Wynik wyszukiwania
Zapytanie:
BOBEK P
Liczba odnalezionych rekordów:
1
Przejście do opcji zmiany formatu
|
Wyświetlenie wyników w wersji do druku
|
Pobranie pliku do edytora
|
Przesłanie wyników do modułu analizy
|
excel
|
Nowe wyszukiwanie
1/1
Nr opisu:
0000039315
Capacitance-voltage and Auger chemical profile studies on AIGaN/GaN structures passivated by SiO
2
/Si
3
N
4
and SiN
x
/Si
3
N
4
bilayers.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Marcin**
Miczek
, T.
Hashizume
, Andrzej**
Klimasek
, P.
Bobek
, J.
Żywicki
.
-
Opt. Appl.
2007 vol. 37 no. 4
, s. 327-334, bibliogr. 25 poz..
Impact Factor
0.284
azotek galu
;
HEMT
;
bramka izolowana
;
pasywacja
;
C-V
;
spektroskopia elektronów Augera
gallium nitride
;
HEMT
;
insulated gate
;
passivation
;
C-V
;
Auger electron spectroscopy
;
chemical in-depth profiles
stosując format:
standardowy
pełny z etykietami pól
roboczy
redakcja skr.
redakcja peł.
kontrolny
Nowe wyszukiwanie