Wynik wyszukiwania
Zapytanie: ADAMOWICZ BOGUSŁAWA
Liczba odnalezionych rekordów: 109



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/109
Nr opisu: 0000139064   
Effect of carrier drift-diffusion transport process on thermal quenching of photoluminescence in GaN.
[Aut.]: M. Matys, Bogusława Adamowicz, T. Kachi, T. Hashizume.
-J. Phys., D Appl. Phys. 2021 vol. 54 iss. 5, s. 1-13, bibliogr. 33 poz.. Impact Factor 3.169. Punktacja MNiSW 70.000

GaN ; stan powierzchniowy

GaN ; surface states ; drift diffusion

2/109
Nr opisu: 0000139111   
All-optical transistor using deep-level defects in nitride semiconductors for room temperature optical computing.
[Aut.]: M. Matys, Alina Domanowska, Anna Michalewicz, Bogusława Adamowicz, T. Kachi.
-AIP Adv. 2020 vol. 10 iss. 10, s. 1-25, bibliogr. 25 poz.. Impact Factor 1.337. Punktacja MNiSW 70.000

3/109
Nr opisu: 0000127121   
On the interpretation of cathodoluminescence intensity maps of wide band gap nanowires.
[Aut.]: M. Matys, Bogusława Adamowicz.
-Nanotechnology 2019 vol. 30 iss. 3, s. 1-8, bibliogr. 30 poz.. Impact Factor 3.551. Punktacja MNiSW 100.000

szerokopasmowe materiały szczelinowe ; azotek galu ; metoda elementów skończonych

wide band gap materials ; gallium nitride ; finite element method

4/109
Nr opisu: 0000127652   
Enhancement of channel electric field in AlGaN/GaN multi-nanochannel high electron mobility transistors.
[Aut.]: M. Matys, K. Nishiguchi, Bogusława Adamowicz, J. Kuzmik, T. Hashizume.
-J. Appl. Phys. 2018 vol. 124 iss. 22, art. no. 224502 s. 1-8, bibliogr. 32 poz.. Impact Factor 2.328. Punktacja MNiSW 35.000

5/109
Nr opisu: 0000120835   
Disorder induced gap states as a cause of threshold voltage instabilities in Al2O3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors.
[Aut.]: M. Matys, S. Kaneki, K. Nishiguchi, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
-J. Appl. Phys. 2017 vol. 122 iss. 22, art. no. 224504 s. 1-8, bibliogr. 31 poz.. Impact Factor 2.176. Punktacja MNiSW 35.000

6/109
Nr opisu: 0000114171   
Mechanism of yellow luminescence in GaN at room temperature.
[Aut.]: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz.
-J. Appl. Phys. 2017 vol. 121 iss. 6, s. 1-8, bibliogr. 52 poz.. Impact Factor 2.176. Punktacja MNiSW 35.000

7/109
Nr opisu: 0000117236   
Origin of positive fixed charge at insulator/AlGaN interfaces and its control by AlGaN composition.
[Aut.]: Maciej* Matys, R. Stoklas, M. Blaho, Bogusława Adamowicz.
-Appl. Phys. Lett. 2017 vol. 110 iss. 24, s. 243505-1 - 243505-5, bibliogr. 26 poz.. Impact Factor 3.495. Punktacja MNiSW 40.000

8/109
Nr opisu: 0000107207   
Characterization of capture cross sections of interface states in dielectric/III-nitride heterojunction structures.
[Aut.]: Maciej* Matys, R. Stoklas, J. Kuzmik, Bogusława Adamowicz, Z. Yatabe.
-J. Appl. Phys. 2016 vol. 119 iss. 20, art. no. 205304 s. 1-8, bibliogr. 41 poz.. Impact Factor 2.068. Punktacja MNiSW 35.000

9/109
Nr opisu: 0000107795   
High-temperature ultraviolet detection based on surface photovoltage effect in SiN passivated n-GaN films.
[Aut.]: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, Z. Zytkiewicz, A. Taube, R. Kruszka, A. Piotrowska.
-Appl. Phys. Lett. 2016 vol. 109 iss. 5, art. nr 051106, s. 1-5, bibliogr. 25 poz.. Impact Factor 3.411. Punktacja MNiSW 40.000

10/109
Nr opisu: 0000104707   
Współpraca Instytutu Fizyki z Japonią.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz.
-Biul. Pol. Śl. 2016 nr 2, s. 15

Politechnika Śląska ; Instytut Fizyki ; współpraca międzynarodowa

Silesian University of Technology ; Institute of Physics ; international cooperation

11/109
Nr opisu: 0000093840
Analiza chemiczna AES pasywacyjnych warstw na powierzchni GaN, AlGaN i SiC.
[Aut.]: Alina Domanowska, Rafał* Ucka, Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, M. Sochacki, Z. Żytkiewicz, M. Sobańska, K. Kłosek, A. Taube, R. Kruszka, J. Żywicki.
W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 193 + tekst na CD-ROM
Pełny tekst na CD-ROM

Al2O3 ; SixNy ; SiO2 ; pasywacja ; analiza chemiczna ; spektroskopia elektronów Augera ; struktura metal-izolator-półprzewodnik

Al2O3 ; SixNy ; SiO2 ; passivation ; chemical analysis ; Auger electron spectroscopy ; metal-insulator-semiconductor structure

12/109
Nr opisu: 0000095200   
Direct measurement of donor-like interface state density and energy distribution at insulator/AlGaN interface in metal/Al2O3/AlGaN/GaN by photocapacitance method.
[Aut.]: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, Y. Hori, T. Hashizume.
-Appl. Phys. Lett. 2013 vol. 103 iss. 23, s. 021603-1 - 021603-4, bibliogr. 20 poz.. Impact Factor 3.515. Punktacja MNiSW 40.000

13/109
Nr opisu: 0000093838
Fotodetektor ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/GaN i AlGaN/GaN.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Rafał* Ucka, Maciej* Matys, Alina Domanowska, Z. Żytkiewicz, M. Sobańska, A. Taube, R. Kruszka.
W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 184 + tekst na CD-ROM
Pełny tekst na CD-ROM

fotodetektor ultrafioletu ; GaN ; AlGaN/GaN ; stan powierzchniowy ; fotonapięcie powierzchniowe ; fotopojemność ; pasywacja ; struktura metal-izolator-półprzewodnik

UV photodetector ; GaN ; AlGaN/GaN ; surface condition ; surface photovoltage ; photocapacitance ; passivation ; metal-insulator-semiconductor structure

14/109
Nr opisu: 0000088327   
Two-dimensional modeling of surface photovoltage in metal/insulator/n-GaN structure with cylindrical symmetry.
[Aut.]: Maciej* Matys, P. Powroźnik, D. Kupka, Bogusława Adamowicz.
-Opt. Appl. 2013 vol. 43 no. 1, s. 47-52, bibliogr. 7 poz.. Impact Factor 0.643. Punktacja MNiSW 15.000

fotonapięcie powierzchniowe ; azotek galu ; metal/izolator/GaN ; struktura MIS ; detektor ultrafioletu

surface photovoltage ; gallium nitride ; metal/insulator/GaN ; MIS structure ; UV detector

15/109
Nr opisu: 0000093841
Wyznaczanie energetycznego rozkładu gęstości powierzchniowych na granicy fazowej Al2O3/GaN i Al2O3/AlGaN.
[Aut.]: Maciej* Matys, Rafał* Ucka, Bogusława Adamowicz, Y. Hori, T. Hashizume.
W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 194 + tekst na CD-ROM
Pełny tekst na CD-ROM

