Wyniki wyszukiwania

Wynik wyszukiwania

1/266
Nr opisu: 0000139171
Patent. Polska Sposób wytwarzania generatora piroelektrycznego. Inc. Cl. H01L 35/00, H01L 35/34, B82Y 40/00.
Politechnika Śląska, Polska
Twórcy: Krystian Mistewicz, Mateusz Kozioł, Marcin Jesionek, Marian Nowak.
Zgłosz. nr 430 000 z 22.05.2019., 1 s.

2/266
Nr opisu: 0000135036
A simple route for manufacture of photovoltaic devices based on chalcohalide nanowires.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Wiktor Matysiak, Marcin Jesionek, Paweł Jarka, Mirosława Kępińska, Marian Nowak, Tomasz Tański, D. Stróż, J. Szade, K. Balin, Tomasz Rzychoń.
-Appl. Surf. Sci. 2020 vol. 517, art. no 146138 s. 1-8, bibliogr. 43 poz.. Impact Factor 6.182. Punktacja MNiSW 140.000

sulfojodek antymonu ; poliakrylonitryl ; nanosieć ; nanokompozyty ; urządzenie fotowoltaiczne

antimony sulfoiodide ; polyacrylonitrile ; nanowires ; nanocomposites ; photovoltaic device ; self-powered photodetectors

3/266
Nr opisu: 0000137563
Fast and efficient piezo/photocatalytic removal of methyl orange using SbSI nanowires.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Mirosława Kępińska, Marian Nowak, Agnieszka Sasiela, M. Zubko, D. Stróż.
-Materials 2020 vol. 13 iss. 21, s. 1-15, bibliogr. 61 poz.. Impact Factor 3.057. Punktacja MNiSW 140.000

piezokataliza wspomagana ultradźwiękami ; sulfojodek antymonu ; SbSI ; nanoprzewody ; oranż metylowy ; oczyszczanie wody

ultrasound-assisted piezocatalysis ; antimony sulfoiodide ; SbSI ; nanowires ; methyl orange ; water purification

4/266
Nr opisu: 0000134645
Humidity dependent impedance characteristics of SbSeI nanowires.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Anna Starczewska, Marcin Jesionek, Marian Nowak, Mateusz Kozioł, D. Stróż.
-Appl. Surf. Sci. 2020 vol. 513, art. no. 145859 s. 1-7, bibliogr. 53 poz.. Impact Factor 6.182. Punktacja MNiSW 140.000

selenojodek antymonu ; SbSeI ; nanodruty ; czujnik wilgotności ; spektroskopia impedancyjna ; półprzewodnik

antimony selenoiodide ; SbSeI ; nanowires ; humidity sensor ; impedance spectroscopy ; semiconductor

5/266
Nr opisu: 0000134199
Influence of temperature on optical spectra of SbSI photonic crystals.
[Aut.]: Anna Starczewska, Mirosława Kępińska, Piotr Szperlich, Piotr Duka, Marian Nowak.
-Opt. Mater. 2020 vol. 100, art. no. 109606 s. 1-4, bibliogr. 21 poz.. Impact Factor 2.779. Punktacja MNiSW 70.000

kryształ fotoniczny ; opal odwrotny ; spektroskopia optyczna ; sulfojodek antymonu

photonic crystal ; inverse opal ; optical spectroscopy ; antimony sulfoiodide

6/266
Nr opisu: 0000139103
Patent. Polska, nr 236 619. Włókna kompozytowe o osnowie polimerowej z fazą nanokrystaliczną zwłaszcza do produkcji nanogeneratorów oraz sposób ich wytwarzania. Int. Cl. D01F 8/04, D01F 1/10.
Politechnika Śląska, Polska
Twórcy: Marcin Jesionek, Marian Nowak, W. Biniaś, D. Biniaś.
Zgłosz. nr 425 292 z 20.04.2018. Opubl. 16.10.2020, 4 s.

włókno kompozytowe ; polimer syntetyczny ; włókno

composite fiber ; synthetic polymer ; fiber

7/266
Nr opisu: 0000129751
A ferroelectric-photovoltaic effect in SbSI nanowires.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Marian Nowak, D. Stróż.
-Nanomaterials 2019 vol. 9 iss. 4, s. 1-16, bibliogr. 67 poz.. Impact Factor 4.324. Punktacja MNiSW 70.000

sulfonojodek antymonu ; SbSI ; ferroelektryk ; nanodruty ; efekt fotowoltaiczny ; nanourządzenie

antimony sulfoiodide ; SbSI ; ferroelectric ; nanowires ; photovoltaic effect ; nanodevice

8/266
Nr opisu: 0000130783
Applications of group 15 ternary chalcohalide nanomaterials.
[Aut.]: Marian Nowak, Marcin Jesionek, Krystian Mistewicz.
W: Industrial applications of nanomaterials. Ed. by Sabu Thomas, Yves Grohens, Yasir Beeran Pottathara. Amsterdam : Elsevier, 2019, s. 225-282, bibliogr. 210 poz. (Micro & Nano Technologies Series ; ). Punktacja MNiSW 20.000

9/266
Nr opisu: 0000132272
Arising applications of ternary chalcohalide nanomaterials.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Marian Nowak, Marcin Jesionek, Bartłomiej Toroń, A. Guiseppi-Elie, Mateusz Kozioł, Wiktor Matysiak, Paweł Jarka, Andrzej Nowrot, D. Stróż, A. Sasiela, Ł. Chrobok.
W: 4th International Conference InterNanoPoland 2019, Katowice, 16th - 17th October 2019. Abstracts book. Ed. Marta Zaborowska. Katowice : The NANONET Foundation, 2019, s. 39, bibliogr. 3 poz.

10/266
Nr opisu: 0000131038
Fabrication of a new PVDF/SbSI nanowire composite for smart wearable textile.
[Aut.]: Marcin Jesionek, Bartłomiej Toroń, Piotr Szperlich, W. Biniaś, D. Biniaś, S. Rabiej, Anna Starczewska, Marian Nowak, Mirosława Kępińska, J. Dec.
-Polymer 2019 vol. 180, art. no. 121729 s. 1-10, bibliogr. 51 poz.. Impact Factor 4.231. Punktacja MNiSW 100.000

kompozyt składający się z PVDF oraz nanodrutów SbSI ; nanogenerator ; tkanina inteligentna

PVDF/SbSI nanowires composite ; nanogenerator ; smart textile

11/266
Nr opisu: 0000130765
Fabrication techniques of group 15 ternary chalcohalide nanomaterials.
[Aut.]: Marian Nowak, Marcin Jesionek, Krystian Mistewicz.
W: Nanomaterials synthesis. Design, fabrication and applications. Ed. by Yasir Beeran Pottathara, Sabu Thomas, Nandakumar Kalarikkal, Yves Grohens, Vanja Kokol. Amsterdam : Elsevier, 2019, s. 337-384, bibliogr. 93 poz.. Punktacja MNiSW 20.000

wytwarzanie nanomateriałów ; synteza sonochemiczna ; kropki kwantowe ; nanodruty ; nanopręty ; trójskładnikowe chalkohalogenki ; jodosiarczek antymonu ; SbSI ; nanostrukturalne półprzewodniki ferroelektryczne ; nanomateriały kompozytowe

nanomaterial fabrication ; sonochemical synthesis ; quantum dots ; nanowires ; nanorods ; ternary chalcohalides ; antimony sulfoiodide ; SbSI ; nano-structure ferroelectric semiconductors ; composite nanomaterials

12/266
Nr opisu: 0000133217
Humidity dependent impedance characteristics of SbSeI nanowires.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Anna Starczewska, Marcin Jesionek, Marian Nowak, Mateusz Kozioł, D. Stróż.
W: Progress in applied surface, interface and thin film science. SURFINT-SREN VI, 18-21 November 2019, Florence, Italy. Extended abstract book. Bratislava : Comenius University, 2019, s. 110

selenojodek antymonu ; SbSeI ; nanodruty ; czujnik wilgotności ; spektroskopia impedancyjna ; półprzewodnik

antimony selenoiodide ; SbSeI ; nanowires ; humidity sensor ; impedance spectroscopy ; semiconductor

13/266
Nr opisu: 0000133201
Patent. Polska, nr 231 758. Nanostrukturalny włóknisty materiał kompozytowy o osnowie polimerowej z fazą wzmacniającą oraz sposób jego wytwarzania. Int. Cl. C08L 33/20, C08L 39/06, C08K 3/11, C08K 7/00, C08J 5/00, B29C 70/88, B82Y 30/00.
Politechnika Śląska, Polska
Twórcy: Tomasz Tański, Marian Nowak, Wiktor Matysiak, Piotr Szperlich.
Zgłosz. nr 416 931 z 22.04.2016. Opubl. 29.03.2019, 6 s.

materiał kompozytowy ; nanowłókno kompozytowe ; polimer

composite material ; composite nanofiber ; polymer

14/266
Nr opisu: 0000130617
SbSeI pyroelectric nanogenerator for a low temperature waste heat recovery.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Marcin Jesionek, Marian Nowak, Mateusz Kozioł.
-Nano Energy 2019 vol. 64, s. 1-8, bibliogr. 75 poz.. Impact Factor 16.602. Punktacja MNiSW 200.000

selenojodek antymonu ; SbSeI ; nanoprzewody ; efekt piroelektryczny ; nanogenerator ; konwersja termiczno-elektryczna ; energia odnawialna

antimony selenoiodide ; SbSeI ; nanowires ; pyroelectric effect ; nanogenerator ; thermal-electric conversion ; renewable energy

15/266
Nr opisu: 0000133151
SbSI nanowires composites for energy harvesting and sensors.
[Aut.]: Bartłomiej Toroń, Piotr Szperlich, Marcin Jesionek, Mateusz Kozioł, Marian Nowak.
W: SMS 2019 / EGF 2019 / NanoMed 2019. Joint International Conferences and Exhibition, 23-25 October 2019 Lisbon, Portugal. Book of abstracts [online]. [B.m.] : [b.w.], 2019, plik pdf s. 159, bibliogr. 3 poz.
Dostępny w Internecie : http://www.setcor.org/userfiles/files/2019/SMSEGFNanomed2019/SMS2019-EGF2019-NanoMed2019-Joint-Conferences-Book-of-Abstracts.pdf [dostęp 26 listopada 2019]

sulfojodek antymonu ; SbSI ; nanodruty SbSI ; nanokompozyty ; nanogeneratory ; nanoczujniki ; pozyskiwanie energii ; żywica epoksydowa ; celoloza ; laminaty FRP

antimony sulfoiodide ; SbSI ; SbSI nanowires ; nanocomposites ; nanogenerators ; nanosensors ; energy harvesting ; epoxy resin ; cellolose ; FRP laminates

16/266
Nr opisu: 0000128327
Thermal and structural analysis of high-tin bronze of chemical composition corresponding to the composition of the singing bowl.
[Aut.]: Magdalena Jabłońska, Tomasz Maciąg, Marian Nowak, Tomasz Rzychoń, M. Czerny, Karolina Kowalczyk.
-J. Therm. Anal. Calorimetry 2019 vil. 137 iss. 3, s. 735-741, bibliogr. 21 poz.. Impact Factor 2.731. Punktacja MNiSW 70.000

brąz wysokocynowy ; DTA ; struktura ; obróbka cieplna ; misa tybetańska

high-tin bronzes ; DTA ; structure ; heat treatment ; singing bowl

17/266
Nr opisu: 0000123924
Comparison of optical properties of PAN/TiO₂, PAN/Bi₂O₃, and PAN/SbSI nanofibers.
[Aut.]: Wiktor Matysiak, Tomasz Tański, Paweł Jarka, Marian Nowak, Mirosława Kępińska, Piotr Szperlich.
-Opt. Mater. 2018 vol. 83, s. 145-151, bibliogr. 58 poz.. Impact Factor 2.687. Punktacja MNiSW 35.000

nanowłókno kompozytowe ; PAN/TiO2 ; PAN/Bi2O3 ; PAN/SbSI ; właściwości optyczne

composite nanofiber ; PAN/TiO2 ; PAN/Bi2O3 ; PAN/SbSI ; optical properties

18/266
Nr opisu: 0000126681
Contactless photomagnetoelectric investigations of 2D semiconductors.
[Aut.]: Marian Nowak, Marcin Jesionek, Barbara Solecka, Piotr Szperlich, Piotr Duka, Anna Starczewska.
-Beilstein J. Nanotechnol. 2018 vol. 9, s. 2741-2749, bibliogr. 45 poz.. Impact Factor 2.269. Punktacja MNiSW 35.000

mobilność nośnika ; badania bezstykowe ; grafen ; efekt fotomagnetoelektryczny ; materiały 2D

carrier mobility ; contactless investigations ; graphene ; photomagnetoelectric effect ; 2D materials

19/266
Nr opisu: 0000124246
Ferroelectric SbSI nanowires for ammonia detection at a low temperature.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Marian Nowak, D. Stróż, A. Guiseppi-Elie.
-Talanta 2018 vol. 189, s. 225-232, bibliogr. 52 poz.. Impact Factor 4.916. Punktacja MNiSW 40.000

sulfonojodek antymonu ; SbSI ; nanodruty ; amoniak ; NH3 ; czujnik gazu

antimony sulfoiodide ; SbSI ; nanowires ; ammonia ; NH3 ; gas sensor

20/266
Nr opisu: 0000120175
Novel piezoelectric paper based on SbSI nanowires.
[Aut.]: Bartłomiej Toroń, Piotr Szperlich, Marian Nowak, D. Stróż, Tomasz Rzychoń.
-Cellulose 2018 vol. 25 iss. 1, s. 7-15, bibliogr. 30 poz.. Impact Factor 3.917. Punktacja MNiSW 45.000

papier piezoelektryczny ; jodosiarczek antymonu ; nanodruty ; półprzewodniki piezoelektryczne

piezoelectric paper ; antimony sulfoiodide ; nanowires ; piezoelectric semiconductors

21/266
Nr opisu: 0000124845
Optical properties of nanocomposite fibrous polymer mats containing SbSeI nanowires.
[Aut.]: Marian Nowak, Mirosława Kępińska, Tomasz Tański, Wiktor Matysiak, Piotr Szperlich, D. Stróż.
-Opt. Mater. 2018 vol. 84, s. 383-388, bibliogr. 33 poz.. Impact Factor 2.687. Punktacja MNiSW 35.000

mata z nanowłókien ; nanowłókno poliakrylonitrylowe ; selenojodek antymonu ; parametr optyczny ; transmisja dyfuzyjna ; współczynnik odbicia

mat of nanofiber ; polyacrylonitrite nanofiber ; antimony selenoiodide ; optical parameter ; diffusive transmission ; reflectance

22/266
Nr opisu: 0000116344
Sonochemical growth of nanomaterials in carbon nanotube.
[Aut.]: Marcin Jesionek, Marian Nowak, Krystian Mistewicz, Mirosława Kępińska, D. Stróż, I. Bednarczyk, R. Paszkiewicz.
-Ultrasonics 2018 vol. 83, s. 179-187, bibliogr. 45 poz.. Impact Factor 2.598. Punktacja MNiSW 35.000

nanorurki węglowe ; siarczan antymonu ; SbSI ; selenodiad antymonu ; SbSeI ; sonochemia ; hermetyzacja ; łączenie ultradźwiękowe

carbon nanotubes ; antimony sulfoiodide ; SbSI ; antimony selenoiodide ; SbSeI ; sonochemistry ; encapsulation ; ultrasonic joining

23/266
Nr opisu: 0000128300
Patent. Polska, nr 228 773. Sposób otrzymywania kryształów fotonicznych o strukturze opali i odwrotnych opali. Int. Cl. C30B 29/10, C30B 9/02.
Politechnika Śląska, Polska
Twórcy: Anna Starczewska, Marian Nowak, Piotr Szperlich.
Zgłosz. nr 409 062 z 01.08.2014. Opubl. 30.05.2018, 4 s.

kryształ fotoniczny ; SbSI ; opal ; opal odwrotny

photonic crystal ; SbSI ; opal ; inverse opal

24/266
Nr opisu: 0000115207
Numerical modeling of photothermal experiments on layered samples with mirage-effect signal detection.
[Aut.]: Jerzy Bodzenta, Anna Kaźmierczak-Bałata, Roman Bukowski, Marian Nowak, Barbara Solecka.
-Int. J. Thermophys. 2017 vol. 38, s. 1-12, bibliogr. 13 poz.
Referat wygłoszony na: 3rd Conference on Photoacoustic and Photothermal Theory and Applications, Warsaw, 13-16 September 2016. Impact Factor 0.829. Punktacja MNiSW 20.000

zjawisko mirażu ; modelowanie numeryczne

mirage effect ; numerical modelling ; photodeflection ; layered samples

25/266
Nr opisu: 0000110432
Prevention of food spoilage using nanoscale sensors.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Marian Nowak.
W: Nanobiosensors. Ed. by Alexandru Mihai Grumezescu. Amsterdam : Elsevier, 2017, s. 245-288, bibliogr. (Nanotechnology in the Agri-Food Industry ; vol. 8). Punktacja MNiSW 20.000

nanosensor ; psucie żywności ; wilgotność ; jodosiarczek antymonu ; SbSI ; nanodruty ; impedancja ; fotoprzewodnictwo

nanosensor ; food spoilage ; humidity ; antimony sulfoiodide ; SbSI ; nanowires ; impedance ; photoconductivity

26/266
Nr opisu: 0000114160
SbSI nanosensors: from gel to single nanowire devices.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Marian Nowak, R. Paszkiewicz, A. Guiseppi-Elie.
-Nanoscale Res. Lett. 2017, s. 1-8, bibliogr. 39 poz.. Impact Factor 3.125. Punktacja MNiSW 35.000

nanodruty ; czujnik gazu ; jodosiarczek antymonu ; wilgotność ; ditlenek węgla

nanowires ; gas sensor ; antimony sulfoiodide ; humidity ; carbon dioxide

27/266
Nr opisu: 0000119452
Structural and optical properties of SbSi photonic crystals with inverse opal structure.
[Aut.]: Anna Starczewska, Marian Nowak, Mirosława Kępińska, Piotr Szperlich, Jerzy Bodzenta, R. Wrzalik, Janusz** Szala, Tomasz Rzychoń, Iwona Bednarczyk.
W: 2nd International Conference InterNanoPoland 2017. International Conference Center, Katowice, 22-23 June, 2017. Abstracts book. Ed. by Marta Zaborowska, Agnieszka Piekara. Katowice : The Foundation of Nanoscience and Nanotechnology Support Nanonet, 2017, s. 100, bibliogr. 3 poz.

