Wynik wyszukiwania
Zapytanie: GATE DRIVER
Liczba odnalezionych rekordów: 4



Przej¶cie do opcji zmiany formatu | Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/4
Nr opisu: 0000118716
Tytuł oryginału: Analiza wysokoczęstotliwo¶ciowych drajwerów tranzystorów MOSFET mocy stosowanych w falownikach rezonansowych. Rozprawa doktorska.
Autorzy: Piotr Legutko.
Miejsce i rok obrony: Gliwice, 2017
Opis fizyczny: , 145 k., 114 poz.
Uczelnia i wydział: Politechnika ¦l±ska. Wydział Elektryczny.
Promotor: dr hab. inż. Marcin Kasprzak, dr inż. Mariusz Stępień
Słowa kluczowe polskie: tranzystor MOSFET ; elektronika przemysłowa ; wysoka częstotliwo¶ć ; falownik rezonansowy ; straty mocy ; sterownik bramkowy
Słowa kluczowe angielskie: MOSFET transistor ; industrial electornics ; high frequency ; resonant inverter ; power losses ; gate driver
Typ publikacji: D
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. R-5390+CD


2/4
Nr opisu: 0000105709
Tytuł oryginału: Wysokoczęstotliwo¶ciowe drajwery dedykowane do tranzystorów MOSFET serii DE.
Tytuł w wersji angielskiej: High frequency drivers for DE series MOSFET transistors
Autorzy: Piotr Legutko, Marcin Kasprzak.
¬ródło: W: Seminarium Młodych Naukowców Wydziału Elektrycznego Politechniki ¦l±skiej. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki ¦l±skiej, 2016, s. 81-83, bibliogr. 3 poz.
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,1
Słowa kluczowe polskie: sterownik bramkowy ; MOSFET ; transformator
Słowa kluczowe angielskie: gate driver ; MOSFET ; transformer
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


3/4
Nr opisu: 0000107444
Tytuł oryginału: Wysokoczęstotliwo¶ciowe drajwery dedykowane do tranzystorów MOSFET serii DE - rozwi±zania i perspektywa rozwoju.
Autorzy: Piotr Legutko.
¬ródło: W: Energoelektronika w nauce i dydaktyce. ENiD 2016. XV Sympozjum, Gliwice - Tarnowskie Góry, 12-14 maja 2016. Materiały. Politechnika ¦l±ska. Wydział Elektryczny. Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki ¦l±skiej, 2016, s. 135-140, bibliogr. 9 poz.
ISBN: 978-83-911058-2-5
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,3
Słowa kluczowe polskie: sterownik bramkowy ; MOSFET ; tranzystor ; drajwer
Słowa kluczowe angielskie: gate driver ; MOSFET ; transistor ; driver
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


4/4
Nr opisu: 0000094734
Tytuł oryginału: Nowe niskostratne drajwery transystorów MOSFET mocy
Tytuł w wersji angielskiej: The new low-losses power MOSFET drivers
Autorzy: Piotr Legutko.
¬ródło: -Pr. Nauk. P¦l., Elektr. 2013 R. 59 z. 2/3, s. 67-77, bibliogr. 10 poz.
Punktacja MNiSW: 6.000
p-ISSN: 1897-8827
Słowa kluczowe polskie: sterownik bramkowy ; analiza ; moc czynna ; straty mocy ; tranzystor MOSFET ; tranzystor mocy
Słowa kluczowe angielskie: gate driver ; analysis ; active power ; power losses ; MOSFET transistor ; power transistor
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3348
Informacje o dostępie open-access: open-access-licence: OTHER
Dostęp on-line:


stosuj±c format:
Nowe wyszukiwanie