Wynik wyszukiwania
Zapytanie:
ADAMOWICZ BOGUSŁAWA
Liczba odnalezionych rekordów:
109
Przejście do opcji zmiany formatu
|
Wyświetlenie wyników w wersji do druku
|
Pobranie pliku do edytora
|
Przesłanie wyników do modułu analizy
|
excel
|
Nowe wyszukiwanie
1/109
Nr opisu:
0000139064
Effect of carrier drift-diffusion transport process on thermal quenching of photoluminescence in GaN.
[Aut.]: M.
Matys
, Bogusława
Adamowicz
, T.
Kachi
, T.
Hashizume
.
-
J. Phys., D Appl. Phys.
2021 vol. 54 iss. 5
, s. 1-13, bibliogr. 33 poz..
Impact Factor
3.169.
Punktacja MNiSW
70.000
GaN
;
stan powierzchniowy
GaN
;
surface states
;
drift diffusion
2/109
Nr opisu:
0000139111
All-optical transistor using deep-level defects in nitride semiconductors for room temperature optical computing.
[Aut.]: M.
Matys
, Alina
Domanowska
, Anna
Michalewicz
, Bogusława
Adamowicz
, T.
Kachi
.
-
AIP Adv.
2020 vol. 10 iss. 10
, s. 1-25, bibliogr. 25 poz..
Impact Factor
1.337.
Punktacja MNiSW
70.000
3/109
Nr opisu:
0000127121
On the interpretation of cathodoluminescence intensity maps of wide band gap nanowires.
[Aut.]: M.
Matys
, Bogusława
Adamowicz
.
-
Nanotechnology
2019 vol. 30 iss. 3
, s. 1-8, bibliogr. 30 poz..
Impact Factor
3.551.
Punktacja MNiSW
100.000
szerokopasmowe materiały szczelinowe
;
azotek galu
;
metoda elementów skończonych
wide band gap materials
;
gallium nitride
;
finite element method
4/109
Nr opisu:
0000127652
Enhancement of channel electric field in AlGaN/GaN multi-nanochannel high electron mobility transistors.
[Aut.]: M.
Matys
, K.
Nishiguchi
, Bogusława
Adamowicz
, J.
Kuzmik
, T.
Hashizume
.
-
J. Appl. Phys.
2018 vol. 124 iss. 22
, art. no. 224502 s. 1-8, bibliogr. 32 poz..
Impact Factor
2.328.
Punktacja MNiSW
35.000
5/109
Nr opisu:
0000120835
Disorder induced gap states as a cause of threshold voltage instabilities in Al2O3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors.
[Aut.]: M.
Matys
, S.
Kaneki
, K.
Nishiguchi
, Bogusława
Adamowicz
, T.
Hashizume
.
-
J. Appl. Phys.
2017 vol. 122 iss. 22
, art. no. 224504 s. 1-8, bibliogr. 31 poz..
Impact Factor
2.176.
Punktacja MNiSW
35.000
6/109
Nr opisu:
0000114171
Mechanism of yellow luminescence in GaN at room temperature.
[Aut.]: Maciej*
Matys
, Bogusława
Adamowicz
.
-
J. Appl. Phys.
2017 vol. 121 iss. 6
, s. 1-8, bibliogr. 52 poz..
Impact Factor
2.176.
Punktacja MNiSW
35.000
7/109
Nr opisu:
0000117236
Origin of positive fixed charge at insulator/AlGaN interfaces and its control by AlGaN composition.
[Aut.]: Maciej*
Matys
, R.
Stoklas
, M.
Blaho
, Bogusława
Adamowicz
.
-
Appl. Phys. Lett.
2017 vol. 110 iss. 24
, s. 243505-1 - 243505-5, bibliogr. 26 poz..
Impact Factor
3.495.
Punktacja MNiSW
40.000
8/109
Nr opisu:
0000107207
Characterization of capture cross sections of interface states in dielectric/III-nitride heterojunction structures.
[Aut.]: Maciej*
Matys
, R.
Stoklas
, J.
Kuzmik
, Bogusława
Adamowicz
, Z.
Yatabe
.
-
J. Appl. Phys.
2016 vol. 119 iss. 20
, art. no. 205304 s. 1-8, bibliogr. 41 poz..
Impact Factor
2.068.
Punktacja MNiSW
35.000
9/109
Nr opisu:
0000107795
High-temperature ultraviolet detection based on surface photovoltage effect in SiN passivated n-GaN films.
[Aut.]: Maciej*
Matys
, Bogusława
Adamowicz
, Z.
Zytkiewicz
, A.
Taube
, R.
Kruszka
, A.
Piotrowska
.
-
Appl. Phys. Lett.
2016 vol. 109 iss. 5
, art. nr 051106, s. 1-5, bibliogr. 25 poz..
Impact Factor
3.411.
Punktacja MNiSW
40.000
10/109
Nr opisu:
0000104707
Współpraca Instytutu Fizyki z Japonią.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
.
-
Biul. Pol. Śl.
2016 nr 2
, s. 15
Politechnika Śląska
;
Instytut Fizyki
;
współpraca międzynarodowa
Silesian University of Technology
;
Institute of Physics
;
international cooperation
11/109
Nr opisu:
0000093840
Analiza chemiczna AES pasywacyjnych warstw na powierzchni GaN, AlGaN i SiC.
[Aut.]: Alina
Domanowska
, Rafał*
Ucka
, Maciej*
Matys
, Bogusława
Adamowicz
, M.
Sochacki
, Z.
Żytkiewicz
, M.
Sobańska
, K.
Kłosek
, A.
Taube
, R.
Kruszka
, J.
Żywicki
.
W:
Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]
. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013
, s. 193 + tekst na CD-ROM
Pełny tekst na CD-ROM
Al2O3
;
SixNy
;
SiO2
;
pasywacja
;
analiza chemiczna
;
spektroskopia elektronów Augera
;
struktura metal-izolator-półprzewodnik
Al2O3
;
SixNy
;
SiO2
;
passivation
;
chemical analysis
;
Auger electron spectroscopy
;
metal-insulator-semiconductor structure
12/109
Nr opisu:
0000095200
Direct measurement of donor-like interface state density and energy distribution at insulator/AlGaN interface in metal/Al
2
O
3
/AlGaN/GaN by photocapacitance method.
[Aut.]: Maciej*
Matys
, Bogusława
Adamowicz
, Y.
Hori
, T.
Hashizume
.
-
Appl. Phys. Lett.
2013 vol. 103 iss. 23
, s. 021603-1 - 021603-4, bibliogr. 20 poz..
Impact Factor
3.515.
Punktacja MNiSW
40.000
13/109
Nr opisu:
0000093838
Fotodetektor ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/GaN i AlGaN/GaN.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Rafał*
Ucka
, Maciej*
Matys
, Alina
Domanowska
, Z.
Żytkiewicz
, M.
Sobańska
, A.
Taube
, R.
Kruszka
.
W:
Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]
. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013
, s. 184 + tekst na CD-ROM
Pełny tekst na CD-ROM
fotodetektor ultrafioletu
;
GaN
;
AlGaN/GaN
;
stan powierzchniowy
;
fotonapięcie powierzchniowe
;
fotopojemność
;
pasywacja
;
struktura metal-izolator-półprzewodnik
UV photodetector
;
GaN
;
AlGaN/GaN
;
surface condition
;
surface photovoltage
;
photocapacitance
;
passivation
;
metal-insulator-semiconductor structure
14/109
Nr opisu:
0000088327
Two-dimensional modeling of surface photovoltage in metal/insulator/n-GaN structure with cylindrical symmetry.
[Aut.]: Maciej*
Matys
, P.
Powroźnik
, D.
Kupka
, Bogusława
Adamowicz
.
-
Opt. Appl.
2013 vol. 43 no. 1
, s. 47-52, bibliogr. 7 poz..
Impact Factor
0.643.
Punktacja MNiSW
15.000
fotonapięcie powierzchniowe
;
azotek galu
;
metal/izolator/GaN
;
struktura MIS
;
detektor ultrafioletu
surface photovoltage
;
gallium nitride
;
metal/insulator/GaN
;
MIS structure
;
UV detector
15/109
Nr opisu:
0000093841
Wyznaczanie energetycznego rozkładu gęstości powierzchniowych na granicy fazowej Al
2
O
3
/GaN i Al
2
O
3
/AlGaN.
[Aut.]: Maciej*
Matys
, Rafał*
Ucka
, Bogusława
Adamowicz
, Y.
Hori
, T.
Hashizume
.
W:
Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]
. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013
, s. 194 + tekst na CD-ROM
Pełny tekst na CD-ROM
Al2O3
;
GaN
;
AlGaN
;
pasywacja
;
fotopojemność
;
stan powierzchniowy
;
struktura metal-izolator-półprzewodnik
Al2O3
;
GaN
;
AlGaN
;
passivation
;
photocapacitance
;
surface condition
;
metal-insulator-semiconductor structure
16/109
Nr opisu:
0000085582
A novel method for the determination of the full energetic distribution of interface state density in metal/insulator/GaN structures from capacitance-voltage and photocapacitance-light intensity measurements.
[Aut.]: Maciej*
Matys
, Marcin**
Miczek
, Bogusława
Adamowicz
, T.
Hashizume
.
W:
31st International Conference on the Physics of Semiconductors
. ICPS 2012, Zurich, Switzerland, July 29th to August 3rd 2012 [online]. [B.m.] : [b.w.], 2012
, (plik html) s. 1, bibliogr. 5 poz.
Dostępny w Internecie: http://sciconf.org/icps2012/ip/topic/2/session/29/paper/5?layout=screen [dostęp 15 czerwca 2013]
17/109
Nr opisu:
0000084456
Analytical and numerical analysis of the surface photovoltage in n-GaAs for the determination of surface electronic parameters.
[Aut.]: Maciej*
Matys
, Rafał*
Ucka
, Bogusława
Adamowicz
.
W:
41st "Jaszowiec" 2012 International School and Conference on the Physics of Semiconductors, Krynica-Zdrój, Poland, 8 - 15 June, 2012
. Warsaw : [b.w.], 2012
, s. WeP33, bibliogr. 3 poz.
18/109
Nr opisu:
0000082736
Charakteryzacja właściwości chemicznych, optycznych i elektronowych pasywowanych in-situ powierzchni n-GaN.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Alina
Domanowska
, Piotr*
Kościelniak
, Rafał*
Ucka
, Maciej*
Matys
, Marcin**
Miczek
, Michał*
Sitarz
, Jacek**
Szuber
, Z.
Żytkiewicz
, M.
Sobańska
, K.
Kłosek
, A.
Taube
.
W:
Jedenasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 11-14.06.2012]
. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2012
, s. 152
Pełny tekst na CD-ROM
azotek galu
;
pasywacja
;
stan powierzchniowy
;
skład chemiczny
gallium nitride
;
passivation
;
surface condition
;
chemical composition
19/109
Nr opisu:
0000084466
Determination of the deep donor-like interface state density distribution in metal/Al
2
O
3
/n-GaN structures from the photocapacitance-light intensity measurement.
[Aut.]: Maciej*
Matys
, Bogusława
Adamowicz
, T.
Hashizume
.
-
Appl. Phys. Lett.
2012 vol. 101 iss. 23
, s. 231608-1 - 231608-4, bibliogr. 18 poz..
Impact Factor
3.794.
Punktacja MNiSW
40.000
związki aluminium
;
związki galu
;
półprzewodnik grupy III-V
;
struktura MIS
;
fotopojemność
;
pasmo walencyjne
;
półprzewodnik szerokoprzerwowy
aluminium compounds
;
gallium compounds
;
III-V semiconductor
;
MIS structure
;
photocapacitance
;
valence band
;
wide bandgap semiconductor
20/109
Nr opisu:
0000083702
Impact of interface states and bulk carrier lifetime on photocapacitance of metal/insulator/GaN structure.
[Aut.]: Piotr*
Bidziński
, Marcin**
Miczek
, Bogusława
Adamowicz
, C.
Mizue
, T.
Hashizume
.
W:
Extended abstracts of the 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials, Tokyo, 2010
. Tokyo : Publication Office Business Center for Academic Society Japan, 2010
, s. 1231-1232
21/109
Nr opisu:
0000071978
Modelowanie dwuwymiarowe fotonapięcia powierzchniowego w strukturach metal/izolator/GaN o symetrii cylindrycznej.
[Aut.]: Maciej*
Matys
, P.
Powroźnik
, D.
Kupka
, Bogusława
Adamowicz
.
W:
Powierzchnia i struktury cienkowarstwowe
. XII Seminarium. SemPiSC, Szklarska Poręba, 9-12 maja 2012. Książka streszczeń. [B.m.] : [b.w.], 2012
, s. 1-2, bibliogr. 3 poz.
fotonapięcie powierzchniowe
;
metal/izolator/GaN
;
symetria cylindryczna
surface photovoltage
;
metal/insulator/GaN
;
cylindrical symmetry
22/109
Nr opisu:
0000082739
Modelowanie fotodetektora ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/GaN i AlGaN/GaN.
[Aut.]: Marcin**
Miczek
, Maciej*
Matys
, Bogusława
Adamowicz
.
W:
Jedenasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 11-14.06.2012]
. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2012
, s. 157
Pełny tekst na CD-ROM
detektor ultrafioletu
;
napięcie powierzchniowe
;
AlGaN/GaN
;
defekt objętościowy
;
fotonapięcie powierzchniowe
;
metal/izolator/półprzewodnik
UV detector
;
surface tension
;
AlGaN/GaN
;
volume defect
;
surface photovoltage
;
MIS
23/109
Nr opisu:
0000080343
Surface photovoltage and Auger electron spectromicroscopy studies of HfO
2
/SiO
2
/4H-SiC and HfO
2
/Al
2
O
3
/4H-SiC structures.
[Aut.]: Alina
Domanowska
, Marcin**
Miczek
, Rafał*
Ucka
, Maciej*
Matys
, Bogusława
Adamowicz
, J.
Żywicki
, A.
Taube
, K.
Korwin-Mikke
, S.
Gierałtowska
, M.
Sochacki
.
-
Appl. Surf. Sci.
2012 vol. 258 iss. 21
, s. 8354-8359, bibliogr. 43 poz..
Impact Factor
2.112.
Punktacja MNiSW
30.000
węglik krzemu
;
pasywacja powierzchni
;
fotonapięcie powierzchniowe
;
spektroskopia elektronów Augera
silicon carbide
;
surface passivation
;
surface photovoltage
;
Auger electron spectroscopy
;
chemical in-depth profiling
;
interface charge
24/109
Nr opisu:
0000071917
Wpływ stanów powierzchniowych na półprzewodnikowe struktury sensorowe.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
.
W:
Powierzchnia i struktury cienkowarstwowe
. XII Seminarium. SemPiSC, Szklarska Poręba, 9-12 maja 2012. Książka streszczeń. [B.m.] : [b.w.], 2012
, s. 1-2, bibliogr. 5 poz.
struktura sensorowa
;
półprzewodnik
;
właściwości elektronowe
;
czujnik gazowy
sensor structure
;
semiconductor
;
electronic properties
;
gas sensor
25/109
Nr opisu:
0000084471
Analiza wpływu stanów powierzchniowych na fotoluminescencję z azotku galu.
[Aut.]: Maciej*
Matys
, Bogusława
Adamowicz
.
W:
V Krajowa Konferencja Nanotechnologii
. NANO 2011, Gdańsk, 3-7 lipca 2011. Streszczenia wystąpień. Pod red. Jarosława Rybickiego i Wojciecha Sadowskiego. Gdańsk : TASK Publishing, 2011
, s. 158-159, bibliogr. 3 poz.
fotoluminescencja
;
stan powierzchniowy
;
azotek galu
photoluminescence
;
surface condition
;
gallium nitride
26/109
Nr opisu:
0000071973
Analysis of chemical shifts in Auger electron spectra versus sputtering time from passivated surfaces.
[Aut.]: Alina
Domanowska
, Bogusława
Adamowicz
, Piotr*
Bidziński
, Andrzej**
Klimasek
, Janusz
Szewczenko
, T.
Gutt
, H.
Przewłocki
.
-
Opt. Appl.
2011 vol. 41 no. 2
, s. 441-447, bibliogr. 8 poz..
Impact Factor
0.398.
Punktacja MNiSW
15.000
spektroskopia elektronów Augera
;
interfejs
;
pasywacja
;
algorytm ewolucyjny
Auger electron spectroscopy
;
interface
;
passivation
;
evolutionary algorithm
27/109
Nr opisu:
0000071687
Impact of interface states and bulk carrier lifetime on photocapacitance of metal/insulator/GaN structure for ultraviolet light detection.
[Aut.]: Piotr*
Bidziński
, Marcin**
Miczek
, Bogusława
Adamowicz
, C.
Mizue
, T.
Hashizume
.
-
Jpn. J. Appl. Phys.
2011 vol. 50
, art. no. 04DF08, bibliogr. 23 poz..
Impact Factor
1.024
28/109
Nr opisu:
0000083622
Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych (INTechFun).
[Aut.]: A.
Piotrowska
, P.
Mihalovits
, E.
Kamińska
, M.
Borysiewicz
, M.
Guziewicz
, M.
Ekielski
, M.
Juchniewicz
, K.
Korwin-Mikke
, A.
Taube
, R.
Kruszka
, I.
Pasternak
, Z.
Adamus
, K.
Gołaszewska
, A.
Barcz
, A.
Czerwiński
, T.
Gutt
, H.
Przewłocki
, G.
Zaremba
, P.
Bogusławski
, O.
Volnianska
, Z.
Żytkiewicz
, E.
Dynowska
, M.
Sawicki
, W.
Nakwaski
, A.
Brozi
, Tadeusz
Pustelny
, Bogusława
Adamowicz
, Marcin**
Miczek
, J.
Szmidt
, M.
Sochacki
, M.
Borecki
.
W:
Dziesiąta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 05-09.06.2011]
. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2011
, s. 129-130
Pełny tekst na CD-ROM
nanoelektronika
;
fotonika
;
spintronika
;
półprzewodnik szerokoprzerwowy
;
tlenek cienkowarstwowy
nanoelectronics
;
photonics
;
spintronics
;
wide bandgap semiconductor
;
thin-film oxide
29/109
Nr opisu:
0000082601
Modelowanie wpływu stanów powierzchniowych na zjawiska rekombinacyjne w GaN.
[Aut.]: Maciej*
Matys
, Bogusława
Adamowicz
.
W:
Dziesiąta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 05-09.06.2011]
. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2011
, s. 167
Pełny tekst na CD-ROM
azotek galu
;
fotoluminescencja
;
rekombinacja powierzchniowa
;
metoda elementów skończonych
;
defekt radiacyjny
gallium nitride
;
photoluminescence
;
surface recombination
;
finite element method
;
radiation defect
30/109
Nr opisu:
0000082582
Modelowanie zjawisk fotoelektrycznych w zakresie ultrafioletu w strukturach metal/izolator/GaN.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Piotr*
Bidziński
, Marcin**
Miczek
, Maciej*
Matys
.
W:
Dziesiąta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 05-09.06.2011]
. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2011
, s. 137
Pełny tekst na CD-ROM
GaN
;
fotonapięcie powierzchniowe
;
rekombinacja
;
detektor ultrafioletu
;
metoda elementów skończonych
GaN
;
surface photovoltage
;
recombination
;
UV detector
;
finite element method
31/109
Nr opisu:
0000084444
Modelowanie zjawisk fotoelektrycznych w zakresie ultrafioletu w strukturach metal/izolator/GaN.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Piotr*
Bidziński
, Marcin**
Miczek
, Maciej*
Matys
.
-
Elektronika
2011 R. 52 nr 9
, s. 43-45, bibliogr. 6 poz..
Punktacja MNiSW
6.000
GaN
;
fotonapięcie powierzchniowe
;
rekombinacja
;
detektor ultrafioletu
;
metoda elementów skończonych
;
MES
GaN
;
surface photovoltage
;
recombination
;
UV detector
;
finite element method
;
FEM
32/109
Nr opisu:
0000068353
Profilowanie składu chemicznego tlenkowych warstw pasywacyjnych metodą spektromikroskopii elektronów Augera.
[Aut.]: Alina
Domanowska
, Andrzej**
Klimasek
, E.
Lisiecka
, Piotr*
Bidziński
, Bogusława
Adamowicz
, Janusz
Szewczenko
, A.
Taube
, K.
Korwin-Mikke
, S.
Gierałtowska
, J.
Żywicki
.
-
Elektronika
2011 R. 52 nr 9
, s. 63-66, bibliogr. 6 poz..
Punktacja MNiSW
6.000
spektromikroskopia
;
elektron Augera
;
widmo AES
spectromicroscopy
;
Auger electron
;
AES spectrum
33/109
Nr opisu:
0000082584
Profilowanie składu chemicznego tlenkowych warstw pasywacyjnych metodą spektromikroskopii elektronów Augera.
[Aut.]: Alina
Domanowska
, Andrzej**
Klimasek
, E.
Lisiecka
, Piotr*
Bidziński
, Bogusława
Adamowicz
, J.
Żywicki
, Janusz
Szewczenko
.
W:
Dziesiąta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 05-09.06.2011]
. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2011
, s. 145
Pełny tekst na CD-ROM
spektromikroskopia
;
elektron Augera
;
skład chemiczny
;
pasywacja
spectromicroscopy
;
Auger electron
;
chemical composition
;
passivation
34/109
Nr opisu:
0000123619
The impact of bulk defects, surface states, and excitons on yellow and ultraviolet photoluminescence in GaN.
[Aut.]: Maciej*
Matys
, Marcin**
Miczek
, Bogusława
Adamowicz
, Z.
Żytkiewicz
, E.
Kamińska
, A.
Piotrowska
, T.
Hashizume
.
-
Acta Phys. Pol. A
2011 vol. 120 no. 6A
, s. A-73-A-75, bibliogr. 16 poz.
Referat wygłoszony na: Proceedings of the E-MRS Fall Meeting. Symposium H: Novel materials for electronics, optoelectronics, photovoltaics and energy saving applications, Warsaw, Poland, September 19-23, 2011.
Impact Factor
0.444.
Punktacja MNiSW
15.000
35/109
Nr opisu:
0000071269
The influence of interface states and bulk carrier lifetime on the minority carrier behavior in an illuminated metal/insulator/GaN structure.
[Aut.]: Marcin**
Miczek
, P.
Bidziński
, Bogusława
Adamowicz
, C.
Mizue
, T.
Hashizume
.
-
Solid State Commun.
2011 vol. 151 iss. 11
, s. 830-833, bibliogr. 37 poz..
Impact Factor
1.649
azotek galu
;
struktura MIS
;
fotodetektor typu "solar blind"
gallium nitride
;
MIS structure
;
"solar blind" photodetector
36/109
Nr opisu:
0000081093
Analiza numeryczna zjawisk fotoelektronowych w detektorach promieniowania UV typu MIS na bazie n-GaN.
[Aut.]: Piotr*
Bidziński
, Marcin**
Miczek
, Bogusława
Adamowicz
, T.
Hashizume
.
W:
IV Krajowa Konferencja Nanotechnologii
. NANO 2010, Poznań, 28.06-02.07 2010. Program i streszczenia. Wydział Fizyki Technicznej Politechniki Poznańskiej [et al.].. Poznań : [b.w.], 2010
, s. 235, bibliogr. 4 poz.
GaN
;
struktura MIS
;
COMSOL
GaN
;
MIS structure
;
COMSOL
37/109
Nr opisu:
0000063316
Analysis of chemical shifts in Auger electron spectra versus sputtering time from passivated surfaces.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Alina
Domanowska
, Piotr*
Bidziński
, Andrzej**
Klimasek
, Janusz
Szewczenko
, T.
Gutt
, H.
Przewłocki
.
W:
10th Electron Technology Conference ELTE 2010 and 34th International Microelectronics and Packaging IMAPS-CPMT Poland Conference, Wrocław, 22-25 September 2010
. Book of abstracts. Eds: A. Dziedzic, K. Malecha, J. Radojewski. [Kraków] : [International Microelectronics and Packaging Society IMAPS. Poland Chapter], 2010
, s. 131-132, bibliogr. 4 poz.
38/109
Nr opisu:
0000082623
Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych (InTechFun).
[Aut.]: A.
Piotrowska
, P.
Mihalovits
, E.
Kamińska
, M.
Borysiewicz
, M.
Guziewicz
, M.
Ekielski
, M.
Juchniewicz
, K.
Korwin-Mikke
, A.
Taube
, R.
Kruszka
, I.
Pasternak
, Z.
Adamus
, K.
Gołaszewska
, A.
Barcz
, A.
Czerwiński
, M.
Wzorek
, T.
Gutt
, H.
Przewłocki
, G.
Zaremba
, P.
Bogusławski
, O.
Volnianska
, Z.
Żytkiewicz
, E.
Dynowska
, M.
Sawicki
, W.
Nakwaski
, A.
Brozi
, Tadeusz
Pustelny
, Bogusława
Adamowicz
, Marcin**
Miczek
, J.
Szmidt
, M.
Sochacki
, M.
Borecki
.
W:
Dziewiąta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 30.05-02.06.2010]
. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2010
, s. 29-30
Pełny tekst na CD-ROM
nanoelektronika
;
fotonika
;
spintronika
;
technika laserowa
;
półprzewodnik szerokoprzerwowy
;
tlenek cienkowarstwowy
nanoelectronics
;
photonics
;
spintronics
;
laser technique
;
wide bandgap semiconductor
;
thin-film oxide
39/109
Nr opisu:
0000063105
Modeling of metal/insulator/GaN ultraviolet photodetector by finite element method.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Marcin**
Miczek
, Piotr*
Bidziński
, T.
Hashizume
.
W:
18th International Conference on Microwaves, Radar and Wireless Communications
. MIKON-2010, Vilnius, Lithuania, June 14-16, 2010. Conference proceedings. Picataway : Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2010
, s. 1-3, bibliogr. 7 poz.
GaN
;
metal/izolator/półprzewodnik
;
fotodekoder UV
;
modelowanie komputerowe
;
metoda elementów skończonych
;
COMSOL
GaN
;
MIS
;
UV photodecoder
;
computer modelling
;
finite element method
;
COMSOL
40/109
Nr opisu:
0000081095
Profile składu chemicznego nanowarstw pasywacyjnych na podstawie analizy numerycznej widm elektronów Augera.
[Aut.]: Alina
Domanowska
, Piotr*
Bidziński
, Andrzej**
Klimasek
, J.
Żywicki
, Bogusława
Adamowicz
.
W:
IV Krajowa Konferencja Nanotechnologii
. NANO 2010, Poznań, 28.06-02.07 2010. Program i streszczenia. Wydział Fizyki Technicznej Politechniki Poznańskiej [et al.].. Poznań : [b.w.], 2010
, s. 145, bibliogr. 2 poz.
spektroskopia elektronów Augera
;
analiza numeryczna
Auger electron spectroscopy
;
numerical analysis
41/109
Nr opisu:
0000063311
Simulations of UV - induced photoeffects in insulator/n-GaN MIS structure.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Marcin**
Miczek
, Piotr*
Bidziński
.
W:
10th Electron Technology Conference ELTE 2010 and 34th International Microelectronics and Packaging IMAPS-CPMT Poland Conference, Wrocław, 22-25 September 2010
. Book of abstracts. Eds: A. Dziedzic, K. Malecha, J. Radojewski. [Kraków] : [International Microelectronics and Packaging Society IMAPS. Poland Chapter], 2010
, s. 69, bibliogr. 5 poz.
42/109
Nr opisu:
0000063355
Surface passivation of III-V semiconductors for future CMOS devices - past research, present status and key issues for future.
[Aut.]: H.
Hasegawa
, M.
Akazawa
, Alina
Domanowska
, Bogusława
Adamowicz
.
-
Appl. Surf. Sci.
2010 vol. 256 iss. 19
, s. 5698-5707, bibliogr. 65 poz..
Impact Factor
1.795
półprzewodnik grupy III-V
;
pasywacja powierzchni
;
MISFET
;
dielektryk o wysokiej przenikalności elektrycznej
;
arsenek galu
;
GaAs
;
fotoluminescencja
III-V semiconductor
;
surface passivation
;
MISFET
;
high-k dielectric
;
gallium arsenide
;
GaAs
;
photoluminescence
43/109
Nr opisu:
0000056638
Capacitance-voltage and photoluminescence study of high-k/GaAs interfaces controlled by Si interface control layer.
[Aut.]: M.
Akazawa
, Alina
Domanowska
, Bogusława
Adamowicz
, H.
Hasegawa
.
-
J. Vac. Sci. Technol., B.
2009 vol. 27 iss. 4
, s. 2028-2035.
Impact Factor
1.460
44/109
Nr opisu:
0000057117
Simulations of capacitance-voltage-temperature behavior of metal/insulator/AlGaN and metal/insulator/AlGaN/GaN structures.
[Aut.]: Marcin**
Miczek
, Bogusława
Adamowicz
, C.
Mizue
, T.
Hashizume
.
-
Jpn. J. Appl. Phys.
2009 vol. 48 iss. 4
, art. no. 04C092.
Impact Factor
1.138
45/109
Nr opisu:
0000056791
Surface electronic properties of sulfur-treated GaAs determined by surface photovoltage measurement and its computer simulation.
[Aut.]: Paweł*
Tomkiewicz
, Sebastian*
Arabasz
, Bogusława
Adamowicz
, Marcin**
Miczek
, J.
Mizsei
, D.
Zahn
, H.
Hasegawa
, Jacek**
Szuber
.
-
Surf. Sci.
2009 vol. 603 iss. 3
, s. 498-502, bibliogr. 39 poz..
Impact Factor
1.798
Gats
;
pasywacja
;
chlorek siarki
;
powierzchnia rozdziału faz
;
poziom Fermiego
;
fotonapięcie powierzchniowe
;
potencjał styku
;
sonda Kelvina
Gats
;
passivation
;
sulphur chloride
;
interface
;
Fermi level
;
surface photovoltage
;
contact potential
;
Kelvin probe
46/109
Nr opisu:
0000073357
Własności optyczne, chemiczne, elektronowe i morfologiczne struktur AlGaN/GaN.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Marcin**
Miczek
, D.
Pundyk
, Mirosława
Kępińska
, Piotr*
Bobek
, Andrzej**
Klimasek
, T.
Hashizume
.
W:
III Krajowa Konferencja Nanotechnologii
. NANO 2009, Warszawa, 22-26 czerwca 2009 r. Streszczenia. Red. J. Kaniewski. Warszawa : Instytut Technologii Elektronowej, 2009
, s. 62, bibliogr. 2 poz.
heterozłącze
;
własności optyczne
;
własności chemiczne
;
własności elektronowe
;
AlGaN/GaN
heterojunction
;
optical properties
;
chemical properties
;
electron properties
;
AlGaN/GaN
47/109
Nr opisu:
0000047661
A novel III-V semiconductor material for NO
2
detection and monitoring.
[Aut.]: K.
Wierzbowska
, L.
Bideux
, Bogusława
Adamowicz
, A.
Pauly
.
-
Sens. Actuators, A Phys.
2008 vol. 142 iss. 1
, s. 237-241, bibliogr. 9 poz.
NO2
;
dwutlenek azotu
;
InP
;
fosforek indu
;
XPS
;
rentgenowska spektroskopia fotoelektronów
;
spektroskopia elektronów Augera
NO2
;
nitrogen dioxide
;
InP
;
indium phosphide
;
XPS
;
X-ray photoelectron spectroscopy
;
Auger electron spectroscopy
48/109
Nr opisu:
0000073181
Badania struktury cienkich warstw SnO
2
oraz ich właściwości sensorowych w atmosferze zawierającej tlen.
[Aut.]: Weronika
Izydorczyk
, Bogusława
Adamowicz
, Jacek
Izydorczyk
, E.
Papis
, E.
Kamińska
, A.
Piotrowska
, Janusz
Mazurkiewicz
, Waldemar
Kwaśny
, Jacek*
Mazur
, Jerzy
Bodzenta
, Wiesław
Jakubik
, Andrzej**
Klimasek
, J.
