Wyniki wyszukiwania

Wynik wyszukiwania

1/35
Nr opisu: 0000108061
Struktury antyrefleksyjne wytwarzane metodą zol-żel do zastosowań w fotoogniwach krzemowych.
[Aut.]: Paweł Karasiński, Marcin Skolik.
W: Technologia elektronowa. ELTE '2016. XII Konferencja naukowa, Wisła, 11-14 września 2016. [Dokument elektroniczny]. [B.m.] : [b.w.], 2016, s. 1-2, bibliogr. 3 poz.

fotowoltaika ; zol-żel ; metoda macierzowa 2x2 ; powlekanie zanurzeniowe ; krzemowe ogniwo fotowoltaiczne

photovoltaics ; sol-gel ; 2x2 matrix method ; dip-coating ; silicon photovoltaic cell

2/35
Nr opisu: 0000082755
Metody wyznaczania dwójłomności modowej światłowodów planarnych.
[Aut.]: Kazimierz Gut.
W: Technologia elektronowa. ELTE '2013. XI Konferencja naukowa, Ryn, 10-20 kwietnia 2013. [Dokument elektroniczny]. Warszawa : Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej, 2013, dysk optyczny (CD-ROM) s. 61-62, bibliogr. 6 poz.

dwójłomność modowa ; światłowód planarny

modal birefringence ; planar waveguide

3/35
Nr opisu: 0000090037
Organiczne i nieorganiczne nanostruktury sensorowe w optycznych i światłowodowych czujnikach chemicznych.
[Aut.]: Erwin Maciak, Tadeusz Pustelny.
W: Technologia elektronowa. ELTE '2013. XI Konferencja naukowa, Ryn, 10-20 kwietnia 2013. [Dokument elektroniczny]. Warszawa : Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej, 2013, dysk optyczny (CD-ROM) s. 57-58, bibliogr. 2 poz.

czujnik światłowodowy ; czujnik optyczny ; nanostruktura ; Nafion

waveguide sensor ; optical sensor ; nanostructure ; Nafion

4/35
Nr opisu: 0000082758
Redukcja stanów pułapkowych w strukturze MOS 4H-SiC(0001) pod wpływem implantacji azotu - wpływ profilu implantacji.
[Aut.]: K. Król, M. Sochacki, W. Strupiński, M. Turek, J. Żuk, P. Borowicz, H. Przewłocki, Monika Kwoka, Piotr* Kościelniak, Jacek** Szuber, J. Szmidt.
W: Technologia elektronowa. ELTE '2013. XI Konferencja naukowa, Ryn, 10-20 kwietnia 2013. [Dokument elektroniczny]. Warszawa : Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej, 2013, dysk optyczny (CD-ROM) s. 155-156, bibliogr. 3 poz.

stan pułapkowy ; implantacja jonów ; struktura MOS

trapping state ; ion implantation ; MOS structure

5/35
Nr opisu: 0000082757
Warstwy SiO₂-TiO₂ wytwarzane metodą zol-żel - charakteryzacja i zastosowania.
[Aut.]: Paweł Karasiński.
W: Technologia elektronowa. ELTE '2013. XI Konferencja naukowa, Ryn, 10-20 kwietnia 2013. [Dokument elektroniczny]. Warszawa : Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej, 2013, dysk optyczny (CD-ROM) s. 67-68, bibliogr. 5 poz.

metoda zol-żel ; powłoka cienka ; warstwa falowodowa

sol-gel method ; thin coating ; waveguide layer

6/35
Nr opisu: 0000082759
Wykorzystanie obiektywu z pryzmatem Wollastona w metrologii światłowodowej pola bliskiego.
[Aut.]: Kazimierz Gut.
W: Technologia elektronowa. ELTE '2013. XI Konferencja naukowa, Ryn, 10-20 kwietnia 2013. [Dokument elektroniczny]. Warszawa : Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej, 2013, dysk optyczny (CD-ROM) s. 237-238, bibliogr. 5 poz.

pole bliskie ; metrologia ; światłowód

near field ; metrology ; optical waveguide

7/35
Nr opisu: 0000046252
Characterization of insulator-semiconductor interface phenomena in MIS structures by impedance spectroscopy.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz, Michał* Szydłowski.
W: Technologia elektronowa. ELTE '2007. IX Konferencja, Kraków, 4-7.09.2007. Materiały konferencyjne. Red. T. Stapiński [i in.]. [Kraków] : [Wydaw. Wydziału Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki. Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica], 2008, s. 47-50, bibliogr. 11 poz.

8/35
Nr opisu: 0000046253
An analysis of GaAs MIS structure properties by use of an equivalent circuit parameters.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz, Michał* Szydłowski.
W: Technologia elektronowa. ELTE '2004. VIII Konferencja naukowa, Stare Jabłonki, 19-22.04.2004. Materiały konferencyjne. Łódź : CMYK Studio Poligrafii i Reklamy, 2004, s. 357-360, bibliogr. 5 poz.

9/35
Nr opisu: 0000088103
Badania nad stabilnością rozwirowywanych szkliw krzemowych wytworzonych w oparciu o związki krzemoorganiczne.
[Aut.]: Edyta Wróbel, Krzysztof** Waczyński, Zbigniew** Pruszowski, Kazimierz* Drabczyk.
W: Technologia elektronowa. ELTE '2000. VII Konferencja naukowa, Polanica Zdrój, 18-22 września 2000. [Dokument elektroniczny]. Wrocław : Politechnika Wrocławska, 2000, dysk optyczny (CD-ROM) ME7

10/35
Nr opisu: 0000088528
Badania nad stabilnością sensorycznych warstw dwutlenku cyny technologią RTGO (Rheotaxial Growth and Thermal Oxidation).
[Aut.]: Jerzy Uljanow, Krzysztof** Waczyński, T. Karczewska-Buczek.
W: Technologia elektronowa. ELTE '2000. VII Konferencja naukowa, Polanica Zdrój, 18-22 września 2000. [Dokument elektroniczny]. Wrocław : Politechnika Wrocławska, 2000, dysk optyczny (CD-ROM) MS11

11/35
Nr opisu: 0000000140
Badanie własności elektrycznych struktur metal-SiO2-GaAs.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz.
W: Technologia elektronowa. VII Konferencja naukowa. ELTE '2000, Polanica Zdrój, 18-22 września 2000. Materiały konferencyjne. Wrocław : Instytut Techniki Mikrosystemów Politechniki Wrocławskiej, 2000, s. 394-397, bibliogr. 8 poz.

12/35
Nr opisu: 0000088169
Elektrofizyczne własności rozwirowywanych szkliw krzemowych wykorzystywanych w procesie pasywacji i planaryzacji.
[Aut.]: Krzysztof** Waczyński, Edyta Wróbel, Zbigniew** Pruszowski, Stanisław* Łoś.
W: Technologia elektronowa. ELTE '2000. VII Konferencja naukowa, Polanica Zdrój, 18-22 września 2000. [Dokument elektroniczny]. Wrocław : Politechnika Wrocławska, 2000, dysk optyczny (CD-ROM) ME11

13/35
Nr opisu: 0000000141
Elektryczny model zastępczy struktury metal-SiO2-GaAs.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, B. Paszkiewicz.
W: Technologia elektronowa. VII Konferencja naukowa. ELTE '2000, Polanica Zdrój, 18-22 września 2000. Materiały konferencyjne. Wrocław : Instytut Techniki Mikrosystemów Politechniki Wrocławskiej, 2000, s. 426-429, bibliogr. 8 poz.

14/35
Nr opisu: 0000088170
Modelowanie wpływu warunków procesu domieszkowania dyfuzyjnego na parametry złącza p-n.
[Aut.]: Krzysztof** Waczyński, Edyta Wróbel, Wojciech Filipowski, Kazimierz* Drabczyk.
W: Technologia elektronowa. ELTE '2000. VII Konferencja naukowa, Polanica Zdrój, 18-22 września 2000. [Dokument elektroniczny]. Wrocław : Politechnika Wrocławska, 2000, dysk optyczny (CD-ROM) ME17

15/35
Nr opisu: 0000088171
Wpływ parametrów procesu bezprądowej metalizacji prowadzonej pod zwiększonym ciśnieniem na parametry elektryczne warstw rezystywnych Ni-P.
[Aut.]: Zbigniew** Pruszowski, Piotr Kowalik, Krzysztof** Waczyński, J. Kulawik.
W: Technologia elektronowa. ELTE '2000. VII Konferencja naukowa, Polanica Zdrój, 18-22 września 2000. [Dokument elektroniczny]. Wrocław : Politechnika Wrocławska, 2000, dysk optyczny (CD-ROM) ME72

16/35
Nr opisu: 0000003067
Analiza częstotliwościowych charakterystyk pojemności i konduktancji struktur metal-SiO2-GaAs.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, K. Nitsch, R. Paszkiewicz, A. Górecka-Drzazga.
W: Technologia elektronowa. VI Konferencja naukowa. ELTE '97, Krynica, 6.05-9.05.1997. T. 1. Instytut Elektroniki Akademii Górniczo-Hutniczej w Krakowie. Kraków : Akademia Górniczo-Hutnicza, 1997, s. 556-560, bibliogr. 6 poz.

17/35
Nr opisu: 0000003086
Dyfuzja antymonu z rozwirowywanych źródeł domieszek.
[Aut.]: Sławomir** Kończak, Krzysztof** Waczyński, Edyta Wróbel, Zbigniew** Pruszowski.
W: Technologia elektronowa. VI Konferencja naukowa. ELTE '97, Krynica, 6.05-9.05.1997. T. 1. Instytut Elektroniki Akademii Górniczo-Hutniczej w Krakowie. Kraków : Akademia Górniczo-Hutnicza, 1997, s. 209-212, bibliogr. 3 poz.

18/35
Nr opisu: 0000003077
Działo atomowego wodoru do oczyszczania powierzchni GaAs(100) dla celów epitaksji z wiązek molekularnych (MBE).
[Aut.]: Adam* Girycki, A. Urbaniak, Jacek** Szuber.
W: Technologia elektronowa. VI Konferencja naukowa. ELTE '97, Krynica, 6.05-9.05.1997. T. 1. Instytut Elektroniki Akademii Górniczo-Hutniczej w Krakowie. Kraków : Akademia Górniczo-Hutnicza, 1997, s. 162-164, bibliogr. 9 poz.

19/35
Nr opisu: 0000003082
Parametry elektrofizyczne struktur MIS z GaAs z podwójnym dielektrykiem.
[Aut.]: Stanisław* Łoś, Krzysztof** Waczyński.
W: Technologia elektronowa. VI Konferencja naukowa. ELTE '97, Krynica, 6.05-9.05.1997. T. 1. Instytut Elektroniki Akademii Górniczo-Hutniczej w Krakowie. Kraków : Akademia Górniczo-Hutnicza, 1997, s. 599-601, bibliogr. 7 poz.

20/35
Nr opisu: 0000051884
Planarny interferometr różnicowy jako czujnik światłowodowy.
[Aut.]: Kazimierz Gut, Paweł Karasiński, Roman Rogoziński, Zbigniew Opilski, Aleksander* Opilski.
W: Technologia elektronowa. VI Konferencja naukowa. ELTE '97, Krynica, 6.05-9.05.1997. T. 2. Katedra Elektroniki Akademii Górniczo-Hutniczej w Krakowie. Kraków : Akademia Górniczo-Hutnicza, 1997, s. 585-588, bibliogr. 3 poz.

21/35
Nr opisu: 0000003079
Stanowisko technologiczno-pomiarowe do badania in situ własności elektronowych cienkich warstw ftalocyjanin metali przejściowych.
[Aut.]: Lucyna Grządziel, Aleksander Król, Jacek** Szuber.
W: Technologia elektronowa. VI Konferencja naukowa. ELTE '97, Krynica, 6.05-9.05.1997. T. 1. Instytut Elektroniki Akademii Górniczo-Hutniczej w Krakowie. Kraków : Akademia Górniczo-Hutnicza, 1997, s. 169-172, bibliogr. 4 poz.

22/35
Nr opisu: 0000003073
Technologia otrzymywania struktur MIS z dwuwarstwowym dielektrykiem.
[Aut.]: Stanisław* Łoś, Krzysztof** Waczyński, Edyta Wróbel.
W: Technologia elektronowa. VI Konferencja naukowa. ELTE '97, Krynica, 6.05-9.05.1997. T. 1. Instytut Elektroniki Akademii Górniczo-Hutniczej w Krakowie. Kraków : Akademia Górniczo-Hutnicza, 1997, s. 234-237, bibliogr. 5 poz.

23/35
Nr opisu: 0000003081
Własności elektronowe i sensorowe atomowo czystej powierzchni SnO2(110) poddanej ekspozycji w tlenie.
[Aut.]: Dominika* Lipa, Jacek** Szuber.
W: Technologia elektronowa. VI Konferencja naukowa. ELTE '97, Krynica, 6.05-9.05.1997. T. 1. Instytut Elektroniki Akademii Górniczo-Hutniczej w Krakowie. Kraków : Akademia Górniczo-Hutnicza, 1997, s. 230-233, bibliogr. 5 poz.

24/35
Nr opisu: 0000003070
Wytwarzanie rezystorów precyzyjnych na bazie warstw Ni-P oraz Ni-W-P otrzymywanych metodą chemicznej redukcji.
[Aut.]: Zbigniew** Pruszowski, Krzysztof** Waczyński, Edyta Wróbel, M. Cież, W. Grzesiak, J. Początek.
W: Technologia elektronowa. VI Konferencja naukowa. ELTE '97, Krynica, 6.05-9.05.1997. T. 1. Instytut Elektroniki Akademii Górniczo-Hutniczej w Krakowie. Kraków : Akademia Górniczo-Hutnicza, 1997, s. 299-302, bibliogr. 5 poz.

25/35
Nr opisu: 0000046258
Grubowarstwowe czujniki gazów na bazie ogniw elektrochemicznych ze stałym elektrolitem cyrkonowym (ZrO2).
[Aut.]: Krzysztof* Dąbrowski, Sławomir** Kończak, Krzysztof** Waczyński.
W: Technologia elektronowa. V Konferencja naukowa. ELTE '94, Szczyrk, 20.04-23.04.1994. T. 2. Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej. Warszawa : Oficyna Wydaw. Politechniki Warszawskiej, 1994, s. 500-503, bibliogr. 5 poz.

26/35
Nr opisu: 0000003063
Hybrydyzacja układu kluczy sterowanych z ogranicznikiem prądowym.
[Aut.]: Krzysztof** Waczyński, K. Dąbrowski, R. Puławski.
W: Technologia elektronowa. V Konferencja naukowa. ELTE '94, Szczyrk, 20.04-23.04.1994. T. 1. Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej. Warszawa : Oficyna Wydaw. Politechniki Warszawskiej, 1994, s. 378-381, bibliogr. 3 poz.

27/35
Nr opisu: 0000003045
Mikrokomputerowy układ sterowania i rejestracji widm spektrometru masowego typu unipolarnego filtru mas.
[Aut.]: Michał* Piwowarczyk, S. Kaszczyszyn, Jacek** Szuber.
W: Technologia elektronowa. V Konferencja naukowa. ELTE '94, Szczyrk, 20.04-23.04.1994. T. 1. Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej. Warszawa : Oficyna Wydaw. Politechniki Warszawskiej, 1994, s. 285-287, bibliogr. 5 poz.

