Wynik wyszukiwania
Zapytanie: MATYS M
Liczba odnalezionych rekordów: 6



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/6
Nr opisu: 0000139064   
Effect of carrier drift-diffusion transport process on thermal quenching of photoluminescence in GaN.
[Aut.]: M. Matys, Bogusława Adamowicz, T. Kachi, T. Hashizume.
-J. Phys., D Appl. Phys. 2021 vol. 54 iss. 5, s. 1-13, bibliogr. 33 poz.. Impact Factor 3.169. Punktacja MNiSW 70.000

GaN ; stan powierzchniowy

GaN ; surface states ; drift diffusion

2/6
Nr opisu: 0000139111   
All-optical transistor using deep-level defects in nitride semiconductors for room temperature optical computing.
[Aut.]: M. Matys, Alina Domanowska, Anna Michalewicz, Bogusława Adamowicz, T. Kachi.
-AIP Adv. 2020 vol. 10 iss. 10, s. 1-25, bibliogr. 25 poz.. Impact Factor 1.337. Punktacja MNiSW 70.000

3/6
Nr opisu: 0000127121   
On the interpretation of cathodoluminescence intensity maps of wide band gap nanowires.
[Aut.]: M. Matys, Bogusława Adamowicz.
-Nanotechnology 2019 vol. 30 iss. 3, s. 1-8, bibliogr. 30 poz.. Impact Factor 3.551. Punktacja MNiSW 100.000

szerokopasmowe materiały szczelinowe ; azotek galu ; metoda elementów skończonych

wide band gap materials ; gallium nitride ; finite element method

4/6
Nr opisu: 0000127652   
Enhancement of channel electric field in AlGaN/GaN multi-nanochannel high electron mobility transistors.
[Aut.]: M. Matys, K. Nishiguchi, Bogusława Adamowicz, J. Kuzmik, T. Hashizume.
-J. Appl. Phys. 2018 vol. 124 iss. 22, art. no. 224502 s. 1-8, bibliogr. 32 poz.. Impact Factor 2.328. Punktacja MNiSW 35.000

5/6
Nr opisu: 0000120835   
Disorder induced gap states as a cause of threshold voltage instabilities in Al2O3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors.
[Aut.]: M. Matys, S. Kaneki, K. Nishiguchi, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
-J. Appl. Phys. 2017 vol. 122 iss. 22, art. no. 224504 s. 1-8, bibliogr. 31 poz.. Impact Factor 2.176. Punktacja MNiSW 35.000

6/6
Nr opisu: 0000112646   
On the origin of interface states at oxide/III-nitride heterojunction interfaces.
[Aut.]: M. Matys, B. Adamowicz, Alina Domanowska, Anna Michalewicz, R. Stoklas, M. Akazawa, Z. Yatabe, T. Hashizume.
-J. Appl. Phys. 2016 vol. 120 iss. 22, art. no. 225305 s. 1-12, bibliogr. 42 poz.. Impact Factor 2.068. Punktacja MNiSW 35.000

stosując format:
Nowe wyszukiwanie