Wynik wyszukiwania
Zapytanie:
PRZYBYŁA KRZYSZTOF
Liczba odnalezionych rekordów:
15
Przejście do opcji zmiany formatu
|
Wyświetlenie wyników w wersji do druku
|
Pobranie pliku do edytora
|
Przesłanie wyników do modułu analizy
|
excel
|
Nowe wyszukiwanie
1/15
Nr opisu:
0000136097
Porównanie falowników klasy DE z pasma 13,56 MHz zbudowanych na tranzystorach SiC MOSFET i GaN FET.
[Aut.]: Krzysztof
Przybyła
, Marcin
Kasprzak
.
-
Prz. Elektrot.
2020 R. 96 nr 7
, s. 68-71, bibliogr. 15 poz..
Punktacja MNiSW
20.000
falownik klasy DE
;
wysoka częstotliwość
;
SiC
;
GaN
;
MOSFET
;
drajwer
class DE inverter
;
high frequency
;
SiC
;
GaN
;
MOSFET
;
driver
2/15
Nr opisu:
0000132122
Analiza i badania wysokoczęstotliwościowych falowników klasy DE z tranzystorami MOSFET na bazie SiC i GaN. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Krzysztof
Przybyła
.
Gliwice, 2019, 143 k., bibliogr. 118 poz.
Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny. Promotor: dr hab. inż. Marcin Kasprzak, dr inż. Marcin Zygmanowski
falownik klasy DE
;
wysoka częstotliwość
;
tranzystor MOSFET
;
SiC
;
GaN
class DE inverter
;
high frequency
;
MOSFET transistor
;
SiC
;
GaN
3/15
Nr opisu:
0000133652
Falowniki dwuczęstotliwościowe do nagrzewania indukcyjnego.
[Aut.]: Marcin
Kasprzak
, Piotr
Legutko
, Krzysztof
Przybyła
, Kamil
Kierepka
, Piotr
Zimoch
.
-
Śl. Wiad. Elektr.
2019 R. 25 nr 5
, s. 22-26, bibliogr. 14 poz..
Punktacja MNiSW
5.000
energoelektronika
;
nagrzewanie indukcyjne
;
falownik dwuczęstotliwościowy
power electronics
;
induction heating
;
double frequency inverter
4/15
Nr opisu:
0000134052
Porównanie falowników klasy DE z pasma 13,56 MHz zbudowanych na tranzystorach SiC MOSFET i GaN FET.
[Aut.]: Krzysztof
Przybyła
, Marcin
Kasprzak
.
W:
Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym "SENE 2019"
. XIV Konferencja naukowa, Łódź, 20-22 listopada 2019. [Dokument elektroniczny]. Łódź : Instytut Automatyki Politechniki Łódzkiej, 2019
, pamięć USB (PenDrive) s. 1-4, bibliogr. 16 poz..
Punktacja MNiSW
20.000
falownik klasy DE
;
wysoka częstotliwość
;
SiC
;
GaN
;
MOSFET
;
drajwer
class DE inverter
;
high frequency
;
SiC
;
GaN
;
MOSFET
;
driver
5/15
Nr opisu:
0000122075
Porównanie falowników klasy D-ZVS 300 kHz do nagrzewania indukcyjnego z tranzystorami MOSFET na bazie Si oraz SiC.
[Aut.]: Marcin
Kasprzak
, Krzysztof
Przybyła
.
-
Prz. Elektrot.
2018 R. 94 nr 3
, s. 60-64, bibliogr. 14 poz..
Punktacja MNiSW
14.000
falownik klasy D-ZVS
;
SiC
;
MOSFET
;
połączenie równoległe
class D-ZVS inverter
;
SiC
;
MOSFET
;
parallel connection
6/15
Nr opisu:
0000121201
Weryfikacja mocy strat w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET na bazie Si i SiC.
[Aut.]: Krzysztof
Przybyła
.
-
Prz. Elektrot.
2018 R. 94 nr 1
, s. 129-132, bibliogr. 12 poz..
Punktacja MNiSW
14.000
straty mocy
;
MOSFET
;
obwód bramkowy
;
SiC
power losses
;
MOSFET
;
circuit gate
;
SiC
7/15
Nr opisu:
0000122111
Wpływ obudowy tranzystora SiC MOSFET na sprawność energetyczną falownika klasy DE z pasma 13,56 MHz.
[Aut.]: Krzysztof
Przybyła
, Marcin
Kasprzak
.
-
Prz. Elektrot.
2018 R. 94 nr 3
, s. 87-90, bibliogr. 14 poz..
Punktacja MNiSW
14.000
falownik klasy DE
;
wysoka częstotliwość
;
SiC
;
MOSFET
;
drajwer
class DE inverter
;
high frequency
;
SiC
;
MOSFET
;
driver
8/15
Nr opisu:
0000115891
Cyfrowy sterownik CPLD falownika klasy DE.
[Aut.]: Krzysztof
Przybyła
.
-
Prz. Elektrot.
2017 R. 93 nr 5
, s. 21-24, bibliogr. 9 poz..
Punktacja MNiSW
14.000
falownik klasy DE
;
sterownik
;
CPLD
;
IPDM
class DE inverter
;
controller
;
CPLD
;
IPDM
9/15
Nr opisu:
0000122132
Porównanie falowników klasy D-ZVS 300 kHz do nagrzewania indukcyjnego z tranzystorami MOSFET na bazie Si oraz SiC.
[Aut.]: Marcin
Kasprzak
, Krzysztof
Przybyła
.
W:
Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym
. SENE 2017. XIII Krajowa konferencja naukowa, Łódź, 22-24 listopada 2017. [Dokument elektroniczny]. Łódź : Instytut Automatyki Politechniki Łódzkiej, 2017
, pamięć USB (PenDrive) s. 1-5, bibliogr. 14 poz.
falownik klasy D-ZVS
;
SiC
;
MOSFET
;
połączenie równoległe
class D-ZVS inverter
;
SiC
;
MOSFET
;
parallel placement
10/15
Nr opisu:
0000118207
Przekształcanie wysokoczęstotliwościowe w tematyce prac doktorskich realizowanych w KENER.
[Aut.]: Marcin
Kasprzak
, Zbigniew
Kaczmarczyk
, Krystian
Frania
, Kamil
Kierepka
, Piotr
Legutko
, Krzysztof
Przybyła
, Piotr
Zimoch
, Michał
Zellner
.
W:
Energoelektronika w nauce i dydaktyce
. XVI Sympozjum, Poznań, 11-13 maja 2017. [Dokument elektroniczny]. Red. Krzysztof Zawirski, Michał Gwóźdź. Poznań : Wydaw. Politechniki Poznańskiej, 2017
, pamięć USB (PenDrive) s. 1-10, bibliogr. 14 poz.
11/15
Nr opisu:
0000122223
Wpływ obudowy tranzystora SiC MOSFET na sprawność energetyczną falownika klasy DE z pasma 13,56 MHz.
[Aut.]: Krzysztof
Przybyła
, Marcin
Kasprzak
.
W:
Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym
. SENE 2017. XIII Krajowa konferencja naukowa, Łódź, 22-24 listopada 2017. [Dokument elektroniczny]. Łódź : Instytut Automatyki Politechniki Łódzkie, 2017
, pamięć USB (PenDrive) s. 1-4, bibliogr. 14 poz.
falownik klasy DE
;
wysoka częstotliwość
;
SiC
;
MOSFET
;
drajwer
class DE inverter
;
high frequency
;
SiC
;
MOSFET
;
driver
12/15
Nr opisu:
0000107445
Falownik rezonansowy klasy D 300 kHz/20 kW z tranzystorami SiC MOSFET.
[Aut.]: Marcin
Kasprzak
, Zbigniew
Kaczmarczyk
, Piotr
Legutko
, Krzysztof
Przybyła
.
W:
Energoelektronika w nauce i dydaktyce
. ENiD 2016. XV Sympozjum, Gliwice - Tarnowskie Góry, 12-14 maja 2016. Materiały. Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny. Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki Śląskiej, 2016
, s. 141-144, bibliogr. 8 poz.
falownik rezonansowy
;
tranzystor MOSFET
;
SiC
resonant inverter
;
MOSFET transistor
;
SiC
13/15
Nr opisu:
0000110406
Porównanie strat mocy w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET Si i SiC o zbliżonej klasie prądowo-napięciowej.
[Aut.]: Krzysztof
Przybyła
, Marcin
Kasprzak
.
W:
II Seminarium Młodych Naukowców Wydziału Elektrycznego Politechniki Śląskiej
. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki Śląskiej, 2016
, s. 94-96, bibliogr. 3 poz.
straty mocy
;
tranzystor MOSFET
;
SiC
;
Si
;
obwód bramkowy
power losses
;
MOSFET transistor
;
SiC
;
Si
;
circuit gate
14/15
Nr opisu:
0000122770
Possible application of SiC and GaN MOSFET transistors in class de inverter.
[Aut.]: Krzysztof
Przybyła
.
-
Pr. Nauk. PŚl., Elektr.
2016 R. 62 z. 3/4
, s. 23-33, bibliogr. 25 poz..
Punktacja MNiSW
6.000
MOSFET
;
SiC
;
GaN
;
falownik klasy DE
MOSFET
;
SiC
;
GaN
;
class DE inverter
15/15
Nr opisu:
0000107443
Właściwości tranzystorów MOSFET na bazie SiC i GaN.
[Aut.]: Krzysztof
Przybyła
.
W:
Energoelektronika w nauce i dydaktyce
. ENiD 2016. XV Sympozjum, Gliwice - Tarnowskie Góry, 12-14 maja 2016. Materiały. Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny. Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki Śląskiej, 2016
, s. 129-134, bibliogr. 16 poz.
tranzystor MOSFET
;
węglik krzemu
;
azotek galu
;
SiC
;
GaN
MOSFET transistor
;
silicon carbide
;
gallium nitride
;
SiC
;
GaN
stosując format:
standardowy
pełny z etykietami pól
roboczy
redakcja skr.
redakcja peł.
kontrolny
Nowe wyszukiwanie