Wynik wyszukiwania
Zapytanie: MIZUE C
Liczba odnalezionych rekordów: 7



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/7
Nr opisu: 0000083702
Impact of interface states and bulk carrier lifetime on photocapacitance of metal/insulator/GaN structure.
[Aut.]: Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, C. Mizue, T. Hashizume.
W: Extended abstracts of the 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials, Tokyo, 2010. Tokyo : Publication Office Business Center for Academic Society Japan, 2010, s. 1231-1232

2/7
Nr opisu: 0000071702
Capacitance-voltage characteristics of Al2O3/AlGaN/GaN structures and state density distribution at Al2O3/AlGaN interface.
[Aut.]: C. Mizue, Y. Hori, Marcin** Miczek, T. Hashizume.
-Jpn. J. Appl. Phys. 2011 vol. 50 iss. 2, art. no. 021001, bibliogr. 33 poz.. Impact Factor 1.024

3/7
Nr opisu: 0000071687   
Impact of interface states and bulk carrier lifetime on photocapacitance of metal/insulator/GaN structure for ultraviolet light detection.
[Aut.]: Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, C. Mizue, T. Hashizume.
-Jpn. J. Appl. Phys. 2011 vol. 50, art. no. 04DF08, bibliogr. 23 poz.. Impact Factor 1.024

4/7
Nr opisu: 0000071269   
The influence of interface states and bulk carrier lifetime on the minority carrier behavior in an illuminated metal/insulator/GaN structure.
[Aut.]: Marcin** Miczek, P. Bidziński, Bogusława Adamowicz, C. Mizue, T. Hashizume.
-Solid State Commun. 2011 vol. 151 iss. 11, s. 830-833, bibliogr. 37 poz.. Impact Factor 1.649

azotek galu ; struktura MIS ; fotodetektor typu "solar blind"

gallium nitride ; MIS structure ; "solar blind" photodetector

5/7
Nr opisu: 0000057117
Simulations of capacitance-voltage-temperature behavior of metal/insulator/AlGaN and metal/insulator/AlGaN/GaN structures.
[Aut.]: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, C. Mizue, T. Hashizume.
-Jpn. J. Appl. Phys. 2009 vol. 48 iss. 4, art. no. 04C092. Impact Factor 1.138

6/7
Nr opisu: 0000056784
UV-induced variation of interface potential in AlOx/n-GaN structure.
[Aut.]: C. Mizue, Marcin** Miczek, J. Kotani, T. Hashizume.
-Jpn. J. Appl. Phys. 2009 vol. 48 iss. 2, art. no. 020201. Impact Factor 1.138

7/7
Nr opisu: 0000048349   
Effects of interface states and temperature on the C-V behavior of metal/insulator/AIGaN/GaN heterostructure capacitors.
[Aut.]: Marcin** Miczek, C. Mizue, T. Hashizume, Bogusława Adamowicz.
-J. Appl. Phys. 2008 vol. 103 iss. 10, art. no. 104510 s. 1-11, bibliogr. 55 poz.. Impact Factor 2.201

stosując format:
Nowe wyszukiwanie