Wynik wyszukiwania
Zapytanie: PRZYBYŁA KRZYSZTOF
Liczba odnalezionych rekordów: 15



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/15
Nr opisu: 0000136097   
Porównanie falowników klasy DE z pasma 13,56 MHz zbudowanych na tranzystorach SiC MOSFET i GaN FET.
[Aut.]: Krzysztof Przybyła, Marcin Kasprzak.
-Prz. Elektrot. 2020 R. 96 nr 7, s. 68-71, bibliogr. 15 poz.. Punktacja MNiSW 20.000

falownik klasy DE ; wysoka częstotliwość ; SiC ; GaN ; MOSFET ; drajwer

class DE inverter ; high frequency ; SiC ; GaN ; MOSFET ; driver

2/15
Nr opisu: 0000132122   
Analiza i badania wysokoczęstotliwościowych falowników klasy DE z tranzystorami MOSFET na bazie SiC i GaN. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Krzysztof Przybyła.
Gliwice, 2019, 143 k., bibliogr. 118 poz.
Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny. Promotor: dr hab. inż. Marcin Kasprzak, dr inż. Marcin Zygmanowski

falownik klasy DE ; wysoka częstotliwość ; tranzystor MOSFET ; SiC ; GaN

class DE inverter ; high frequency ; MOSFET transistor ; SiC ; GaN

3/15
Nr opisu: 0000133652
Falowniki dwuczęstotliwościowe do nagrzewania indukcyjnego.
[Aut.]: Marcin Kasprzak, Piotr Legutko, Krzysztof Przybyła, Kamil Kierepka, Piotr Zimoch.
-Śl. Wiad. Elektr. 2019 R. 25 nr 5, s. 22-26, bibliogr. 14 poz.. Punktacja MNiSW 5.000

energoelektronika ; nagrzewanie indukcyjne ; falownik dwuczęstotliwościowy

power electronics ; induction heating ; double frequency inverter

4/15
Nr opisu: 0000134052
Porównanie falowników klasy DE z pasma 13,56 MHz zbudowanych na tranzystorach SiC MOSFET i GaN FET.
[Aut.]: Krzysztof Przybyła, Marcin Kasprzak.
W: Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym "SENE 2019". XIV Konferencja naukowa, Łódź, 20-22 listopada 2019. [Dokument elektroniczny]. Łódź : Instytut Automatyki Politechniki Łódzkiej, 2019, pamięć USB (PenDrive) s. 1-4, bibliogr. 16 poz.. Punktacja MNiSW 20.000

falownik klasy DE ; wysoka częstotliwość ; SiC ; GaN ; MOSFET ; drajwer

class DE inverter ; high frequency ; SiC ; GaN ; MOSFET ; driver

5/15
Nr opisu: 0000122075   
Porównanie falowników klasy D-ZVS 300 kHz do nagrzewania indukcyjnego z tranzystorami MOSFET na bazie Si oraz SiC.
[Aut.]: Marcin Kasprzak, Krzysztof Przybyła.
-Prz. Elektrot. 2018 R. 94 nr 3, s. 60-64, bibliogr. 14 poz.. Punktacja MNiSW 14.000

falownik klasy D-ZVS ; SiC ; MOSFET ; połączenie równoległe

class D-ZVS inverter ; SiC ; MOSFET ; parallel connection

6/15
Nr opisu: 0000121201   
Weryfikacja mocy strat w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET na bazie Si i SiC.
[Aut.]: Krzysztof Przybyła.
-Prz. Elektrot. 2018 R. 94 nr 1, s. 129-132, bibliogr. 12 poz.. Punktacja MNiSW 14.000

straty mocy ; MOSFET ; obwód bramkowy ; SiC

power losses ; MOSFET ; circuit gate ; SiC

7/15
Nr opisu: 0000122111   
Wpływ obudowy tranzystora SiC MOSFET na sprawność energetyczną falownika klasy DE z pasma 13,56 MHz.
[Aut.]: Krzysztof Przybyła, Marcin Kasprzak.
-Prz. Elektrot. 2018 R. 94 nr 3, s. 87-90, bibliogr. 14 poz.. Punktacja MNiSW 14.000

falownik klasy DE ; wysoka częstotliwość ; SiC ; MOSFET ; drajwer

class DE inverter ; high frequency ; SiC ; MOSFET ; driver

8/15
Nr opisu: 0000115891   
Cyfrowy sterownik CPLD falownika klasy DE.
[Aut.]: Krzysztof Przybyła.
-Prz. Elektrot. 2017 R. 93 nr 5, s. 21-24, bibliogr. 9 poz.. Punktacja MNiSW 14.000

falownik klasy DE ; sterownik ; CPLD ; IPDM

class DE inverter ; controller ; CPLD ; IPDM

9/15
Nr opisu: 0000122132
Porównanie falowników klasy D-ZVS 300 kHz do nagrzewania indukcyjnego z tranzystorami MOSFET na bazie Si oraz SiC.
[Aut.]: Marcin Kasprzak, Krzysztof Przybyła.
W: Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym. SENE 2017. XIII Krajowa konferencja naukowa, Łódź, 22-24 listopada 2017. [Dokument elektroniczny]. Łódź : Instytut Automatyki Politechniki Łódzkiej, 2017, pamięć USB (PenDrive) s. 1-5, bibliogr. 14 poz.

falownik klasy D-ZVS ; SiC ; MOSFET ; połączenie równoległe

class D-ZVS inverter ; SiC ; MOSFET ; parallel placement

10/15
Nr opisu: 0000118207
Przekształcanie wysokoczęstotliwościowe w tematyce prac doktorskich realizowanych w KENER.
[Aut.]: Marcin Kasprzak, Zbigniew Kaczmarczyk, Krystian Frania, Kamil Kierepka, Piotr Legutko, Krzysztof Przybyła, Piotr Zimoch, Michał Zellner.
W: Energoelektronika w nauce i dydaktyce. XVI Sympozjum, Poznań, 11-13 maja 2017. [Dokument elektroniczny]. Red. Krzysztof Zawirski, Michał Gwóźdź. Poznań : Wydaw. Politechniki Poznańskiej, 2017, pamięć USB (PenDrive) s. 1-10, bibliogr. 14 poz.

11/15
Nr opisu: 0000122223
Wpływ obudowy tranzystora SiC MOSFET na sprawność energetyczną falownika klasy DE z pasma 13,56 MHz.
[Aut.]: Krzysztof Przybyła, Marcin Kasprzak.
W: Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym. SENE 2017. XIII Krajowa konferencja naukowa, Łódź, 22-24 listopada 2017. [Dokument elektroniczny]. Łódź : Instytut Automatyki Politechniki Łódzkie, 2017, pamięć USB (PenDrive) s. 1-4, bibliogr. 14 poz.

falownik klasy DE ; wysoka częstotliwość ; SiC ; MOSFET ; drajwer

class DE inverter ; high frequency ; SiC ; MOSFET ; driver

12/15
Nr opisu: 0000107445
Falownik rezonansowy klasy D 300 kHz/20 kW z tranzystorami SiC MOSFET.
[Aut.]: Marcin Kasprzak, Zbigniew Kaczmarczyk, Piotr Legutko, Krzysztof Przybyła.
W: Energoelektronika w nauce i dydaktyce. ENiD 2016. XV Sympozjum, Gliwice - Tarnowskie Góry, 12-14 maja 2016. Materiały. Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny. Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki Śląskiej, 2016, s. 141-144, bibliogr. 8 poz.

falownik rezonansowy ; tranzystor MOSFET ; SiC

resonant inverter ; MOSFET transistor ; SiC

13/15
Nr opisu: 0000110406
Porównanie strat mocy w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET Si i SiC o zbliżonej klasie prądowo-napięciowej.
[Aut.]: Krzysztof Przybyła, Marcin Kasprzak.
W: II Seminarium Młodych Naukowców Wydziału Elektrycznego Politechniki Śląskiej. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki Śląskiej, 2016, s. 94-96, bibliogr. 3 poz.

straty mocy ; tranzystor MOSFET ; SiC ; Si ; obwód bramkowy

power losses ; MOSFET transistor ; SiC ; Si ; circuit gate

14/15
Nr opisu: 0000122770   
Possible application of SiC and GaN MOSFET transistors in class de inverter.
[Aut.]: Krzysztof Przybyła.
-Pr. Nauk. PŚl., Elektr. 2016 R. 62 z. 3/4, s. 23-33, bibliogr. 25 poz.. Punktacja MNiSW 6.000

MOSFET ; SiC ; GaN ; falownik klasy DE

MOSFET ; SiC ; GaN ; class DE inverter

15/15
Nr opisu: 0000107443
Właściwości tranzystorów MOSFET na bazie SiC i GaN.
[Aut.]: Krzysztof Przybyła.
W: Energoelektronika w nauce i dydaktyce. ENiD 2016. XV Sympozjum, Gliwice - Tarnowskie Góry, 12-14 maja 2016. Materiały. Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny. Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki Śląskiej, 2016, s. 129-134, bibliogr. 16 poz.

tranzystor MOSFET ; węglik krzemu ; azotek galu ; SiC ; GaN

MOSFET transistor ; silicon carbide ; gallium nitride ; SiC ; GaN

stosując format:
Nowe wyszukiwanie