Wyniki wyszukiwania

Wynik wyszukiwania

1/10
Nr opisu: 0000125819
A novel type room temperature surface photovoltage gas sensor device.
[Aut.]: Monika Kwoka, M. A. Borysiewicz, A. Tomkiewicz, A. Piotrowska, Jacek** Szuber.
-Sensors 2018 vol. 18 iss. 9, art. no. 2919 s. 1-11, bibliogr. 37 poz.. Impact Factor 3.031. Punktacja MNiSW 30.000

czujnik gazu w temperaturze pokojowej

room temperature gas sensor ; surface photovoltage effect ; porous ZnO nanostructured thin films

2/10
Nr opisu: 0000124879
Investigation of physical properties of ZnO semiconductor material for biocompatible coating layer applications.
[Aut.]: Przemysław Struk, M. A. Borysiewicz.
W: 13th Conference on Integrated Optics: Sensors, Sensing Structures, and Methods. Eds.: Przemyslaw Struk, Tadeusz Pustelny. Bellingham : SPIE, 2018, paper 108300L s. 1-4 (Proceedings of SPIE ; vol. 10830 0277-786X). Punktacja MNiSW 15.000

3/10
Nr opisu: 0000122485
Investigation of physical properties of ZnO semiconductor material for sensor applications.
[Aut.]: Przemysław Struk, M. A. Borysiewicz.
W: Integrated optics - sensors, sensing structures and methods. IOS'2018, 26th February to 2nd March 2018, Szczyrk - Beskidy Mountains, Poland. Programme and abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2018, s. 132

4/10
Nr opisu: 0000121550
Surface properties of nanostructured, porous ZnO thin films prepared by direct current reactive magnetron sputtering.
[Aut.]: Monika Kwoka, Barbara Łysoń-Sypień, Anna Kuliś, M. A. Borysiewicz, E. Kamińska, Jacek** Szuber.
-Materials 2018 vol. 11 iss. 1, art. no 131 s. 1-11, bibliogr. 31 poz.. Impact Factor 2.972. Punktacja MNiSW 35.000

nanostruktura ZnO ; reaktywne rozpylanie magnetronowe ; XPS ; chemia powierzchni

ZnO nanostructure ; reactive magnetron sputtering ; XPS ; surface chemistry

5/10
Nr opisu: 0000116772
ZnO semiconductor for applications in optoelectronics sensors structures.
[Aut.]: Przemysław Struk, Tadeusz Pustelny, M. A. Borysiewicz, K. Gołaszewska.
W: Integrated optics - sensors, sensing structures and methods. IOS'2017, 27th February to 3rd March 2017, Szczyrk - Beskidy Mountains, Poland. Programme and abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2017, s. 61-62, bibliogr. 3 poz.

6/10
Nr opisu: 0000107554
Influence of absolute argon and oxygen flow values at a constant ratio on the growth of Zn/ZnO nanostructures obtained by DC reactive magnetron sputtering.
[Aut.]: M. Masłyk, M. A. Borysiewicz, M. Wzorek, Monika Kwoka, E. Kamińska.
-Appl. Surf. Sci. 2016 vol. 389, s. 287-293, bibliogr. 23 poz.. Impact Factor 3.387. Punktacja MNiSW 35.000

Zn ; nanostruktura ; przepływ gazu ; tlen ; zanieczyszczenie ; reaktywne rozpylanie magnetronowe

Zn ; nanostructure ; gas flow ; oxygen ; impurity ; reactive magnetron sputtering

7/10
Nr opisu: 0000107834
Technologia cienkich warstw tlenku cynku o kontrolowanych własnościach strukturalnych, transportowych i optycznych.
[Aut.]: M. A. Borysiewicz, E. Kamińska, T. Wojciechowski, K. Gołaszewska, E. Dynowska, M. Wzorek, R. Kruszka, K. D. Pągowska, Monika Kwoka, Jacek** Szuber, T. Boll, K. Stiller, T. Wojtowicz, A. Piotrowska.
-Elektronika 2016 R. 57 nr 8, s. 75-80, bibliogr. 10 poz.. Punktacja MNiSW 8.000

tlenek cynku ; ZnO ; katodowe rozpylanie magnetronowe ; przezroczysta elektronika ; czujnik

zinc oxide ; ZnO ; magnetron sputtering ; transparent electronics ; sensor

8/10
Nr opisu: 0000108911
ZnO semiconductor material for integrated photonics as well as gas sensors structure applications.
[Aut.]: Przemysław Struk, Tadeusz Pustelny, K. Gołaszewska, M. A. Borysiewicz, M. Ekielski, A. Piotrowska.
W: OPTO 2016. Young reserchers & SPIE student chapter meeting, 6.07.2016. Book of abstracts. Gdańsk University of Technology. [B.m.] : [b.w.], 2016, s. 57

9/10
Nr opisu: 0000104743
Optical investigations of ZnO layers affected by some selected gases in the aspect of their application in optical gas sensors.
[Aut.]: Przemysław Struk, Tadeusz Pustelny, K. Gołaszewska, M. A. Borysiewicz, A. Piotrowska.
-Bull. Pol. Acad. Sci., Tech. Sci. 2015 vol. 63 no. 4, s. 829-836, bibliogr. 25 poz.. Impact Factor 1.087. Punktacja MNiSW 25.000

półprzewodnik ZnO ; czujnik gazu

ZnO semiconductor ; gas sensor

10/10
Nr opisu: 0000107461
Sputter deposited ZnO porous films for sensing applications.
[Aut.]: M. A. Borysiewicz, E. Dynowska, V. Kolkovsky, M. Wielgus, K. Gołaszewska, E. Kamińska, M. Ekielski, Przemysław Struk, Tadeusz Pustelny, A. Piotrowska.
W: Oxide semiconductors and thin films. 2016 MRS Fall Meeting and Exhibit. Symposium F, 25-30 November, 2012, Boston, USA. [B.m.] : Materials Research Society, 2013, s. 71-76, bibliogr. 5 poz. (Materials Research Society Symposium Proceedings ; vol. 1494 0272-9172)

tlenek ; czujnik ; rozpylanie

oxide ; sensor ; sputtering

stosując format: