Wynik wyszukiwania
Zapytanie: MURRI R
Liczba odnalezionych rekordów: 12



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/12
Nr opisu: 0000109605
Silicon based thin film solar cells. Ed. R. Murri.
[B.m.] : Bentham Science Publishers, 2013, 508 s.
Publikacja nie należy do bibliografii Uczelni

2/12
Nr opisu: 0000004620
Magnetotransport effects in semiconductors.
[Aut.]: N. Pinto, R. Murri, Marian Nowak.
W: Handbook of thin film materials. Vol. 5: Nanomaterials and magnetic thin films. Ch. 9. Ed. by H. S. Nalwa. San Diego : Academic Press, 2002, s. 439-494, bibliogr. 297 poz.

3/12
Nr opisu: 0000007356   
Surface and bulk values of real part of refractive index of GaSe.
[Aut.]: Mirosława Kępińska, R. Murri, Marian Nowak.
-Vacuum 2002 vol. 67 iss. 1, s. 143-147. Impact Factor 0.723

4/12
Nr opisu: 0000020685
Temperaturowa zależność przerwy energetycznej krystalicznego siarczku galu.
[Aut.]: Mirosława Kępińska, R. Murri, Marian Nowak, Maria** Szałajko.
W: Nowe technologie i materiały w metalurgii i inżynierii materiałowej. Materiały X seminarium naukowego, Katowice, 10 maja 2002. [Katowice] : [Wydział Inżynierii Materiałowej, Metalurgii i Transportu Politechniki Śląskiej], [2002], s. 199-202, bibliogr. 13 poz.

5/12
Nr opisu: 0000000176
Temperature dependence of optical energy gap of gallium selenide.
[Aut.]: Mirosława Kępińska, Marian Nowak, Z. Kovalyuk, R. Murri.
-J. Wide Bandgap Mater. 2001 vol. 8 no. 3/4, s. 251-259, bibliogr. 19 poz.

6/12
Nr opisu: 0000010667
Temperature dependence of optical energy gap of GaSe.
[Aut.]: Mirosława Kępińska, Z. Kovalyuk, R. Murri, Marian Nowak.
W: Novel applications of wide bandgap layers. 3rd International conference, Zakopane 26-30 June 2001. Abstract book. Eds: J. Szmidt, A. Werbowy. New York : Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2001, s. 146

7/12
Nr opisu: 0000000177
Temperature dependence of optical parameters of gallium sulphide.
[Aut.]: Mirosława Kępińska, Marian Nowak, Maria** Szałajko, R. Murri.
-J. Wide Bandgap Mater. 2001 vol. 8 no 3/4, s. 241-249, bibliogr. 17 poz.

8/12
Nr opisu: 0000010666
Temperature dependence of optical parameters of GaS.
[Aut.]: Mirosława Kępińska, R. Murri, Marian Nowak, Maria** Szałajko.
W: Novel applications of wide bandgap layers. 3rd International conference, Zakopane 26-30 June 2001. Abstract book. Eds: J. Szmidt, A. Werbowy. New York : Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2001, s. 145

9/12
Nr opisu: 0000033247   
Determining carrier lifetime using frequency dependence in contactless photoelectromagnetic investigations of semiconductors.
[Aut.]: B. Loncierz, R. Murri, Marian Nowak.
-Thin Solid Films 1995 vol. 266 iss. 2, s. 274-277, bibliogr. 26 poz.

10/12
Nr opisu: 0000061947
Some comments on semiempirical coherence factor used for description of optical transmittance, photoconductivity and photoelectromagnetic efect in a - Si.
[Aut.]: V. Augelli, R. Murri, Marian Nowak.
W: 4th Conference on Surface Physics, Łódź, November 14th-16th, 1989. Proceedings. Vol. 7. Institute of Physics. Technical University of Warsaw. Łódź : Wydaw. Uniwersytetu Łódzkiego, 1990, s. 19-22, bibliogr. 2 poz.

11/12
Nr opisu: 0000060920   
Interference photoconduvtivity and photoelectromagnetic effect in amorphous silicon.
[Aut.]: V. Augelli, R. Murri, Marian Nowak.
-Phys. Rev. B 1989 vol.39 nr 12, s. 8336-8346, bibliogr. 13 poz.

12/12
Nr opisu: 0000062333
Quantum efficiency coefficients for photoconductivity and photoelectromagnetic effect in amorphous silicon.
[Aut.]: V. Augelli, R. Murri, Marian Nowak.
W: 3rd Conference on Surface Physics, Zakopane, 7th - 11th November 1988. Proceedings. Vol. 5. Institute of Technical Physics. Military Technical Academy. Warsaw. Łódź : Wydaw. Uniwersytetu Łódzkiego, 1989, s. 15-18, bibliogr. 5 poz.

stosując format:
Nowe wyszukiwanie