Wynik wyszukiwania
Zapytanie: BIDEUX L
Liczba odnalezionych rekordów: 7



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/7
Nr opisu: 0000047661   
A novel III-V semiconductor material for NO2 detection and monitoring.
[Aut.]: K. Wierzbowska, L. Bideux, Bogusława Adamowicz, A. Pauly.
-Sens. Actuators, A Phys. 2008 vol. 142 iss. 1, s. 237-241, bibliogr. 9 poz.

NO2 ; dwutlenek azotu ; InP ; fosforek indu ; XPS ; rentgenowska spektroskopia fotoelektronów ; spektroskopia elektronów Augera

NO2 ; nitrogen dioxide ; InP ; indium phosphide ; XPS ; X-ray photoelectron spectroscopy ; Auger electron spectroscopy

2/7
Nr opisu: 0000029212
A novel semiconductors material for NO2 detection and monitoring.
[Aut.]: K. Wierzbowska, A. Pauly, L. Bideux, Bogusława Adamowicz.
W: Eurosensors XX. 20th Conference Anniversary, Goteborg, Sweden, 17-20 September 2006. Proceedings. Goteborg : [b.w.], 2006, W1A-01, s. 1-4

3/7
Nr opisu: 0000029192   
Studies of gas sensing, electrical and chemical properties of n-InP epitaxial surfaces.
[Aut.]: K. Wierzbowska, A. Pauly, Bogusława Adamowicz, L. Bideux.
-Phys. Status Solidi, A Appl. Res. 2006 vol. 203 iss. 9, s. 2281-2286, bibliogr. 16 poz.. Impact Factor 1.221

wrażliwość ; interfejs ; utlenianie ; warstwa

sensitivity ; interface ; oxidation ; layer

4/7
Nr opisu: 0000025436   
XPS, electric and photoluminescence-based analysis of the GaAs (1 0 0) nitridation.
[Aut.]: Z. Benamara, N. Mecirdi, B. Bouiadjra, L. Bideux, B. Gruzza, C. Robert, Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz.
-Appl. Surf. Sci. 2006 vol. 252 iss. 22, s. 7890-7894, bibliogr. 14 poz.. Impact Factor 1.436

azotowanie ; XPS ; pomiar wielkości elektrycznych ; fotoluminescencja

nitridation ; XPS ; electrical measurement ; photoluminescence

5/7
Nr opisu: 0000018248   
High-sensitivity NO2 sensor based on n-type InP epitaxial layers.
[Aut.]: K. Wierzbowska, Bogusława Adamowicz, L. Mazet, J. Brunet, A. Pauly, L. Bideux, Ch. Varenne, L. Berry, J.P. Germain.
-Opt. Appl. 2005 vol. 35 no. 3, s. 655-662, bibliogr. 11 poz.. Impact Factor 0.459

fosforek indu ; warstwa epitaksjalna ; czujnik gazu ; stan powierzchniowy ; symulacja komputerowa

indium phosphide ; epitaxial layer ; gas sensor ; surface states ; computer simulation

6/7
Nr opisu: 0000021694   
Nitridation of InP(100) surface studied by synchrotron radiation.
[Aut.]: M. Petit, D. Baca, Sebastian* Arabasz, L. Bideux, N. Tsud, D. Fabik, B. Gruzza, V. Chab, V. Matolin, K. Prince.
-Surf. Sci. 2005 vol. 583 iss. 2/3, s. 205-212, bibliogr. 18 poz.. Impact Factor 1.780

azotowanie ; promieniowanie synchrotronowe ; XPS ; fosforek indu

nitridation ; synchrotron radiation ; XPS ; indium phosphide

7/7
Nr opisu: 0000021693   
Passivation of InP(100) substrates: first stages of nitridation by thin InN surface overlayers studied by electron spectroscopies.
[Aut.]: M. Petit, C. Robert-Goumet, L. Bideux, B. Gruzza, V. Matolin, Sebastian* Arabasz, Bogusława Adamowicz, D. Wawer, M. Bugajski.
-Surf. Interface Anal. 2005 vol. 37 iss. 7, s. 615-620, bibliogr. 20 poz.. Impact Factor 0.918

InN ; fosforek indu ; azotowanie ; AES ; XPS ; fotoluminescencja ; spektroskopia elektronowa

InN ; indium phosphide ; nitridation ; AES ; XPS ; photoluminescence ; electron spectroscopy

stosując format:
Nowe wyszukiwanie