Al2O3 ; GaN ; AlGaN ; pasywacja ; fotopojemność ; stan powierzchniowy ; struktura metal-izolator-półprzewodnik

Al2O3 ; GaN ; AlGaN ; passivation ; photocapacitance ; surface condition ; metal-insulator-semiconductor structure

16/109
Nr opisu: 0000085582   
A novel method for the determination of the full energetic distribution of interface state density in metal/insulator/GaN structures from capacitance-voltage and photocapacitance-light intensity measurements.
[Aut.]: Maciej* Matys, Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
W: 31st International Conference on the Physics of Semiconductors. ICPS 2012, Zurich, Switzerland, July 29th to August 3rd 2012 [online]. [B.m.] : [b.w.], 2012, (plik html) s. 1, bibliogr. 5 poz.
Dostępny w Internecie: http://sciconf.org/icps2012/ip/topic/2/session/29/paper/5?layout=screen [dostęp 15 czerwca 2013]

17/109
Nr opisu: 0000084456
Analytical and numerical analysis of the surface photovoltage in n-GaAs for the determination of surface electronic parameters.
[Aut.]: Maciej* Matys, Rafał* Ucka, Bogusława Adamowicz.
W: 41st "Jaszowiec" 2012 International School and Conference on the Physics of Semiconductors, Krynica-Zdrój, Poland, 8 - 15 June, 2012. Warsaw : [b.w.], 2012, s. WeP33, bibliogr. 3 poz.

18/109
Nr opisu: 0000082736
Charakteryzacja właściwości chemicznych, optycznych i elektronowych pasywowanych in-situ powierzchni n-GaN.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Alina Domanowska, Piotr* Kościelniak, Rafał* Ucka, Maciej* Matys, Marcin** Miczek, Michał* Sitarz, Jacek** Szuber, Z. Żytkiewicz, M. Sobańska, K. Kłosek, A. Taube.
W: Jedenasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 11-14.06.2012]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2012, s. 152
Pełny tekst na CD-ROM

azotek galu ; pasywacja ; stan powierzchniowy ; skład chemiczny

gallium nitride ; passivation ; surface condition ; chemical composition

19/109
Nr opisu: 0000084466   
Determination of the deep donor-like interface state density distribution in metal/Al2O3/n-GaN structures from the photocapacitance-light intensity measurement.
[Aut.]: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
-Appl. Phys. Lett. 2012 vol. 101 iss. 23, s. 231608-1 - 231608-4, bibliogr. 18 poz.. Impact Factor 3.794. Punktacja MNiSW 40.000

związki aluminium ; związki galu ; półprzewodnik grupy III-V ; struktura MIS ; fotopojemność ; pasmo walencyjne ; półprzewodnik szerokoprzerwowy

aluminium compounds ; gallium compounds ; III-V semiconductor ; MIS structure ; photocapacitance ; valence band ; wide bandgap semiconductor

20/109
Nr opisu: 0000083702
Impact of interface states and bulk carrier lifetime on photocapacitance of metal/insulator/GaN structure.
[Aut.]: Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, C. Mizue, T. Hashizume.
W: Extended abstracts of the 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials, Tokyo, 2010. Tokyo : Publication Office Business Center for Academic Society Japan, 2010, s. 1231-1232

21/109
Nr opisu: 0000071978
Modelowanie dwuwymiarowe fotonapięcia powierzchniowego w strukturach metal/izolator/GaN o symetrii cylindrycznej.
[Aut.]: Maciej* Matys, P. Powroźnik, D. Kupka, Bogusława Adamowicz.
W: Powierzchnia i struktury cienkowarstwowe. XII Seminarium. SemPiSC, Szklarska Poręba, 9-12 maja 2012. Książka streszczeń. [B.m.] : [b.w.], 2012, s. 1-2, bibliogr. 3 poz.

fotonapięcie powierzchniowe ; metal/izolator/GaN ; symetria cylindryczna

surface photovoltage ; metal/insulator/GaN ; cylindrical symmetry

22/109
Nr opisu: 0000082739
Modelowanie fotodetektora ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/GaN i AlGaN/GaN.
[Aut.]: Marcin** Miczek, Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz.
W: Jedenasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 11-14.06.2012]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2012, s. 157
Pełny tekst na CD-ROM

detektor ultrafioletu ; napięcie powierzchniowe ; AlGaN/GaN ; defekt objętościowy ; fotonapięcie powierzchniowe ; metal/izolator/półprzewodnik

UV detector ; surface tension ; AlGaN/GaN ; volume defect ; surface photovoltage ; MIS

23/109
Nr opisu: 0000080343   
Surface photovoltage and Auger electron spectromicroscopy studies of HfO2/SiO2/4H-SiC and HfO2/Al2O3/4H-SiC structures.
[Aut.]: Alina Domanowska, Marcin** Miczek, Rafał* Ucka, Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, J. Żywicki, A. Taube, K. Korwin-Mikke, S. Gierałtowska, M. Sochacki.
-Appl. Surf. Sci. 2012 vol. 258 iss. 21, s. 8354-8359, bibliogr. 43 poz.. Impact Factor 2.112. Punktacja MNiSW 30.000

węglik krzemu ; pasywacja powierzchni ; fotonapięcie powierzchniowe ; spektroskopia elektronów Augera

silicon carbide ; surface passivation ; surface photovoltage ; Auger electron spectroscopy ; chemical in-depth profiling ; interface charge

24/109
Nr opisu: 0000071917
Wpływ stanów powierzchniowych na półprzewodnikowe struktury sensorowe.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz.
W: Powierzchnia i struktury cienkowarstwowe. XII Seminarium. SemPiSC, Szklarska Poręba, 9-12 maja 2012. Książka streszczeń. [B.m.] : [b.w.], 2012, s. 1-2, bibliogr. 5 poz.

struktura sensorowa ; półprzewodnik ; właściwości elektronowe ; czujnik gazowy

sensor structure ; semiconductor ; electronic properties ; gas sensor

25/109
Nr opisu: 0000084471   
Analiza wpływu stanów powierzchniowych na fotoluminescencję z azotku galu.
[Aut.]: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz.
W: V Krajowa Konferencja Nanotechnologii. NANO 2011, Gdańsk, 3-7 lipca 2011. Streszczenia wystąpień. Pod red. Jarosława Rybickiego i Wojciecha Sadowskiego. Gdańsk : TASK Publishing, 2011, s. 158-159, bibliogr. 3 poz.

fotoluminescencja ; stan powierzchniowy ; azotek galu

photoluminescence ; surface condition ; gallium nitride

26/109
Nr opisu: 0000071973   
Analysis of chemical shifts in Auger electron spectra versus sputtering time from passivated surfaces.
[Aut.]: Alina Domanowska, Bogusława Adamowicz, Piotr* Bidziński, Andrzej** Klimasek, Janusz Szewczenko, T. Gutt, H. Przewłocki.
-Opt. Appl. 2011 vol. 41 no. 2, s. 441-447, bibliogr. 8 poz.. Impact Factor 0.398. Punktacja MNiSW 15.000

spektroskopia elektronów Augera ; interfejs ; pasywacja ; algorytm ewolucyjny

Auger electron spectroscopy ; interface ; passivation ; evolutionary algorithm

27/109
Nr opisu: 0000071687   
Impact of interface states and bulk carrier lifetime on photocapacitance of metal/insulator/GaN structure for ultraviolet light detection.
[Aut.]: Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, C. Mizue, T. Hashizume.
-Jpn. J. Appl. Phys. 2011 vol. 50, art. no. 04DF08, bibliogr. 23 poz.. Impact Factor 1.024

