Wynik wyszukiwania
Zapytanie:
INP
Liczba odnalezionych rekordów:
4
Przejście do opcji zmiany formatu
|
Wyświetlenie wyników w wersji do druku
|
Pobranie pliku do edytora
|
Przesłanie wyników do modułu analizy
|
excel
|
Nowe wyszukiwanie
1/4
Nr opisu:
0000047661
A novel III-V semiconductor material for NO
2
detection and monitoring.
[Aut.]: K.
Wierzbowska
, L.
Bideux
, Bogusława
Adamowicz
, A.
Pauly
.
-
Sens. Actuators, A Phys.
2008 vol. 142 iss. 1
, s. 237-241, bibliogr. 9 poz.
NO2
;
dwutlenek azotu
;
InP
;
fosforek indu
;
XPS
;
rentgenowska spektroskopia fotoelektronów
;
spektroskopia elektronów Augera
NO2
;
nitrogen dioxide
;
InP
;
indium phosphide
;
XPS
;
X-ray photoelectron spectroscopy
;
Auger electron spectroscopy
2/4
Nr opisu:
0000047684
Surface state density distribution at vacuum-annealed InP(1 0 0) surface as derived from the rigorous analysis of photoluminescence efficiency.
[Aut.]: Paweł*
Tomkiewicz
, Bogusława
Adamowicz
, Marcin**
Miczek
, H.
Hasegawa
, Jacek**
Szuber
.
-
Appl. Surf. Sci.
2008 vol. 254 iss. 24
, s. 8046-8049, bibliogr. 28 poz..
Impact Factor
1.576
InP
;
wyżarzanie
;
pasywacja
;
oczyszczanie
;
powierzchnia rozdziału faz
;
poziom Fermiego
;
fotoluminescencja
;
MISFET
InP
;
annealing
;
passivation
;
cleaning
;
interface
;
Fermi level
;
photoluminescence
;
MISFET
3/4
Nr opisu:
0000025312
Room temperature photoluminescence studies of nitrided InP(100) surfaces.
[Aut.]: Sebastian*
Arabasz
, Bogusława
Adamowicz
, M.
Petit
, B.
Gruzza
, C.
Robert-Goumet
, T.
Piwnowski
, M.
Bugajski
, H.
Hasegawa
.
-
Mater. Sci. Eng., C Mater. Biol. Appl.
2006 vol. 26 nr 2/3
, s. 378-382, bibliogr. 28 poz..
Impact Factor
1.325
InP
;
powierzchnia
;
pasywacja
;
azotowanie
;
stan powierzchniowy
;
fotoluminescencja
;
model zjawisk nierównowagowych
InP
;
surface
;
passivation
;
nitridation
;
surface states
;
photoluminescence
;
model of non-equilibrium phenomena
4/4
Nr opisu:
0000123735
Rigorous analysis of the electronic properties of InP interfaces for gas sensing.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Marcin**
Miczek
, C.
Brun
, B.
Gruzza
, H.
Hasegawa
.
-
Thin Solid Films
2003 vol. 436 iss. 1
, s. 101-106, bibliogr. 24 poz.
Referat wygłoszony na: 3rd International Seminar on Semiconductor Gas Sensors. SGS'2002, Ustroń, Poland, 19-22 September 2002.
Impact Factor
1.598
InP
;
interfejs
;
właściwości elektroniczne
;
stan powierzchniowy
;
poziom Fermiego
;
wykrywanie gazu
InP
;
interface
;
electronic properties
;
surface states
;
Fermi level
;
gas sensing
stosując format:
standardowy
pełny z etykietami pól
roboczy
redakcja skr.
redakcja peł.
kontrolny
Nowe wyszukiwanie