Żywicki
.
W:
II Krajowa Konferencja Nanotechnologii, Kraków, 25-28 czerwca 2008
. Książka streszczeń. [B.m.] : [b.w.], 2008
, s. Sr-P-10
SnO2
;
nanowarstwa
;
właściwości sensorowe
SnO2
;
nanolayer
;
sensor properties
49/109
Nr opisu:
0000041977
Badania wpływu stanów powierzchniowych na właściwości elektronowe warstw sensorowych SnO
2
. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Weronika
Izydorczyk
.
Gliwice, 2008, 132 k., bibliogr. 130 poz.
Politechnika Śląska. Wydział Automatyki, Elektroniki i Informatyki. Promotor: dr hab. inż. Bogusława Adamowicz
czujnik gazu
;
warstwa sensorowa
;
ditlenek cyny
;
SnO2
;
zjawisko powierzchniowe
;
adsorpcja tlenu
;
właściwości fizyczne
;
właściwości chemiczne
gas sensor
;
sensor layer
;
tin dioxide
;
SnO2
;
surface phenomenon
;
oxygen adsorption
;
physical properties
;
chemical properties
50/109
Nr opisu:
0000048349
Effects of interface states and temperature on the C-V behavior of metal/insulator/AIGaN/GaN heterostructure capacitors.
[Aut.]: Marcin**
Miczek
, C.
Mizue
, T.
Hashizume
, Bogusława
Adamowicz
.
-
J. Appl. Phys.
2008 vol. 103 iss. 10
, art. no. 104510 s. 1-11, bibliogr. 55 poz..
Impact Factor
2.201
51/109
Nr opisu:
0000050150
Response to oxygen and chemical properties of SnO
2
thin-film gas sensors.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Weronika
Izydorczyk
, Jacek
Izydorczyk
, Andrzej**
Klimasek
, Wiesław
Jakubik
, J.
Żywicki
.
-
Vacuum
2008 vol. 82 iss. 10
, s. 966-970, bibliogr. 16 poz..
Impact Factor
1.114
dwutlenek cyny
;
RGTO
;
adsorpcja tlenu
;
spektroskopia elektronów Augera
;
czujnik gazowy
tin dioxide
;
RGTO technology
;
oxygen adsorption
;
Auger electron spectroscopy
;
gas sensor
52/109
Nr opisu:
0000041375
Response to oxygen and chemical properties of SnO
2
thin-film gas sensors.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Weronika
Izydorczyk
, Jacek
Izydorczyk
, Andrzej**
Klimasek
, Wiesław
Jakubik
, J.
Żywicki
.
W:
Proceedings of the 9th Electron Technology Conference
. ELTE 2007, Cracow, 4-7 September 2007. Ed. by B. Dziurdzia, T. Pisarkiewicz. [B.m.] : Elsevier, 2008
, s. 966-970, bibliogr. 16 poz. (
Vacuum
; vol. 82, iss. 10 0042-207X)
GaN
;
technika wzrostu MOVPE
;
podłoża proszkowe nanokrystaliczne
GaN
;
MOVPE growth technique
;
nanocrystalline powder substrates
53/109
Nr opisu:
0000047684
Surface state density distribution at vacuum-annealed InP(1 0 0) surface as derived from the rigorous analysis of photoluminescence efficiency.
[Aut.]: Paweł*
Tomkiewicz
, Bogusława
Adamowicz
, Marcin**
Miczek
, H.
Hasegawa
, Jacek**
Szuber
.
-
Appl. Surf. Sci.
2008 vol. 254 iss. 24
, s. 8046-8049, bibliogr. 28 poz..
Impact Factor
1.576
InP
;
wyżarzanie
;
pasywacja
;
oczyszczanie
;
powierzchnia rozdziału faz
;
poziom Fermiego
;
fotoluminescencja
;
MISFET
InP
;
annealing
;
passivation
;
cleaning
;
interface
;
Fermi level
;
photoluminescence
;
MISFET
54/109
Nr opisu:
0000039315
Capacitance-voltage and Auger chemical profile studies on AIGaN/GaN structures passivated by SiO
2
/Si
3
N
4
and SiN
x
/Si
3
N
4
bilayers.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Marcin**
Miczek
, T.
Hashizume
, Andrzej**
Klimasek
, P.
Bobek
, J.
Żywicki
.
-
Opt. Appl.
2007 vol. 37 no. 4
, s. 327-334, bibliogr. 25 poz..
Impact Factor
0.284
azotek galu
;
HEMT
;
bramka izolowana
;
pasywacja
;
C-V
;
spektroskopia elektronów Augera
gallium nitride
;
HEMT
;
insulated gate
;
passivation
;
C-V
;
Auger electron spectroscopy
;
chemical in-depth profiles
55/109
Nr opisu:
0000039011
Computer analysis of oxygen adsorption at SnO
2
thin films.
[Aut.]: Weronika
Izydorczyk
, Bogusława
Adamowicz
.
-
Opt. Appl.
2007 vol. 37 no. 4
, s. 377-385, bibliogr. 23 poz..
Impact Factor
0.284
SnO2
;
warstwa cienka
;
nanowarstwa
;
adsorpcja tlenu
;
warstwa zubożona
;
struktura sensorowa
;
modelowanie
SnO2
;
thin film
;
nanolayer
;
oxygen adsorption
;
depletion layer
;
sensor structure
;
modelling
56/109
Nr opisu:
0000040554
Komputerowa analiza adsorpcji tlenu na powierzchni cienkich warstw SnO
2
.
[Aut.]: Weronika
Izydorczyk
, Bogusława
Adamowicz
.
W:
I Krajowa Konferencja Nanotechnologii [Wrocław, 26-28 kwietnia 2007]
. Książka streszczeń. Wrocław : Politechnika Wrocławska, 2007
, s. 174
57/109
Nr opisu:
0000076042
Response of an optimised SnO
2
-based gas sensor to oxygen.
[Aut.]: Weronika
Izydorczyk
, Bogusława
Adamowicz
, Andrzej**
Klimasek
, Krzysztof**
Waczyński
, Jerzy
Uljanow
, Wiesław
Jakubik
, J.
Żywicki
.
W:
IX Electron Technology Conference
. ELTE 2007, Kraków, 4-7.09.2007. Book of abstracts. Eds: K. Zakrzewska [et al.]. Kraków : Przedsiębiorstwo Wielobranżowe STABIL, 2007
, s. 183, bibliogr. 3 poz.
58/109
Nr opisu:
0000047880
Space charge layer properties of wet sulfide treated GaAs sample.
[Aut.]: Paweł*
Tomkiewicz
, Sebastian*
Arabasz
, Bogusława
Adamowicz
, J.
Mizsei
, H.
Hasegawa
, Jacek**
Szuber
.
W:
V International Workshop on Semiconductor Surface Passivation
. SSP' 2007, Zakopane, Poland, September 16-19, 2007. Programme, abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2007
, s. 64, bibliogr. 5 poz.
59/109
Nr opisu:
0000047881
Surface state density distribution of INP(100) surface as derived from rigorous analysis of PL efficiency.
[Aut.]: Paweł*
Tomkiewicz
, Bogusława
Adamowicz
, H.
Hasegawa
, Jacek**
Szuber
.
W:
V International Workshop on Semiconductor Surface Passivation
. SSP' 2007, Zakopane, Poland, September 16-19, 2007. Programme, abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2007
, s. 65, bibliogr. 6 poz.
60/109
Nr opisu:
0000029212
A novel semiconductors material for NO
2
detection and monitoring.
[Aut.]: K.
Wierzbowska
, A.
Pauly
, L.
Bideux
, Bogusława
Adamowicz
.
W:
Eurosensors XX
. 20th Conference Anniversary, Goteborg, Sweden, 17-20 September 2006. Proceedings. Goteborg : [b.w.], 2006
, W1A-01, s. 1-4
61/109
Nr opisu:
0000031201
A theoretical analysis of the electronic properties of tin dioxide surface.
[Aut.]: Weronika
Izydorczyk
, Bogusława
Adamowicz
.
W:
XXX International Conference IMAPS Poland Chapter 2006, Kraków, 24-27 September 2006
. Proceedings. Eds.: W. Zaraska, A. Cichocki, D. Szwagierczak. Kraków : Institute of Electron Technology. Cracow Division, [2006]
, s. 489-492
62/109
Nr opisu:
0000025532
Computer analysis of an influence of oxygen vacancies on the electronic properties of the SnO
2
surface and near-surface region.
[Aut.]: Weronika
Izydorczyk
, Bogusława
Adamowicz
, Marcin**
Miczek
, Krzysztof**
Waczyński
.
-
Phys. Status Solidi, A Appl. Res.
2006 vol. 203 iss. 9
, s. 2241-2246, bibliogr. 30 poz..
Impact Factor
1.221
63/109
Nr opisu:
0000025541
Computer analysis of the electrical properties of the tin dioxide surface - effects of oxygen.
[Aut.]: Weronika
Izydorczyk
, Bogusława
Adamowicz
.
W:
Czujniki optoelektroniczne i elektroniczne
. COE 2006. XI konferencja naukowa, Kraków-Zakopane, 19-22 czerwca 2006. Materiały konferencyjne. Kraków : Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Akademii Górniczo-Hutniczej, 2006
, s. 31-34, bibliogr. 12 poz.
64/109
Nr opisu:
0000029174
Dynamics and control of recombination process at semiconductor surfaces, interfaces and nano-structures.
[Aut.]: H.
Hasegawa
, T.
Sato
, S.
Kasai
, Bogusława
Adamowicz
, T.
Hashizume
.
-
Sol. Energy
2006 vol. 80 iss. 6
, s. 629-644, bibliogr..
Impact Factor
1.431
stan powierzchniowy
;
rekombinacja powierzchniowa
;
spektroskopia tunelowa
;
nanostruktura
surface states
;
surface recombination
;
tunnelling spectroscopy
;
nanostructure
;
Fermi level pinning
;
capacitance voltage method
65/109
Nr opisu:
0000025312
Room temperature photoluminescence studies of nitrided InP(100) surfaces.
[Aut.]: Sebastian*
Arabasz
, Bogusława
Adamowicz
, M.
Petit
, B.
Gruzza
, C.
Robert-Goumet
, T.
Piwnowski
, M.
Bugajski
, H.
Hasegawa
.
-
Mater. Sci. Eng., C Mater. Biol. Appl.
2006 vol. 26 nr 2/3
, s. 378-382, bibliogr. 28 poz..
Impact Factor
1.325
InP
;
powierzchnia
;
pasywacja
;
azotowanie
;
stan powierzchniowy
;
fotoluminescencja
;
model zjawisk nierównowagowych
InP
;
surface
;
passivation
;
nitridation
;
surface states
;
photoluminescence
;
model of non-equilibrium phenomena
66/109
Nr opisu:
0000029267
Studies of chemical composition and response of the SnO
2
based sensor structure to dry and humid synthetic air.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Weronika
Izydorczyk
, Andrzej**
Klimasek
, Krzysztof**
Waczyński
, Jerzy
Uljanow
, Wiesław
Jakubik
, J.
Żywicki
.
W:
XXX International Conference IMAPS Poland Chapter 2006, Kraków, 24-27 September 2006
. Proceedings. Eds.: W. Zaraska, A. Cichocki, D. Szwagierczak. Kraków : Institute of Electron Technology. Cracow Division, [2006]
, s. 259-262
67/109
Nr opisu:
0000023294
Studies of chemical composition and response of the SnO
2
based sensor structure to dry and humid synthetic air.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Weronika
Izydorczyk
, Andrzej**
Klimasek
, Krzysztof**
Waczyński
, Jerzy
Uljanow
, Wiesław
Jakubik
, J.
Żywicki
.
-
Elektronika
2006 R. 47 nr 12
, s. 5-6
68/109
Nr opisu:
0000029192
Studies of gas sensing, electrical and chemical properties of n-InP epitaxial surfaces.
[Aut.]: K.
Wierzbowska
, A.
Pauly
, Bogusława
Adamowicz
, L.
Bideux
.
-
Phys. Status Solidi, A Appl. Res.
2006 vol. 203 iss. 9
, s. 2281-2286, bibliogr. 16 poz..
Impact Factor
1.221
wrażliwość
;
interfejs
;
utlenianie
;
warstwa
sensitivity
;
interface
;
oxidation
;
layer
69/109
Nr opisu:
0000025436
XPS, electric and photoluminescence-based analysis of the GaAs (1 0 0) nitridation.
[Aut.]: Z.
Benamara
, N.
Mecirdi
, B.
Bouiadjra
, L.
Bideux
, B.
Gruzza
, C.
Robert
, Marcin**
Miczek
, Bogusława
Adamowicz
.
-
Appl. Surf. Sci.
2006 vol. 252 iss. 22
, s. 7890-7894, bibliogr. 14 poz..
Impact Factor
1.436
azotowanie
;
XPS
;
pomiar wielkości elektrycznych
;
fotoluminescencja
nitridation
;
XPS
;
electrical measurement
;
photoluminescence
70/109
Nr opisu:
0000014720
Education in Physics at the Silesian University of Technology in Gliwice.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Jerzy**
Krzak
, Marian**
Urbańczyk
, Jerzy
Bodzenta
.
W:
Proceedings of the International Conference on Engineering Education
. ICEE'2005. Global education interlink, Gliwice, Poland, July 25-29, 2005. Vol. 2. Eds: Jerzy Mościński, Marcin Maciążek. Gliwice : Silesian University of Technology, 2005
, s. 786-790, bibliogr. 3 poz.
Toż na CD
nauczanie fizyki
;
fizyka techniczna
teaching physics
;
technical physics
71/109
Nr opisu:
0000018248
High-sensitivity NO
2
sensor based on n-type InP epitaxial layers.
[Aut.]: K.
Wierzbowska
, Bogusława
Adamowicz
, L.
Mazet
, J.
Brunet
, A.
Pauly
, L.
Bideux
, Ch.
Varenne
, L.
Berry
, J.P.
Germain
.
-
Opt. Appl.
2005 vol. 35 no. 3
, s. 655-662, bibliogr. 11 poz..
Impact Factor
0.459
fosforek indu
;
warstwa epitaksjalna
;
czujnik gazu
;
stan powierzchniowy
;
symulacja komputerowa
indium phosphide
;
epitaxial layer
;
gas sensor
;
surface states
;
computer simulation
72/109
Nr opisu:
0000018246
Influence of surface states and bulk traps on non-equilibrium phenomena at GaAs and GaN surfaces.
[Aut.]: Marcin**
Miczek
, Bogusława
Adamowicz
, T.
Hashizume
, H.
Hasegawa
.
-
Opt. Appl.
2005 vol. 35 no. 3
, s. 355-361, bibliogr. 28 poz..
Impact Factor
0.459
arsenek galu
;
azotek galu
;
stan powierzchniowy
;
fotoluminescencja
;
fotonapięcie powierzchniowe
gallium arsenide
;
gallium nitride
;
surface states
;
photoluminescence
;
surface photovoltage
73/109
Nr opisu:
0000021693
Passivation of InP(100) substrates: first stages of nitridation by thin InN surface overlayers studied by electron spectroscopies.
[Aut.]: M.
Petit
, C.
Robert-Goumet
, L.
Bideux
, B.
Gruzza
, V.
Matolin
, Sebastian*
Arabasz
, Bogusława
Adamowicz
, D.
Wawer
, M.
Bugajski
.
-
Surf. Interface Anal.
2005 vol. 37 iss. 7
, s. 615-620, bibliogr. 20 poz..
Impact Factor
0.918
InN
;
fosforek indu
;
azotowanie
;
AES
;
XPS
;
fotoluminescencja
;
spektroskopia elektronowa
InN
;
indium phosphide
;
nitridation
;
AES
;
XPS
;
photoluminescence
;
electron spectroscopy
74/109
Nr opisu:
0000020266
Response of an optimised SnO
2
-based gas sensor structure to changes of NO
2
concentration in synthetic air.
[Aut.]: Weronika
Izydorczyk
, Bogusława
Adamowicz
, Jerzy
Uljanow
, Krzysztof**
Waczyński
.
W:
XXIX International Conference of International Microelectronics and Packaging Society Poland Chapter
. IMAPS Poland, Koszalin - Darłówko, 18-21 September 2005. Proceedings. Eds: P. Majchrzak [et al.]. [Kraków] : International Microelectronics and Packaging Society IMAPS. Poland Chapter, 2005
, s. 377-380
75/109
Nr opisu:
0000014708
Teaching " by means of physics" as an important tool in the creation of a European Higher Education Area.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Jerzy**
Krzak
, Marian**
Urbańczyk
.
W:
Proceedings of the International Conference on Engineering Education
. ICEE'2005. Global education interlink, Gliwice, Poland, July 25-29, 2005. Vol. 2. Eds: Jerzy Mościński, Marcin Maciążek. Gliwice : Silesian University of Technology, 2005
, s. 766-772, bibliogr. 8 poz.
Toż na CD
ewaluacja
;
konspekt
;
problem nauczania
;
cele operacyjne
;
pomiary dydaktyczne
evaluation
;
syllabus
;
problem teaching
;
operational aims
;
didactic measurements
76/109
Nr opisu:
0000007661
Characterisation of the electronic status of III-V-based surfaces and interfaces for nanoelectronics applications.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, H.
Hasegawa
.
W:
27-th International Conference and Exhibition IMAPS - Poland 2003, Podlesice, Gliwice, 16-19 September, 2003
. Proceedings. Eds: M. Drelichowska [i in.]. [Kraków] : [International Microelectronics and Packaging Society IMAPS. Poland Chapter], 2003
, s. 11-20, bibliogr. 32 poz.
stan powierzchniowy
;
rekombinacja powierzchniowa
;
poziom Fermiego
;
pasywacja
;
fotoluminescencja
;
fotonapięcie powierzchniowe
;
algorytm genetyczny
surface states
;
surface recombination
;
Fermi level
;
passivation
;
photoluminescence
;
surface photovoltage
;
genetic algorithm
77/109
Nr opisu:
0000123735
Rigorous analysis of the electronic properties of InP interfaces for gas sensing.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Marcin**
Miczek
, C.
Brun
, B.
Gruzza
, H.
Hasegawa
.
-
Thin Solid Films
2003 vol. 436 iss. 1
, s. 101-106, bibliogr. 24 poz.
Referat wygłoszony na: 3rd International Seminar on Semiconductor Gas Sensors. SGS'2002, Ustroń, Poland, 19-22 September 2002.
Impact Factor
1.598
InP
;
interfejs
;
właściwości elektroniczne
;
stan powierzchniowy
;
poziom Fermiego
;
wykrywanie gazu
InP
;
interface
;
electronic properties
;
surface states
;
Fermi level
;
gas sensing
78/109
Nr opisu:
0000008586
Characterization of electronic properties of InP(100) surface from computer-aided analysis of photoluminescence.
[Aut.]: Marcin**
Miczek
, Bogusława
Adamowicz
.
-
Opt. Appl.
2002 vol. 32 no. 3
, s. 227-233, bibliogr. 27 poz..
Impact Factor
0.291
79/109
Nr opisu:
0000007316
Characterization of electronic properties of InP(100) surfaces from computer-aided analysis of photoluminescence.
[Aut.]: Marcin**
Miczek
, Bogusława
Adamowicz
, H.
Hasegawa
.
-
Opt. Appl.
2002 vol. 32 no. 3
, s. 227-233, bibliogr. 27 poz..
Impact Factor
0.291
80/109
Nr opisu:
0000007344
Determination of InP surface state density distribution from excitation-power-dependent photoluminescence spectra using genetic algorithm-based fitting procedure.
[Aut.]: Marcin**
Miczek
, Bogusława
Adamowicz
, H.
Hasegawa
.
-
Surf. Sci.
2002 vol. 507/510
, s. 240-244, bibliogr. 12 poz..
Impact Factor
2.140
81/109
Nr opisu:
0000007353
Rigorous analysis of photoluminescence efficiency for characterisation of electronic properties of InP(100) surfaces.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Marcin**
Miczek
, Sebastian*
Arabasz
, H.
Hasegawa
.
-
Vacuum
2002 vol. 67 iss. 1
, s. 3-10, bibliogr. 38 poz..
Impact Factor
0.723
82/109
Nr opisu:
0000037775
Computer analysis of photoluminescence efficienty at InP surface with U-shaped surface state continuum.
[Aut.]: Marcin**
Miczek
, Bogusława
Adamowicz
, Jacek**
Szuber
, H.
Hasegawa
.
-
Vacuum
2001 vol. 63 iss. 1/2
, s. 223-227, bibliogr. 19 poz..
Impact Factor
0.541
83/109
Nr opisu:
0000001895
Determination of the surface state density distribution and fermi level position on the InP (100) surface from excition-power-dependent photoluminescence efficiency spectra.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Marcin**
Miczek
, T.
Domagała
, H.
Hasegawa
.
-
Elektronika
2001 R. 42 nr 8/9
, s. 76-78, bibliogr. 13 poz.
84/109
Nr opisu:
0000004956
Analysis of photoluminescence efficiency and surface recombination velocity of MBE-grown AlGaAs layers.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, H.
Hasegawa
.
W:
Proceedings from the Third International Workshop MBE-GPT, Warsaw, Poland, 23-28 May 1999
. Amsterdam : Elsevier, 2000
, s. 180-183, bibliogr. 9 poz. (
Thin Solid Films
; vol. 367, nr 1/2 0040-6090)
85/109
Nr opisu:
0000004359
Computer analysis of the Fermi level behaviour at SiO2/n-Si and SiO2/n-GaAs interfaces.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Marcin**
Miczek
, H.
Hasegawa
.
W:
Semiconductor gas sensors - SGS'98
. Proceedings of the 1st International Seminar on Semiconductor Gas Sensors, Ustroń, Poland, September 22-25, 1998. Ed. by J. Szuber. Warszawa : Institute of Electron Technology, 2000
, s. 249-252, bibliogr. 16 poz. (
Electron Technology
; vol. 33, no. 1/2 0070-9816)
86/109
Nr opisu:
0000004368
Surface photovoltage spectroscopy system for in situ studies of metal phthalocyanine thin films.
[Aut.]: Marek*
Bilski
, S.
Kaszczyszyn
, Lucyna
Grządziel
, Bogusława
Adamowicz
, Jacek**
Szuber
.
W:
Semiconductor gas sensors - SGS'98
. Proceedings of the 1st International Seminar on Semiconductor Gas Sensors, Ustroń, Poland, September 22-25, 1998. Ed. by J. Szuber. Warszawa : Institute of Electron Technology, 2000
, s. 289-291, bibliogr. 19 poz. (
Electron Technology
; vol. 33, no. 1/2 0070-9816)
87/109
Nr opisu:
0000008077
Computer simulations of the surface photovoltage on Si and GaAs surfaces with U-shaped surface state continuum.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, H.
Hasegawa
.
W:
Proceedings of the 19th International Seminar on Surface Physics, Polanica-Zdrój, Poland, 15-19 June 1998
. Eds: T. L. Barr [i in.]. [B.m.] : Pergamon Press, 1999
, s. 173-177, bibliogr. 18 poz. (
Vacuum
; vol. 54, nr 1-4 0042-207X)
88/109
Nr opisu:
0000007635
Electronic properties of Al
x
Ga
1-x
As surface passivated by ultrathin silicon interface control layer.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Marcin**
Miczek
, K.
Ikeya
, M.
Mutoh
, T.
Saitoh
, H.
Fujikura
, H.
Hasegawa
.
-
Appl. Surf. Sci.
1999 vol. 141 iss. 3/4
, s. 326-332, bibliogr. 16 poz..
Impact Factor
1.195
89/109
Nr opisu:
0000000075
The contribution of surface effects to the surface photovoltage dependence on temperature for the real Si(111) surface.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Stanisław**
Kochowski
.
-
Surf. Sci.
1998 vol. 200
, s. 172-178, bibliogr. 11 poz.
90/109
Nr opisu:
0000073266
III-V semiconductor surfaces and interfaces. Surface photovoltage in photoemission studies at a:Si/InP(110) heterojunctions.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
.
-
Ann. Report Siles. Tech. Univ., Inst. Phys.
1995
, s. 35, bibliogr. 3 poz.
91/109
Nr opisu:
0000034309
Surface photovoltage in photoemission studies at Si/InP(110) heterojunctions.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, C.
Ottaviani
, C.
Quaresima
, P.
Perfetti
.
W:
XXIV International School on Physics of Semiconducting Compounds, Jaszowiec, Poland, May 27 - June 2, 1995
. Pt 1. Ed. T. Story. Polish Academy of Sciences. Institute of Physics, Polish Physical Society. Warsaw : Polish Academy of Sciences. Institute of Physics, 1995
, s. 663-666, bibliogr. 8 poz. (
Acta Physica Polonica A
; vol. 88, no. 4 0587-4246)
92/109
Nr opisu:
0000047162
Dependence of silicon surface electronic parameters on surface Fermi level position.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
.
W:
Sixteenth International Seminar on Surface Physics, Kudowa, Poland, 5-10 October 1992
. Oxford : Pergamon Press, 1994
, s. 167-170 (
Vacuum
; vol. 45, iss. 2/3 0042-207X)
93/109
Nr opisu:
0000043919
Inverse photoemission and Kelvin probe studies of the Au/GaP(110) interface.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, M.
Grilli
, M.
Pedio
, C.
Ottaviani
, A.
Campo
, M.
Capozi
, C.
Quaresima
, P.
Perfetti
.
-
Ann. Report Siles. Tech. Univ., Inst. Phys.
1994
, s. 14-15, bibliogr. 8 poz.
94/109
Nr opisu:
0000043918
Studies of silicon surface electronic parameters using surface photovoltage and photoconductivity methods.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
.
-
Ann. Report Siles. Tech. Univ., Inst. Phys.
1994
, s. 12
95/109
Nr opisu:
0000023296
Transverse acoustoelectric effect and surface photovoltage method in surface study of GaP and InP.
[Aut.]: Tadeusz
Pustelny
, Bogusława
Adamowicz
.
-
J. Tech. Phys.
1994 vol. 35 no. 3
, s. 201-208, bibliogr. 19 poz.
96/109
Nr opisu:
0000045262
Determination of some electronic and optical parameters of GaP surfaces by means of acoustoelectric and photoelectric methods.
[Aut.]: Tadeusz
Pustelny
, Bogusława
Adamowicz
.
-
J. Tech. Phys.
1993 vol. 34 nr 3
, s. 299-309, bibliogr. 27 poz.
97/109
Nr opisu:
0000051947
Transverse acoustoelectric effect and surface photovoltage method in surface study of GaP:Te(111).
[Aut.]: Tadeusz
Pustelny
, Bogusława
Adamowicz
, Aleksander*
Opilski
.
-
Akust. Mol. Kwant.
1993 t. 14
, s. 185-189, bibliogr. 8 poz.
98/109
Nr opisu:
0000053085
Analysis of charge versus the surface Fermi level position at silicon surface.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
.
W:
Proceedings of the Fifteenth International Seminar of Surface Physics, Przesieka, Poland, May 20-25, 1991
. Pt 2. [Ed. J. J. Czyzewski, A. Kiejna, A. Ciszewski]. Polish Academy of Sciences. Institute of Physics, Polish Physical Society. Warsaw : Polish Academy of Sciences. Institute of Physics, 1992
, s. 303-308, bibliogr. 8 poz. (
Acta Physica Polonica A
; vol. 81, no. 2 0587-4246)
99/109
Nr opisu:
0000053882
Investigation of III-V semiconductor surface properties by means of acoustic and photoelectric methods. [Sprawozdanie].
[Aut.]: Tadeusz
Pustelny
, Bogusława
Adamowicz
, Aleksander*
Opilski
.
W:
Collected contributions to physical properties of surface and subsurface layer of condensed matter
. Information on the results obtained in the Central Project of Fundamental Research CPBP 01.08 (1986-1990). University of Lodz. Łódź : Zakład Fizyki Ciała Stałego Uniwersytetu Łódzkiego, 1991
, s.225-228, bibliogr. 9 poz.
100/109
Nr opisu:
0000053698
Near-band gap transitions in the surface photovoltage spectra for GaAs, GaP and Si surfaces.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Jacek**
Szuber
.
-
Surf. Sci.
1991 vol. 247 iss. 2/3
, s. 94-99, bibliogr. 28 poz.
101/109
Nr opisu:
0000023308
Study of electron and optical properties of GaP by acoustoelectric and surface photovoltage methods.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Tadeusz
Pustelny
.
W:
5th Conference on Surface Physics, Puławy, 13th -16th November 1990
. Proceedings. Vol. 9. [Eds: M. Kryczka, J. Rutkowski, T. Sonarski]. Łódź : Wydaw. Uniwersytetu Łódzkiego, 1991
, s. 11-15
102/109
Nr opisu:
0000061934
Influence of the surface condition on the temperature dependence of the surface photovoltage for p and n type Si.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
.
W:
4th Conference on Surface Physics, Łódź, November 14th-16th, 1989
. Proceedings. Vol. 7. Institute of Physics. Technical University of Warsaw. Łódź : Wydaw. Uniwersytetu Łódzkiego, 1990
, s. 11-14, bibliogr. 10 poz.
103/109
Nr opisu:
0000061972
Investigation of electron processes at the p and n type Si(111) real surface by the surface photovoltage method.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
.
W:
Thirteenth International Seminar on Surface Physics, Piechowice, Poland, 22-27 May 1989
. [B.m.] : [b.w.], 1990
, s. 1-8 (
Surface Science
; vol. 231, iss. 1/2 0039-6028)
104/109
Nr opisu:
0000060688
Zastosowanie metody fotonapięcia powierzchniowego do badań powierzchni półprzewodników.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Stanisław**
Kochowski
.
-
Zesz. Nauk. PŚl., Mat.
1989 z. 60
, s. 19-30, bibliogr. 16 poz.
105/109
Nr opisu:
0000064942
Application of the temperature dependence of the surface photovoltage for investigations of electron processes at the real Si surface.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Stanisław**
Kochowski
.
W:
19th International Conference on the Physics of Semiconductors, Warsaw, Poland, August 15-19, 1988
. Vol. 1. Ed. W. Zawadzki. Warsaw : Institute of Physics Polish Academy of Sciences, 1988
, s. 737-740, bibliogr. 5 poz.
106/109
Nr opisu:
0000054590
Badania procesów elektronowych na realnej powierzchni krzemu metodą fotonapięcia powierzchniowego. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
.
Gliwice, 1988, 132 s., bibliogr.
Politechnika Wrocławska. Promotor: prof. dr hab. Sławomir** Kończak
107/109
Nr opisu:
0000096203
Investigations of the surface photovoltage effect on the p-type Si real surface.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Stanisław**
Kochowski
.
W:
Proceedings 10th Seminar on Surface Physics, Wrocław 1988
. Wrocław : Wydaw. Uniwersytetu Wrocławskiego, 1989
, s. 13-19, bibliogr. 5 poz. (
Acta Universitatis Wratislaviensis
; no. 1025
Matematyka, Fizyka, Astronomia
; no. 52 0084-2966)
108/109
Nr opisu:
0000106516
Investigations of the surface photovoltage effect on the p-type Si real surface.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Stanisław**
Kochowski
.
W:
Surface research
. Proceedings of the Tenth Seminar on Surface Physics, Wroclaw - Piechowice 1986. Wrocław : Wydaw. Uniwersytetu Wrocławskiego, 1988
, s. 13-19, bibliogr. 5 poz. (
Acta Universitatis Wratislaviensis
; nr 1025
Matematyka, Fizyka, Astronomia
; 52 0084-2966)
109/109
Nr opisu:
0000064454
The contribution of surface effects to the surface photovoltage dependence on temperature for the real Si (111) surface.
[Aut.]: Bogusława
Adamowicz
, Stanisław**
Kochowski
.
-
Surf. Sci.
1988 vol. 200
, s. 172-178, bibliogr. 11 poz.
stosując format:
standardowy
pełny z etykietami pól
roboczy
redakcja skr.
redakcja peł.
kontrolny
Nowe wyszukiwanie