Wynik wyszukiwania
Zapytanie:
GRUZZA B
Liczba odnalezionych rekordów:
5
Przejście do opcji zmiany formatu
|
Wyświetlenie wyników w wersji do druku
|
Pobranie pliku do edytora
|
Przesłanie wyników do modułu analizy
|
excel
|
Nowe wyszukiwanie
1/5
Nr opisu:
0000025312
Room temperature photoluminescence studies of nitrided InP(100) surfaces.
[Aut.]: Sebastian*
Arabasz
, Bogusława
Adamowicz
, M.
Petit
, B.
Gruzza
, C.
Robert-Goumet
, T.
Piwnowski
, M.
Bugajski
, H.
Hasegawa
.
-
Mater. Sci. Eng., C Mater. Biol. Appl.
2006 vol. 26 nr 2/3
, s. 378-382, bibliogr. 28 poz..
Impact Factor
1.325
InP
;
powierzchnia
;
pasywacja
;
azotowanie
;
stan powierzchniowy
;
fotoluminescencja
;
model zjawisk nierównowagowych
InP
;
surface
;
passivation
;
nitridation
;
surface states
;
photoluminescence
;
model of non-equilibrium phenomena
2/5
Nr opisu:
0000025436
XPS, electric and photoluminescence-based analysis of the GaAs (1 0 0) nitridation.
[Aut.]: Z.
Benamara
, N.
Mecirdi
, B.
Bouiadjra
, L.
Bideux
, B.
Gruzza
, C.
Robert
, Marcin**
Miczek
, Bogusława
Adamowicz
.
-
Appl. Surf. Sci.
2006 vol. 252 iss. 22
, s. 7890-7894, bibliogr. 14 poz..
Impact Factor
1.436
azotowanie
;
XPS
;
pomiar wielkości elektrycznych
;
fotoluminescencja
nitridation
;
XPS
;
electrical measurement
;
photoluminescence
3/5
Nr opisu:
0000021694
Nitridation of InP(100) surface studied by synchrotron radiation.
[Aut.]: M.
Petit
, D.
Baca
, Sebastian*
Arabasz
, L.
Bideux
, N.
Tsud
, D.
Fabik
, B.
Gruzza
, V.
Chab
, V.
Matolin
, K.
Prince
.
-
Surf. Sci.
2005 vol. 583 iss. 2/3
, s. 205-212, bibliogr. 18 poz..
Impact Factor
1.780
azotowanie
;
promieniowanie synchrotronowe
;
XPS
;
fosforek indu
nitridation
;
synchrotron radiation
;
XPS
;
indium phosphide
4/5
Nr opisu:
0000021693
Passivation of InP(100) substrates: first stages of nitridation by thin InN surface overlayers studied by electron spectroscopies.
[Aut.]: M.
Petit
, C.
Robert-Goumet
, L.
Bideux
, B.
Gruzza
, V.
Matolin
, Sebastian*
Arabasz
, Bogusława
Adamowicz
, D.
Wawer
, M.
Bugajski
.
-
Surf. Interface Anal.
2005 vol. 37 iss. 7
, s. 615-620, bibliogr. 20 poz..
Impact Factor
0.918
InN
;
fosforek indu
;
azotowanie
;
AES
;
XPS
;
fotoluminescencja
;
spektroskopia elektronowa
InN
;
indium phosphide
;
nitridation
;
AES
;
XPS
;
photoluminescence
;
electron spectroscopy
5/5
Nr opisu:
0000123735
Rigorous analysis of the electronic properties of InP interfaces for gas sensing.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Marcin**
Miczek
, C.
Brun
, B.
Gruzza
, H.
Hasegawa
.
-
Thin Solid Films
2003 vol. 436 iss. 1
, s. 101-106, bibliogr. 24 poz.
Referat wygłoszony na: 3rd International Seminar on Semiconductor Gas Sensors. SGS'2002, Ustroń, Poland, 19-22 September 2002.
Impact Factor
1.598
InP
;
interfejs
;
właściwości elektroniczne
;
stan powierzchniowy
;
poziom Fermiego
;
wykrywanie gazu
InP
;
interface
;
electronic properties
;
surface states
;
Fermi level
;
gas sensing
stosując format:
standardowy
pełny z etykietami pól
roboczy
redakcja skr.
redakcja peł.
kontrolny
Nowe wyszukiwanie