Nr opisu: | 0000082736 |
Tytuł oryginału: | Charakteryzacja wła¶ciwo¶ci chemicznych, optycznych i elektronowych pasywowanych in-situ powierzchni n-GaN. |
Autorzy: | Bogusława Adamowicz, Alina Domanowska, Piotr* Ko¶cielniak, Rafał* Ucka, Maciej* Matys, Marcin** Miczek, Michał* Sitarz, Jacek** Szuber, Z. Żytkiewicz, M. Sobańska, K. Kłosek, A. Taube. |
¬ródło: | W: Jedenasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 11-14.06.2012]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2012, s. 152 |
Organizator: | Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej |
Uwagi: | Pełny tekst na CD-ROM |
Słowa kluczowe polskie: | azotek galu ; pasywacja ; stan powierzchniowy ; skład chemiczny |
Słowa kluczowe angielskie: | gallium nitride ; passivation ; surface condition ; chemical composition |
Typ publikacji: | RK |
Język publikacji: | POL |
Zasieg terytorialny: | K |
Afiliacja: | praca afiliowana w P¦l. |
Nr opisu: | 0000082740 |
Tytuł oryginału: | Optymalizacja technologii osadzania nanowarstw SnO2 metod± rozwirowywania z roztworów (spin-coating). |
Autorzy: | Jacek** Szuber, Krzysztof** Waczyński, Monika Kwoka, Michał* Sitarz, Natalia Waczyńska-Niemiec, Piotr* Ko¶cielniak. |
¬ródło: | W: Jedenasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 11-14.06.2012]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2012, s. 159 |
Organizator: | Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej |
Uwagi: | Pełny tekst na CD-ROM |
Słowa kluczowe polskie: | SnO2 ; nanowarstwa ; spin-coating ; technologia osadzania |
Słowa kluczowe angielskie: | SnO2 ; nanolayer ; spin-coating ; deposition technology |
Typ publikacji: | RK |
Język publikacji: | POL |
Zasieg terytorialny: | K |
Afiliacja: | praca afiliowana w P¦l. |