Wynik wyszukiwania
Zapytanie: JPN J APPL PHYS
Liczba odnalezionych rekordów: 7



Przej¶cie do opcji zmiany formatu | Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/7
Nr opisu: 0000071702
Tytuł oryginału: Capacitance-voltage characteristics of Al2O3/AlGaN/GaN structures and state density distribution at Al2O3/AlGaN interface
Autorzy: C. Mizue, Y. Hori, Marcin** Miczek, T. Hashizume.
¬ródło: -Jpn. J. Appl. Phys. 2011 vol. 50 iss. 2, art. no. 021001, bibliogr. 33 poz.
Impact Factor: 1.024
p-ISSN: 1347-4065
e-ISSN: 0021-4922
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


2/7
Nr opisu: 0000071687
Tytuł oryginału: Impact of interface states and bulk carrier lifetime on photocapacitance of metal/insulator/GaN structure for ultraviolet light detection
Autorzy: Piotr* Bidziński, Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, C. Mizue, T. Hashizume.
¬ródło: -Jpn. J. Appl. Phys. 2011 vol. 50, art. no. 04DF08, bibliogr. 23 poz.
Impact Factor: 1.024
p-ISSN: 1347-4065
e-ISSN: 0021-4922
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


3/7
Nr opisu: 0000056801
Tytuł oryginału: Comparison of the density of states obtained from the X-ray photoelectron spectra with the electronic structure calculations for αBiB 3O6
Autorzy: A. H. Reshak, S. Auluck, A. Majchrowski, Iwan* Kityk.
¬ródło: -Jpn. J. Appl. Phys. 2009 vol. 48 iss. 1, art. no. 011601, s. 1-4
Impact Factor: 1.138
p-ISSN: 1347-4065
e-ISSN: 0021-4922
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


4/7
Nr opisu: 0000057117
Tytuł oryginału: Simulations of capacitance-voltage-temperature behavior of metal/insulator/AlGaN and metal/insulator/AlGaN/GaN structures
Autorzy: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, C. Mizue, T. Hashizume.
¬ródło: -Jpn. J. Appl. Phys. 2009 vol. 48 iss. 4, art. no. 04C092
Impact Factor: 1.138
p-ISSN: 1347-4065
e-ISSN: 0021-4922
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


5/7
Nr opisu: 0000056784
Tytuł oryginału: UV-induced variation of interface potential in AlOx/n-GaN structure
Autorzy: C. Mizue, Marcin** Miczek, J. Kotani, T. Hashizume.
¬ródło: -Jpn. J. Appl. Phys. 2009 vol. 48 iss. 2, art. no. 020201
Impact Factor: 1.138
p-ISSN: 1347-4065
e-ISSN: 0021-4922
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


6/7
Nr opisu: 0000051594
Tytuł oryginału: Electronic band structure and optical properties of Srn+1TinO3n+1 Ruddlesden-Popper homologous series
Autorzy: A. H. Reshak, S. Aluluck, Iwan* Kityk.
¬ródło: -Jpn. J. Appl. Phys. 2008 vol. 47 iss. 7, s. 5516-5520, bibliogr. 40 poz.
Impact Factor: 1.309
p-ISSN: 1347-4065
e-ISSN: 0021-4922
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


7/7
Nr opisu: 0000050894
Tytuł oryginału: Temperature-dependent interface-state response in an Al2O3/n-GaN structure
Autorzy: K. Ooyama, H. Kato, Marcin** Miczek, T. Hashizume.
¬ródło: -Jpn. J. Appl. Phys. 2008 vol. 47 iss. 7, s. 5426-5428
Impact Factor: 1.309
p-ISSN: 1347-4065
e-ISSN: 0021-4922
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


stosuj±c format:
Nowe wyszukiwanie