28/109
Nr opisu: 0000083622
Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych (INTechFun).
[Aut.]: A. Piotrowska, P. Mihalovits, E. Kamińska, M. Borysiewicz, M. Guziewicz, M. Ekielski, M. Juchniewicz, K. Korwin-Mikke, A. Taube, R. Kruszka, I. Pasternak, Z. Adamus, K. Gołaszewska, A. Barcz, A. Czerwiński, T. Gutt, H. Przewłocki, G. Zaremba, P. Bogusławski, O. Volnianska, Z. Żytkiewicz, E. Dynowska, M. Sawicki, W. Nakwaski, A. Brozi, Tadeusz Pustelny, Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, J. Szmidt, M. Sochacki, M. Borecki.
W: Dziesiąta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 05-09.06.2011]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2011, s. 129-130
Pełny tekst na CD-ROM

nanoelektronika ; fotonika ; spintronika ; półprzewodnik szerokoprzerwowy ; tlenek cienkowarstwowy

nanoelectronics ; photonics ; spintronics ; wide bandgap semiconductor ; thin-film oxide

29/109
Nr opisu: 0000082601
Modelowanie wpływu stanów powierzchniowych na zjawiska rekombinacyjne w GaN.
[Aut.]: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz.
W: Dziesiąta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 05-09.06.2011]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2011, s. 167
Pełny tekst na CD-ROM

azotek galu ; fotoluminescencja ; rekombinacja powierzchniowa ; metoda elementów skończonych ; defekt radiacyjny

gallium nitride ; photoluminescence ; surface recombination ; finite element method ; radiation defect

30/109
Nr opisu: 0000082582
Modelowanie zjawisk fotoelektrycznych w zakresie ultrafioletu w strukturach metal/izolator/GaN.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Maciej* Matys.
W: Dziesiąta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 05-09.06.2011]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2011, s. 137
Pełny tekst na CD-ROM

GaN ; fotonapięcie powierzchniowe ; rekombinacja ; detektor ultrafioletu ; metoda elementów skończonych

GaN ; surface photovoltage ; recombination ; UV detector ; finite element method

31/109
Nr opisu: 0000084444
Modelowanie zjawisk fotoelektrycznych w zakresie ultrafioletu w strukturach metal/izolator/GaN.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Maciej* Matys.
-Elektronika 2011 R. 52 nr 9, s. 43-45, bibliogr. 6 poz.. Punktacja MNiSW 6.000

GaN ; fotonapięcie powierzchniowe ; rekombinacja ; detektor ultrafioletu ; metoda elementów skończonych ; MES

GaN ; surface photovoltage ; recombination ; UV detector ; finite element method ; FEM

32/109
Nr opisu: 0000068353   
Profilowanie składu chemicznego tlenkowych warstw pasywacyjnych metodą spektromikroskopii elektronów Augera.
[Aut.]: Alina Domanowska, Andrzej** Klimasek, E. Lisiecka, Piotr* Bidziński, Bogusława Adamowicz, Janusz Szewczenko, A. Taube, K. Korwin-Mikke, S. Gierałtowska, J. Żywicki.
-Elektronika 2011 R. 52 nr 9, s. 63-66, bibliogr. 6 poz.. Punktacja MNiSW 6.000

spektromikroskopia ; elektron Augera ; widmo AES

spectromicroscopy ; Auger electron ; AES spectrum

33/109
Nr opisu: 0000082584
Profilowanie składu chemicznego tlenkowych warstw pasywacyjnych metodą spektromikroskopii elektronów Augera.
[Aut.]: Alina Domanowska, Andrzej** Klimasek, E. Lisiecka, Piotr* Bidziński, Bogusława Adamowicz, J. Żywicki, Janusz Szewczenko.
W: Dziesiąta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 05-09.06.2011]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2011, s. 145
Pełny tekst na CD-ROM

spektromikroskopia ; elektron Augera ; skład chemiczny ; pasywacja

spectromicroscopy ; Auger electron ; chemical composition ; passivation

34/109
Nr opisu: 0000123619   
The impact of bulk defects, surface states, and excitons on yellow and ultraviolet photoluminescence in GaN.
[Aut.]: Maciej* Matys, Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, Z. Żytkiewicz, E. Kamińska, A. Piotrowska, T. Hashizume.
-Acta Phys. Pol. A 2011 vol. 120 no. 6A, s. A-73-A-75, bibliogr. 16 poz.
Referat wygłoszony na: Proceedings of the E-MRS Fall Meeting. Symposium H: Novel materials for electronics, optoelectronics, photovoltaics and energy saving applications, Warsaw, Poland, September 19-23, 2011. Impact Factor 0.444. Punktacja MNiSW 15.000

35/109
Nr opisu: 0000071269   
The influence of interface states and bulk carrier lifetime on the minority carrier behavior in an illuminated metal/insulator/GaN structure.
[Aut.]: Marcin** Miczek, P. Bidziński, Bogusława Adamowicz, C. Mizue, T. Hashizume.
-Solid State Commun. 2011 vol. 151 iss. 11, s. 830-833, bibliogr. 37 poz.. Impact Factor 1.649

azotek galu ; struktura MIS ; fotodetektor typu "solar blind"

gallium nitride ; MIS structure ; "solar blind" photodetector

36/109
Nr opisu: 0000081093   
Analiza numeryczna zjawisk fotoelektronowych w detektorach promieniowania UV typu MIS na bazie n-GaN.
[Aut.]: Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
W: IV Krajowa Konferencja Nanotechnologii. NANO 2010, Poznań, 28.06-02.07 2010. Program i streszczenia. Wydział Fizyki Technicznej Politechniki Poznańskiej [et al.].. Poznań : [b.w.], 2010, s. 235, bibliogr. 4 poz.

GaN ; struktura MIS ; COMSOL

GaN ; MIS structure ; COMSOL

37/109
Nr opisu: 0000063316
Analysis of chemical shifts in Auger electron spectra versus sputtering time from passivated surfaces.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Alina Domanowska, Piotr* Bidziński, Andrzej** Klimasek, Janusz Szewczenko, T. Gutt, H. Przewłocki.
W: 10th Electron Technology Conference ELTE 2010 and 34th International Microelectronics and Packaging IMAPS-CPMT Poland Conference, Wrocław, 22-25 September 2010. Book of abstracts. Eds: A. Dziedzic, K. Malecha, J. Radojewski. [Kraków] : [International Microelectronics and Packaging Society IMAPS. Poland Chapter], 2010, s. 131-132, bibliogr. 4 poz.

38/109
Nr opisu: 0000082623
Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych (InTechFun).
[Aut.]: A. Piotrowska, P. Mihalovits, E. Kamińska, M. Borysiewicz, M. Guziewicz, M. Ekielski, M. Juchniewicz, K. Korwin-Mikke, A. Taube, R. Kruszka, I. Pasternak, Z. Adamus, K. Gołaszewska, A. Barcz, A. Czerwiński, M. Wzorek, T. Gutt, H. Przewłocki, G. Zaremba, P. Bogusławski, O. Volnianska, Z. Żytkiewicz, E. Dynowska, M. Sawicki, W. Nakwaski, A. Brozi, Tadeusz Pustelny, Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, J. Szmidt, M. Sochacki, M. Borecki.
W: Dziewiąta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 30.05-02.06.2010]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2010, s. 29-30
Pełny tekst na CD-ROM

nanoelektronika ; fotonika ; spintronika ; technika laserowa ; półprzewodnik szerokoprzerwowy ; tlenek cienkowarstwowy

nanoelectronics ; photonics ; spintronics ; laser technique ; wide bandgap semiconductor ; thin-film oxide

39/109
Nr opisu: 0000063105   
Modeling of metal/insulator/GaN ultraviolet photodetector by finite element method.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, Piotr* Bidziński, T. Hashizume.
W: 18th International Conference on Microwaves, Radar and Wireless Communications. MIKON-2010, Vilnius, Lithuania, June 14-16, 2010. Conference proceedings. Picataway : Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2010, s. 1-3, bibliogr. 7 poz.

GaN ; metal/izolator/półprzewodnik ; fotodekoder UV ; modelowanie komputerowe ; metoda elementów skończonych ; COMSOL

GaN ; MIS ; UV photodecoder ; computer modelling ; finite element method ; COMSOL

40/109
Nr opisu: 0000081095   
Profile składu chemicznego nanowarstw pasywacyjnych na podstawie analizy numerycznej widm elektronów Augera.
[Aut.]: Alina Domanowska, Piotr* Bidziński, Andrzej** Klimasek, J. Żywicki, Bogusława Adamowicz.
W: IV Krajowa Konferencja Nanotechnologii. NANO 2010, Poznań, 28.06-02.07 2010. Program i streszczenia. Wydział Fizyki Technicznej Politechniki Poznańskiej [et al.].. Poznań : [b.w.], 2010, s. 145, bibliogr. 2 poz.

spektroskopia elektronów Augera ; analiza numeryczna

Auger electron spectroscopy ; numerical analysis

41/109
Nr opisu: 0000063311
Simulations of UV - induced photoeffects in insulator/n-GaN MIS structure.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, Piotr* Bidziński.
W: 10th Electron Technology Conference ELTE 2010 and 34th International Microelectronics and Packaging IMAPS-CPMT Poland Conference, Wrocław, 22-25 September 2010. Book of abstracts. Eds: A. Dziedzic, K. Malecha, J. Radojewski. [Kraków] : [International Microelectronics and Packaging Society IMAPS. Poland Chapter], 2010, s. 69, bibliogr. 5 poz.

42/109
Nr opisu: 0000063355   
Surface passivation of III-V semiconductors for future CMOS devices - past research, present status and key issues for future.
[Aut.]: H. Hasegawa, M. Akazawa, Alina Domanowska, Bogusława Adamowicz.
-Appl. Surf. Sci. 2010 vol. 256 iss. 19, s. 5698-5707, bibliogr. 65 poz.. Impact Factor 1.795

półprzewodnik grupy III-V ; pasywacja powierzchni ; MISFET ; dielektryk o wysokiej przenikalności elektrycznej ; arsenek galu ; GaAs ; fotoluminescencja

III-V semiconductor ; surface passivation ; MISFET ; high-k dielectric ; gallium arsenide ; GaAs ; photoluminescence

43/109
Nr opisu: 0000056638   
Capacitance-voltage and photoluminescence study of high-k/GaAs interfaces controlled by Si interface control layer.
[Aut.]: M. Akazawa, Alina Domanowska, Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa.
-J. Vac. Sci. Technol., B. 2009 vol. 27 iss. 4, s. 2028-2035. Impact Factor 1.460

44/109
Nr opisu: 0000057117
Simulations of capacitance-voltage-temperature behavior of metal/insulator/AlGaN and metal/insulator/AlGaN/GaN structures.
[Aut.]: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, C. Mizue, T. Hashizume.
-Jpn. J. Appl. Phys. 2009 vol. 48 iss. 4, art. no. 04C092. Impact Factor 1.138

45/109
Nr opisu: 0000056791   
Surface electronic properties of sulfur-treated GaAs determined by surface photovoltage measurement and its computer simulation.
[Aut.]: Paweł* Tomkiewicz, Sebastian* Arabasz, Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, J. Mizsei, D. Zahn, H. Hasegawa, Jacek** Szuber.
-Surf. Sci. 2009 vol. 603 iss. 3, s. 498-502, bibliogr. 39 poz.. Impact Factor 1.798

Gats ; pasywacja ; chlorek siarki ; powierzchnia rozdziału faz ; poziom Fermiego ; fotonapięcie powierzchniowe ; potencjał styku ; sonda Kelvina

Gats ; passivation ; sulphur chloride ; interface ; Fermi level ; surface photovoltage ; contact potential ; Kelvin probe

46/109
Nr opisu: 0000073357
Własności optyczne, chemiczne, elektronowe i morfologiczne struktur AlGaN/GaN.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, D. Pundyk, Mirosława Kępińska, Piotr* Bobek, Andrzej** Klimasek, T. Hashizume.
W: III Krajowa Konferencja Nanotechnologii. NANO 2009, Warszawa, 22-26 czerwca 2009 r. Streszczenia. Red. J. Kaniewski. Warszawa : Instytut Technologii Elektronowej, 2009, s. 62, bibliogr. 2 poz.

heterozłącze ; własności optyczne ; własności chemiczne ; własności elektronowe ; AlGaN/GaN

heterojunction ; optical properties ; chemical properties ; electron properties ; AlGaN/GaN

47/109
Nr opisu: 0000047661   
A novel III-V semiconductor material for NO2 detection and monitoring.
[Aut.]: K. Wierzbowska, L. Bideux, Bogusława Adamowicz, A. Pauly.
-Sens. Actuators, A Phys. 2008 vol. 142 iss. 1, s. 237-241, bibliogr. 9 poz.

NO2 ; dwutlenek azotu ; InP ; fosforek indu ; XPS ; rentgenowska spektroskopia fotoelektronów ; spektroskopia elektronów Augera

NO2 ; nitrogen dioxide ; InP ; indium phosphide ; XPS ; X-ray photoelectron spectroscopy ; Auger electron spectroscopy

48/109
Nr opisu: 0000073181
Badania struktury cienkich warstw SnO2 oraz ich właściwości sensorowych w atmosferze zawierającej tlen.
[Aut.]: Weronika Izydorczyk, Bogusława Adamowicz, Jacek Izydorczyk, E. Papis, E. Kamińska, A. Piotrowska, Janusz Mazurkiewicz, Waldemar Kwaśny, Jacek* Mazur, Jerzy Bodzenta, Wiesław Jakubik, Andrzej** Klimasek, J. Żywicki.
W: II Krajowa Konferencja Nanotechnologii, Kraków, 25-28 czerwca 2008. Książka streszczeń. [B.m.] : [b.w.], 2008, s. Sr-P-10

SnO2 ; nanowarstwa ; właściwości sensorowe

SnO2 ; nanolayer ; sensor properties

49/109
Nr opisu: 0000041977   
Badania wpływu stanów powierzchniowych na właściwości elektronowe warstw sensorowych SnO2. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Weronika Izydorczyk.
Gliwice, 2008, 132 k., bibliogr. 130 poz.
Politechnika Śląska. Wydział Automatyki, Elektroniki i Informatyki. Promotor: dr hab. inż. Bogusława Adamowicz

czujnik gazu ; warstwa sensorowa ; ditlenek cyny ; SnO2 ; zjawisko powierzchniowe ; adsorpcja tlenu ; właściwości fizyczne ; właściwości chemiczne

gas sensor ; sensor layer ; tin dioxide ; SnO2 ; surface phenomenon ; oxygen adsorption ; physical properties ; chemical properties

50/109
Nr opisu: 0000048349   
Effects of interface states and temperature on the C-V behavior of metal/insulator/AIGaN/GaN heterostructure capacitors.
[Aut.]: Marcin** Miczek, C. Mizue, T. Hashizume, Bogusława Adamowicz.
-J. Appl. Phys. 2008 vol. 103 iss. 10, art. no. 104510 s. 1-11, bibliogr. 55 poz.. Impact Factor 2.201

51/109
Nr opisu: 0000050150   
Response to oxygen and chemical properties of SnO2 thin-film gas sensors.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Weronika Izydorczyk, Jacek Izydorczyk, Andrzej** Klimasek, Wiesław Jakubik, J. Żywicki.
-Vacuum 2008 vol. 82 iss. 10, s. 966-970, bibliogr. 16 poz.. Impact Factor 1.114

dwutlenek cyny ; RGTO ; adsorpcja tlenu ; spektroskopia elektronów Augera ; czujnik gazowy

tin dioxide ; RGTO technology ; oxygen adsorption ; Auger electron spectroscopy ; gas sensor

52/109
Nr opisu: 0000041375   
Response to oxygen and chemical properties of SnO2 thin-film gas sensors.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Weronika Izydorczyk, Jacek Izydorczyk, Andrzej** Klimasek, Wiesław Jakubik, J. Żywicki.
W: Proceedings of the 9th Electron Technology Conference. ELTE 2007, Cracow, 4-7 September 2007. Ed. by B. Dziurdzia, T. Pisarkiewicz. [B.m.] : Elsevier, 2008, s. 966-970, bibliogr. 16 poz. (Vacuum ; vol. 82, iss. 10 0042-207X)

GaN ; technika wzrostu MOVPE ; podłoża proszkowe nanokrystaliczne

GaN ; MOVPE growth technique ; nanocrystalline powder substrates

53/109
Nr opisu: 0000047684   
Surface state density distribution at vacuum-annealed InP(1 0 0) surface as derived from the rigorous analysis of photoluminescence efficiency.
[Aut.]: Paweł* Tomkiewicz, Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, H. Hasegawa, Jacek** Szuber.
-Appl. Surf. Sci. 2008 vol. 254 iss. 24, s. 8046-8049, bibliogr. 28 poz.. Impact Factor 1.576

InP ; wyżarzanie ; pasywacja ; oczyszczanie ; powierzchnia rozdziału faz ; poziom Fermiego ; fotoluminescencja ; MISFET

InP ; annealing ; passivation ; cleaning ; interface ; Fermi level ; photoluminescence ; MISFET

54/109
Nr opisu: 0000039315   
Capacitance-voltage and Auger chemical profile studies on AIGaN/GaN structures passivated by SiO2/Si3N4 and SiNx/Si3N4 bilayers.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, T. Hashizume, Andrzej** Klimasek, P. Bobek, J. Żywicki.
-Opt. Appl. 2007 vol. 37 no. 4, s. 327-334, bibliogr. 25 poz.. Impact Factor 0.284

azotek galu ; HEMT ; bramka izolowana ; pasywacja ; C-V ; spektroskopia elektronów Augera

gallium nitride ; HEMT ; insulated gate ; passivation ; C-V ; Auger electron spectroscopy ; chemical in-depth profiles

55/109
Nr opisu: 0000039011   
Computer analysis of oxygen adsorption at SnO2 thin films.
[Aut.]: Weronika Izydorczyk, Bogusława Adamowicz.
-Opt. Appl. 2007 vol. 37 no. 4, s. 377-385, bibliogr. 23 poz.. Impact Factor 0.284

SnO2 ; warstwa cienka ; nanowarstwa ; adsorpcja tlenu ; warstwa zubożona ; struktura sensorowa ; modelowanie

SnO2 ; thin film ; nanolayer ; oxygen adsorption ; depletion layer ; sensor structure ; modelling

56/109
Nr opisu: 0000040554
Komputerowa analiza adsorpcji tlenu na powierzchni cienkich warstw SnO2.
[Aut.]: Weronika Izydorczyk, Bogusława Adamowicz.
W: I Krajowa Konferencja Nanotechnologii [Wrocław, 26-28 kwietnia 2007]. Książka streszczeń. Wrocław : Politechnika Wrocławska, 2007, s. 174

57/109
Nr opisu: 0000076042
Response of an optimised SnO2-based gas sensor to oxygen.
[Aut.]: Weronika Izydorczyk, Bogusława Adamowicz, Andrzej** Klimasek, Krzysztof** Waczyński, Jerzy Uljanow, Wiesław Jakubik, J. Żywicki.
W: IX Electron Technology Conference. ELTE 2007, Kraków, 4-7.09.2007. Book of abstracts. Eds: K. Zakrzewska [et al.]. Kraków : Przedsiębiorstwo Wielobranżowe STABIL, 2007, s. 183, bibliogr. 3 poz.

58/109
Nr opisu: 0000047880
Space charge layer properties of wet sulfide treated GaAs sample.
[Aut.]: Paweł* Tomkiewicz, Sebastian* Arabasz, Bogusława Adamowicz, J. Mizsei, H. Hasegawa, Jacek** Szuber.
W: V International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP' 2007, Zakopane, Poland, September 16-19, 2007. Programme, abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2007, s. 64, bibliogr. 5 poz.

59/109
Nr opisu: 0000047881
Surface state density distribution of INP(100) surface as derived from rigorous analysis of PL efficiency.
[Aut.]: Paweł* Tomkiewicz, Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa, Jacek** Szuber.
W: V International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP' 2007, Zakopane, Poland, September 16-19, 2007. Programme, abstracts. [B.m.] : [b.w.], 2007, s. 65, bibliogr. 6 poz.

60/109
Nr opisu: 0000029212
A novel semiconductors material for NO2 detection and monitoring.
[Aut.]: K. Wierzbowska, A. Pauly, L. Bideux, Bogusława Adamowicz.
W: Eurosensors XX. 20th Conference Anniversary, Goteborg, Sweden, 17-20 September 2006. Proceedings. Goteborg : [b.w.], 2006, W1A-01, s. 1-4

61/109
Nr opisu: 0000031201
A theoretical analysis of the electronic properties of tin dioxide surface.
[Aut.]: Weronika Izydorczyk, Bogusława Adamowicz.
W: XXX International Conference IMAPS Poland Chapter 2006, Kraków, 24-27 September 2006. Proceedings. Eds.: W. Zaraska, A. Cichocki, D. Szwagierczak. Kraków : Institute of Electron Technology. Cracow Division, [2006], s. 489-492

62/109
Nr opisu: 0000025532   
Computer analysis of an influence of oxygen vacancies on the electronic properties of the SnO2 surface and near-surface region.
[Aut.]: Weronika Izydorczyk, Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, Krzysztof** Waczyński.
-Phys. Status Solidi, A Appl. Res. 2006 vol. 203 iss. 9, s. 2241-2246, bibliogr. 30 poz.. Impact Factor 1.221

63/109
Nr opisu: 0000025541
Computer analysis of the electrical properties of the tin dioxide surface - effects of oxygen.
[Aut.]: Weronika Izydorczyk, Bogusława Adamowicz.
W: Czujniki optoelektroniczne i elektroniczne. COE 2006. XI konferencja naukowa, Kraków-Zakopane, 19-22 czerwca 2006. Materiały konferencyjne. Kraków : Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Akademii Górniczo-Hutniczej, 2006, s. 31-34, bibliogr. 12 poz.

64/109
Nr opisu: 0000029174   
Dynamics and control of recombination process at semiconductor surfaces, interfaces and nano-structures.
[Aut.]: H. Hasegawa, T. Sato, S. Kasai, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
-Sol. Energy 2006 vol. 80 iss. 6, s. 629-644, bibliogr.. Impact Factor 1.431

stan powierzchniowy ; rekombinacja powierzchniowa ; spektroskopia tunelowa ; nanostruktura

surface states ; surface recombination ; tunnelling spectroscopy ; nanostructure ; Fermi level pinning ; capacitance voltage method

65/109
Nr opisu: 0000025312   
Room temperature photoluminescence studies of nitrided InP(100) surfaces.
[Aut.]: Sebastian* Arabasz, Bogusława Adamowicz, M. Petit, B. Gruzza, C. Robert-Goumet, T. Piwnowski, M. Bugajski, H. Hasegawa.
-Mater. Sci. Eng., C Mater. Biol. Appl. 2006 vol. 26 nr 2/3, s. 378-382, bibliogr. 28 poz.. Impact Factor 1.325

InP ; powierzchnia ; pasywacja ; azotowanie ; stan powierzchniowy ; fotoluminescencja ; model zjawisk nierównowagowych

InP ; surface ; passivation ; nitridation ; surface states ; photoluminescence ; model of non-equilibrium phenomena

66/109
Nr opisu: 0000029267
Studies of chemical composition and response of the SnO2 based sensor structure to dry and humid synthetic air.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Weronika Izydorczyk, Andrzej** Klimasek, Krzysztof** Waczyński, Jerzy Uljanow, Wiesław Jakubik, J. Żywicki.
W: XXX International Conference IMAPS Poland Chapter 2006, Kraków, 24-27 September 2006. Proceedings. Eds.: W. Zaraska, A. Cichocki, D. Szwagierczak. Kraków : Institute of Electron Technology. Cracow Division, [2006], s. 259-262

67/109
Nr opisu: 0000023294   
Studies of chemical composition and response of the SnO2 based sensor structure to dry and humid synthetic air.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Weronika Izydorczyk, Andrzej** Klimasek, Krzysztof** Waczyński, Jerzy Uljanow, Wiesław Jakubik, J. Żywicki.
-Elektronika 2006 R. 47 nr 12, s. 5-6

68/109
Nr opisu: 0000029192   
Studies of gas sensing, electrical and chemical properties of n-InP epitaxial surfaces.
[Aut.]: K. Wierzbowska, A. Pauly, Bogusława Adamowicz, L. Bideux.
-Phys. Status Solidi, A Appl. Res. 2006 vol. 203 iss. 9, s. 2281-2286, bibliogr. 16 poz.. Impact Factor 1.221

wrażliwość ; interfejs ; utlenianie ; warstwa

sensitivity ; interface ; oxidation ; layer

69/109
Nr opisu: 0000025436   
XPS, electric and photoluminescence-based analysis of the GaAs (1 0 0) nitridation.
[Aut.]: Z. Benamara, N. Mecirdi, B. Bouiadjra, L. Bideux, B. Gruzza, C. Robert, Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz.
-Appl. Surf. Sci. 2006 vol. 252 iss. 22, s. 7890-7894, bibliogr. 14 poz.. Impact Factor 1.436

azotowanie ; XPS ; pomiar wielkości elektrycznych ; fotoluminescencja

nitridation ; XPS ; electrical measurement ; photoluminescence

70/109
Nr opisu: 0000014720
Education in Physics at the Silesian University of Technology in Gliwice.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Jerzy** Krzak, Marian** Urbańczyk, Jerzy Bodzenta.
W: Proceedings of the International Conference on Engineering Education. ICEE'2005. Global education interlink, Gliwice, Poland, July 25-29, 2005. Vol. 2. Eds: Jerzy Mościński, Marcin Maciążek. Gliwice : Silesian University of Technology, 2005, s. 786-790, bibliogr. 3 poz.
Toż na CD

nauczanie fizyki ; fizyka techniczna

teaching physics ; technical physics

71/109
Nr opisu: 0000018248   
High-sensitivity NO2 sensor based on n-type InP epitaxial layers.
[Aut.]: K. Wierzbowska, Bogusława Adamowicz, L. Mazet, J. Brunet, A. Pauly, L. Bideux, Ch. Varenne, L. Berry, J.P. Germain.
-Opt. Appl. 2005 vol. 35 no. 3, s. 655-662, bibliogr. 11 poz.. Impact Factor 0.459

fosforek indu ; warstwa epitaksjalna ; czujnik gazu ; stan powierzchniowy ; symulacja komputerowa

indium phosphide ; epitaxial layer ; gas sensor ; surface states ; computer simulation

72/109
Nr opisu: 0000018246   
Influence of surface states and bulk traps on non-equilibrium phenomena at GaAs and GaN surfaces.
[Aut.]: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume, H. Hasegawa.
-Opt. Appl. 2005 vol. 35 no. 3, s. 355-361, bibliogr. 28 poz.. Impact Factor 0.459

arsenek galu ; azotek galu ; stan powierzchniowy ; fotoluminescencja ; fotonapięcie powierzchniowe

gallium arsenide ; gallium nitride ; surface states ; photoluminescence ; surface photovoltage

73/109
Nr opisu: 0000021693   
Passivation of InP(100) substrates: first stages of nitridation by thin InN surface overlayers studied by electron spectroscopies.
[Aut.]: M. Petit, C. Robert-Goumet, L. Bideux, B. Gruzza, V. Matolin, Sebastian* Arabasz, Bogusława Adamowicz, D. Wawer, M. Bugajski.
-Surf. Interface Anal. 2005 vol. 37 iss. 7, s. 615-620, bibliogr. 20 poz.. Impact Factor 0.918

InN ; fosforek indu ; azotowanie ; AES ; XPS ; fotoluminescencja ; spektroskopia elektronowa

InN ; indium phosphide ; nitridation ; AES ; XPS ; photoluminescence ; electron spectroscopy

74/109
Nr opisu: 0000020266
Response of an optimised SnO2-based gas sensor structure to changes of NO2 concentration in synthetic air.
[Aut.]: Weronika Izydorczyk, Bogusława Adamowicz, Jerzy Uljanow, Krzysztof** Waczyński.
W: XXIX International Conference of International Microelectronics and Packaging Society Poland Chapter. IMAPS Poland, Koszalin - Darłówko, 18-21 September 2005. Proceedings. Eds: P. Majchrzak [et al.]. [Kraków] : International Microelectronics and Packaging Society IMAPS. Poland Chapter, 2005, s. 377-380

75/109
Nr opisu: 0000014708
Teaching " by means of physics" as an important tool in the creation of a European Higher Education Area.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Jerzy** Krzak, Marian** Urbańczyk.
W: Proceedings of the International Conference on Engineering Education. ICEE'2005. Global education interlink, Gliwice, Poland, July 25-29, 2005. Vol. 2. Eds: Jerzy Mościński, Marcin Maciążek. Gliwice : Silesian University of Technology, 2005, s. 766-772, bibliogr. 8 poz.
Toż na CD

ewaluacja ; konspekt ; problem nauczania ; cele operacyjne ; pomiary dydaktyczne

evaluation ; syllabus ; problem teaching ; operational aims ; didactic measurements

76/109
Nr opisu: 0000007661
Characterisation of the electronic status of III-V-based surfaces and interfaces for nanoelectronics applications.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa.
W: 27-th International Conference and Exhibition IMAPS - Poland 2003, Podlesice, Gliwice, 16-19 September, 2003. Proceedings. Eds: M. Drelichowska [i in.]. [Kraków] : [International Microelectronics and Packaging Society IMAPS. Poland Chapter], 2003, s. 11-20, bibliogr. 32 poz.

stan powierzchniowy ; rekombinacja powierzchniowa ; poziom Fermiego ; pasywacja ; fotoluminescencja ; fotonapięcie powierzchniowe ; algorytm genetyczny

surface states ; surface recombination ; Fermi level ; passivation ; photoluminescence ; surface photovoltage ; genetic algorithm

77/109
Nr opisu: 0000123735   
Rigorous analysis of the electronic properties of InP interfaces for gas sensing.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, C. Brun, B. Gruzza, H. Hasegawa.
-Thin Solid Films 2003 vol. 436 iss. 1, s. 101-106, bibliogr. 24 poz.
Referat wygłoszony na: 3rd International Seminar on Semiconductor Gas Sensors. SGS'2002, Ustroń, Poland, 19-22 September 2002. Impact Factor 1.598

InP ; interfejs ; właściwości elektroniczne ; stan powierzchniowy ; poziom Fermiego ; wykrywanie gazu

InP ; interface ; electronic properties ; surface states ; Fermi level ; gas sensing

78/109
Nr opisu: 0000008586   
Characterization of electronic properties of InP(100) surface from computer-aided analysis of photoluminescence.
[Aut.]: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz.
-Opt. Appl. 2002 vol. 32 no. 3, s. 227-233, bibliogr. 27 poz.. Impact Factor 0.291

79/109
Nr opisu: 0000007316   
Characterization of electronic properties of InP(100) surfaces from computer-aided analysis of photoluminescence.
[Aut.]: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa.
-Opt. Appl. 2002 vol. 32 no. 3, s. 227-233, bibliogr. 27 poz.. Impact Factor 0.291

80/109
Nr opisu: 0000007344   
Determination of InP surface state density distribution from excitation-power-dependent photoluminescence spectra using genetic algorithm-based fitting procedure.
[Aut.]: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa.
-Surf. Sci. 2002 vol. 507/510, s. 240-244, bibliogr. 12 poz.. Impact Factor 2.140

81/109
Nr opisu: 0000007353   
Rigorous analysis of photoluminescence efficiency for characterisation of electronic properties of InP(100) surfaces.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, Sebastian* Arabasz, H. Hasegawa.
-Vacuum 2002 vol. 67 iss. 1, s. 3-10, bibliogr. 38 poz.. Impact Factor 0.723

82/109
Nr opisu: 0000037775   
Computer analysis of photoluminescence efficienty at InP surface with U-shaped surface state continuum.
[Aut.]: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, Jacek** Szuber, H. Hasegawa.
-Vacuum 2001 vol. 63 iss. 1/2, s. 223-227, bibliogr. 19 poz.. Impact Factor 0.541

83/109
Nr opisu: 0000001895
Determination of the surface state density distribution and fermi level position on the InP (100) surface from excition-power-dependent photoluminescence efficiency spectra.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, T. Domagała, H. Hasegawa.
-Elektronika 2001 R. 42 nr 8/9, s. 76-78, bibliogr. 13 poz.

84/109
Nr opisu: 0000004956
Analysis of photoluminescence efficiency and surface recombination velocity of MBE-grown AlGaAs layers.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa.
W: Proceedings from the Third International Workshop MBE-GPT, Warsaw, Poland, 23-28 May 1999. Amsterdam : Elsevier, 2000, s. 180-183, bibliogr. 9 poz. (Thin Solid Films ; vol. 367, nr 1/2 0040-6090)

85/109
Nr opisu: 0000004359
Computer analysis of the Fermi level behaviour at SiO2/n-Si and SiO2/n-GaAs interfaces.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, H. Hasegawa.
W: Semiconductor gas sensors - SGS'98. Proceedings of the 1st International Seminar on Semiconductor Gas Sensors, Ustroń, Poland, September 22-25, 1998. Ed. by J. Szuber. Warszawa : Institute of Electron Technology, 2000, s. 249-252, bibliogr. 16 poz. (Electron Technology ; vol. 33, no. 1/2 0070-9816)

86/109
Nr opisu: 0000004368
Surface photovoltage spectroscopy system for in situ studies of metal phthalocyanine thin films.
[Aut.]: Marek* Bilski, S. Kaszczyszyn, Lucyna Grządziel, Bogusława Adamowicz, Jacek** Szuber.
W: Semiconductor gas sensors - SGS'98. Proceedings of the 1st International Seminar on Semiconductor Gas Sensors, Ustroń, Poland, September 22-25, 1998. Ed. by J. Szuber. Warszawa : Institute of Electron Technology, 2000, s. 289-291, bibliogr. 19 poz. (Electron Technology ; vol. 33, no. 1/2 0070-9816)

87/109
Nr opisu: 0000008077
Computer simulations of the surface photovoltage on Si and GaAs surfaces with U-shaped surface state continuum.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa.
W: Proceedings of the 19th International Seminar on Surface Physics, Polanica-Zdrój, Poland, 15-19 June 1998. Eds: T. L. Barr [i in.]. [B.m.] : Pergamon Press, 1999, s. 173-177, bibliogr. 18 poz. (Vacuum ; vol. 54, nr 1-4 0042-207X)

88/109
Nr opisu: 0000007635   
Electronic properties of AlxGa1-xAs surface passivated by ultrathin silicon interface control layer.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, K. Ikeya, M. Mutoh, T. Saitoh, H. Fujikura, H. Hasegawa.
-Appl. Surf. Sci. 1999 vol. 141 iss. 3/4, s. 326-332, bibliogr. 16 poz.. Impact Factor 1.195

89/109
Nr opisu: 0000000075   
The contribution of surface effects to the surface photovoltage dependence on temperature for the real Si(111) surface.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Stanisław** Kochowski.
-Surf. Sci. 1998 vol. 200, s. 172-178, bibliogr. 11 poz.

90/109
Nr opisu: 0000073266
III-V semiconductor surfaces and interfaces. Surface photovoltage in photoemission studies at a:Si/InP(110) heterojunctions.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz.
-Ann. Report Siles. Tech. Univ., Inst. Phys. 1995, s. 35, bibliogr. 3 poz.

91/109
Nr opisu: 0000034309
Surface photovoltage in photoemission studies at Si/InP(110) heterojunctions.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, C. Ottaviani, C. Quaresima, P. Perfetti.
W: XXIV International School on Physics of Semiconducting Compounds, Jaszowiec, Poland, May 27 - June 2, 1995. Pt 1. Ed. T. Story. Polish Academy of Sciences. Institute of Physics, Polish Physical Society. Warsaw : Polish Academy of Sciences. Institute of Physics, 1995, s. 663-666, bibliogr. 8 poz. (Acta Physica Polonica A ; vol. 88, no. 4 0587-4246)

92/109
Nr opisu: 0000047162
Dependence of silicon surface electronic parameters on surface Fermi level position.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz.
W: Sixteenth International Seminar on Surface Physics, Kudowa, Poland, 5-10 October 1992. Oxford : Pergamon Press, 1994, s. 167-170 (Vacuum ; vol. 45, iss. 2/3 0042-207X)

93/109
Nr opisu: 0000043919
Inverse photoemission and Kelvin probe studies of the Au/GaP(110) interface.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, M. Grilli, M. Pedio, C. Ottaviani, A. Campo, M. Capozi, C. Quaresima, P. Perfetti.
-Ann. Report Siles. Tech. Univ., Inst. Phys. 1994, s. 14-15, bibliogr. 8 poz.

94/109
Nr opisu: 0000043918
Studies of silicon surface electronic parameters using surface photovoltage and photoconductivity methods.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz.
-Ann. Report Siles. Tech. Univ., Inst. Phys. 1994, s. 12

95/109
Nr opisu: 0000023296
Transverse acoustoelectric effect and surface photovoltage method in surface study of GaP and InP.
[Aut.]: Tadeusz Pustelny, Bogusława Adamowicz.
-J. Tech. Phys. 1994 vol. 35 no. 3, s. 201-208, bibliogr. 19 poz.

96/109
Nr opisu: 0000045262
Determination of some electronic and optical parameters of GaP surfaces by means of acoustoelectric and photoelectric methods.
[Aut.]: Tadeusz Pustelny, Bogusława Adamowicz.
-J. Tech. Phys. 1993 vol. 34 nr 3, s. 299-309, bibliogr. 27 poz.

97/109
Nr opisu: 0000051947
Transverse acoustoelectric effect and surface photovoltage method in surface study of GaP:Te(111).
[Aut.]: Tadeusz Pustelny, Bogusława Adamowicz, Aleksander* Opilski.
-Akust. Mol. Kwant. 1993 t. 14, s. 185-189, bibliogr. 8 poz.

98/109
Nr opisu: 0000053085
Analysis of charge versus the surface Fermi level position at silicon surface.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz.
W: Proceedings of the Fifteenth International Seminar of Surface Physics, Przesieka, Poland, May 20-25, 1991. Pt 2. [Ed. J. J. Czyzewski, A. Kiejna, A. Ciszewski]. Polish Academy of Sciences. Institute of Physics, Polish Physical Society. Warsaw : Polish Academy of Sciences. Institute of Physics, 1992, s. 303-308, bibliogr. 8 poz. (Acta Physica Polonica A ; vol. 81, no. 2 0587-4246)

99/109
Nr opisu: 0000053882
Investigation of III-V semiconductor surface properties by means of acoustic and photoelectric methods. [Sprawozdanie].
[Aut.]: Tadeusz Pustelny, Bogusława Adamowicz, Aleksander* Opilski.
W: Collected contributions to physical properties of surface and subsurface layer of condensed matter. Information on the results obtained in the Central Project of Fundamental Research CPBP 01.08 (1986-1990). University of Lodz. Łódź : Zakład Fizyki Ciała Stałego Uniwersytetu Łódzkiego, 1991, s.225-228, bibliogr. 9 poz.

100/109
Nr opisu: 0000053698
Near-band gap transitions in the surface photovoltage spectra for GaAs, GaP and Si surfaces.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Jacek** Szuber.
-Surf. Sci. 1991 vol. 247 iss. 2/3, s. 94-99, bibliogr. 28 poz.

101/109
Nr opisu: 0000023308
Study of electron and optical properties of GaP by acoustoelectric and surface photovoltage methods.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Tadeusz Pustelny.
W: 5th Conference on Surface Physics, Puławy, 13th -16th November 1990. Proceedings. Vol. 9. [Eds: M. Kryczka, J. Rutkowski, T. Sonarski]. Łódź : Wydaw. Uniwersytetu Łódzkiego, 1991, s. 11-15

102/109
Nr opisu: 0000061934
Influence of the surface condition on the temperature dependence of the surface photovoltage for p and n type Si.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz.
W: 4th Conference on Surface Physics, Łódź, November 14th-16th, 1989. Proceedings. Vol. 7. Institute of Physics. Technical University of Warsaw. Łódź : Wydaw. Uniwersytetu Łódzkiego, 1990, s. 11-14, bibliogr. 10 poz.

103/109
Nr opisu: 0000061972
Investigation of electron processes at the p and n type Si(111) real surface by the surface photovoltage method.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz.
W: Thirteenth International Seminar on Surface Physics, Piechowice, Poland, 22-27 May 1989. [B.m.] : [b.w.], 1990, s. 1-8 (Surface Science ; vol. 231, iss. 1/2 0039-6028)

104/109
Nr opisu: 0000060688   
Zastosowanie metody fotonapięcia powierzchniowego do badań powierzchni półprzewodników.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Stanisław** Kochowski.
-Zesz. Nauk. PŚl., Mat. 1989 z. 60, s. 19-30, bibliogr. 16 poz.

105/109
Nr opisu: 0000064942
Application of the temperature dependence of the surface photovoltage for investigations of electron processes at the real Si surface.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Stanisław** Kochowski.
W: 19th International Conference on the Physics of Semiconductors, Warsaw, Poland, August 15-19, 1988. Vol. 1. Ed. W. Zawadzki. Warsaw : Institute of Physics Polish Academy of Sciences, 1988, s. 737-740, bibliogr. 5 poz.

106/109
Nr opisu: 0000054590
Badania procesów elektronowych na realnej powierzchni krzemu metodą fotonapięcia powierzchniowego. Rozprawa doktorska.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz.
Gliwice, 1988, 132 s., bibliogr.
Politechnika Wrocławska. Promotor: prof. dr hab. Sławomir** Kończak

107/109
Nr opisu: 0000096203
Investigations of the surface photovoltage effect on the p-type Si real surface.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Stanisław** Kochowski.
W: Proceedings 10th Seminar on Surface Physics, Wrocław 1988. Wrocław : Wydaw. Uniwersytetu Wrocławskiego, 1989, s. 13-19, bibliogr. 5 poz. (Acta Universitatis Wratislaviensis ; no. 1025 Matematyka, Fizyka, Astronomia ; no. 52 0084-2966)

108/109
Nr opisu: 0000106516
Investigations of the surface photovoltage effect on the p-type Si real surface.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Stanisław** Kochowski.
W: Surface research. Proceedings of the Tenth Seminar on Surface Physics, Wroclaw - Piechowice 1986. Wrocław : Wydaw. Uniwersytetu Wrocławskiego, 1988, s. 13-19, bibliogr. 5 poz. (Acta Universitatis Wratislaviensis ; nr 1025 Matematyka, Fizyka, Astronomia ; 52 0084-2966)

109/109
Nr opisu: 0000064454
The contribution of surface effects to the surface photovoltage dependence on temperature for the real Si (111) surface.
[Aut.]: Bogusława Adamowicz, Stanisław** Kochowski.
-Surf. Sci. 1988 vol. 200, s. 172-178, bibliogr. 11 poz.

stosując format:
Nowe wyszukiwanie