Wynik wyszukiwania
Zapytanie: J VAC SCI TECHNOL B
Liczba odnalezionych rekordów: 2



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/2
Nr opisu: 0000136724
Tytuł oryginału: Implementation of the inductively coupled plasma etching processes for forming gallium nitride nanorods used in ultraviolet light-emitting diode technology
Autorzy: M. Ekielski, M. Wzorek, K. Gołaszewska, Alina Domanowska, A. Taube, M. Sochacki.
Źródło: -J. Vac. Sci. Technol., B. 2020 vol. 38 iss. 4, s. 1-6, bibliogr. 25 poz.
Impact Factor: 1.511
Punktacja MNiSW: 70.000
p-ISSN: 2166-2746
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.
Dostęp on-line:


2/2
Nr opisu: 0000056638
Tytuł oryginału: Capacitance-voltage and photoluminescence study of high-k/GaAs interfaces controlled by Si interface control layer
Autorzy: M. Akazawa, Alina Domanowska, Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa.
Źródło: -J. Vac. Sci. Technol., B. 2009 vol. 27 iss. 4, s. 2028-2035
Impact Factor: 1.460
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.
Dostęp on-line:


stosując format:
Nowe wyszukiwanie