28/35
Nr opisu: 0000003062
Stanowisko do badania rozkładu rezystancji powierzchniowej na płytce krzemowej domieszkowanej ze źródeł SPIN-ON.
[Aut.]: Krzysztof** Waczyński, K. Dąbrowski, G. Hunicz.
W: Technologia elektronowa. V Konferencja naukowa. ELTE '94, Szczyrk, 20.04-23.04.1994. T. 1. Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej. Warszawa : Oficyna Wydaw. Politechniki Warszawskiej, 1994, s. 382-385, bibliogr. 2 poz.

29/35
Nr opisu: 0000046257
Symulacja histerezy charakterystyk C-V struktur MIS w oparciu o model z przestrzennym rozkładem stanów powierzchniowych.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski.
W: Technologia elektronowa. V Konferencja naukowa. ELTE '94, Szczyrk, 20.04-23.04.1994. T. 2. Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej. Warszawa : Oficyna Wydaw. Politechniki Warszawskiej, 1994, s. 576-579, bibliogr. 4 poz.

30/35
Nr opisu: 0000003049
Technologia wytwarzania amorficznego diamentu - materiału dla zastosowań w medycynie.
[Aut.]: S. Mitura, E. Mitura, P. Niedzielski, Jan** Marciniak, J. Szmidt, M. Cłapa, Zbigniew Paszenda, A. Jakubowski.
W: Technologia elektronowa. V Konferencja naukowa. ELTE '94, Szczyrk, 20.04-23.04.1994. T. 1. Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej. Warszawa : Oficyna Wydaw. Politechniki Warszawskiej, 1994, s. 248-251, bibliogr. 22 poz.

31/35
Nr opisu: 0000003064
Własności elektronowe obszaru przypowierzchniowego cienkich warstw ftalocyjaniny miedzi (CuPc).
[Aut.]: Jacek** Szuber, B. Szczepaniak, Stanisław** Kochowski, Aleksander* Opilski.
W: Technologia elektronowa. V Konferencja naukowa. ELTE '94, Szczyrk, 20.04-23.04.1994. T. 1. Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej. Warszawa : Oficyna Wydaw. Politechniki Warszawskiej, 1994, s. 365-368, bibliogr. 16 poz.

32/35
Nr opisu: 0000061976
Zastosowanie wymiany jonowej K+ - Na+ w technologii planarnego interferometru Macha-Zehndera.
[Aut.]: Marek Błahut, Aleksander* Opilski, Roman Rogoziński.
W: Technologia elektronowa. V Konferencja naukowa. ELTE '94, Szczyrk, 20.04-23.04.1994. T. 2. Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej. Warszawa : Oficyna Wydaw. Politechniki Warszawskiej, 1994, s. 711-714, bibliogr. 7 poz.

33/35
Nr opisu: 0000003050
Zastosowanie związków krzemoorganicznych w technologii elektronowej.
[Aut.]: Krzysztof** Waczyński, Stanisław* Łoś, Stanisław* Krompiec.
W: Technologia elektronowa. V Konferencja naukowa. ELTE '94, Szczyrk, 20.04-23.04.1994. T. 1. Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej. Warszawa : Oficyna Wydaw. Politechniki Warszawskiej, 1994, s. 386-389, bibliogr. 4 poz.

34/35
Nr opisu: 0000061932
Podstawowe parametry elektrofizyczne szkliwa bezdomieszkowego w strukturze MIS.
[Aut.]: Stanisław* Łoś, Krzysztof** Waczyński.
W: Technologia elektronowa. IV Konferencja naukowa. ELTE'90, [Książ, 11-14.09.1990]. Książ : [b.w.], 1990, s. 351-353, bibliogr. 4 poz.
PŚl. sygn. 96090

35/35
Nr opisu: 0000061931
Struktury MIS z Cd Hg Te.
[Aut.]: Stanisław* Łoś.
W: Technologia elektronowa. IV Konferencja naukowa. ELTE'90, Książ, 11-14.09.1990. Książ : [b.w.], 1990, s. 49-50, bibliogr. 5 poz.
PŚl. sygn. 96090

stosując format: