Wynik wyszukiwania
Zapytanie: CIRCUIT GATE
Liczba odnalezionych rekordów: 2



Przej¶cie do opcji zmiany formatu | Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/2
Nr opisu: 0000121201
Tytuł oryginału: Weryfikacja mocy strat w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET na bazie Si i SiC
Tytuł w wersji angielskiej: Verification of power losses in the gate circuit in selected MOSFET transistors based on Si and SiC
Autorzy: Krzysztof Przybyła.
¬ródło: -Prz. Elektrot. 2018 R. 94 nr 1, s. 129-132, bibliogr. 12 poz.
Punktacja MNiSW: 14.000
p-ISSN: 0033-2097
e-ISSN: 2449-9544
DOI:
Słowa kluczowe polskie: straty mocy ; MOSFET ; obwód bramkowy ; SiC
Słowa kluczowe angielskie: power losses ; MOSFET ; circuit gate ; SiC
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.677
Informacje o dostępie open-access: open-access-text-version: FINAL_PUBLISHED open-access-licence: OTHER open-access-release-time: AT_PUBLICATION open-access-article-mode: OPEN_JOURNAL
Dostęp on-line:


2/2
Nr opisu: 0000110406
Tytuł oryginału: Porównanie strat mocy w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET Si i SiC o zbliżonej klasie pr±dowo-napięciowej.
Tytuł w wersji angielskiej: Camprison of power losses in gate circuit of selected Si and SiC MOSFET tranzistors in similar current-voltage class
Autorzy: Krzysztof Przybyła, Marcin Kasprzak.
¬ródło: W: II Seminarium Młodych Naukowców Wydziału Elektrycznego Politechniki ¦l±skiej. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki ¦l±skiej, 2016, s. 94-96, bibliogr. 3 poz.
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,2
Słowa kluczowe polskie: straty mocy ; tranzystor MOSFET ; SiC ; Si ; obwód bramkowy
Słowa kluczowe angielskie: power losses ; MOSFET transistor ; SiC ; Si ; circuit gate
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


stosuj±c format:
Nowe wyszukiwanie