Wynik wyszukiwania
Zapytanie:
MATYS M
Liczba odnalezionych rekordów:
6
Przejście do opcji zmiany formatu
|
Wyświetlenie wyników w wersji do druku
|
Pobranie pliku do edytora
|
Przesłanie wyników do modułu analizy
|
excel
|
Nowe wyszukiwanie
1/6
Nr opisu:
0000139064
Effect of carrier drift-diffusion transport process on thermal quenching of photoluminescence in GaN.
[Aut.]: M.
Matys
, Bogusława
Adamowicz
, T.
Kachi
, T.
Hashizume
.
-
J. Phys., D Appl. Phys.
2021 vol. 54 iss. 5
, s. 1-13, bibliogr. 33 poz..
Impact Factor
3.169.
Punktacja MNiSW
70.000
GaN
;
stan powierzchniowy
GaN
;
surface states
;
drift diffusion
2/6
Nr opisu:
0000139111
All-optical transistor using deep-level defects in nitride semiconductors for room temperature optical computing.
[Aut.]: M.
Matys
, Alina
Domanowska
, Anna
Michalewicz
, Bogusława
Adamowicz
, T.
Kachi
.
-
AIP Adv.
2020 vol. 10 iss. 10
, s. 1-25, bibliogr. 25 poz..
Impact Factor
1.337.
Punktacja MNiSW
70.000
3/6
Nr opisu:
0000127121
On the interpretation of cathodoluminescence intensity maps of wide band gap nanowires.
[Aut.]: M.
Matys
, Bogusława
Adamowicz
.
-
Nanotechnology
2019 vol. 30 iss. 3
, s. 1-8, bibliogr. 30 poz..
Impact Factor
3.551.
Punktacja MNiSW
100.000
szerokopasmowe materiały szczelinowe
;
azotek galu
;
metoda elementów skończonych
wide band gap materials
;
gallium nitride
;
finite element method
4/6
Nr opisu:
0000127652
Enhancement of channel electric field in AlGaN/GaN multi-nanochannel high electron mobility transistors.
[Aut.]: M.
Matys
, K.
Nishiguchi
, Bogusława
Adamowicz
, J.
Kuzmik
, T.
Hashizume
.
-
J. Appl. Phys.
2018 vol. 124 iss. 22
, art. no. 224502 s. 1-8, bibliogr. 32 poz..
Impact Factor
2.328.
Punktacja MNiSW
35.000
5/6
Nr opisu:
0000120835
Disorder induced gap states as a cause of threshold voltage instabilities in Al2O3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors.
[Aut.]: M.
Matys
, S.
Kaneki
, K.
Nishiguchi
, Bogusława
Adamowicz
, T.
Hashizume
.
-
J. Appl. Phys.
2017 vol. 122 iss. 22
, art. no. 224504 s. 1-8, bibliogr. 31 poz..
Impact Factor
2.176.
Punktacja MNiSW
35.000
6/6
Nr opisu:
0000112646
On the origin of interface states at oxide/III-nitride heterojunction interfaces.
[Aut.]: M.
Matys
, B.
Adamowicz
, Alina
Domanowska
, Anna
Michalewicz
, R.
Stoklas
, M.
Akazawa
, Z.
Yatabe
, T.
Hashizume
.
-
J. Appl. Phys.
2016 vol. 120 iss. 22
, art. no. 225305 s. 1-12, bibliogr. 42 poz..
Impact Factor
2.068.
Punktacja MNiSW
35.000
stosując format:
standardowy
pełny z etykietami pól
roboczy
redakcja skr.
redakcja peł.
kontrolny
Nowe wyszukiwanie