Wyniki wyszukiwania

Wynik wyszukiwania

1/20
Nr opisu: 0000063355
Surface passivation of III-V semiconductors for future CMOS devices - past research, present status and key issues for future.
[Aut.]: H. Hasegawa, M. Akazawa, Alina Domanowska, Bogusława Adamowicz.
-Appl. Surf. Sci. 2010 vol. 256 iss. 19, s. 5698-5707, bibliogr. 65 poz.. Impact Factor 1.795

półprzewodnik grupy III-V ; pasywacja powierzchni ; MISFET ; dielektryk o wysokiej przenikalności elektrycznej ; arsenek galu ; GaAs ; fotoluminescencja

III-V semiconductor ; surface passivation ; MISFET ; high-k dielectric ; gallium arsenide ; GaAs ; photoluminescence

2/20
Nr opisu: 0000056638
Capacitance-voltage and photoluminescence study of high-k/GaAs interfaces controlled by Si interface control layer.
[Aut.]: M. Akazawa, Alina Domanowska, Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa.
-J. Vac. Sci. Technol., B. 2009 vol. 27 iss. 4, s. 2028-2035. Impact Factor 1.460

3/20
Nr opisu: 0000056791
Surface electronic properties of sulfur-treated GaAs determined by surface photovoltage measurement and its computer simulation.
[Aut.]: Paweł* Tomkiewicz, Sebastian* Arabasz, Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, J. Mizsei, D. Zahn, H. Hasegawa, Jacek** Szuber.
-Surf. Sci. 2009 vol. 603 iss. 3, s. 498-502, bibliogr. 39 poz.. Impact Factor 1.798

Gats ; pasywacja ; chlorek siarki ; powierzchnia rozdziału faz ; poziom Fermiego ; fotonapięcie powierzchniowe ; potencjał styku ; sonda Kelvina

Gats ; passivation ; sulphur chloride ; interface ; Fermi level ; surface photovoltage ; contact potential ; Kelvin probe

4/20
Nr opisu: 0000047684
Surface state density distribution at vacuum-annealed InP(1 0 0) surface as derived from the rigorous analysis of photoluminescence efficiency.
[Aut.]: Paweł* Tomkiewicz, Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, H. Hasegawa, Jacek** Szuber.
-Appl. Surf. Sci. 2008 vol. 254 iss. 24, s. 8046-8049, bibliogr. 28 poz.. Impact Factor 1.576

InP ; wyżarzanie ; pasywacja ; oczyszczanie ; powierzchnia rozdziału faz ; poziom Fermiego ; fotoluminescencja ; MISFET

InP ; annealing ; passivation ; cleaning ; interface ; Fermi level ; photoluminescence ; MISFET

5/20
Nr opisu: 0000047880
Space charge layer properties of wet sulfide treated GaAs sample.
[Aut.]: Paweł* Tomkiewicz, Sebastian* Arabasz, Bogusława Adamowicz, J. Mizsei, H. Hasegawa, Jacek** Szuber.
W: V International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP' 2007, Zakopane, Poland, September 16-19, 2007. Programme, abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2007, s. 64, bibliogr. 5 poz.

6/20
Nr opisu: 0000047881
Surface state density distribution of INP(100) surface as derived from rigorous analysis of PL efficiency.
[Aut.]: Paweł* Tomkiewicz, Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa, Jacek** Szuber.
W: V International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP' 2007, Zakopane, Poland, September 16-19, 2007. Programme, abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2007, s. 65, bibliogr. 6 poz.

7/20
Nr opisu: 0000029174
Dynamics and control of recombination process at semiconductor surfaces, interfaces and nano-structures.
[Aut.]: H. Hasegawa, T. Sato, S. Kasai, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
-Sol. Energy 2006 vol. 80 iss. 6, s. 629-644, bibliogr.. Impact Factor 1.431

stan powierzchniowy ; rekombinacja powierzchniowa ; spektroskopia tunelowa ; nanostruktura

surface states ; surface recombination ; tunnelling spectroscopy ; nanostructure ; Fermi level pinning ; capacitance voltage method

8/20
Nr opisu: 0000025312
Room temperature photoluminescence studies of nitrided InP(100) surfaces.
[Aut.]: Sebastian* Arabasz, Bogusława Adamowicz, M. Petit, B. Gruzza, C. Robert-Goumet, T. Piwnowski, M. Bugajski, H. Hasegawa.
-Mater. Sci. Eng., C Mater. Biol. Appl. 2006 vol. 26 nr 2/3, s. 378-382, bibliogr. 28 poz.. Impact Factor 1.325

InP ; powierzchnia ; pasywacja ; azotowanie ; stan powierzchniowy ; fotoluminescencja ; model zjawisk nierównowagowych

InP ; surface ; passivation ; nitridation ; surface states ; photoluminescence ; model of non-equilibrium phenomena

9/20
Nr opisu: 0000018246
Influence of surface states and bulk traps on non-equilibrium phenomena at GaAs and GaN surfaces.
[Aut.]: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume, H. Hasegawa.
-Opt. Appl. 2005 vol. 35 no. 3, s. 355-361, bibliogr. 28 poz.. Impact Factor 0.459

arsenek galu ; azotek galu ; stan powierzchniowy ; fotoluminescencja ; fotonapięcie powierzchniowe

gallium arsenide ; gallium nitride ; surface states ; photoluminescence ; surface photovoltage

10/20
Nr opisu: 0000007661
Characterisation of the electronic status of III-V-based surfaces and interfaces for nanoelectronics applications.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa.
W: 27-th International Conference and Exhibition IMAPS - Poland 2003, Podlesice, Gliwice, 16-19 September, 2003. Proceedings. Eds: M. Drelichowska [i in.]. [Kraków] : [International Microelectronics and Packaging Society IMAPS. Poland Chapter], 2003, s. 11-20, bibliogr. 32 poz.

stan powierzchniowy ; rekombinacja powierzchniowa ; poziom Fermiego ; pasywacja ; fotoluminescencja ; fotonapięcie powierzchniowe ; algorytm genetyczny

surface states ; surface recombination ; Fermi level ; passivation ; photoluminescence ; surface photovoltage ; genetic algorithm

11/20
Nr opisu: 0000123735
Rigorous analysis of the electronic properties of InP interfaces for gas sensing.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, C. Brun, B. Gruzza, H. Hasegawa.
-Thin Solid Films 2003 vol. 436 iss. 1, s. 101-106, bibliogr. 24 poz.
Referat wygłoszony na: 3rd International Seminar on Semiconductor Gas Sensors. SGS'2002, Ustroń, Poland, 19-22 September 2002. Impact Factor 1.598

InP ; interfejs ; właściwości elektroniczne ; stan powierzchniowy ; poziom Fermiego ; wykrywanie gazu

InP ; interface ; electronic properties ; surface states ; Fermi level ; gas sensing

12/20
Nr opisu: 0000007316
Characterization of electronic properties of InP(100) surfaces from computer-aided analysis of photoluminescence.
[Aut.]: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa.
-Opt. Appl. 2002 vol. 32 no. 3, s. 227-233, bibliogr. 27 poz.. Impact Factor 0.291

13/20
Nr opisu: 0000007344
Determination of InP surface state density distribution from excitation-power-dependent photoluminescence spectra using genetic algorithm-based fitting procedure.
[Aut.]: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa.
-Surf. Sci. 2002 vol. 507/510, s. 240-244, bibliogr. 12 poz.. Impact Factor 2.140

14/20
Nr opisu: 0000007353
Rigorous analysis of photoluminescence efficiency for characterisation of electronic properties of InP(100) surfaces.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, Sebastian* Arabasz, H. Hasegawa.
-Vacuum 2002 vol. 67 iss. 1, s. 3-10, bibliogr. 38 poz.. Impact Factor 0.723

15/20
Nr opisu: 0000037775
Computer analysis of photoluminescence efficienty at InP surface with U-shaped surface state continuum.
[Aut.]: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, Jacek** Szuber, H. Hasegawa.
-Vacuum 2001 vol. 63 iss. 1/2, s. 223-227, bibliogr. 19 poz.. Impact Factor 0.541

16/20
Nr opisu: 0000001895
Determination of the surface state density distribution and fermi level position on the InP (100) surface from excition-power-dependent photoluminescence efficiency spectra.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, T. Domagała, H. Hasegawa.
-Elektronika 2001 R. 42 nr 8/9, s. 76-78, bibliogr. 13 poz.

17/20
Nr opisu: 0000004956
Analysis of photoluminescence efficiency and surface recombination velocity of MBE-grown AlGaAs layers.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa.
W: Proceedings from the Third International Workshop MBE-GPT, Warsaw, Poland, 23-28 May 1999. Amsterdam : Elsevier, 2000, s. 180-183, bibliogr. 9 poz. (Thin Solid Films ; vol. 367, nr 1/2 0040-6090)

18/20
Nr opisu: 0000004359
Computer analysis of the Fermi level behaviour at SiO2/n-Si and SiO2/n-GaAs interfaces.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, H. Hasegawa.
W: Semiconductor gas sensors - SGS'98. Proceedings of the 1st International Seminar on Semiconductor Gas Sensors, Ustroń, Poland, September 22-25, 1998. Ed. by J. Szuber. Warszawa : Institute of Electron Technology, 2000, s. 249-252, bibliogr. 16 poz. (Electron Technology ; vol. 33, no. 1/2 0070-9816)

19/20
Nr opisu: 0000008077
Computer simulations of the surface photovoltage on Si and GaAs surfaces with U-shaped surface state continuum.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa.
W: Proceedings of the 19th International Seminar on Surface Physics, Polanica-Zdrój, Poland, 15-19 June 1998. Eds: T. L. Barr [i in.]. [B.m.] : Pergamon Press, 1999, s. 173-177, bibliogr. 18 poz. (Vacuum ; vol. 54, nr 1-4 0042-207X)

20/20
Nr opisu: 0000007635
Electronic properties of Al_xGa_1-xAs surface passivated by ultrathin silicon interface control layer.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, K. Ikeya, M. Mutoh, T. Saitoh, H. Fujikura, H. Hasegawa.
-Appl. Surf. Sci. 1999 vol. 141 iss. 3/4, s. 326-332, bibliogr. 16 poz.. Impact Factor 1.195

stosując format: