Wynik wyszukiwania
Zapytanie:
HASEGAWA H
Liczba odnalezionych rekordów:
20
Przejście do opcji zmiany formatu
|
Wyświetlenie wyników w wersji do druku
|
Pobranie pliku do edytora
|
Przesłanie wyników do modułu analizy
|
excel
|
Nowe wyszukiwanie
1/20
Nr opisu:
0000063355
Surface passivation of III-V semiconductors for future CMOS devices - past research, present status and key issues for future.
[Aut.]: H.
Hasegawa
, M.
Akazawa
, Alina
Domanowska
, Bogusława
Adamowicz
.
-
Appl. Surf. Sci.
2010 vol. 256 iss. 19
, s. 5698-5707, bibliogr. 65 poz..
Impact Factor
1.795
półprzewodnik grupy III-V
;
pasywacja powierzchni
;
MISFET
;
dielektryk o wysokiej przenikalności elektrycznej
;
arsenek galu
;
GaAs
;
fotoluminescencja
III-V semiconductor
;
surface passivation
;
MISFET
;
high-k dielectric
;
gallium arsenide
;
GaAs
;
photoluminescence
2/20
Nr opisu:
0000056638
Capacitance-voltage and photoluminescence study of high-k/GaAs interfaces controlled by Si interface control layer.
[Aut.]: M.
Akazawa
, Alina
Domanowska
, Bogusława
Adamowicz
, H.
Hasegawa
.
-
J. Vac. Sci. Technol., B.
2009 vol. 27 iss. 4
, s. 2028-2035.
Impact Factor
1.460
3/20
Nr opisu:
0000056791
Surface electronic properties of sulfur-treated GaAs determined by surface photovoltage measurement and its computer simulation.
[Aut.]: Paweł*
Tomkiewicz
, Sebastian*
Arabasz
, Bogusława
Adamowicz
, Marcin**
Miczek
, J.
Mizsei
, D.
Zahn
, H.
Hasegawa
, Jacek**
Szuber
.
-
Surf. Sci.
2009 vol. 603 iss. 3
, s. 498-502, bibliogr. 39 poz..
Impact Factor
1.798
Gats
;
pasywacja
;
chlorek siarki
;
powierzchnia rozdziału faz
;
poziom Fermiego
;
fotonapięcie powierzchniowe
;
potencjał styku
;
sonda Kelvina
Gats
;
passivation
;
sulphur chloride
;
interface
;
Fermi level
;
surface photovoltage
;
contact potential
;
Kelvin probe
4/20
Nr opisu:
0000047684
Surface state density distribution at vacuum-annealed InP(1 0 0) surface as derived from the rigorous analysis of photoluminescence efficiency.
[Aut.]: Paweł*
Tomkiewicz
, Bogusława
Adamowicz
, Marcin**
Miczek
, H.
Hasegawa
, Jacek**
Szuber
.
-
Appl. Surf. Sci.
2008 vol. 254 iss. 24
, s. 8046-8049, bibliogr. 28 poz..
Impact Factor
1.576
InP
;
wyżarzanie
;
pasywacja
;
oczyszczanie
;
powierzchnia rozdziału faz
;
poziom Fermiego
;
fotoluminescencja
;
MISFET
InP
;
annealing
;
passivation
;
cleaning
;
interface
;
Fermi level
;
photoluminescence
;
MISFET
5/20
Nr opisu:
0000047880
Space charge layer properties of wet sulfide treated GaAs sample.
[Aut.]: Paweł*
Tomkiewicz
, Sebastian*
Arabasz
, Bogusława
Adamowicz
, J.
Mizsei
, H.
Hasegawa
, Jacek**
Szuber
.
W:
V International Workshop on Semiconductor Surface Passivation
. SSP' 2007, Zakopane, Poland, September 16-19, 2007. Programme, abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2007
, s. 64, bibliogr. 5 poz.
6/20
Nr opisu:
0000047881
Surface state density distribution of INP(100) surface as derived from rigorous analysis of PL efficiency.
[Aut.]: Paweł*
Tomkiewicz
, Bogusława
Adamowicz
, H.
Hasegawa
, Jacek**
Szuber
.
W:
V International Workshop on Semiconductor Surface Passivation
. SSP' 2007, Zakopane, Poland, September 16-19, 2007. Programme, abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2007
, s. 65, bibliogr. 6 poz.
7/20
Nr opisu:
0000029174
Dynamics and control of recombination process at semiconductor surfaces, interfaces and nano-structures.
[Aut.]: H.
Hasegawa
, T.
Sato
, S.
Kasai
, Bogusława
Adamowicz
, T.
Hashizume
.
-
Sol. Energy
2006 vol. 80 iss. 6
, s. 629-644, bibliogr..
Impact Factor
1.431
stan powierzchniowy
;
rekombinacja powierzchniowa
;
spektroskopia tunelowa
;
nanostruktura
surface states
;
surface recombination
;
tunnelling spectroscopy
;
nanostructure
;
Fermi level pinning
;
capacitance voltage method
8/20
Nr opisu:
0000025312
Room temperature photoluminescence studies of nitrided InP(100) surfaces.
[Aut.]: Sebastian*
Arabasz
, Bogusława
Adamowicz
, M.
Petit
, B.
Gruzza
, C.
Robert-Goumet
, T.
Piwnowski
, M.
Bugajski
, H.
Hasegawa
.
-
Mater. Sci. Eng., C Mater. Biol. Appl.
2006 vol. 26 nr 2/3
, s. 378-382, bibliogr. 28 poz..
Impact Factor
1.325
InP
;
powierzchnia
;
pasywacja
;
azotowanie
;
stan powierzchniowy
;
fotoluminescencja
;
model zjawisk nierównowagowych
InP
;
surface
;
passivation
;
nitridation
;
surface states
;
photoluminescence
;
model of non-equilibrium phenomena
9/20
Nr opisu:
0000018246
Influence of surface states and bulk traps on non-equilibrium phenomena at GaAs and GaN surfaces.
[Aut.]: Marcin**
Miczek
, Bogusława
Adamowicz
, T.
Hashizume
, H.
Hasegawa
.
-
Opt. Appl.
2005 vol. 35 no. 3
, s. 355-361, bibliogr. 28 poz..
Impact Factor
0.459
arsenek galu
;
azotek galu
;
stan powierzchniowy
;
fotoluminescencja
;
fotonapięcie powierzchniowe
gallium arsenide
;
gallium nitride
;
surface states
;
photoluminescence
;
surface photovoltage
10/20
Nr opisu:
0000007661
Characterisation of the electronic status of III-V-based surfaces and interfaces for nanoelectronics applications.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, H.
Hasegawa
.
W:
27-th International Conference and Exhibition IMAPS - Poland 2003, Podlesice, Gliwice, 16-19 September, 2003
. Proceedings. Eds: M. Drelichowska [i in.]. [Kraków] : [International Microelectronics and Packaging Society IMAPS. Poland Chapter], 2003
, s. 11-20, bibliogr. 32 poz.
stan powierzchniowy
;
rekombinacja powierzchniowa
;
poziom Fermiego
;
pasywacja
;
fotoluminescencja
;
fotonapięcie powierzchniowe
;
algorytm genetyczny
surface states
;
surface recombination
;
Fermi level
;
passivation
;
photoluminescence
;
surface photovoltage
;
genetic algorithm
11/20
Nr opisu:
0000123735
Rigorous analysis of the electronic properties of InP interfaces for gas sensing.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Marcin**
Miczek
, C.
Brun
, B.
Gruzza
, H.
Hasegawa
.
-
Thin Solid Films
2003 vol. 436 iss. 1
, s. 101-106, bibliogr. 24 poz.
Referat wygłoszony na: 3rd International Seminar on Semiconductor Gas Sensors. SGS'2002, Ustroń, Poland, 19-22 September 2002.
Impact Factor
1.598
InP
;
interfejs
;
właściwości elektroniczne
;
stan powierzchniowy
;
poziom Fermiego
;
wykrywanie gazu
InP
;
interface
;
electronic properties
;
surface states
;
Fermi level
;
gas sensing
12/20
Nr opisu:
0000007316
Characterization of electronic properties of InP(100) surfaces from computer-aided analysis of photoluminescence.
[Aut.]: Marcin**
Miczek
, Bogusława
Adamowicz
, H.
Hasegawa
.
-
Opt. Appl.
2002 vol. 32 no. 3
, s. 227-233, bibliogr. 27 poz..
Impact Factor
0.291
13/20
Nr opisu:
0000007344
Determination of InP surface state density distribution from excitation-power-dependent photoluminescence spectra using genetic algorithm-based fitting procedure.
[Aut.]: Marcin**
Miczek
, Bogusława
Adamowicz
, H.
Hasegawa
.
-
Surf. Sci.
2002 vol. 507/510
, s. 240-244, bibliogr. 12 poz..
Impact Factor
2.140
14/20
Nr opisu:
0000007353
Rigorous analysis of photoluminescence efficiency for characterisation of electronic properties of InP(100) surfaces.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Marcin**
Miczek
, Sebastian*
Arabasz
, H.
Hasegawa
.
-
Vacuum
2002 vol. 67 iss. 1
, s. 3-10, bibliogr. 38 poz..
Impact Factor
0.723
15/20
Nr opisu:
0000037775
Computer analysis of photoluminescence efficienty at InP surface with U-shaped surface state continuum.
[Aut.]: Marcin**
Miczek
, Bogusława
Adamowicz
, Jacek**
Szuber
, H.
Hasegawa
.
-
Vacuum
2001 vol. 63 iss. 1/2
, s. 223-227, bibliogr. 19 poz..
Impact Factor
0.541
16/20
Nr opisu:
0000001895
Determination of the surface state density distribution and fermi level position on the InP (100) surface from excition-power-dependent photoluminescence efficiency spectra.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Marcin**
Miczek
, T.
Domagała
, H.
Hasegawa
.
-
Elektronika
2001 R. 42 nr 8/9
, s. 76-78, bibliogr. 13 poz.
17/20
Nr opisu:
0000004956
Analysis of photoluminescence efficiency and surface recombination velocity of MBE-grown AlGaAs layers.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, H.
Hasegawa
.
W:
Proceedings from the Third International Workshop MBE-GPT, Warsaw, Poland, 23-28 May 1999
. Amsterdam : Elsevier, 2000
, s. 180-183, bibliogr. 9 poz. (
Thin Solid Films
; vol. 367, nr 1/2 0040-6090)
18/20
Nr opisu:
0000004359
Computer analysis of the Fermi level behaviour at SiO2/n-Si and SiO2/n-GaAs interfaces.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Marcin**
Miczek
, H.
Hasegawa
.
W:
Semiconductor gas sensors - SGS'98
. Proceedings of the 1st International Seminar on Semiconductor Gas Sensors, Ustroń, Poland, September 22-25, 1998. Ed. by J. Szuber. Warszawa : Institute of Electron Technology, 2000
, s. 249-252, bibliogr. 16 poz. (
Electron Technology
; vol. 33, no. 1/2 0070-9816)
19/20
Nr opisu:
0000008077
Computer simulations of the surface photovoltage on Si and GaAs surfaces with U-shaped surface state continuum.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, H.
Hasegawa
.
W:
Proceedings of the 19th International Seminar on Surface Physics, Polanica-Zdrój, Poland, 15-19 June 1998
. Eds: T. L. Barr [i in.]. [B.m.] : Pergamon Press, 1999
, s. 173-177, bibliogr. 18 poz. (
Vacuum
; vol. 54, nr 1-4 0042-207X)
20/20
Nr opisu:
0000007635
Electronic properties of Al
x
Ga
1-x
As surface passivated by ultrathin silicon interface control layer.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Marcin**
Miczek
, K.
Ikeya
, M.
Mutoh
, T.
Saitoh
, H.
Fujikura
, H.
Hasegawa
.
-
Appl. Surf. Sci.
1999 vol. 141 iss. 3/4
, s. 326-332, bibliogr. 16 poz..
Impact Factor
1.195
stosując format:
standardowy
pełny z etykietami pól
roboczy
redakcja skr.
redakcja peł.
kontrolny
Nowe wyszukiwanie