie

ceramics ; SiC ; wetting

9/19
Nr opisu: 0000126392
Zwilżanie ceramiki SiC cyną, stopem Sn-Ti oraz cynkiem.
[Aut.]: Aleksandra Kotarska, Bernard Wyględacz, Andrzej** Gruszczyk.
-Spajanie Mater. Konstr. 2018 nr 3, s. 26-29, bibliogr. 10 poz.. Punktacja MNiSW 1.000

materiały kompozytowe ; ceramika ; SiC ; zwilżanie

composite materials ; ceramics ; SiC ; wetting

10/19
Nr opisu: 0000122132
Porównanie falowników klasy D-ZVS 300 kHz do nagrzewania indukcyjnego z tranzystorami MOSFET na bazie Si oraz SiC.
[Aut.]: Marcin Kasprzak, Krzysztof Przybyła.
W: Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym. SENE 2017. XIII Krajowa konferencja naukowa, Łódź, 22-24 listopada 2017. [Dokument elektroniczny]. Łódź : Instytut Automatyki Politechniki Łódzkiej, 2017, pamięć USB (PenDrive) s. 1-5, bibliogr. 14 poz.

falownik klasy D-ZVS ; SiC ; MOSFET ; połączenie równoległe

class D-ZVS inverter ; SiC ; MOSFET ; parallel placement

11/19
Nr opisu: 0000127072
Selection of 5 kW Converter Leg for Power Electronic System.
[Aut.]: Marcin Zygmanowski, Jarosław Michalak, Michał Jeleń, Grzegorz Jarek.
-Meas. Autom. Monit. 2017 vol. 63 nr 8, s.282-287, bibliogr.. Punktacja MNiSW 11.000

IGBT ; węglik krzemu ; SiC ; MOSFET ; microgrid

IGBT ; silicon carbide ; SiC ; MOSFET ; inverter ; microgrid

12/19
Nr opisu: 0000122223
Wpływ obudowy tranzystora SiC MOSFET na sprawność energetyczną falownika klasy DE z pasma 13,56 MHz.
[Aut.]: Krzysztof Przybyła, Marcin Kasprzak.
W: Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym. SENE 2017. XIII Krajowa konferencja naukowa, Łódź, 22-24 listopada 2017. [Dokument elektroniczny]. Łódź : Instytut Automatyki Politechniki Łódzkie, 2017, pamięć USB (PenDrive) s. 1-4, bibliogr. 14 poz.

falownik klasy DE ; wysoka częstotliwość ; SiC ; MOSFET ; drajwer

class DE inverter ; high frequency ; SiC ; MOSFET ; driver

13/19
Nr opisu: 0000107445
Falownik rezonansowy klasy D 300 kHz/20 kW z tranzystorami SiC MOSFET.
[Aut.]: Marcin Kasprzak, Zbigniew Kaczmarczyk, Piotr Legutko, Krzysztof Przybyła.
W: Energoelektronika w nauce i dydaktyce. ENiD 2016. XV Sympozjum, Gliwice - Tarnowskie Góry, 12-14 maja 2016. Materiały. Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny. Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki Śląskiej, 2016, s. 141-144, bibliogr. 8 poz.

falownik rezonansowy ; tranzystor MOSFET ; SiC

resonant inverter ; MOSFET transistor ; SiC

14/19
Nr opisu: 0000110406
Porównanie strat mocy w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET Si i SiC o zbliżonej klasie prądowo-napięciowej.
[Aut.]: Krzysztof Przybyła, Marcin Kasprzak.
W: II Seminarium Młodych Naukowców Wydziału Elektrycznego Politechniki Śląskiej. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki Śląskiej, 2016, s. 94-96, bibliogr. 3 poz.

straty mocy ; tranzystor MOSFET ; SiC ; Si ; obwód bramkowy

power losses ; MOSFET transistor ; SiC ; Si ; circuit gate

15/19
Nr opisu: 0000122770
Possible application of SiC and GaN MOSFET transistors in class de inverter.
[Aut.]: Krzysztof Przybyła.
-Pr. Nauk. PŚl., Elektr. 2016 R. 62 z. 3/4, s. 23-33, bibliogr. 25 poz.. Punktacja MNiSW 6.000

MOSFET ; SiC ; GaN ; falownik klasy DE

MOSFET ; SiC ; GaN ; class DE inverter

16/19
Nr opisu: 0000110902
Selection of 5 kW converter leg for power electronic system for residential buildings.
[Aut.]: Marcin Zygmanowski, Jarosław Michalak, Michał Jeleń, Grzegorz Jarek, Jan** Popczyk.
W: 2016 18th European Conference on Power Electronics and Applications. EPE'16 ECCE Europe, [Karlsruhe, Germany, 5-9 September 2016]. Piscataway : Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2016, s. 1-10, bibliogr. 9 poz.

projektowanie ; węglik krzemu ; SiC ; MOSFET ; microgrid

design ; IGBT ; silicon carbide ; SiC ; MOSFET ; microgrid

17/19
Nr opisu: 0000107443
Właściwości tranzystorów MOSFET na bazie SiC i GaN.
[Aut.]: Krzysztof Przybyła.
W: Energoelektronika w nauce i dydaktyce. ENiD 2016. XV Sympozjum, Gliwice - Tarnowskie Góry, 12-14 maja 2016. Materiały. Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny. Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki Śląskiej, 2016, s. 129-134, bibliogr. 16 poz.

tranzystor MOSFET ; węglik krzemu ; azotek galu ; SiC ; GaN

MOSFET transistor ; silicon carbide ; gallium nitride ; SiC ; GaN

18/19
Nr opisu: 0000014718
Cutting properties of the Al₂O₃+SiC_(w) based tool ceramic reinforced with the PVD and CVD wear resistant coatings.
[Aut.]: M. Sokovic, Jarosław Mikuła, Leszek** Dobrzański, J. Kopac, L. Kosec, P. Panjan, Janusz Madejski, A. Piech.
-J. Mater. Process. Technol. 2005 vol. 164/165, s. 924-929, bibliogr. 24 poz.
Zawiera materiały z: 8th International Scientific Conference on Advances in Materials & Processing Technologies &13th International Scientific Conference on Achievements in Mechanical & Materials Engineering in the framework of Worldwide Congress on Materials and Manufacturing Engineering and Technology, Gliwice-Wisła, Poland, 16-19 May 2005. Impact Factor 0.592

ceramika tlenkowa ; Al2O3 ; SiC ; powłoka gradientowa ; powłoka wielowarstwowa ; powłoka wieloskładnikowa ; PVD ; CVD ; TEM ; SEM

oxide ceramics ; Al2O3 ; SiC ; gradient coating ; multilayer coating ; multicomponent coating ; PVD ; CVD ; TEM ; SEM

19/19
Nr opisu: 0000013029
Cutting properties of the Al₂O₃+SiC_(w) based tool ceramic reinforced with the PVD and CVD wear-resistant coatings.
[Aut.]: M. Soković, Jarosław Mikuła, Leszek** Dobrzański, J. Kopac, L. Kosec, P. Panjan, Janusz Madejski, A. Piech.
W: Achievements in mechanical and materials engineering. Proceedings of the 13th international scientific conference, Gliwice-Wisła, Poland, May 16-19, 2005. Ed. L. A. Dobrzański. Gliwice : Organising Committee of the International Scientific Conferences Institute of Engineering Materials and Biomaterials of the Silesian University of Technology, 2005, s. 605-610, bibliogr. 9 poz.

ceramika tlenkowa ; Al2O3 ; SiC ; powłoka wielowarstwowa ; powłoka wieloskładnikowa ; powłoka gradientowa ; zużycie

oxide ceramics ; Al2O3 ; SiC ; multilayer coating ; multicomponent coating ; gradient coating ; wear

stosując format: