Wynik wyszukiwania
Zapytanie:
BIDEUX L
Liczba odnalezionych rekordów:
7
Przejście do opcji zmiany formatu
|
Wyświetlenie wyników w wersji do druku
|
Pobranie pliku do edytora
|
Przesłanie wyników do modułu analizy
|
excel
|
Nowe wyszukiwanie
1/7
Nr opisu:
0000047661
A novel III-V semiconductor material for NO
2
detection and monitoring.
[Aut.]: K.
Wierzbowska
, L.
Bideux
, Bogusława
Adamowicz
, A.
Pauly
.
-
Sens. Actuators, A Phys.
2008 vol. 142 iss. 1
, s. 237-241, bibliogr. 9 poz.
NO2
;
dwutlenek azotu
;
InP
;
fosforek indu
;
XPS
;
rentgenowska spektroskopia fotoelektronów
;
spektroskopia elektronów Augera
NO2
;
nitrogen dioxide
;
InP
;
indium phosphide
;
XPS
;
X-ray photoelectron spectroscopy
;
Auger electron spectroscopy
2/7
Nr opisu:
0000029212
A novel semiconductors material for NO
2
detection and monitoring.
[Aut.]: K.
Wierzbowska
, A.
Pauly
, L.
Bideux
, Bogusława
Adamowicz
.
W:
Eurosensors XX
. 20th Conference Anniversary, Goteborg, Sweden, 17-20 September 2006. Proceedings. Goteborg : [b.w.], 2006
, W1A-01, s. 1-4
3/7
Nr opisu:
0000029192
Studies of gas sensing, electrical and chemical properties of n-InP epitaxial surfaces.
[Aut.]: K.
Wierzbowska
, A.
Pauly
, Bogusława
Adamowicz
, L.
Bideux
.
-
Phys. Status Solidi, A Appl. Res.
2006 vol. 203 iss. 9
, s. 2281-2286, bibliogr. 16 poz..
Impact Factor
1.221
wrażliwość
;
interfejs
;
utlenianie
;
warstwa
sensitivity
;
interface
;
oxidation
;
layer
4/7
Nr opisu:
0000025436
XPS, electric and photoluminescence-based analysis of the GaAs (1 0 0) nitridation.
[Aut.]: Z.
Benamara
, N.
Mecirdi
, B.
Bouiadjra
, L.
Bideux
, B.
Gruzza
, C.
Robert
, Marcin**
Miczek
, Bogusława
Adamowicz
.
-
Appl. Surf. Sci.
2006 vol. 252 iss. 22
, s. 7890-7894, bibliogr. 14 poz..
Impact Factor
1.436
azotowanie
;
XPS
;
pomiar wielkości elektrycznych
;
fotoluminescencja
nitridation
;
XPS
;
electrical measurement
;
photoluminescence
5/7
Nr opisu:
0000018248
High-sensitivity NO
2
sensor based on n-type InP epitaxial layers.
[Aut.]: K.
Wierzbowska
, Bogusława
Adamowicz
, L.
Mazet
, J.
Brunet
, A.
Pauly
, L.
Bideux
, Ch.
Varenne
, L.
Berry
, J.P.
Germain
.
-
Opt. Appl.
2005 vol. 35 no. 3
, s. 655-662, bibliogr. 11 poz..
Impact Factor
0.459
fosforek indu
;
warstwa epitaksjalna
;
czujnik gazu
;
stan powierzchniowy
;
symulacja komputerowa
indium phosphide
;
epitaxial layer
;
gas sensor
;
surface states
;
computer simulation
6/7
Nr opisu:
0000021694
Nitridation of InP(100) surface studied by synchrotron radiation.
[Aut.]: M.
Petit
, D.
Baca
, Sebastian*
Arabasz
, L.
Bideux
, N.
Tsud
, D.
Fabik
, B.
Gruzza
, V.
Chab
, V.
Matolin
, K.
Prince
.
-
Surf. Sci.
2005 vol. 583 iss. 2/3
, s. 205-212, bibliogr. 18 poz..
Impact Factor
1.780
azotowanie
;
promieniowanie synchrotronowe
;
XPS
;
fosforek indu
nitridation
;
synchrotron radiation
;
XPS
;
indium phosphide
7/7
Nr opisu:
0000021693
Passivation of InP(100) substrates: first stages of nitridation by thin InN surface overlayers studied by electron spectroscopies.
[Aut.]: M.
Petit
, C.
Robert-Goumet
, L.
Bideux
, B.
Gruzza
, V.
Matolin
, Sebastian*
Arabasz
, Bogusława
Adamowicz
, D.
Wawer
, M.
Bugajski
.
-
Surf. Interface Anal.
2005 vol. 37 iss. 7
, s. 615-620, bibliogr. 20 poz..
Impact Factor
0.918
InN
;
fosforek indu
;
azotowanie
;
AES
;
XPS
;
fotoluminescencja
;
spektroskopia elektronowa
InN
;
indium phosphide
;
nitridation
;
AES
;
XPS
;
photoluminescence
;
electron spectroscopy
stosując format:
standardowy
pełny z etykietami pól
roboczy
redakcja skr.
redakcja peł.
kontrolny
Nowe wyszukiwanie