28/266
Nr opisu: 0000116581
Using of sonochemically prepared SbSI for electrospun nanofibers.
[Aut.]: Marian Nowak, Tomasz Tański, Piotr Szperlich, Wiktor Matysiak, Mirosława Kępińska, D. Stróż, Ł. Bober, Bartłomiej Toroń.
-Ultrason. Sonochem. 2017 vol. 38, s. 544-552, bibliogr. 45 poz.. Impact Factor 6.012. Punktacja MNiSW 45.000

jodosiarczek antymonu ; elektroprzędzenie ; nanowłókno ; nanogenerator ; sonochemia

antimony sulfoiodide ; electrospinning ; nanofiber ; nanogenerator ; sonochemistry

29/266
Nr opisu: 0000115238
Comparison of optical properties of PAN/SiO₂, PAN/TiO₂, PAN/Bi₂O₃, and PAN/SbSI nanofibers.
[Aut.]: Tomasz Tański, Wiktor Matysiak, Marian Nowak, Mirosława Kępińska, Piotr Szperlich.
W: International Conference on Semiconductor Nanostructures for Optoelectronics and Biosensors. IC SeNOB 2016, Rzeszów, Poland, May 22-25, 2016. Book of abstracts. Rzeszów : University of Rzeszow Publishing House, 2016, s. 98

30/266
Nr opisu: 0000107689
Determination of electrical conductivity type of SbSI nanowires.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Marian Nowak, Anna Starczewska, Marcin Jesionek, Tomasz Rzychoń, R. Wrzalik, A. Guiseppi-Elie.
-Mater. Lett. 2016 vol. 182, s. 78-80, bibliogr. 10 poz.. Impact Factor 2.572. Punktacja MNiSW 35.000

jodosiarczek antymonu ; SbSI ; nanodruty ; przewodność elektryczna ; czujnik gazowy ; półprzewodnik ; ferroelektryk

antimony sulfoiodide ; SbSI ; nanowires ; electrical conductivity ; gas sensor ; semiconductor ; ferroelectrics

31/266
Nr opisu: 0000108885
SbSI nanosensors: from gel to single nanowire devices.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Marian Nowak, R. Wrzalik, R. Paszkiewicz, Tomasz Rzychoń, A. Guiseppi-Elie.
W: Energy Materials Nanotechnology. EMN Croatia Meeting 2016, May 4-7, 2016, Dubrovnik, Croatia. Program & abstract. [B.m.] : [b.w.], 2016, s. 95-96, bibliogr. 6 poz.

32/266
Nr opisu: 0000106575
SbSI nanowires for ferroelectric generators operating under shock pressure.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Marian Nowak, D. Stróż, R. Paszkiewicz.
-Mater. Lett. 2016 vol. 180, s. 15-18, bibliogr. 24 poz.. Impact Factor 2.572. Punktacja MNiSW 35.000

jodosiarczek antymonu ; SbSI ; nanodruty ferroelektryczne ; uderzenie ciśnienia ; nanogenerator ; nanourządzenie

antimony sulfoiodide ; SbSI ; ferroelectric nanowires ; shock pressure ; nanogenerator ; nanodevice

33/266
Nr opisu: 0000115986
Sonochemical growth of nanomaterials.
[Aut.]: Marian Nowak, Piotr Szperlich, Marcin Jesionek, Anna Starczewska, Krystian Mistewicz, B. Totoń.
W: 1st International Conference InterNanoPoland 2016. International Conference Center, Katowice, 14-15 June, 2016. Abstracts book. Ed. Agnieszka Piekara, Karol Lemański. Katowice : The Foundation of Nanoscience and Nanotechnology Support Nanonet, 2016, s. 27, bibliogr. 3 poz.

sonochemia ; nanodruty ; kryształ fotoniczny ; ferroelektryk ; półprzewodnik

sonochemistry ; nanowires ; photonic crystal ; ferroelectrics ; semiconductor

34/266
Nr opisu: 0000107707
Sonochemical growth of nanomaterials in carbon nanotube.
[Aut.]: Marcin Jesionek, Marian Nowak, Krystian Mistewicz, D. Stróż, Iwona Bednarczyk, A. Guiseppi-Elie, R. Paszkiewicz.
W: ULTRASONICS 2016. II International Conference on Ultrasonic-based Applications: from analysis to synthesis, 6th - 8th June 2016, Caparica, Portugal. Proceedings Book. Caparica : ProteoMass, 2016, s. 181-182

nanorurki węglowe ; jodosiarczek antymonu ; sonochemia ; hermetyzacja ; półprzewodnik

carbon nanotubes ; antimony sulfoiodide ; sonochemistry ; encapsulation ; semiconductor

35/266
Nr opisu: 0000115120
Patent. Polska, nr 223 753. Sposób wyznaczania względnej wilgotności gazu. Int. Cl. G01N 21/17, G01N 19/10, G01W 1/00.
Politechnika Śląska, Polska
Twórcy: Marian Nowak, Krystian Mistewicz.
Zgłosz. nr 405 488 z 30.09.2013. Opubl. 31.10.2016, s. 1-4

wilgotność gazu ; fotoprzewodnictwo ; meteorologia

gas humidity ; photoconductivity ; meteorology

36/266
Nr opisu: 0000106046
Ultrasonic processing of SbSI nanowires for their application to gas sensors.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Marian Nowak, R. Wrzalik, Jakub Wieczorek, A. Guiseppi-Elie.
-Ultrasonics 2016 vol. 69, s. 67-73, bibliogr. 54 poz.. Impact Factor 2.327. Punktacja MNiSW 35.000

obróbka ultradźwiękowa ; sonotroda ; jodosiarczek antymonu ; SbSI ; nanodruty ; nanosensor

ultrasonic processing ; sonotrode ; antimony sulfoiodide ; SbSI ; nanowires ; nanosensor

37/266
Nr opisu: 0000107701
Carbon nanotubes filled with chalcohalides.
[Aut.]: Marcin Jesionek, Marian Nowak, Krystian Mistewicz, D. Stróż, A. Guiseppi-Elie, Iwona Bednarczyk.
W: DSL2015, Munich-Germany 22-26 June, 2015. 11th International Conference on Diffusion in Solids and Liquids. Abstract book. Ed. DSL Conferences. [B.m.] : [b.w.], 2015, s. 155

38/266
Nr opisu: 0000097520
Determination of diffusion length of carriers in graphene using contactless photoelectromagnetic method of investigations.
[Aut.]: Marian Nowak, Barbara Solecka, Marcin Jesionek.
W: Graphene and graphene nanocomposites. 2014 MRS Fall Meeting. Symposium K, November 30 - December 5, 2015, Boston, USA. Eds: J. Jasinski. [B.m.] : Materials Research Society, 2015, s. 1-6, bibliogr. 8 poz. (Materials Research Society Symposium Proceedings ; vol. 1727 0272-9172)
Wystąpienie ustne dostępne w Internecie: http://www.prolibraries.com/mrs/?select=session&sessionID=5188 [dostęp 24 marca 2015]

39/266
Nr opisu: 0000101181
Morphology and structure of SbSI photonic crystals fabricated with different approaches.
[Aut.]: Anna Starczewska, Piotr Szperlich, Marian Nowak, Tomasz Rzychoń, Iwona Bednarczyk, R. Wrzalik.
-Mater. Lett. 2015 vol. 157, s. 4-6, bibliogr. 23 poz.. Impact Factor 2.437. Punktacja MNiSW 35.000

kryształ fotoniczny ; opal ; jodosiarczek antymonu

photonic crystal ; opal ; antimony sulfoiodide

40/266
Nr opisu: 0000102792
Optical study of Sb-S-I glass photonic crystals.
[Aut.]: Anna Starczewska, Mirosława Kępińska, Marian Nowak, Piotr Szperlich.
-Opt. Mater. 2015 vol. 50, pt. B, s. 215-219, bibliogr. 44 poz.. Impact Factor 2.183. Punktacja MNiSW 35.000

kryształ fotoniczny ; spektroskopia optyczna ; jodosiarczek antymonu

photonic crystal ; optical spectroscopy ; antimony sulfoiodide ; inverted opal

41/266
Nr opisu: 0000107698
Photomagnetomechanical effect in graphene.
[Aut.]: Marian Nowak, Barbara Solecka, Marcin Jesionek, Piotr Duka.
W: DSL2015, Munich-Germany 22-26 June, 2015. 11th International Conference on Diffusion in Solids and Liquids. Abstract book. Ed. DSL Conferences. [B.m.] : [b.w.], 2015, s. 144

42/266
Nr opisu: 0000092463
A new heterostructures fabrication technique and properties of produced SbSI/Sb₂S₃ heterostructures.
[Aut.]: Bartłomiej Toroń, Marian Nowak, Mirosława Kępińska, Andrzej Grabowski, Janusz** Szala, Piotr Szperlich, I. Malka, Tomasz Rzychoń.
-Opt. Laser Eng. 2014 vol. 55, s. 232-236, bibliogr. 20 poz.. Impact Factor 2.237. Punktacja MNiSW 30.000

heterostruktura ; heterozłącze ; jodosiarczek antymonu ; obróbka laserowa

heterostructure ; heterojunction ; antimony sulfoiodide ; laser processing

43/266
Nr opisu: 0000097532
Antimony sulfoiodide as novel material for photonic crystals.
[Aut.]: Anna Starczewska, Marian Nowak, Piotr Szperlich, Iwona Bednarczyk, Krystian Mistewicz, Mirosława Kępińska, Piotr Duka.
W: OSA. Frontiers in optics, laser science APS/DLS. Conference program. [B.m.] : [b.w.], 2014, art. no. JW3A.28 s. 79

44/266
Nr opisu: 0000096416
Desorption of gasses induced by ferroelectric transition in SbSI nanowires.
[Aut.]: Piotr Szperlich, Marian Nowak, Marcin Jesionek, Anna Starczewska, Krystian Mistewicz, Janusz** Szala.
-Acta Phys. Pol. A 2014 vol. 126 no. 5, s. 1110-1112, bibliogr. 14 poz.
Referat wygłoszony na: 43rd International School and Conference on the Physics of Semiconductors "Jaszowiec 2014", Wisła, Poland, June 22-27, 2014. Impact Factor 0.530. Punktacja MNiSW 15.000

45/266
Nr opisu: 0000097508
Desorption of gasses induced by ferroelectric transition in SbSI nanowires.
[Aut.]: Piotr Szperlich, Marian Nowak, Marcin Jesionek, Anna Starczewska, Krystian Mistewicz, Janusz** Szala.
W: 43rd "Jaszowiec 2014" International School & Conference on the Physics of Semiconductors, Wisła, Poland, June 7th - 12th, 2014. Warsaw : [b.w.], 2014, s. 142

46/266
Nr opisu: 0000096422
Dielectric properties of SbSI in the temperature range of 292-475 K.
[Aut.]: Anna Starczewska, Barbara Solecka, Marian Nowak, Piotr Szperlich.
-Acta Phys. Pol. A 2014 vol. 126 no. 5, s. 1125-1127, bibliogr. 20 poz.
Referat wygłoszony na: 43rd International School and Conference on the Physics of Semiconductors "Jaszowiec 2014", Wisła, Poland, June 22-27, 2014. Impact Factor 0.530. Punktacja MNiSW 15.000

47/266
Nr opisu: 0000097514
Dielectric properties of SbSI in the temperature range of 292-475 K.
[Aut.]: Anna Starczewska, Barbara Solecka, Marian Nowak, Piotr Szperlich.
W: 43rd "Jaszowiec 2014" International School & Conference on the Physics of Semiconductors, Wisła, Poland, June 7th - 12th, 2014. Warsaw : [b.w.], 2014, s. 74, bibliogr. 5 poz.

48/266
Nr opisu: 0000092464
Fabrication and characterization of SbSI gel for humidity sensors.
[Aut.]: Marian Nowak, Andrzej Nowrot, Piotr Szperlich, Marcin Jesionek, Mirosława Kępińska, Anna Starczewska, Krystian Mistewicz, D. Stróż, Janusz** Szala, Tomasz Rzychoń, E. Talik, R. Wrzalik.
-Sens. Actuators, A Phys. 2014 vol. 210, s. 119-130, bibliogr. 77 poz.. Impact Factor 1.903. Punktacja MNiSW 35.000

jodosiarczek antymonu ; nanodruty ; półprzewodnik ; ferroelektryk ; sonochemia

antimony sulfoiodide ; nanowires ; semiconductor ; ferroelectrics ; sonochemistry

49/266
Nr opisu: 0000097509
Fabrication of nanodevices using ultrasonic nanowelding.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Marcin Jesionek, Marian Nowak, Piotr Szperlich, Janusz** Szala, R. Paszkiewicz, R. Wrzalik.
W: 43rd "Jaszowiec 2014" International School & Conference on the Physics of Semiconductors, Wisła, Poland, June 7th - 12th, 2014. Warsaw : [b.w.], 2014, s. 143, bibliogr. 2 poz.

50/266
Nr opisu: 0000096421
Fabrication of SbSI photonic crystals.
[Aut.]: Anna Starczewska, Piotr Szperlich, Marian Nowak, Iwona Bednarczyk, Jerzy Bodzenta, Janusz** Szala.
-Acta Phys. Pol. A 2014 vol. 126 no. 5, s. 1118-1120, bibliogr. 11 poz.
Referat wygłoszony na: 43rd International School and Conference on the Physics of Semiconductors "Jaszowiec 2014", Wisła, Poland, June 22-27, 2014. Impact Factor 0.530. Punktacja MNiSW 15.000

51/266
Nr opisu: 0000097513
Fabrication of SbSI photonic crystals.
[Aut.]: Anna Starczewska, Piotr Szperlich, Iwona Bednarczyk, Jerzy Bodzenta, Marian Nowak.
W: 43rd "Jaszowiec 2014" International School & Conference on the Physics of Semiconductors, Wisła, Poland, June 7th - 12th, 2014. Warsaw : [b.w.], 2014, s. 144, bibliogr. 1 poz.

52/266
Nr opisu: 0000096308
Growth of large SbSI crystals.
[Aut.]: Piotr Szperlich, Bartłomiej Toroń, Marian Nowak, Marcin Jesionek, Mirosława Kępińska, W. Bogdanowicz.
-Mater. Sci. Pol. 2014 vol. 32 no. 4, s. 669-675, bibliogr. 40 poz.. Impact Factor 0.507. Punktacja MNiSW 15.000

jodosiarczek antymonu ; wzrost kryształów ; nanomateriały

antimony sulfoiodide ; crystal growth ; nanomaterials ; vapour growth process

53/266
Nr opisu: 0000097534
Humidity sensing using SbSI nanophotodetectors.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Marian Nowak, Piotr Szperlich, Andrzej Nowrot.
W: OSA. Frontiers in optics, laser science APS/DLS. Conference program. [B.m.] : [b.w.], 2014, art. no. JTu3A.31 s. 57

54/266
Nr opisu: 0000096423
Mobility of ferroelectric domains in antimony sulfoiodide.
[Aut.]: Bartłomiej Toroń, Marian Nowak, Mirosława Kępińska, Piotr Szperlich.
-Acta Phys. Pol. A 2014 vol. 126 no. 5, s. 1093-1095, bibliogr. 11 poz.
Referat wygłoszony na: 43rd International School and Conference on the Physics of Semiconductors "Jaszowiec 2014", Wisła, Poland, June 22-27, 2014. Impact Factor 0.530. Punktacja MNiSW 15.000

55/266
Nr opisu: 0000097511
Mobility of ferroelectric domains in antimony sulfoiodide.
[Aut.]: Bartłomiej Toroń, Marian Nowak, Mirosława Kępińska, Piotr Szperlich.
W: 43rd "Jaszowiec 2014" International School & Conference on the Physics of Semiconductors, Wisła, Poland, June 7th - 12th, 2014. Warsaw : [b.w.], 2014, s. 217, bibliogr. 2 poz.

56/266
Nr opisu: 0000096424
Optical properties of SbSI photonic crystals.
[Aut.]: Mirosława Kępińska, Anna Starczewska, Piotr Duka, Marian Nowak, Piotr Szperlich.
-Acta Phys. Pol. A 2014 vol. 126 no. 5, s. 1115-1117, bibliogr. 12 poz.
Referat wygłoszony na: 43rd International School and Conference on the Physics of Semiconductors "Jaszowiec 2014", Wisła, Poland, June 22-27, 2014. Impact Factor 0.530. Punktacja MNiSW 15.000

57/266
Nr opisu: 0000097512
Optical properties of SbSI photonic crystals.
[Aut.]: Mirosława Kępińska, Anna Starczewska, Piotr Duka, Marian Nowak, Piotr Szperlich.
W: 43rd "Jaszowiec 2014" International School & Conference on the Physics of Semiconductors, Wisła, Poland, June 7th - 12th, 2014. Warsaw : [b.w.], 2014, s. 72

58/266
Nr opisu: 0000096415
Photoelectromagnetic investigations of graphene.
[Aut.]: Marian Nowak, Barbara Solecka, Marcin Jesionek.
-Acta Phys. Pol. A 2014 vol. 126 no. 5, s. 1104-1106, bibliogr.15 poz.
Referat wygłoszony na: 43rd International School and Conference on the Physics of Semiconductors "Jaszowiec 2014", Wisła, Poland, June 22-27, 2014. Impact Factor 0.530. Punktacja MNiSW 15.000

59/266
Nr opisu: 0000097507
Photoelectromagnetic investigations of graphene.
[Aut.]: Marian Nowak, Barbara Solecka, Marcin Jesionek.
W: 43rd "Jaszowiec 2014" International School & Conference on the Physics of Semiconductors, Wisła, Poland, June 7th - 12th, 2014. Warsaw : [b.w.], 2014, s. 141

60/266
Nr opisu: 0000096412
Properties of sonochemically prepared CuIn_xGa_1-xS₂ and CuIn_xGa_1-xSe₂.
[Aut.]: Marcin Jesionek, Marian Nowak, Piotr Szperlich, Mirosława Kępińska, Krystian Mistewicz, Bartłomiej Toroń, D. Stróż, Janusz** Szala, Tomasz Rzychoń.
-Acta Phys. Pol. A 2014 vol. 126 no. 5, s. 1107-1109, bibliogr. 11 poz.
Referat wygłoszony na: 43rd International School and Conference on the Physics of Semiconductors "Jaszowiec 2014", Wisła, Poland, June 22-27, 2014. Impact Factor 0.530. Punktacja MNiSW 15.000

61/266
Nr opisu: 0000097506
Properties of sonochemically prepared CuIn_xGa_1-xS₂ and CuIn_xGa_1-xSe₂.
[Aut.]: Marcin Jesionek, Marian Nowak, Piotr Szperlich, Mirosława Kępińska, Krystian Mistewicz, D. Stróż, Janusz** Szala, Tomasz Rzychoń.
W: 43rd "Jaszowiec 2014" International School & Conference on the Physics of Semiconductors, Wisła, Poland, June 7th - 12th, 2014. Warsaw : [b.w.], 2014, s. 70

62/266
Nr opisu: 0000092706
Quantum efficiency coefficient for photogeneration of carriers in SbSI nanowires.
[Aut.]: Marian Nowak, Ł. Bober, B. Borkowski, Mirosława Kępińska, Piotr Szperlich, D. Stróż, Maria Sozańska.
-Opt. Mater. 2014 vol. 35 iss. 12, s. 2208-2216, bibliogr. 48 poz.. Impact Factor 1.981. Punktacja MNiSW 35.000

jodosiarczek antymonu ; nanodruty ; półprzewodnik ; fotoprzewodnictwo

antimony sulfoiodide ; nanowires ; semiconductor ; photoconductivity

63/266
Nr opisu: 0000096414
SbSI single nanowires as humidity sensors.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Marian Nowak, Piotr Szperlich, Marcin Jesionek, R. Paszkiewicz.
-Acta Phys. Pol. A 2014 vol. 126 no. 5, s. 1113-1114, bibliogr. 8 poz.
Referat wygłoszony na: 43rd International School and Conference on the Physics of Semiconductors "Jaszowiec 2014", Wisła, Poland, June 22-27, 2014. Impact Factor 0.530. Punktacja MNiSW 15.000

64/266
Nr opisu: 0000097510
SbSI single nanowires as humidity sensors.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Marian Nowak, Piotr Szperlich, Marcin Jesionek, R. Paszkiewicz.
W: 43rd "Jaszowiec 2014" International School & Conference on the Physics of Semiconductors, Wisła, Poland, June 7th - 12th, 2014. Warsaw : [b.w.], 2014, s. 221, bibliogr. 2 poz.

65/266
Nr opisu: 0000096497
Transient characteristics and negative photoconductivity of SbSI humidity sensor.
[Aut.]: Marian Nowak, Krystian Mistewicz, Andrzej Nowrot, Piotr Szperlich, Marcin Jesionek, Anna Starczewska.
-Sens. Actuators, A Phys. 2014 vol. 210, s. 32-40, bibliogr. 42 poz.. Impact Factor 1.903. Punktacja MNiSW 35.000

czujnik wilgotności ; jodosiarczek antymonu ; SbSI ; nanodruty ; photoconductivity

humidity sensor ; antimony sulfoiodide ; SbSI ; nanowires ; photoconductivity

66/266
Nr opisu: 0000087560
Changes of optical energy gap of SbSI nanowires during sonochemical growth.
[Aut.]: Piotr Szperlich, Marian Nowak, Marcin Jesionek, Mirosława Kępińska, D. Stróż, P. Maślanka.
W: 42nd International School & Conference on the Physics of Semiconductors "Jaszowiec 2013", Wisła, Poland, June 22nd - 27th, 2013. Institute of Physics. Polish Academy of Sciences [et al.]. Warsaw : [b.w.], 2013, s. 205, bibliogr. 3 poz.

67/266
Nr opisu: 0000087555
Comparison of SbSI nanophotodetectors fabricated from individual nanowires and gel.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Marian Nowak, Piotr Szperlich, R. Wrzalik, Marcin Jesionek, Janusz** Szala, R. Paszkiewicz.
W: OPTO Meeting for Young Researchers and 8th International SPIE Student Chapters Meeting, Torun, Poland, 3-6 July 2013. Book of abstracts. Ed. S. Maliszewska. Torun : University Press Nicolaus Copernicus University, 2013, s. 48-49, bibliogr. 3 poz.

68/266
Nr opisu: 0000084355
Comparison of the investigations of photonic crystals using SEM and optical technics.
[Aut.]: Anna Starczewska, Janusz** Szala, Mirosława Kępińska, Marian Nowak, Krystian Mistewicz, Maria Sozańska.
W: Stereology and image analysis in materials science. 9th International Conference on Stereology and Image Analysis in Materials, Zakopane, Poland, 3-6 September 2012. Ed. Agnieszka Szczotok. Stafa-Zurich : Trans Tech Publications, 2013, s. 119-124, bibliogr. 12 poz. (Solid State Phenomena ; vol. 197). Punktacja MNiSW 10.000

kryształ fotoniczny ; opal ; nanosfery krzemionkowe ; mikroskopia elektronowa ; spektroskopia optyczna

photonic crystal ; opal ; silica nanosphere ; electron microscopy ; optical spectroscopy

69/266
Nr opisu: 0000087561
Electrical properties of SbSI/Sb₂S₃ single and double heterostructures.
[Aut.]: Bartłomiej Toroń, Marian Nowak, Andrzej Grabowski, Mirosława Kępińska.
W: 42nd International School & Conference on the Physics of Semiconductors "Jaszowiec 2013", Wisła, Poland, June 22nd - 27th, 2013. Institute of Physics. Polish Academy of Sciences [et al.]. Warsaw : [b.w.], 2013, s. 237, bibliogr. 3 poz.

70/266
Nr opisu: 0000092707
Electrical properties of SbSI/Sb₂S₃ single and double heterostructures.
[Aut.]: Bartłomiej Toroń, Marian Nowak, Andrzej Grabowski, Mirosława Kępińska.
-Acta Phys. Pol. A 2013 vol. 124 no. 5, s. 830-832, bibliogr. 12 poz.
Referat wygłoszony na: 42th Jaszowiec International School and Conference on the Physics of Semiconductors, Wisła 2013. Impact Factor 0.604. Punktacja MNiSW 15.000

71/266
Nr opisu: 0000087586
Growth of large SbSI crystals.
[Aut.]: Piotr Szperlich, Bartłomiej Toroń, Marian Nowak, Marcin Jesionek, Mirosława Kępińska, W. Bogdanowicz.
W: XIXth International Seminar on Physics and Chemistry of Solids and Advanced Materials. ISPCS '13, Częstochowa, 12-15 June 2013. Jan Długosz University in Czestochowa. Faculty of Mathematics and Natural Sciences. Częstochowa : Wydaw. im. Stanisława Podobińskiego Akademii im. Jana Długosza, 2013, s. 90, bibliogr. 2 poz.

72/266
Nr opisu: 0000087595
Investigations of photoelectric properties of nanosensors made from SbSI gel and single nanowires.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Marian Nowak, Piotr Szperlich, R. Wrzalik, Marcin Jesionek, Janusz** Szala, R. Paszkiewicz.
W: International OSA network of students. IONS-14, Torun, July 3-6, 2013. Book of abstracts. Eds: S. Maliszewska, K. Maliszewski. Toruń : University Press Nicolaus Copernicus University, 2013, s. 36-37, bibliogr. 3 poz.

73/266
Nr opisu: 0000087554
Laser fabrication of heterostructures based on SbSI and their basic properties.
[Aut.]: Bartłomiej Toroń, Marian Nowak, Andrzej Grabowski, Mirosława Kępińska.
W: OPTO Meeting for Young Researchers and 8th International SPIE Student Chapters Meeting, Torun, Poland, 3-6 July 2013. Book of abstracts. Ed. S. Maliszewska. Torun : University Press Nicolaus Copernicus University, 2013, s. 45-46, bibliogr. 2 poz.

74/266
Nr opisu: 0000087589
Laser treatment of SbSI-SiO₂ opal structure.
[Aut.]: Anna Starczewska, Marian Nowak, Mirosława Kępińska, Andrzej Grabowski, I. Bednarczyk, Piotr Szperlich.
W: XIXth International Seminar on Physics and Chemistry of Solids and Advanced Materials. ISPCS '13, Częstochowa, 12-15 June 2013. Jan Długosz University in Czestochowa. Faculty of Mathematics and Natural Sciences. Częstochowa : Wydaw. im. Stanisława Podobińskiego Akademii im. Jana Długosza, 2013, s. 124, bibliogr. 4 poz.

75/266
Nr opisu: 0000087248
Optical properties of semiconductors.
[Aut.]: Marian Nowak.
W: Silicon based thin film solar cells. Ed. R. Murri. [B.m.] : Bentham Science Publishers, 2013, s. 177-242, bibliogr. 87 poz.

półprzewodnik ; transmitancja ; współczynnik odbicia ; wydajność kwantowa ; fotogeneracja ; własności optyczne ; struktura wielowarstwowa ; krzem amorficzny ; współczynnik załamania światła ; współczynnik absorpcji ; rozkład przestrzenny ; natężenie promieniowania ; rekombinacja ; fotoprzewodnictwo ; niejednorodność optyczna

semiconductor ; transmittance ; reflectance ; quantum efficiency ; photogeneration ; optical properties ; multilayer structure ; amorphous silicon ; refractive index ; absorption coefficient ; spatial distribution ; radiation intensity ; recombination ; photoconductivity ; optical inhomogeneity

76/266
Nr opisu: 0000090327
Photo-electro-magnetic or photo-thermo-magneto-electric effects in graphene?.
[Aut.]: Marian Nowak, G. Kozlowski, Barbara Solecka, Marcin Jesionek.
W: 9th International Conference on Diffusion in Solids and Liquids. DSL - 2013, Madrid, Spain, June 24-28, 2013 [on-line]. Special Session 5: Carbon and oxide based nanostructured materials. [B.m.] : [b.w.], 2013, (plik pdf) s. 2-66
Dostępny w Internecie: http://corescholar.libraries.wright.edu/cgi/viewcontent.cgi?article=1003&context=ss5_2013 ; streszczenie: http://www.dsl-conference.com/2013/M.%20Nowak.pdf [dostęp 21 marca 2014]

77/266
Nr opisu: 0000087590
Properties of SbSI/Sb₂S₃ heterostructures fabricated by CO₂ laser irradiation.
[Aut.]: Bartłomiej Toroń, Marian Nowak, Mirosława Kępińska, Andrzej Grabowski.
W: International OSA network of students. IONS-14, Torun, July 3-6, 2013. Book of abstracts. Eds: S. Maliszewska, K. Maliszewski. Toruń : University Press Nicolaus Copernicus University, 2013, s. 34-35, bibliogr. 2 poz.

78/266
Nr opisu: 0000087562
Quantum effects in conductivity and photoconductivity of a single SbSI nanowires.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Marian Nowak, R. Wrzalik, Marcin Jesionek, Piotr Szperlich, R. Paszkiewicz, A. Guiseppi-Elie.
W: 42nd International School & Conference on the Physics of Semiconductors "Jaszowiec 2013", Wisła, Poland, June 22nd - 27th, 2013. Institute of Physics. Polish Academy of Sciences [et al.]. Warsaw : [b.w.], 2013, s. 238, bibliogr. 2 poz.

79/266
Nr opisu: 0000092716
Quantum effects in electrical conductivity and photoconductivity of single SbSI nanowire.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Marian Nowak, R. Wrzalik, Marcin Jesionek, Piotr Szperlich, R. Paszkiewicz, A. Guiseppi-Elie.
-Acta Phys. Pol. A 2013 vol. 124 no. 5, s. 827-829, bibliogr. 6 poz.
Referat wygłoszony na: 42th Jaszowiec International School and Conference on the Physics of Semiconductors, Wisła 2013. Impact Factor 0.604. Punktacja MNiSW 15.000

80/266
Nr opisu: 0000094446
Quantum efficiency coefficient for photogeneration of carriers in SbSI nanowires.
[Aut.]: Marian Nowak, Ł. Bober, B. Borkowski, Mirosława Kępińska, Piotr Szperlich, D. Stróż, Maria Sozańska.
-Opt. Mater. 2013 vol. 35 iss. 12, s. 2208-2216, bibliogr. 48 poz.. Impact Factor 2.075. Punktacja MNiSW 35.000

jodosiarczek antymonu ; nanodruty ; półprzewodnik ; fotoprzewodnictwo

antimony sulfoiodide ; nanowires ; semiconductor ; photoconductivity

81/266
Nr opisu: 0000107657
Patent. Polska, nr 214 330. Sposób otrzymywania hybrydowego nanomateriału zawierającego nanokrystality składające się z atomów należących do grupy V, grupy VI oraz grupy VII układu okresowego w nanorurkach węglowych i postać fizyczna tego materiału. Int. Cl. C01B 31/02, B82Y 40/00, B82B 1/00.
Politechnika Śląska, Polska
Twórcy: Marian Nowak, Marcin Jesionek.
Zgłosz. nr 386 752 z 09.12.2008. Opubl. 31.07.2013, s. 1-4

nanomateriały ; nanokrystality ; nanorurki węglowe

nanomaterials ; nanocrystallites ; carbon nanotubes

82/266
Nr opisu: 0000095306
Temperature dependence of energy band gap and spontaneous polarization of SbSI nanowires.
[Aut.]: Marian Nowak, Piotr Szperlich.
-Opt. Mater. 2013 vol. 3\56 iss. 6, s. 1200-1206, bibliogr. 71 poz.. Impact Factor 2.075. Punktacja MNiSW 35.000

jodosiarczek antymonu ; nanodruty ; ferroelektryk ; półprzewodnik ; optyczna przerwa energetyczna

antimony sulfoiodide ; nanowires ; ferroelectrics ; semiconductor ; optical energy gap

83/266
Nr opisu: 0000087559
Temperature dependences of optical energy gaps of SbSI@CNT and SbSeI@CNT.
[Aut.]: Marcin Jesionek, Marian Nowak, Mirosława Kępińska, Iwona Bednarczyk.
W: 42nd International School & Conference on the Physics of Semiconductors "Jaszowiec 2013", Wisła, Poland, June 22nd - 27th, 2013. Institute of Physics. Polish Academy of Sciences [et al.]. Warsaw : [b.w.], 2013, s. 204, bibliogr. 2 poz.

84/266
Nr opisu: 0000090324
Temperature dependences of optical energy gaps of SbSI@CNT and SbSeI@CNT.
[Aut.]: Marcin Jesionek, Marian Nowak, Mirosława Kępińska, I. Bednarczyk.
-Acta Phys. Pol. A 2013 vol. 124 no. 5, s. 836-837, bibliogr. 6 poz.
Referat wygłoszony na: 42th Jaszowiec International School and Conference on the Physics of Semiconductors, Wisła 2013. Impact Factor 0.604. Punktacja MNiSW 15.000

85/266
Nr opisu: 0000077130
Carbon nanotubes filled with ternary chalcohalides.
[Aut.]: Marian Nowak, Marcin Jesionek.
W: Nanowires - recent advances. Ed. by Xihong Peng. Rijeka : InTech, 2012, s. 263-293, bibliogr. 73 poz.

86/266
Nr opisu: 0000073098
Influence of humidity on impendance of SbSI gel.
[Aut.]: Anna Starczewska, Marian Nowak, Piotr Szperlich, Bartłomiej Toroń, Krystian Mistewicz, D. Stróż, Janusz** Szala.
-Sens. Actuators, A Phys. 2012 vol. 183, s. 34-42, bibliogr. 44 poz. + appendix
Appendix A. Supplementary data for: Influence of humidity on impendance of SbSI gel. Dostępny w internecie: http://www.sciencedirect.com/science/MiamiMultiMediaURL/1-s2.0-S0924424712003809/1-s2.0-S0924424712003809-mmc1.doc/271352/html/S0924424712003809/161a95fab63ec9ccdbb8de2ce3e8e85e/mmc1.doc [dostęp 18 lutego 2014]. Impact Factor 1.841. Punktacja MNiSW 35.000

czujnik wilgotności ; jodosiarczek antymonu ; SbSI ; nanodruty ; spektroskopia impedancyjna

humidity sensor ; antimony sulfoiodide ; SbSI ; nanowires ; impedance spectroscopy

87/266
Nr opisu: 0000076718
Optical properties of SbSI heterostructures.
[Aut.]: Bartłomiej Toroń, Marian Nowak, Andrzej Grabowski, Mirosława Kępińska, Janusz** Szala, Tomasz Rzychoń.
W: Photonic fiber and crystal devices. Advances in materials and innovations in device applications VI, San Diego, California, United States, 12-13 August, 2012. Eds: Shizhuo Yin, Ruyan Guo. Bellingham : SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2012, paper no. 8497-58 s. 1-8, bibliogr. 27 poz. (Proceedings of SPIE ; vol. 8497 0277-786X)

antymon ; kryształ ; dioda ; promieniowanie laserowe ; własności optyczne ; półprzewodnik ; heterozłącze

antimony ; crystal ; diode ; laser irradiation ; optical properties ; semiconductor ; heterojunction

88/266
Nr opisu: 0000076652
Optoelectronic proerties of SbSI/Sb₂S₃.
[Aut.]: Bartłomiej Toroń, Marian Nowak, Andrzej Grabowski, Mirosława Kępińska.
W: OPTO meeting for young reserchers and 7th international SPIE student's chapter meeting, Gliwice, 17-20th May 2012. Book of abstracts. Ed. Sabina Drewniak, Przemysław Struk. [B.m.] : [b.w.], 2012, s. 25-26, bibliogr. 3 poz.

jodosiarczek antymonu ; obróbka laserowa ; fotoprzewodnictwo ; heterostruktura

antimony sulfoiodide ; laser processing ; photoconductivity ; heterostructure

89/266
Nr opisu: 0000076653
Photoelectric properties of single SbSI nanowires.
[Aut.]: Krystian Mistewicz, Marian Nowak, Piotr Szperlich, Janusz** Szala, R. Paszkiewicz.
W: OPTO meeting for young reserchers and 7th international SPIE student's chapter meeting, Gliwice, 17-20th May 2012. Book of abstracts. Ed. Sabina Drewniak, Przemysław Struk. [B.m.] : [b.w.], 2012, s. 27, bibliogr. 4 poz.

jodosiarczek antymonu ; nanodruty ; zgrzewanie ultradźwiękowe ; sonochemia

antimony sulfoiodide ; nanowires ; ultrasonic welding ; sonochemistry

90/266
Nr opisu: 0000073397
Properties of SbSI@CNTs and SbSI nanowires.
[Aut.]: Marian Nowak, K. Koziol, G. Kozlowski, Krystian Mistewicz, Marcin Jesionek.
W: 8th International Conference on Diffusion in Solids and Liquids. DSL2012, Istanbul, Turkey, 25-29 June, 2012. Abstract book. [Dokument elektroniczny]. [B.m.] : [b.w.], 2012, dysk optyczny (CD-ROM) s. 212, bibliogr. 2 poz.

91/266
Nr opisu: 0000071272
Sonochemical growth of antimony selenoiodide in multiwalled carbon nanotube.
[Aut.]: Marcin Jesionek, Marian Nowak, Piotr Szperlich, D. Stróż, Janusz** Szala, K. Jesionek, Tomasz Rzychoń.
-Ultrason. Sonochem. 2012 vol. 19 iss. 1, s. 179-185, bibliogr. 39 poz.. Impact Factor 3.516. Punktacja MNiSW 45.000

nanorurki węglowe ; sonochemia ; hermetyzacja ; półprzewodnik

carbon nanotubes ; sonochemistry ; encapsulation ; semiconductor

92/266
Nr opisu: 0000107673
Patent. Polska, nr 213 015. Sposób wyznaczania energii aktywacji procesu rekombinacji nośników ładunku w półprzewodnikach zwłaszcza dla monokrystalicznego siarczku galu. Int. Cl. G01N 21/00.
Politechnika Śląska, Polska
Twórcy: Marian Nowak, Maria** Szałajko.
Zgłosz. nr 379 556 z 27.04.2006. Opubl. 31.12.2012, s. 1-4

siarczek galu ; półprzewodnik

gallium sulphide ; semiconductor

93/266
Nr opisu: 0000073097
Optical properties of SbI₃ single.
[Aut.]: Mirosława Kępińska, Marian Nowak, Piotr Duka, Michalina* Kotyczka-Morańska, Piotr Szperlich.
-Opt. Mater. 2011 vol. 33 iss. 11, s. 1753-1759, bibliogr. 30 poz.. Impact Factor 2.023. Punktacja MNiSW 30.000

warstwa cienka ; trójjodek antymonu ; materiał anizotropowy ; własności optyczne ; goniometria

thin film ; antimony triiodide ; anisotropic material ; optical parameter ; spectrogoniometry

94/266
Nr opisu: 0000072412
Optical properties of SbI₃ single crystalline platelets.
[Aut.]: Mirosława Kępińska, Marian Nowak, Piotr Duka, Michalina* Kotyczka-Morańska, Piotr Szperlich.
-Opt. Mater. 2011 vol. 33 iss. 11, s. 1753-1759, bibliogr. 30 poz.. Impact Factor 2.023. Punktacja MNiSW 30.000

warstwa cienka ; materiał anizotropowy ; parametr optyczny

thin film ; anisotropic material ; optical parameter

95/266
Nr opisu: 0000073375
Otrzymywanie i własności SbI₃'3S₈. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Michalina* Kotyczka-Morańska.
Katowice, 2011, 126 k., bibliogr. 98 poz.
Uniwersytet Śląski. Wydział Matematyki, Fizyki i Chemii. Promotor: prof. dr hab. inż. Marian** Nowak

SbI3'3S8 ; jodosiarczek antymonu ; monokryształ ; własności optyczne ; optoelektronika

SbI3'3S8 ; antimony sulfoiodide ; monocrystal ; optical properties ; optoelectronics

96/266
Nr opisu: 0000073371
Otrzymywanie oraz własności hybrydowego materiału zawierającego nanokrystality SbSi oraz SbSeI w nanorurkach węglowych. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Marcin Jesionek.
Katowice, 2011, 123 k., bibliogr. 200 poz.
Uniwersytet Śląski. Wydział Matematyki, Fizyki i Chemii. Promotor: prof. dr hab. inż. Marian** Nowak

nanomateriały ; nanorurki węglowe ; nanokrystality ; SbSI ; SbSeI ; sonochemia

nanomaterials ; carbon nanotubes ; nanocrystallites ; SbSI ; SbSeI ; sonochemistry

97/266
Nr opisu: 0000107749
Patent. Polska, nr 208 498. Sposób magazynowania zwłaszcza wodoru i materiał magazynujący zwłaszcza wodór. Int. Cl. C01B 3/00, B82B 3/00, C01B 17/18, C01B 7/13.
Politechnika Śląska, Polska
Twórcy: Marian Nowak, Piotr Szperlich.
Zgłosz. nr 380 059 z 28.06.2006. Opubl. 31.05.2011, s. 1-4

magazynowanie wodoru ; wodór ; ogniwo paliwowe

hydrogen storage ; hydrogen ; fuel cell

98/266
Nr opisu: 0000107718
Patent. Polska, nr 209 058. Sposób otrzymywania związku półprzewodnikowego składającego się z atomów należących do grupy V, grupy VI oraz grupy VII układu okresowego i związek półprzewodnikowy. Int. Cl. H01L 29/02, H01L 29/06, B01J 19/10, C30B 29/46, C01G 30/00.
Politechnika Śląska, Polska
Twórcy: Marian Nowak, Piotr Szperlich.
Zgłosz. nr 376 165 z 12.07.2005. Opubl. 29.07.2011, s. 1-4

związek półprzewodnikowy ; otrzymywanie zwiazku półprzewodnikowego

semiconductor compound ; semiconductor compound obtaining

99/266
Nr opisu: 0000073385
Ultrasonics and carbon nanotubes.
[Aut.]: Marian Nowak, K. Koziol, G. Kozlowski, J. Berdowski, J. Kasperczyk, I. Kityk, Krystian Mistewicz, Marcin Jesionek.
W: 7th International Conference on Diffusion in Solids and Liquids. DSL2011, Vilamoura, Portugal, 26-30 June, 2011. Abstract book. [Dokument elektroniczny]. [B.m.] : [b.w.], 2011, dysk optyczny (CD-ROM) s. 144-145, bibliogr. 4 poz.

100/266
Nr opisu: 0000073372
Otrzymywanie oraz własności warstw SbSi. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Łukasz* Bober.
Katowice, 2010, 110 k., bibliogr. 93 poz.
Uniwersytet Śląski. Wydział Matematyki, Fizyki i Chemii. Promotor: prof. dr hab. inż. Marian** Nowak

SbSI ; metoda spin-on ; nanodruty

SbSI ; spin-on method ; nanowires

101/266
Nr opisu: 0000057378
Photoferroelectric nanowires.
[Aut.]: Marian Nowak.
W: Nanowires science and technology. Ed. by Nicoleta Lupu. Vukovar : InTech, 2010, s. 269-308, bibliogr.

102/266
Nr opisu: 0000058646
Sonochemical preparation of antimony subiodide.
[Aut.]: Marian Nowak, Piotr Szperlich, E. Talik, Janusz** Szala, Tomasz Rzychoń, D. Stróż, Andrzej Nowrot, Barbara Solecka.
-Ultrason. Sonochem. 2010 vol. 17 iss. 1, s. 219-227, bibliogr. 76 poz.. Impact Factor 3.203

sonochemia ; półprzewodnik ; nanocząstki

sonochemistry ; semiconductor ; nanoparticles

103/266
Nr opisu: 0000058645
Sonochemical preparation of SbS_1-xSe_xI nanowires.
[Aut.]: Marian Nowak, Beata* Kauch, Piotr Szperlich, D. Stróż, Janusz** Szala, Tomasz Rzychoń, Łukasz* Bober, Bartłomiej Toroń, Andrzej Nowrot.
-Ultrason. Sonochem. 2010 vol. 17 iss. 2, s. 487-493, bibliogr. 75 poz.. Impact Factor 3.203

sonochemia ; nanodruty ; związek czwartorzędowy

sonochemistry ; nanowires ; quaternary compound

104/266
Nr opisu: 0000063278
Structure of antimony sulfoiodide ultrasonically prepared in carbon nanotubes.
[Aut.]: D. Stróż, Marian Nowak, Marcin Jesionek, Katarzyna* Bałdys.
W: Applied crystallography XXI. Selected, peer reviewed papers from the XXI Conference on Applied Crystallography, Zakopane, Poland, 20-24 September 2009. Ed. by D. Stróż, M. Karolus. Stafa-Zurich : Trans Tech Publications, 2010, s. 88-92, bibliogr. 10 poz. (Solid State Phenomena ; vol. 163)

105/266
Nr opisu: 0000063394
Using of sonochemically prepared components for vapor phase growing of SbI₃*3S₈.
[Aut.]: Marian Nowak, Michalina* Kotyczka-Morańska, Piotr Szperlich, Łukasz* Bober, Marcin Jesionek, Mirosława Kępińska, D. Stróż, J. Kusz, Janusz** Szala, Grzegorz Moskal, Tomasz Rzychoń, J. Młyńczak, K. Kopczyński.
-Ultrason. Sonochem. 2010 vol. 17 iss. 5, s. 892-901, bibliogr. 44 poz.. Impact Factor 3.203

sonochemia ; związki addytywne ; fonochemia

sonochemistry ; additive compounds

106/266
Nr opisu: 0000107945
Carbon nanotubes with encapsulated antimony sulfoiodide for hydrogen storage.
[Aut.]: Marian Nowak, Marcin Jesionek, Piotr Szperlich, D. Stróż, Tomasz Rzychoń.
W: Second Polish Forum Fuel Cells and Hydrogen Technologies, Kocierz, Poland, 7-10.09.2009. [B.m.] : [b.w.], 2011, s. P13

107/266
Nr opisu: 0000056939
Determination of energy band gap of nanocrystalline SbSI using diffuse reflectance spectroscopy.
[Aut.]: Marian Nowak, Beata* Kauch, Piotr Szperlich.
-Rev. Sci. Instrum. 2009 vol. 80 iss. 4, art no. 046107, bibliogr. 14 poz.. Impact Factor 1.521

nanokryształ ; związek antymonu ; związek siarki ; jodek ; analiza spektralna

nanocrystal ; antimony compound ; sulfur compound ; iodide ; spectral analysis

108/266
Nr opisu: 0000049927
Ferroelectric properties of ultrasonochemically preapred SbSI ethanogel.
[Aut.]: Piotr Szperlich, Marian Nowak, Łukasz* Bober, Janusz** Szala, D. Stróż.
-Ultrason. Sonochem. 2009 vol. 16 iss. 3, s. 398-401, bibliogr. 33 poz.. Impact Factor 2.993

sonochemia ; nanodruty ; ferroelektryk ; jodosiarczek antymonu ; półprzewodnik

sonochemistry ; nanowires ; ferroelectric ; antimony sulfoiodide ; semiconductor

109/266
Nr opisu: 0000049923
Influence of the solvent on ultrasonically produced SbSI nanowires.
[Aut.]: Anna Starczewska, R. Wrzalik, Marian Nowak, Piotr Szperlich, Marcin Jesionek, Grzegorz Moskal, Tomasz Rzychoń, Janusz** Szala, D. Stróż, P. Maślanka.
-Ultrason. Sonochem. 2009 vol. 16 iss. 4, s. 537-545, bibliogr. 57 poz.. Impact Factor 2.993

sonochemia ; jodosiarczek antymonu ; nanoprzewody ferroelektryczne ; absorpcja ; metanol

sonochemistry ; antimony sulfoiodide ; ferroelectric nanowires ; absorbance ; methanol

110/266
Nr opisu: 0000050009
Laser remelting of Al-Fe-TiO powder composite on aluminium matrix.
[Aut.]: Andrzej Grabowski, Bolesław** Formanek, Maria Sozańska, Damian Janicki, Marian Nowak.
-J. Achiev. Mater. Manuf. Eng. 2009 vol. 33 iss. 1, s. 78-85, bibliogr. 24 poz.

kompozyty ; przetapianie laserowe ; faza międzymetaliczna

composites ; laser remelting ; intermetallic phase

111/266
Nr opisu: 0000056886
Sonochemical growth of antimony sulfoiodide in multiwalled carbon nanotube.
[Aut.]: Marian Nowak, Marcin Jesionek, Piotr Szperlich, Janusz** Szala, Tomasz Rzychoń, D. Stróż.
-Ultrason. Sonochem. 2009 vol. 16 iss. 6, s. 800-804, bibliogr. 26 poz.. Impact Factor 2.993

nanorurki węglowe ; jodosiarczek antymonu ; sonochemia ; hermetyzacja ; półprzewodnik

carbon nanotubes ; antimony sulfoiodide ; sonochemistry ; encapsulation ; semiconductor

112/266
Nr opisu: 0000056844
Sonochemical preparation of SbSeI gel.
[Aut.]: Marian Nowak, B. Kauch, Piotr Szperlich, Marcin Jesionek, Mirosława Kępińska, Łukasz* Bober, Janusz** Szala, Grzegorz Moskal, Tomasz Rzychoń, D. Stróż.
-Ultrason. Sonochem. 2009 vol. 16 iss. 4, s. 546-551, bibliogr. 44 poz.. Impact Factor 2.993

sonochemia ; jodosiarczek antymonu ; nanokryształ

sonochemistry ; antimony sulfoiodide ; nanocrystal

113/266
Nr opisu: 0000056802
Spectrogoniometric determination of refractive indices of GaSe.
[Aut.]: Mirosława Kępińska, Marian Nowak, Piotr Duka, B. Kauch.
-Thin Solid Films 2009 vol. 517 iss. 13, s. 3792-3796, bibliogr. 23 poz.

warstwa cienka ; selenek galu ; materiał anizotropowy ; współczynnik załamania ; spektrogoniometria

thin film ; selenide gallium ; anisotropic material ; refractive index ; spectrogoniometry

114/266
Nr opisu: 0000056854
Using of textured polycrystalline SbSI in actuators.
[Aut.]: Marian Nowak, P. Mroczek, Piotr Duka, A. Kidawa, Piotr Szperlich, Andrzej Grabowski, Janusz** Szala, Grzegorz Moskal.
-Sens. Actuators, A Phys. 2009 vol. 150 iss. 2, s. 251-256, bibliogr. 55 poz.. Impact Factor 1.674

115/266
Nr opisu: 0000073365
Warstwa zewnętrzna nanodrutów jodosiarczku antymonu wytworzonych sonochemiczne.
[Aut.]: Marian Nowak, E. Talik, Piotr Szperlich, D. Stróż, Anna Starczewska.
W: III Krajowa Konferencja Nanotechnologii. NANO 2009, Warszawa, 22-26 czerwca 2009 r. Streszczenia. Red. J. Kaniewski. Warszawa : Instytut Technologii Elektronowej, 2009, s. 148

jodosiarczek antymonu ; nanodruty ; sonochemia

antimony sulfoiodide ; nanowires ; sonochemistry

116/266
Nr opisu: 0000073360
Własności sensorowe nanodrutów jodosiarczku antymonu.
[Aut.]: Łukasz* Bober, Marian Nowak, B. Stanek, Piotr Szperlich, Maria Sozańska.
W: III Krajowa Konferencja Nanotechnologii. NANO 2009, Warszawa, 22-26 czerwca 2009 r. Streszczenia. Red. J. Kaniewski. Warszawa : Instytut Technologii Elektronowej, 2009, s. 107

własności sensorowe ; nanodruty ; jodosiarczek antymonu

sensor properties ; nanowires ; antimony sulfoiodide

117/266
Nr opisu: 0000056910
XPS analysis of sonochemically prepared SbSl ethanogel.
[Aut.]: Marian Nowak, E. Talik, Piotr Szperlich, D. Stróż.
-Appl. Surf. Sci. 2009 vol. 255 iss. 17, s. 7689-7694, bibliogr. 48 poz.. Impact Factor 1.616

rentgenowska spektroskopia fotoelektronów ; nanoprzewody ; półprzewodnik ; sonochemia

X-ray photoelectron spectroscopy ; nanowires ; semiconductor ; sonochemistry

118/266
Nr opisu: 0000073362
Zaenkapsulowany jodosiarczek antymonu w nanorurkach węglowych.
[Aut.]: Marcin Jesionek, Marian Nowak, Piotr Szperlich, D. Stróż, Janusz** Szala, Tomasz Rzychoń.
W: III Krajowa Konferencja Nanotechnologii. NANO 2009, Warszawa, 22-26 czerwca 2009 r. Streszczenia. Red. J. Kaniewski. Warszawa : Instytut Technologii Elektronowej, 2009, s. 130

jodosiarczek antymonu ; nanorurki węglowe

antimony sulfoiodide ; carbon nanotubes

119/266
Nr opisu: 0000040628
Infrared spectroscopy of ferroelectric nanowires of antimony sulfoiodide.
[Aut.]: Anna Starczewska, R. Wrzalik, Marian Nowak, Piotr Szperlich, Łukasz* Bober, Janusz** Szala, D. Stróż, Dymitr Czechowicz.
-Infrared Phys. Technol. 2008 vol. 51 iss. 4, s. 307-315, bibliogr. 58 poz.. Impact Factor 1.037

sonochemia ; jodosiarczek antymonu ; nanoprzewody ferroelektryczne ; absorbancja IR ; etanol

sonochemistry ; antimony sulfoiodide ; ferroelectric nanowires ; IR absorbance ; ethanol

120/266
Nr opisu: 0000048152
Laser beam interactions with metal matrix AlSi alloy/SiCp composites.
[Aut.]: Andrzej Grabowski, Marian Nowak, Józef** Śleziona.
-J. Achiev. Mater. Manuf. Eng. 2008 vol. 31 iss. 2, s. 233-240, bibliogr. 21 poz.

kompozyt metalowy ; obróbka cieplna ; modelowanie laserowe ; obróbka laserowa

metal matrix composite ; heat treatment ; laser modeling ; laser treatment

121/266
Nr opisu: 0000039996
Sonochemical preparation of SbSI gel.
[Aut.]: Marian Nowak, Piotr Szperlich, Łukasz* Bober, Janusz** Szala, Grzegorz Moskal, D. Stróż.
-Ultrason. Sonochem. 2008 vol. 15 iss. 5, s. 709-716, bibliogr. 12 poz.. Impact Factor 2.796

sonochemia ; nanokryształ ; jodosiarczek antymonu ; ferroelektryk

sonochemistry ; nanocrystal ; antimony sulfoiodide ; ferroelectric

122/266
Nr opisu: 0000073115
Własności elektryczne i fotoelektryczne warstw równoległych nanodrutów jodosiarczku antymonu.
[Aut.]: Łukasz* Bober, Marian Nowak, Piotr Szperlich, Mirosława Kępińska, Maria Sozańska.
W: II Krajowa Konferencja Nanotechnologii, Kraków, 25-28 czerwca 2008. Książka streszczeń. [B.m.] : [b.w.], 2008, s. Sr-P-19, bibliogr. 1 poz.

jodosiarczek antymonu ; SbSI ; nanodruty

antimony sulfoiodide ; SbSI ; nanowires

123/266
Nr opisu: 0000038580
Własności optyczne monokryształów Sbl₃^.3S₈ otrzymanych z fazy gazowej.
[Aut.]: Michalina* Kotyczka-Morańska, Marian Nowak, Łukasz* Bober, Mirosława Kępińska, Piotr Szperlich, Janusz** Szala.
-Inż. Mater. 2008 R. 29 nr 3, s. 127-130, bibliogr. 17 poz.

monokryształ ; SbI3.3S8 ; optoelektronika ; właściwości optyczne

monocrystal ; SbI3.3S8 ; optoelectronics ; optical properties

124/266
Nr opisu: 0000073116
Wpływ cieczy polarnych i niepolarnych na morfologię nanokrystalicznego jodosiarczku antymonu otrzymywanego sonochemicznie.
[Aut.]: Łukasz* Bober, Marian Nowak, Piotr Szperlich, Marcin Jesionek, Anna Starczewska, Maria Sozańska, R. Wrzalik, D. Stróż.
W: II Krajowa Konferencja Nanotechnologii, Kraków, 25-28 czerwca 2008. Książka streszczeń. [B.m.] : [b.w.], 2008, s. Pt-P-19, bibliogr. 1 poz.

jodosiarczek antymonu ; SbSI ; sonochemia

antimony sulfoiodide ; SbSI ; sonochemistry

125/266
Nr opisu: 0000041673
Adsorpcja wodoru w żelach SbSI.
[Aut.]: Marian Nowak, Piotr Szperlich, M. Nawrot, Janusz** Szala, D. Stróż.
W: I Krajowa Konferencja Nanotechnologii [Wrocław, 26-28 kwietnia 2007]. Książka streszczeń. Wrocław : Politechnika Wrocławska, 2007, s. 215

126/266
Nr opisu: 0000040610
Badanie właściwości złączy kompozytów metalowych lutowanych płomieniowo.
[Aut.]: Artur Czupryński, Jacek Górka, Marian Nowak.
-Spajanie Met. Tworz. Prakt. 2007 nr 3, s. 24-28, bibliogr. 8 poz.

127/266
Nr opisu: 0000056900
Investigation of planar sensing structures for gas detections by means of scattered light methode.
[Aut.]: Kazimierz Gut, Tadeusz Pustelny, Marian Nowak.
-Mol. Quantum Acoust. 2007 vol. 28, s. 101-106, bibliogr. 13 poz.

128/266
Nr opisu: 0000057360
Laser cutting of AlSi-alloy/SiC_p composite - modelling of the cut kerf geometry.
[Aut.]: Andrzej Grabowski, Józef** Śleziona, Marian Nowak.
W: Laser technology VIII. Applications of lasers, Szczecin-Świnoujście, Poland, 25-29 September 2006. Eds: Wiesław Woliński, Zdzisław Jankiewicz, Ryszard S. Romaniuk. Bellingham : SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2007, s. 65980H1-65980H5, bibliogr. 11 poz. (Proceedings of SPIE ; vol. 6598 0277-786X)

129/266
Nr opisu: 0000041676
Optyczne własności nanokrystalicznych warstw SbSi otrzymywanych metodą spin-on.
[Aut.]: Łukasz* Bober, Marian Nowak, Piotr Szperlich, Janusz** Szala, Jerzy** Żak.
W: I Krajowa Konferencja Nanotechnologii [Wrocław, 26-28 kwietnia 2007]. Książka streszczeń. Wrocław : Politechnika Wrocławska, 2007, s. 221

130/266
Nr opisu: 0000028361
Quantum efficiency coefficient for photogeneration of carriers in gallium sulphide single crystals.
[Aut.]: Maria** Szałajko, Marian Nowak.
-J. Phys., Condens. Matter 2007 vol. 19 iss. 19, s. [196210-1 - 196210-14], bibliogr. 22 poz.. Impact Factor 1.886

131/266
Nr opisu: 0000041674
Sonochemiczne wytwarzanie wieloskładnikowych żeli na bazie SbSI.
[Aut.]: Marian Nowak, Piotr Szperlich, Łukasz* Bober, Michalina* Kotyczka-Morańska, Beata* Kauch, Janusz** Szala, Grzegorz Moskal, D. Stróż.
W: I Krajowa Konferencja Nanotechnologii [Wrocław, 26-28 kwietnia 2007]. Książka streszczeń. Wrocław : Politechnika Wrocławska, 2007, s. 214

132/266
Nr opisu: 0000041675
Spektroskopia impedancyjna żelu SbSI.
[Aut.]: Anna Starczewska, Marian Nowak, Piotr Szperlich, A. Nawrot, D. Stróż, Janusz** Szala.
W: I Krajowa Konferencja Nanotechnologii [Wrocław, 26-28 kwietnia 2007]. Książka streszczeń. Wrocław : Politechnika Wrocławska, 2007, s. 222

133/266
Nr opisu: 0000073113
Surface layer on ferroelectric nanowires of antimony sulfoiodide.
[Aut.]: Marian Nowak, Piotr Szperlich, Anna Starczewska, Janusz** Szala, D. Stróż, R. Wrzalik.
W: V International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP' 2007, Zakopane, Poland, September 16-19, 2007. Programme, abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2007, s. 56, bibliogr. 1 poz.

134/266
Nr opisu: 0000028360
The influence of light intensity on surface recombination in GaS single crystals.
[Aut.]: Maria** Szałajko, Marian Nowak.
-Appl. Surf. Sci. 2007 vol. 253 nr 7, s. 3636-3641, bibliogr. 15 poz.. Impact Factor 1.406

siarczek galu ; fotoprzewodnictwo ; rekombinacja powierzchniowa

gallium sulphide ; photoconductivity ; surface recombination

135/266
Nr opisu: 0000029173
Differences between surface and bulk refractive indices of a-In_xSe_1-x.
[Aut.]: Anna Michalewicz, Marian Nowak, Mirosława Kępińska.
-Appl. Surf. Sci. 2006 vol. 252 iss. 21, s. 7743-7747, bibliogr. 16 poz.. Impact Factor 1.436

selenek indu ; amorficzna powłoka cienka ; własności optyczne

indium-selenide ; amorphous thin film ; optical properties

136/266
Nr opisu: 0000023907
Dyfuzyjne odbicie światła od półprzewodników. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Beata* Kauch.
Gliwice, 2006, 94 k., bibliogr. 74 poz.
Politechnika Śląska. Wydział Matematyczno-Fizyczny. Promotor: prof. dr hab. inż. Marian** Nowak

półprzewodnik ; odbicie dyfuzyjne ; rozpraszanie światła ; mikroskopia elektronowa

semiconductor ; diffuse reflection ; light scattering ; electron microscopy

137/266
Nr opisu: 0000022468
Laser cutting of an AlSi alloy/SiC_p composites: theory and experiments.
[Aut.]: Andrzej Grabowski, Marian Nowak, Józef** Śleziona.
W: Achievements in mechanical and materials engineering. AMME'2006. Programme and abstracts of the fourteenth international scientific conference, Gliwice - Wisła, Poland, 4-8 June 2006. Ed. L. A. Dobrzański. Gliwice : International Organising Committee of the Scientific Conferences AMME World Press, 2006, s. 71-72

138/266
Nr opisu: 0000019395
Laser cutting of an AlSi alloy/SiC_p composites: theory and experiments.
[Aut.]: Andrzej Grabowski, Marian Nowak, Józef** Śleziona.
-J. Achiev. Mater. Manuf. Eng. 2006 vol. 17 iss. 1/2, s. 61-64, bibliogr. 15 poz.

kompozyty ; obróbka cieplna ; wiązka laserowa ; modelowanie laserowe

composites ; heat treatment ; laser beam ; laser modeling

139/266
Nr opisu: 0000022469
Laser remelting of Al-Fe-TiO₃ composite powder incorporated in a aluminium matrix.
[Aut.]: Andrzej Grabowski, Bolesław** Formanek, Maria Sozańska, Marian Nowak.
W: Achievements in mechanical and materials engineering. AMME'2006. Programme and abstracts of the fourteenth international scientific conference, Gliwice - Wisła, Poland, 4-8 June 2006. Ed. L. A. Dobrzański. Gliwice : International Organising Committee of the Scientific Conferences AMME World Press, 2006, s. 72

140/266
Nr opisu: 0000019351
Laser remelting of Al-Fe-TiO₃ composite powder incorporated in a aluminium matrix.
[Aut.]: Andrzej Grabowski, Bolesław** Formanek, Maria Sozańska, Marian Nowak.
-J. Achiev. Mater. Manuf. Eng. 2006 vol. 18 iss. 1/2, s. 95-98, bibliogr. 15 poz.

kompozyty ; obróbka powierzchni ; laser ; faza międzymetaliczna

composites ; surface treatment ; laser ; intermetallic phase

141/266
Nr opisu: 0000029315
Laserowe cięcie kompozytu AlSi-alloy/SiCp - modelowanie geometrii krawędzi cięcia.
[Aut.]: Andrzej Grabowski, Marian Nowak, Józef** Śleziona.
W: 8 Sympozjum Techniki Laserowej. STL, Szczecin - Świnoujście 2006. Komunikaty. Komitet Elektroniki i Telekomunikacji PAN [i in.]. Szczecin : Wydaw. Uczelniane Politechniki Szczecińskiej, 2006, s. 151-155

142/266
Nr opisu: 0000025535
Measurement of the thermal diffusivity of dental filling materials using modified Angstrom's method.
[Aut.]: Jerzy Bodzenta, B. Burak, Marian Nowak, Michał* Pyka, Maria** Szałajko, M. Tanasiewicz.
-Dent. Mater. 2006 vol. 22 iss. 7, s. 617-621, bibliogr. 9 poz.. Impact Factor 2.381

wypełniajacy materiał stomatologiczny ; właściwości cieplne ; dyfuzyjność cieplna ; przewodnictwo cieplne ; technika pomiarowa ; dynamiczny pomiar cieplny ; fala termiczna

dental filling material ; thermal properties ; thermal diffusivity ; thermal conductivity ; measurement technique ; dynamic thermal measurement ; thermal waves

143/266
Nr opisu: 0000023104
Otrzymywanie oraz własności etanożelu SbSI. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Piotr Szperlich.
Gliwice, 2006, 88 s., bibliogr. 101 poz.
Politechnika Śląska. Wydział Matematyczno-Fizyczny. Promotor: prof. dr hab. inż. Marian** Nowak

jodosiarczek antymonu ; sonochemia ; własności optyczne ; krystalochemia

antimony sulfoiodide ; sonochemistry ; optical properties ; crystal chemistry

144/266
Nr opisu: 0000020651
Spawanie laserem włóknowym stali duplex.
[Aut.]: Janusz Adamiec, Andrzej Grabowski, Marian Nowak.
W: Nowe technologie i materiały w metalurgii i inżynierii materiałowej. Materiały XIV seminarium naukowego, Katowice, 19 maja 2006. [Katowice] : [Wydział Inżynierii Materiałowej i Metalurgii Politechniki Śląskiej], 2006, s. 151-155, bibliogr. 4 poz.

stal duplex ; laser włóknowy ; spawanie laserowe ; laser dużej mocy

duplex steel ; laser fibre ; laser welding ; high power laser

145/266
Nr opisu: 0000029179
Temperature dependence of the energy gap of In_xSe_1-x compounds.
[Aut.]: Anna Michalewicz, Marian Nowak, Mirosława Kępińska.
-Phys. Status Solidi, B Basic Solid State Phys. 2006 vol. 243 iss. 3, s. 685-689, bibliogr. 24 poz.. Impact Factor 0.967

146/266
Nr opisu: 0000014874
Laser joining of AK12-SiCp composites using aluminium matrix composite powders.
[Aut.]: Bolesław** Formanek, Andrzej Grabowski, Andrzej Klimpel, Marian Nowak, Krzysztof Szymański, Józef** Śleziona.
W: Worldwide Congress on Materials and Manufacturing Engineering and Technology. COMMENT'2005, Gliwice-Wisła, 16th-19th May 2005. [Dokument elektroniczny]. Congress proceedings - short papers. Ed. Leszek A. Dobrzański. [Gliwice] : [Komitet Organizacyjny Międzynarodowych Konferencji Naukowych Instytutu Materiałów Inżynierskich i Biomedycznych Politechniki Śląskiej], [2005], dysk optyczny (CD-ROM) [Ref. 3.709 s. 1-4], bibliogr. 5 poz.

kompozyt aluminiowy ; światło laserowe

aluminium matrix composite ; laser light

147/266
Nr opisu: 0000023492
Laser joining of AK12-SiCp composites using aluminium matrix composite powders.
[Aut.]: Bolesław** Formanek, Andrzej Grabowski, Andrzej Klimpel, Marian Nowak, Krzysztof Szymański, Józef** Śleziona.
W: Programme & abstracts of the Worldwide Congress on Materials and Manufacturing Engineering and Technology. COMMENT'2005, Gliwice-Wisła, 16th-19th May 2005. Ed. by L. A. Dobrzański. Gliwice : Organising Committee of the International Scientific Conferences Institute of Engineering Materials and Biomaterials of the Silesian University of Technology, 2005, s. 144

148/266
Nr opisu: 0000020361
Optical and conductive properties of AlSi-alloy/SiC_p composites: application in modeling CO₂ laser processing of composites.
[Aut.]: Andrzej Grabowski, Marian Nowak, Józef** Śleziona.
-Opt. Laser Eng. 2005 vol. 43 nr 2, s. 233-246, bibliogr. 30 poz.. Impact Factor 0.847

własności optyczne ; współczynnik odbicia ; współczynnik załamania światła ; współczynnik absorpcji ; przewodność ; stopy metali ; kompozyty

optical properties ; reflectivity ; refractive index ; absorption coefficient ; conductivity ; alloys ; composites

149/266
Nr opisu: 0000020554
Stanowisko do obróbki laserowej materiałów.
[Aut.]: Andrzej Grabowski, Marian Nowak, Janusz Adamiec.
W: Nowe technologie i materiały w metalurgii i inżynierii materiałowej. Materiały XIII seminarium naukowego, Katowice, 13 maja 2005. [Katowice] : [Wydział Inżynierii Materiałowej i Metalurgii Politechniki Śląskiej], 2005, s. 207-210, bibliogr. 5 poz.

obróbka laserowa ; laser molekularny CO2

laser processing ; molecular laser CO2

150/266
Nr opisu: 0000021690
Steady-state photocarrier grating method of determining electronic states parameters in amorphous semiconductors.
[Aut.]: Marian Nowak, Anna Starczewska.
-J. Non-Cryst. Solids 2005 vol. 351 iss. 16/17, s. 1383-1392, bibliogr. 32 poz.. Impact Factor 1.264

151/266
Nr opisu: 0000016168
Niejednorodność optyczna cienkich warstw In-Se. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Anna Michalewicz.
Gliwice, 2004, 107 s., bibliogr. 180 poz.
Politechnika Śląska. Wydział Matematyczno-Fizyczny. Promotor: prof. dr hab. inż. Marian** Nowak

152/266
Nr opisu: 0000011270
Odbicie dyfuzyjne a przerwa energetyczna w półprzewodnikach.
[Aut.]: B. Kauch, Marian Nowak.
W: Nowe technologie i materiały w metalurgii i inżynierii materiałowej. Materiały XII seminarium naukowego, Katowice, 7 maja 2004. [Katowice] : [Wydział Inżynierii Materiałowej i Metalurgii Politechniki Śląskiej], [2004], s. 225-228, bibliogr. 12 poz.

półprzewodnik ; odbicie dyfuzyjne ; przerwa energetyczna

semiconductor ; diffuse reflection ; energy band gap

153/266
Nr opisu: 0000011269
Określenie koncentracji swobodnych nośników ładunku elektrycznego w GaSe oraz GaSe:As w badaniach efektu Halla i fotohalla.
[Aut.]: Mirosława Kępińska, Marian Nowak, Z. Kovalyuk.
W: Nowe technologie i materiały w metalurgii i inżynierii materiałowej. Materiały XII seminarium naukowego, Katowice, 7 maja 2004. [Katowice] : [Wydział Inżynierii Materiałowej i Metalurgii Politechniki Śląskiej], [2004], s. 215-220, bibliogr. 7 poz.

nośnik ładunku ; efekt Halla ; efekt fotohalla ; ładunek elektryczny

charge carrier ; Hall effect ; photohall effect ; electric charge

154/266
Nr opisu: 0000016169
Wpływ temperatury i natężenia oświetlenia na parametry rekombinacyjne siarczku galu GaS. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Maria** Szałajko.
Gliwice, 2004, 93 s., bibliogr. 62 poz.
Politechnika Śląska. Wydział Matematyczno-Fizyczny. Promotor: prof. dr hab. inż. Marian** Nowak

155/266
Nr opisu: 0000018838
Influence of acousto-optical modulation of laser radiation on the results of contactless photoelectromagnetic investigations.
[Aut.]: Piotr Duka, Marian Nowak, Barbara Solecka.
W: Laser technology VII. Applications of lasers, Szczecin-Świnoujście, Poland, 23-27 September 2002. Eds: Wiesław Woliński, Zdzisław Jankiewicz, Ryszard S. Romaniuk. Bellingham : SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2003, s. 329-333 (Proceedings of SPIE ; vol. 5229 0277-786X)

156/266
Nr opisu: 0000018839
Optical and photoelectrical properties of SbSI.
[Aut.]: Marian Nowak, P. Szperlich, A. Kidawa, Mirosława Kępińska, P. Gorczycki, Beata* Kauch.
W: Solid state crystals 2002. Crystalline materials for optoelectronics. [Conference]. Zakopane, Poland, 14-18 October 2002. Eds: Jarosław Rutkowski, Antoni Rogalski. Bellingham : SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2003, s. 172-177 (Proceedings of SPIE ; vol. 5136 0277-786X)

157/266
Nr opisu: 0000011666
Optyczne badania niejednorodności składu warstw InxSe1.
[Aut.]: Anna Michalewicz, Marian Nowak, A. Burian, B. Jarząbek.
W: Nowe technologie i materiały w metalurgii i inżynierii materiałowej. Materiały XI seminarium naukowego, Katowice, 16 maja 2003. [Katowice] : [Wydział Inżynierii Materiałowej i Metalurgii Politechniki Śląskiej], [2003], s. 159-162, bibliogr. 9 poz.

niejednorodność ; InxSe1 ; technologia cienkich warstw ; odbicie optyczne

heterogeneity ; InxSe1 ; thin-film technology ; optical reflection

158/266
Nr opisu: 0000011669
Widma Ramana dla GaSe domieszkowanego As, Au, Bi, Co, Cu, Fe.
[Aut.]: Z. Kovalyuk, Marian Nowak, Anna Starczewska, R. Wrzalik.
W: Nowe technologie i materiały w metalurgii i inżynierii materiałowej. Materiały XI seminarium naukowego, Katowice, 16 maja 2003. [Katowice] : [Wydział Inżynierii Materiałowej i Metalurgii Politechniki Śląskiej], [2003], s. 171-174, bibliogr. 15 poz.

widmo Ramana ; GaSe ; spektroskopia Ramana ; As ; Au ; Bi ; CO ; Cu ; Fe

Raman spectra ; GaSe ; Raman spectroscopy ; As ; Au ; Bi ; CO ; Cu ; Fe

159/266
Nr opisu: 0000011668
Wpływ domieszkowania As, Au, Bi, Co, Cu i Fe na właściwości optyczne GaSe.
[Aut.]: Mirosława Kępińska, Z. Kovalyuk, Marian Nowak, B. Kauch.
W: Nowe technologie i materiały w metalurgii i inżynierii materiałowej. Materiały XI seminarium naukowego, Katowice, 16 maja 2003. [Katowice] : [Wydział Inżynierii Materiałowej i Metalurgii Politechniki Śląskiej], [2003], s. 167-170, bibliogr. 9 poz.

domieszkowanie ; właściwości optyczne ; GaSe

doping ; optical properties ; GaSe

160/266
Nr opisu: 0000011667
Zależność szerokości przerwy energetycznej Eg od składu molowego warstw InxSe1.
[Aut.]: Anna Michalewicz, Marian Nowak, A. Burian, B. Jarząbek.
W: Nowe technologie i materiały w metalurgii i inżynierii materiałowej. Materiały XI seminarium naukowego, Katowice, 16 maja 2003. [Katowice] : [Wydział Inżynierii Materiałowej i Metalurgii Politechniki Śląskiej], [2003], s. 163-166, bibliogr. 11 poz.

przerwa energetyczna ; półprzewodnik In-Se ; skład molowy

energy band gap ; In-Se semiconductor ; molar composition

161/266
Nr opisu: 0000004620
Magnetotransport effects in semiconductors.
[Aut.]: N. Pinto, R. Murri, Marian Nowak.
W: Handbook of thin film materials. Vol. 5: Nanomaterials and magnetic thin films. Ch. 9. Ed. by H. S. Nalwa. San Diego : Academic Press, 2002, s. 439-494, bibliogr. 297 poz.

162/266
Nr opisu: 0000020681
Metoda optyczna badania przejść fazowych na przykładzie badań SbSi.
[Aut.]: Marian Nowak, P. Szperlich, A. Kidawa, Mirosława Kępińska, P. Gorczycki.
W: Nowe technologie i materiały w metalurgii i inżynierii materiałowej. Materiały X seminarium naukowego, Katowice, 10 maja 2002. [Katowice] : [Wydział Inżynierii Materiałowej, Metalurgii i Transportu Politechniki Śląskiej], [2002], s. 183-186, bibliogr. 4 poz.

163/266
Nr opisu: 0000020684
Oddziaływanie wiązki lasera CO₂ na stop FeAl z uwzględnieniem temperaturowej zależności absorpcji warstwy wierzchniej stopu.
[Aut.]: Janusz Adamiec, Andrzej Grabowski, Marian Nowak.
W: Nowe technologie i materiały w metalurgii i inżynierii materiałowej. Materiały X seminarium naukowego, Katowice, 10 maja 2002. [Katowice] : [Wydział Inżynierii Materiałowej, Metalurgii i Transportu Politechniki Śląskiej], [2002], s. 195-198, bibliogr. 8 poz.

164/266
Nr opisu: 0000007356
Surface and bulk values of real part of refractive index of GaSe.
[Aut.]: Mirosława Kępińska, R. Murri, Marian Nowak.
-Vacuum 2002 vol. 67 iss. 1, s. 143-147. Impact Factor 0.723

165/266
Nr opisu: 0000020685
Temperaturowa zależność przerwy energetycznej krystalicznego siarczku galu.
[Aut.]: Mirosława Kępińska, R. Murri, Marian Nowak, Maria** Szałajko.
W: Nowe technologie i materiały w metalurgii i inżynierii materiałowej. Materiały X seminarium naukowego, Katowice, 10 maja 2002. [Katowice] : [Wydział Inżynierii Materiałowej, Metalurgii i Transportu Politechniki Śląskiej], [2002], s. 199-202, bibliogr. 13 poz.

166/266
Nr opisu: 0000020683
Zależność temperaturowa szerokości przerwy energetycznej i współczynników absorpcji światła w warstwach In-Se.
[Aut.]: Anna Michalewicz, Marian Nowak, L. Bryja, B. Jarząbek, A. Burian, Michał** Żelechower.
W: Nowe technologie i materiały w metalurgii i inżynierii materiałowej. Materiały X seminarium naukowego, Katowice, 10 maja 2002. [Katowice] : [Wydział Inżynierii Materiałowej, Metalurgii i Transportu Politechniki Śląskiej], [2002], s. 191-194, bibliogr. 9 poz.

167/266
Nr opisu: 0000020682
Zastosowanie metody ADIRR w badaniach półprzewodników warstwowych.
[Aut.]: Mirosława Kępińska, Marian Nowak.
W: Nowe technologie i materiały w metalurgii i inżynierii materiałowej. Materiały X seminarium naukowego, Katowice, 10 maja 2002. [Katowice] : [Wydział Inżynierii Materiałowej, Metalurgii i Transportu Politechniki Śląskiej], [2002], s. 187-190, bibliogr. 12 poz.

168/266
Nr opisu: 0000014077
Dobór parametrów obróbki laserowej kompozytu AK12SiC.
[Aut.]: Andrzej Grabowski, Marian Nowak, Józef** Śleziona.
W: Nowe technologie i materiały w metalurgii i inżynierii materiałowej. Materiały IX seminarium naukowego, Katowice, 11 maja 2001. [Katowice] : [Wydział Inżynierii Materiałowej, Metalurgii i Transportu Politechniki Śląskiej], [2001], s. 239-242, bibliogr. 8 poz.

169/266
Nr opisu: 0000004144
New VAR technique for investigations of laser treated dental materials.
[Aut.]: M. Tanasiewicz, T. Kupka, Marian Nowak, Mirosława Kępińska.
-J. Dent. Res. 2001 vol. 80 iss. 4, s. 1283. Impact Factor 3.350

170/266
Nr opisu: 0000007172
Roughness of amorphous Zn-P thin films.
[Aut.]: B. Jarząbek, J. Jurusik, Jan* Cisowski, Marian Nowak.
-Opt. Appl. 2001 vol. 31 no. 1, s. 93-101. Impact Factor 0.298

171/266
Nr opisu: 0000000176
Temperature dependence of optical energy gap of gallium selenide.
[Aut.]: Mirosława Kępińska, Marian Nowak, Z. Kovalyuk, R. Murri.
-J. Wide Bandgap Mater. 2001 vol. 8 no. 3/4, s. 251-259, bibliogr. 19 poz.

172/266
Nr opisu: 0000010667
Temperature dependence of optical energy gap of GaSe.
[Aut.]: Mirosława Kępińska, Z. Kovalyuk, R. Murri, Marian Nowak.
W: Novel applications of wide bandgap layers. 3rd International conference, Zakopane 26-30 June 2001. Abstract book. Eds: J. Szmidt, A. Werbowy. New York : Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2001, s. 146

173/266
Nr opisu: 0000000177
Temperature dependence of optical parameters of gallium sulphide.
[Aut.]: Mirosława Kępińska, Marian Nowak, Maria** Szałajko, R. Murri.
-J. Wide Bandgap Mater. 2001 vol. 8 no 3/4, s. 241-249, bibliogr. 17 poz.

174/266
Nr opisu: 0000010666
Temperature dependence of optical parameters of GaS.
[Aut.]: Mirosława Kępińska, R. Murri, Marian Nowak, Maria** Szałajko.
W: Novel applications of wide bandgap layers. 3rd International conference, Zakopane 26-30 June 2001. Abstract book. Eds: J. Szmidt, A. Werbowy. New York : Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2001, s. 145

175/266
Nr opisu: 0000014011
Wykorzystanie efektu Joule'a-Thomsona dla wyznaczenia temperaturowej zależności przerwy energetycznej GaSe.
[Aut.]: Mirosława Kępińska, Marian Nowak, Maria** Szałajko, Z. Kovalyuk.
W: Nowe technologie i materiały w metalurgii i inżynierii materiałowej. Materiały IX seminarium naukowego, Katowice, 11 maja 2001. [Katowice] : [Wydział Inżynierii Materiałowej, Metalurgii i Transportu Politechniki Śląskiej], [2001], s. 203-208, bibliogr. 7 poz.

176/266
Nr opisu: 0000004955
Application of high-frequency contactless method of PEM investigations to examine near-surface layer of Si and GaAs.
[Aut.]: Marian Nowak, Barbara Solecka.
-Vacuum 2000 vol. 57 iss. 2, s. 237-242, bibliogr. 7 poz.. Impact Factor 0.520

177/266
Nr opisu: 0000004374
Influence of electron states parameters on results of SSPG measurements.
[Aut.]: Marian Nowak, Anna Starczewska.
W: Surface and thin film structures'1999. Proceedings of the 7th seminar on surface and thin film structures, Kazimierz Dolny, Poland, September 15-18, 1999. Ed. by M. Jałochowski. Warszawa : Institute of Electron Technology, 2000, s. 412-415, bibliogr. 25 poz. (Electron Technology ; vol. 33, no. 3 0070-9816)

178/266
Nr opisu: 0000010797
Modification of the optical and elelctronics parameters a-Si:H as a result of annealed with a CO2 laser radiation.
[Aut.]: Andrzej Grabowski, Marian Nowak.
W: Laser technology VI: applications, Szczecin-Świnoujście, 27 September-1 October 1999. Eds: Wiesław Woliński, Zdzisław Jankiewicz. Bellingham : SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2000, s. 174-179 (Proceedings of SPIE ; vol. 4238 0277-786X)

179/266
Nr opisu: 0000073099
Ocena stanu powierzchownej warstwy szkliwa oraz niektórych rodzajów wypełnień po działaniu lasera CO₂.
[Aut.]: M. Tanasiewicz, Marian Nowak, T. Kupka, H. Szenowski, Andrzej Grabowski.
-Czas. Stomatol. 2000 t. 53 nr 12, s. 765-773, bibliogr. 9 poz.

laser molekularny CO2 ; szkliwo ; wypełniacz

molecular laser CO2 ; enamel ; filling material

180/266
Nr opisu: 0000073111
Próby zastosowania bioalikacji twardej wiązki laserowej na poziomie testów przedklinicznych. Doniesienie wstępne.
[Aut.]: M. Tanasiewicz, Marian Nowak, T. Kupka, H. Szenowski, Andrzej Grabowski, W. Fedodrów.
W: Biomateriały i mechanika w stomatologii. Materiały IV konferencji, Ustroń Jaszowiec, 19-22 październik 2000 r.. Śląska Akademia Medyczna w Katowicach. Katowice : Śląska Akademia Medyczna, 2000, s. 280-284, bibliogr. 9 poz. (Annales Academiae Medicae Silesiensis ; Supl. 31 0208-5607)

laser molekularny CO2 ; szkliwo

molecular laser CO2 ; enamel

181/266
Nr opisu: 0000002178
Widmowa reflektometria zmiennokątowa.
[Aut.]: Mirosława Kępińska, Marian Nowak, Zbigniew Opilski.
W: Nowe technologie i materiały w metalurgii i inżynierii materiałowej. Materiały VIII Seminarium naukowego, Katowice, 12 maja 2000. Wydział Inżynierii Materiałowej, Metalurgii i Transportu Politechniki Śląskiej. [Katowice] : [Wydział Inżynierii Materiałowej, Metalurgii i Transportu Politechniki Śląskiej], [2000], s. 379-382, bibliogr. 4 poz.

182/266
Nr opisu: 0000008075
Analysis of small-signal response of the SiO2-(n) GaAs interface based on a surface disorder model.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, Marian Nowak.
W: Proceedings of the 19th International Seminar on Surface Physics, Polanica-Zdrój, Poland, 15-19 June 1998. Eds: T. L. Barr [i in.]. [B.m.] : Pergamon Press, 1999, s. 183-188, bibliogr. 21 poz. (Vacuum ; vol. 54, nr 1-4 0042-207X)

183/266
Nr opisu: 0000012174
Badania cienkich warstw półprzewodników metodą statycznej siatki interferencyjnej generowanej światłem. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Anna Starczewska.
Gliwice, 1999, 114 s., bibliogr. 71 poz.
Politechnika Śląska. Wydział Matematyczno-Fizyczny. Promotor: prof. dr hab. inż. Marian** Nowak

184/266
Nr opisu: 0000006727
Badanie własności optycznych i fotoelektrycznych SbSJ w pobliżu przejścia fazowego.
[Aut.]: P. Gorczycki, Mirosława Kępińska, Marian Nowak.
W: Nowe technologie i materiały w metalurgii i inżynierii materiałowej. VII Seminarium naukowe, Katowice, 13-14 maja 1999. [B.m.] : [b.w.], [1999], s. 397-402, bibliogr. 6 poz.

185/266
Nr opisu: 0000005184
Distribution of radiation intensity in a thin semiconductor film on a thick substrate.
[Aut.]: V. Augelli, Marian Nowak.
-Thin Solid Films 1999 vol. 338, s. 188-196, bibliogr. 19 poz.. Impact Factor 1.101

186/266
Nr opisu: 0000005439
Influence of spatial distribution of radiation on steady-state photocarrier grating measurement.
[Aut.]: Marian Nowak, Anna Starczewska.
-J. Non-Cryst. Solids 1999 vol. 260, s. 41-53, bibliogr. 22 poz.. Impact Factor 1.340

187/266
Nr opisu: 0000014744
Parametry optyczne i rekombinacyjne GaSe oraz GaSe:As. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Mirosława Kępińska.
Gliwice, 1999, 113 s., bibliogr. 73 poz.
Politechnika Śląska. Wydział Matematyczno-Fizyczny. Promotor: dr hab. inż. Marian** Nowak

188/266
Nr opisu: 0000006728
Przestrzenny rozkład wartości parametrów optycznych w GaSe.
[Aut.]: Mirosława Kępińska, Marian Nowak.
W: Nowe technologie i materiały w metalurgii i inżynierii materiałowej. VII Seminarium naukowe, Katowice, 13-14 maja 1999. [B.m.] : [b.w.], [1999], s. 403-408, bibliogr. 14 poz.

189/266
Nr opisu: 0000008471
Patent. Polska, nr 176 712. Sposób wyznaczania czasu życia nośników ładunku elektrycznego w półprzewodnikach. Int. Cl. G01R 31/26.
Politechnika Śląska, Polska
Twórcy: Marian Nowak, B. Loncierz.
Zgłosz. nr 306 613 z 28.12.1994. Opubl. 30.07.1999, 3 s.

190/266
Nr opisu: 0000006725
Wyznaczanie parametrów optycznych charakteryzujących oddziaływanie promieniowania lasera CO2 na wybrane materiały.
[Aut.]: Marian Nowak, Adam** Hernas, Andrzej Grabowski, D. Piguła.
W: Nowe technologie i materiały w metalurgii i inżynierii materiałowej. VII Seminarium naukowe, Katowice, 13-14 maja 1999. [B.m.] : [b.w.], [1999], s. 393-396, bibliogr. 9 poz.

191/266
Nr opisu: 0000024516
Angular distribution of intensity of reflected radiation investigations of the influence of CO₂ laser treatment on optical properties of hydrogenated amorphous silicon.
[Aut.]: Andrzej Grabowski, Janusz* Jaglarz, Marian Nowak.
-Opt. Laser Technol. 1998 vol. 30 iss. 3/4, s. 183-187, bibliogr. 14 poz.

192/266
Nr opisu: 0000024514
Comparison of optical constants and average thickness of inhomogeneous rough thin films obtained from special dependences of optical transmittance and reflectance.
[Aut.]: Mirosława Kępińska, Marian Nowak.
-NDT and E Int. 1998 vol. 31 no 2, s. 105-110, bibliogr. 17 poz.

193/266
Nr opisu: 0000025890
Determining of diffusion length of carries in thin films of α-Si:H using SSPG technique.
[Aut.]: Marian Nowak, Anna Starczewska.
W: Surface and thin film structures 1997. Proceedings of the 5th seminar, Ustroń, Poland, September 23-26, 1997. Ed. by J. Szuber. Warszawa : Institute of Electron Technology, 1998, s. 420-424, bibliogr. 12 poz. (Electron Technology ; vol. 31, no. 3/4 0070-9816)

194/266
Nr opisu: 0000025063
Determining spatial dependence of diffusion length of carries in thin films of -Si:H.
[Aut.]: Marian Nowak, Anna Starczewska.
W: National Symposium on Crystalline Microstructures, Poznań, 2-4 July 1997. Ed. M. Oszwałdowski. Institute of Physics. Technical University of Poznań, Polish Society for Crystal Growth. Poznań : Ośrodek Wydaw. Naukowych, 1998, s. 137-138, bibliogr. 5 poz. (Molecular Physics Reports ; vol. 21 1505-1250)

195/266
Nr opisu: 0000025891
Determining temperature dependence of carrier lifetime using contactless PEM investigations of semiconductors.
[Aut.]: B. Loncierz, Marian Nowak.
W: National Symposium on Crystalline Microstructures, Poznań, 2-4 July 1997. Ed. M. Oszwałdowski. Institute of Physics. Technical University of Poznań, Polish Society for Crystal Growth. Poznań : Ośrodek Wydaw. Naukowych, 1998, s. 135-136, bibliogr. 3 poz. (Molecular Physics Reports ; vol. 21 1505-1250)

196/266
Nr opisu: 0000025998
Energetic distribution of midgap states in Si:H annealed with a CO2 laser radiation.
[Aut.]: Andrzej Grabowski, Marian Nowak.
W: National Symposium on Crystalline Microstructures, Poznań, 2-4 July 1997. Ed. M. Oszwałdowski. Institute of Physics. Technical University of Poznań, Polish Society for Crystal Growth. Poznań : Ośrodek Wydaw. Naukowych, 1998, s. 131-133, bibliogr. 5 poz. (Molecular Physics Reports ; vol. 21 1505-1250)

197/266
Nr opisu: 0000026158
Investigations of α-Si thin film using new technique of variable angle reflectometry (VAR).
[Aut.]: Janusz* Jaglarz, Marian Nowak.
W: Surface and thin film structures 1997. Proceedings of the 5th seminar, Ustroń, Poland, September 23-26, 1997. Ed. by J. Szuber. Warszawa : Institute of Electron Technology, 1998, s. 405-408, bibliogr. 8 poz. (Electron Technology ; vol. 31, no. 3/4 0070-9816)

198/266
Nr opisu: 0000026048
Investigations of GaSe using interference spectroscopy of optical and photoelectrical responses.
[Aut.]: Mirosława Kępińska, Marian Nowak.
W: National Symposium on Crystalline Microstructures, Poznań, 2-4 July 1997. Ed. M. Oszwałdowski. Institute of Physics. Technical University of Poznań, Polish Society for Crystal Growth. Poznań : Ośrodek Wydaw. Naukowych, 1998, s. 127-129, bibliogr. 6 poz. (Molecular Physics Reports ; vol. 21 1505-1250)

199/266
Nr opisu: 0000027875
Investigations of layered semiconductors using photoreflectance.
[Aut.]: Mirosława Kępińska, Marian Nowak, Ewa** Wilk.
W: Surface and thin film structures 1997. Proceedings of the 5th seminar, Ustroń, Poland, September 23-26, 1997. Ed. by J. Szuber. Warszawa : Institute of Electron Technology, 1998, s. 342-345, bibliogr. 11 poz. (Electron Technology ; vol. 31, no. 3/4 0070-9816)

200/266
Nr opisu: 0000024515
Investigations of spatial distributions of intensity of radiation reflected from thin films which are inhomogeneous over thickness.
[Aut.]: Janusz* Jaglarz, Marian Nowak.
-J. Mod. Opt. 1998 vol. 45 no. 12, s. 2451-2460, bibliogr. 11 poz.

201/266
Nr opisu: 0000024513
New technique of VAR investigations of thin films on thick substrates.
[Aut.]: Janusz* Jaglarz, Marian Nowak.
-NDT and E Int. 1998 vol. 31 no. 5, s. 341-347, bibliogr. 15 poz.

202/266
Nr opisu: 0000026188
Optical and photoelectrical investigations of Ge20Se69Bi11 thin films.
[Aut.]: Mirosława Kępińska, Marian Nowak, S. Okuniewicz, Barbara Solecka.
W: Surface and thin film structures 1997. Proceedings of the 5th seminar, Ustroń, Poland, September 23-26, 1997. Ed. by J. Szuber. Warszawa : Institute of Electron Technology, 1998, s. 417-419, bibliogr. 9 poz. (Electron Technology ; vol. 31, no. 3/4 0070-9816)

203/266
Nr opisu: 0000026187
Optical properties of magnetron sputtered α-Si:H treated with a CO2 laser.
[Aut.]: Andrzej Grabowski, Marian Nowak.
W: Surface and thin film structures 1997. Proceedings of the 5th seminar, Ustroń, Poland, September 23-26, 1997. Ed. by J. Szuber. Warszawa : Institute of Electron Technology, 1998, s. 401-404, bibliogr. 10 poz. (Electron Technology ; vol. 31, no. 3/4 0070-9816)

204/266
Nr opisu: 0000013691
Wykorzystanie odbicia stymulowanego światłem w badaniach przerwy energetycznej GaSe.
[Aut.]: Mirosława Kępińska, Marian Nowak.
W: Nowe technologie i materiały w metalurgii i inżynierii materiałowej. VI Seminarium naukowe, Katowice, 22 maja 1998. [B.m.] : [b.w.], [1998], s. 277-280, bibliogr. 13 poz.

205/266
Nr opisu: 0000039980
Wyznaczanie czasu życia nośników ładunku w półprzewodnikach na podstawie charakterystyk częstotliwościowych rejestrowanych bezkontaktową metodą fotomagnetoelektryczną. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Barbara Solecka.
Gliwice, 1998, 98 s., bibliogr. 41 poz.
Politechnika Śląska. Wydział Matematyczno-Fizyczny. Promotor: dr hab. inż. Marian** Nowak

206/266
Nr opisu: 0000028066
ADIRR investigations of temperature dependence of optical properties of alpha-Si.
[Aut.]: Janusz* Jaglarz, Marian Nowak.
W: Surface and thin film structures 1996. Proceedings of the 4th seminar, Kazimierz Dolny, Poland, September 18-21, 1996. Ed. M. Jałochowski. Warszawa : Institute of Electron Technology, 1997, s. 213-215, bibliogr. 7 poz. (Electron Technology ; vol. 30, no. 2 0070-9816)

207/266
Nr opisu: 0000028065
Analysis of MIS GaAs capacitance versus frequency data using least-squares method.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, Marian Nowak.
W: Surface and thin film structures 1996. Proceedings of the 4th seminar, Kazimierz Dolny, Poland, September 18-21, 1996. Ed. M. Jałochowski. Warszawa : Institute of Electron Technology, 1997, s. 109-112, bibliogr. 12 poz. (Electron Technology ; vol. 30, no. 2 0070-9816)

208/266
Nr opisu: 0000009550
Badanie struktur półprzewodnikowych metodą odbicia stymulowanego światłem.
[Aut.]: Mirosława Kępińska, Marian Nowak, Ewa** Wilk.
W: Podstawy fizyczne badań nieniszczących. Materiały II krajowej konferencji, Gliwice [3-5 września] 1997. Gliwice : Instytut Fizyki Politechniki Śląskiej, 1997, s. 127-134, bibliogr. 9 poz.

209/266
Nr opisu: 0000009558
Bezkontaktowa metoda fotomagnetoelektryczna wyznaczania czasu życia nośników ładunku elektrycznego w półprzewodnikach.
[Aut.]: B. Loncierz, Marian Nowak.
W: Podstawy fizyczne badań nieniszczących. Materiały II krajowej konferencji, Gliwice [3-5 września] 1997. Gliwice : Instytut Fizyki Politechniki Śląskiej, 1997, s. 185-192, bibliogr. 24 poz.

210/266
Nr opisu: 0000013502
Cięcie laserowe szkła kryształowego.
[Aut.]: Andrzej Grabowski, Mirosława Kępińska, Marian Nowak.
W: Nowe technologie i materiały w metalurgii i inżynierii materiałowej. V Seminarium naukowe, Katowice, 16 maja 1997. [B.m.] : [b.w.], [1997], s. 253-256, bibliogr. 1 poz.

211/266
Nr opisu: 0000027049
Ćwiczenia laboratoryjne z fizyki. Praca zbiorowa. Pod red. M. Nowaka.
[Aut.]: E. Berdowska, Jan** Białoń, Joachim** Gmyrek, Andrzej Grabowski, Janusz* Jaglarz, Krystyna** Kobylańska-Szkaradek, Edward* Kwaśniewicz, Marian Nowak, Tadeusz* Sosiński, M. Wojaczek, J. Wolny. Wyd. 3.
Gliwice : Wydaw. Politechniki Śląskiej, 1997, 570 s., bibliogr. 79 poz.
(Skrypt ; Politechnika Śląska nr 2053 0434-0825)

212/266
Nr opisu: 0000028072
Determination of density of states in -Si:H,F thin films using spectral, temperature and illumination intensity dependencies of photoconductivity.
[Aut.]: Marian Nowak.
W: Surface and thin film structures 1996. Proceedings of the 4th seminar, Kazimierz Dolny, Poland, September 18-21, 1996. Ed. M. Jałochowski. Warszawa : Institute of Electron Technology, 1997, s. 222-224, bibliogr. 7 poz. (Electron Technology ; vol. 30, no. 2 0070-9816)

213/266
Nr opisu: 0000027797
Determining carrier lifetime using frequency dependence in contactless photoelectromagnetic investigations of GaAs:Te, GaAs:Si, and MQW on GaAs.
[Aut.]: B. Loncierz, Marian Nowak.
W: Solid state crystals in optoelectronics and semiconductor technology, Zakopane, Poland, 7-11 October 1996. Eds: A. Rogalski [i in.]. Bellingham : SPIE - The International Society for Optical Engineering, 1997, s. 151-157, bibliogr. 18 poz. (Proceedings of SPIE ; vol. 3179 0277-786X)

214/266
Nr opisu: 0000028069
Influence of CO2 laser annealing on optoelectronical parameters of alfa-Si:H.
[Aut.]: Andrzej Grabowski, Marian Nowak.
W: Surface and thin film structures 1996. Proceedings of the 4th seminar, Kazimierz Dolny, Poland, September 18-21, 1996. Ed. M. Jałochowski. Warszawa : Institute of Electron Technology, 1997, s. 145-148, bibliogr. 11 poz. (Electron Technology ; vol. 30, no. 2 0070-9816)

215/266
Nr opisu: 0000027768
Influence of spatial distribution of radiation on photoconductivity and photoelectromagnetic effect in a thin semiconductor film.
[Aut.]: Marian Nowak.
W: Surface and thin film structures 1996. Proceedings of the 4th Seminar, Kazimierz Dolny, Poland, September 18-21, 1996. Ed. by M. Jałochowski. Warszawa : Institute of Electron Technology, 1997, s. 216-221, bibliogr. 34 poz. (Electron Technology ; vol. 30, no. 2 0070-9816)

216/266
Nr opisu: 0000009549
Kalibracja aparatury do badań półprzewodników bezkontaktową metodą fotomagnetoelektryczną.
[Aut.]: B. Loncierz, Marian Nowak.
W: Podstawy fizyczne badań nieniszczących. Materiały II krajowej konferencji, Gliwice [3-5 września ] 1997. Gliwice : Instytut Fizyki Politechniki Śląskiej, 1997, s. 177-183, bibliogr. 2 poz.

217/266
Nr opisu: 0000009697
Nowy wariant skaterometrycznych badań własności optycznych cienkich warstw na płaskorównoległych podłożach.
[Aut.]: Janusz* Jaglarz, Marian Nowak.
W: Podstawy fizyczne badań nieniszczących. Materiały II krajowej konferencji, Gliwice [3-5 września] 1997. Gliwice : Instytut Fizyki Politechniki Śląskiej, 1997, s. 93-100, bibliogr. 7 poz.

218/266
Nr opisu: 0000028603
Optical and recombination parameters of GaSe obtained from interference spectroscopy of transmittance, reflectance, photoconductivity, and photomagnetoelectric responses.
[Aut.]: Mirosława Kępińska, Marian Nowak.
W: Solid state crystals in optoelectronics and semiconductor technology, Zakopane, Poland, 7-11 October 1996. Eds: A. Rogalski [i in.]. Bellingham : SPIE - The International Society for Optical Engineering, 1997, s. 147-150, bibliogr. 5 poz. (Proceedings of SPIE ; vol. 3179 0277-786X)

219/266
Nr opisu: 0000073297
Optical, photoelectric and photomagnetoelectric investigations of semiconductors.
[Aut.]: Marian Nowak.
-Ann. Report Siles. Tech. Univ., Inst. Phys. 1997, s. 42-44

220/266
Nr opisu: 0000027009
Przewodnik do wykładów z fizyki.
[Aut.]: Marian Nowak. Wyd. 2.
Gliwice : Wydaw. Politechniki Śląskiej, 1997, 347 s., bibliogr. 26 poz.
(Skrypt ; Politechnika Śląska nr 2033 0434-0825)

221/266
Nr opisu: 0000009547
Spektroskopia interferencyjna transmisji i odbicia jako metoda wyznaczania geometrycznych i optycznych parametrów cienkich warstw.
[Aut.]: Andrzej Grabowski, Mirosława Kępińska, Marian Nowak.
W: Podstawy fizyczne badań nieniszczących. Materiały II krajowej konferencji, Gliwice [3-5 września] 1997. Gliwice : Instytut Fizyki Politechniki Śląskiej, 1997, s. 77-84, bibliogr. 6 poz.

222/266
Nr opisu: 0000013503
Wpływ obróbki laserem CO₂ na parametry optyczne i strukturę przerwy ruchliwości amorficznego krzemu.
[Aut.]: Andrzej Grabowski, Marian Nowak.
W: Nowe technologie i materiały w metalurgii i inżynierii materiałowej. V Seminarium naukowe, Katowice, 16 maja 1997. [B.m.] : [b.w.], [1997], s. 257-260

223/266
Nr opisu: 0000038150
Wpływ obróbki laserem CO2 na parametry optyczne i strukturę przerwy ruchliwości amorficznego krzemu. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Andrzej Grabowski.
Gliwice, 1997, 124 s., bibliogr. 89 poz.
Politechnika Śląska. Wydział Matematyczno-Fizyczny. Promotor: dr hab. inż. Marian** Nowak

224/266
Nr opisu: 0000027012
Wybrane zagadnienia fizyki technicznej.
[Aut.]: Marian Nowak. Wyd. 2.
Gliwice : Wydaw. Politechniki Śląskiej, 1997, 241 s., bibliogr. 39 poz.
(Skrypt ; Politechnika Śląska nr 2052 0434-0825)

225/266
Nr opisu: 0000009551
Wzrost efektywności badań ADIRR na podłożach zwierciadlanych.
[Aut.]: Janusz* Jaglarz, Marian Nowak.
W: Podstawy fizyczne badań nieniszczących. Materiały II krajowej konferencji, Gliwice [3-5 września] 1997. Gliwice : Instytut Fizyki Politechniki Śląskiej, 1997, s. 101-107, bibliogr. 4 poz.

226/266
Nr opisu: 0000035030
Badania własności półprzewodników w ZFCS Instytutu Fizyki Politechniki Śląskiej.
[Aut.]: Marian Nowak.
-Zesz. Nauk. PŚl., Mat. 1996 z. 73, s. 175-195, bibliogr. 25 poz.

227/266
Nr opisu: 0000033447
Determination of optical constants and average thickness of thin films on thick substrates using angular distribution of intensity of reflected radiation.
[Aut.]: Janusz* Jaglarz, Marian Nowak.
-Thin Solid Films 1996 vol. 278, s. 124-128, bibliogr. 7 poz.

228/266
Nr opisu: 0000035139
Determination of recombination and photogeneration parameters of a-Si:H using photoconductivity measurements.
[Aut.]: Andrzej Grabowski, Marian Nowak, P. Tzanetakis.
-Thin Solid Films 1996 vol. 283 iss. 1/2, s. 75-80, bibliogr. 14 poz.

229/266
Nr opisu: 0000035941
Filmy komputerowe ilustrujące wybrane zjawiska optyczne i fotoelektryczne w półprzewodnikach.
[Aut.]: A. Jędruchów, Marian Nowak.
W: Nauczanie fizyki w wyższych szkołach technicznych. Materiały z konferencji "XI Dni wymiany doświadczeń w nauczaniu fizyki w wyższych szkołach technicznych", Warszawa, 27-28 czerwca 1996. Warszawa : Oficyna Wydaw. Politechniki Warszawskiej, 1996, s. 49-52, bibliogr. 1 poz. (Prace Naukowe ; Politechnika Warszawska Konferencje ; z. 10)

230/266
Nr opisu: 0000035138
Influence of surface layer damaging on photoelectromagnetic effect.
[Aut.]: Stanisław* Łoś, Marian Nowak.
-Electron Technol. 1996 vol. 29 nr 1, s. 45-49, bibliogr. 15 poz.

231/266
Nr opisu: 0000035036
Nowe stanowiska badawcze w ZFCS Instytutu Fizyki Politechniki Śląskiej.
[Aut.]: Andrzej Grabowski, Janusz* Jaglarz, Mirosława Kępińska, B. Loncierz, Marian Nowak, Anna Starczewska.
-Zesz. Nauk. PŚl., Mat. 1996 z. 73, s. 91-115, bibliogr. 16 poz.

232/266
Nr opisu: 0000073243
Optical, photoelectric and photomagnetoelectric investigations of semiconductors.
[Aut.]: Marian Nowak.
-Ann. Report Siles. Tech. Univ., Inst. Phys. 1996, s. 41-47, bibliogr. 2 poz.

233/266
Nr opisu: 0000035486
Wybrane zagadnienia fizyki technicznej.
[Aut.]: Marian Nowak.
Gliwice : Wydaw. Politechniki Śląskiej, 1996, 241 s., bibliogr. 39 poz.
(Skrypty Uczelniane ; Politechnika Śląska nr 1969 0434-0825)

234/266
Nr opisu: 0000035035
Wyznaczanie optycznych i geometrycznych parametrów cienkich warstw a-Si:H metodą badań transmisji optycznej.
[Aut.]: Andrzej Grabowski, Marian Nowak.
-Zesz. Nauk. PŚl., Mat. 1996 z. 73, s. 117-131, bibliogr. 6 poz.

235/266
Nr opisu: 0000041875
Wyznaczanie parametrów optycznych i geometrycznych cienkich warstw na grubych podłożach na podstawie rozkładu kątowego natężenia światła odbitego. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Janusz* Jaglarz.
Gliwice, 1996, 101 s., bibliogr. 56 poz.
Politechnika Śląska. Wydział Matematyczno-Fizyczny. Promotor: dr hab. inż. Marian** Nowak

236/266
Nr opisu: 0000032868
Determination of optical constants and average thickness of inhomogeneous-rough thin films using special dependence of optical transmittance.
[Aut.]: Marian Nowak.
-Thin Solid Films 1995 vol. 254, s. 200-210, bibliogr. 13 poz.

237/266
Nr opisu: 0000033247
Determining carrier lifetime using frequency dependence in contactless photoelectromagnetic investigations of semiconductors.
[Aut.]: B. Loncierz, R. Murri, Marian Nowak.
-Thin Solid Films 1995 vol. 266 iss. 2, s. 274-277, bibliogr. 26 poz.

238/266
Nr opisu: 0000033248
Linear distribution of intensity of radiation reflected from and transmitted through a thin film on a thick substrate.
[Aut.]: Marian Nowak.
-Thin Solid Films 1995 vol. 266, s. 258-262, bibliogr. 9 poz.

239/266
Nr opisu: 0000033257
Liniowy rozkład natężenia światła odbitego od cienkiej warstwy na grubej płytce.
[Aut.]: Marian Nowak.
-Zesz. Nauk. PŚl., Mat. 1995 z. 74, s. 95-114, bibliogr. 6 poz.

240/266
Nr opisu: 0000033258
Liniowy rozkład natężenia światła przechodzącego przez cienką warstwę na grubej płytce.
[Aut.]: Marian Nowak.
-Zesz. Nauk. PŚl., Mat. 1995 z. 74, s. 79-93, bibliogr. 5 poz.

241/266
Nr opisu: 0000033259
Metoda wyznaczania optycznych i geometrycznych parametrów cienkich warstw na podstawie widmowych badań transmisji optycznej.
[Aut.]: Marian Nowak.
-Zesz. Nauk. PŚl., Mat. 1995 z. 74, s. 65-77, bibliogr. 5 poz.

242/266
Nr opisu: 0000033256
Opis teoretyczny fotoprzewodnictwa w cienkiej warstwie półprzewodnikowej na grubej płytce.
[Aut.]: Marian Nowak.
-Zesz. Nauk. PŚl., Mat. 1995 z. 74, s. 115-129, biblogr. 6 poz.

243/266
Nr opisu: 0000073279
Optical, photoelectric and photomagnetoelectric investigations of semiconductors.
[Aut.]: Marian Nowak.
-Ann. Report Siles. Tech. Univ., Inst. Phys. 1995, s. 45-53, bibliogr. 4 poz.

244/266
Nr opisu: 0000033554
Przewodnik do wykładów z fizyki.
[Aut.]: Marian Nowak.
Gliwice : Wydaw. Politechniki Śląskiej, 1995, 347 s., bibliogr. 26 poz.
(Skrypty Uczelniane ; Politechnika Śląska nr 1888 0434-0825)

245/266
Nr opisu: 0000033260
Wpływ niejednorodności cienkich warstw i niepełnej koherencyjności promieniowania na transmisję optyczną.
[Aut.]: Marian Nowak.
-Zesz. Nauk. PŚl., Mat. 1995 z. 74, s. 53-64, bibliogr. 4 poz.

246/266
Nr opisu: 0000044841
Ćwiczenia laboratoryjne z fizyki. Praca zbiorowa. Pod red. M. Nowaka.
[Aut.]: E. Berdowska, Jan** Białoń, Joachim** Gmyrek, Andrzej Grabowski, Janusz* Jaglarz, Krystyna** Kobylańska-Szkaradek, Edward* Kwaśniewicz, Marian Nowak, Tadeusz* Sosiński, M. Wojaczek, J. Wolny. Wyd. 2 rozsz..
Gliwice : Wydaw. Politechniki Śląskiej, 1994, 570 s., bibliogr. 79 poz.
(Skrypty Uczelniane ; Politechnika Śląska nr 1859 0434-0825)

247/266
Nr opisu: 0000043946
Determination of optical constants and average thickness if inhomogeneous rough thin films using spectral dependence of optical transmittance.
[Aut.]: Marian Nowak.
-Ann. Report Siles. Tech. Univ., Inst. Phys. 1994, s. 75-76, bibliogr. 1 poz.

248/266
Nr opisu: 0000043743
Distribution of radiation intensity in a semiconductor film.
[Aut.]: Marian Nowak.
-Opt. Eng. 1994 vol. 33 no. 5, s. 1501-1510, bibliogr. 31 poz.

249/266
Nr opisu: 0000043945
Distribution of radiation intensity in a semiconductor film.
[Aut.]: Marian Nowak.
-Ann. Report Siles. Tech. Univ., Inst. Phys. 1994, s. 73-74, bibliogr. 1 poz.

250/266
Nr opisu: 0000044114
Filmy komputerowe ilustrujące wybrane zjawiska fotoelektryczne i fotomagnetoelektryczne w półprzewodnikach.
[Aut.]: M. Swoboda, Marian Nowak, Ewa** Wilk.
W: X Dni wymiany doświadczeń w nauczaniu fizyki w wyższych szkołach technicznych, Kraków, 27-29 czerwca 1994. [B.m.] : [b.w.], 1994, s. 138-140, bibliogr. 1 poz.

251/266
Nr opisu: 0000056230
Badanie zależności siły elektromotorycznej ogniwa od obciążenia. Prawa Kirchhoffa dla prądu stałego.
[Aut.]: Krystyna** Kobylańska-Szkaradek, Marian Nowak, Tadeusz* Sosiński.
W: IX Dni wymiany doświadczeń w nauczaniu fizyki w wyższych szkołach technicznych. Ogólnopolskie seminarium dydaktyczne, Gliwice, 24-25 czerwca 1992. Instytut Fizyki. Wydzial Matematyczno-Fizyczny. Politechnika Śląska. [B.m.] : [b.w.], 1992, s. 62

252/266
Nr opisu: 0000056227
Badanie zależności temperaturowej natężenia promieniowania podczerwonego emitowanego przez ciała o różnym stanie powierzchni.
[Aut.]: Joachim** Gmyrek, Marian Nowak.
W: IX Dni wymiany doświadczeń w nauczaniu fizyki w wyższych szkołach technicznych. Ogólnopolskie seminarium dydaktyczne, Gliwice, 24-25 czerwca 1992. Instytut Fizyki. Wydział Matematyczno-Fizyczny. Politechnika Śląska. [B.m.] : [b.w.], 1992, s. 60-61, bibliogr. 2 poz.

253/266
Nr opisu: 0000053329
Ćwiczenia laboratoryjne z fizyki. Praca zbiorowa. Pod red. Mariana Nowaka.
[Aut.]: Ewa* Berdowska, Jan** Białoń, Joachim** Gmyrek, Andrzej Grabowski, Janusz* Jaglarz, Krystyna** Kobylańska-Szkaradek, Edward* Kwaśniewicz, Marian Nowak, Tadeusz* Sosiński, M. Wojaczek, J. Wolny.
Gliwice : Wydaw. Politechniki Śląskiej, 1992, 536 s., bibliogr. 77 poz.
(Skrypty Uczelniane ; Politechnika Śląska nr 1718 0434-0825)

254/266
Nr opisu: 0000052731
Program komputerowy wykorzystywany do matematycznej obróbki wyników pomiarów.
[Aut.]: Marian Nowak.
W: IX Dni wymiany doświadczeń w nauczaniu fizyki w wyższych szkołach technicznych. Ogólnopolskie seminarium dydaktyczne, Gliwice 24-25 czerwca 1992. Instytut Fizyki. Wydział Matematyczno-Fizyczny. Politechnika Śląska. [B.m.] : [b.w.], 1992, s. 71

255/266
Nr opisu: 0000056225
Wyznaczanie czasu życia nośników ładunku poprzez badanie charakterystyki częstotliwościowej fotoprzewodnictwa.
[Aut.]: Marian Nowak, Ewa** Wilk.
W: IX Dni wymiany doświadczeń w nauczaniu fizyki w wyższych szkołach technicznych. Ogólnopolskie seminarium dydaktyczne, Gliwice, 24-25 czerwca 1992. Instytut Fizyki. Wydział Matematyczno-Fizyczny. Politechnika Śląska. [B.m.] : [b.w.], 1992, s. 73

256/266
Nr opisu: 0000052730
Wyznaczanie parametrów półprzewodników w badaniach zależności zjawiska fotomagnetoelektrycznego od indukcji pola magnetycznego.
[Aut.]: Marian Nowak.
W: IX Dni wymiany doświadczeń w nauczaniu fizyki w wyższych szkołach technicznych. Ogólnopolskie seminarium dydaktyczne, Gliwice, 24-25 czerwca 1992. Instytut Fizyki. Wydział Matematyczno-Fizyczny. Politechnika Śląska. [B.m.] : [b.w.], 1992, s. 72

257/266
Nr opisu: 0000056224
Wyznaczanie szerokości szczelin, stałych siatek dyfrakcyjnych i długości fali sprężystej w szkle w badaniach dyfrakcji promieniowania laserowego.
[Aut.]: Krystyna** Kobylańska-Szkaradek, Marian Nowak, M. Wojaczek.
W: IX Dni wymiany doświadczeń w nauczaniu fizyki w wyższych szkołach technicznych. Ogólnopolskie seminarium dydaktyczne, Gliwice, 24-25 czerwca 1992. Instytut Fizyki. Wydział Matematyczno-Fizyczny. Politechnika Śląska. [B.m.] : [b.w.], 1992, s. 63

258/266
Nr opisu: 0000053883
Investigations of technology and properties of a-SI:H and of photoelectromagnetic effect, performed in Silesian Technical University within 1986-1990. [Sprawozdanie].
[Aut.]: Sławomir** Kończak, Marian Nowak.
W: Collected contributions to physical properties of surface and subsurface layer of condensed matter. Informarion on the results obtained in the Central Project of Fundamental Research CPBP 01.08 (1986-1990). University of Lodz. Łódź : Zakład Fizyki Ciała Stałego Uniwersytetu Łódzkiego, 1991, s. 191-200, bibliogr. 7 poz.

259/266
Nr opisu: 0000061933
Influence of field effect on photoconductivity of silicon.
[Aut.]: Stanisław** Kochowski, Marian Nowak.
W: 4th Conference on Surface Physics, Łódź, November 14th-16th, 1989. Proceedings. Vol. 7. Institute of Physics. Technical University of Warsaw. Łódź : Wydaw. Uniwersytetu Łódzkiego, 1990, s. 229-232, bibliogr. 3 poz.

260/266
Nr opisu: 0000061947
Some comments on semiempirical coherence factor used for description of optical transmittance, photoconductivity and photoelectromagnetic efect in a - Si.
[Aut.]: V. Augelli, R. Murri, Marian Nowak.
W: 4th Conference on Surface Physics, Łódź, November 14th-16th, 1989. Proceedings. Vol. 7. Institute of Physics. Technical University of Warsaw. Łódź : Wydaw. Uniwersytetu Łódzkiego, 1990, s. 19-22, bibliogr. 2 poz.

261/266
Nr opisu: 0000062985
Influence of illumination intensity on negative photoconductivity of Si ion implanted GaAs : Cr.
[Aut.]: G. Papaioannou, P. C. Euthymicu, Marian Nowak.
W: 3rd Conference on Surface Physics, Zakopane, 7th - 11th November 1988. Proceedings. Vol. 6. Institute of Technical Physics. Military Technical Academy. Warsaw. Łódź : Wydaw. Uniwersytetu Łódzkiego, 1989, s. 83-86, bibliogr. 19 poz.

262/266
Nr opisu: 0000060921
Influence of illumination intensity on negative photoconductivity of Si ion-implanted GaAs:Cr.
[Aut.]: G. Papaioannou, Marian Nowak, P. Euthymiou.
-J. Appl. Phys. 1989 vol. 65 no. 12, s. 4864-4868, bibliogr. 27 poz.

263/266
Nr opisu: 0000060920
Interference photoconduvtivity and photoelectromagnetic effect in amorphous silicon.
[Aut.]: V. Augelli, R. Murri, Marian Nowak.
-Phys. Rev. B 1989 vol.39 nr 12, s. 8336-8346, bibliogr. 13 poz.

264/266
Nr opisu: 0000062333
Quantum efficiency coefficients for photoconductivity and photoelectromagnetic effect in amorphous silicon.
[Aut.]: V. Augelli, R. Murri, Marian Nowak.
W: 3rd Conference on Surface Physics, Zakopane, 7th - 11th November 1988. Proceedings. Vol. 5. Institute of Technical Physics. Military Technical Academy. Warsaw. Łódź : Wydaw. Uniwersytetu Łódzkiego, 1989, s. 15-18, bibliogr. 5 poz.

265/266
Nr opisu: 0000064624
Photoelectromagnetic effect in semiconductors and its applications.
[Aut.]: Marian Nowak.
Oxford : Pergamon Press, 1987, 141 s., bibliogr. 593 poz.
(Progress in Quantum Electronics ; vol. 11, nr 3/4 0079-6727)

266/266
Nr opisu: 0000064572
Wykorzystanie zjawiska FME do pomiaru współczynnika załamania światła w warstwach tlenkowych na półprzewodnikach.
[Aut.]: Stanisław* Łoś, Marian Nowak.
W: Miernictwo elementów półprzewodnikowych i układów scalonych. VII Krajowa Konferencja, Gdańsk-Sobieszewo, 20-21 września 1988. Program. Streszczenia referatów. Instytut Technologii Elektronicznej Politechniki Gdanskiej, Instytut Technologii Elektronowej w Warszawie, Przemysłowy Instytut Elektroniki w Warszawie. Gdańsk : [b.w.], 1988, s. 13-14, bibliogr. 3 poz.

stosując format: