Wynik wyszukiwania
Zapytanie: TRANZYSTOR POLOWY METAL- TLENEK-PÓŁPRZEWODNIK
Liczba odnalezionych rekordów: 1



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/1
Nr opisu: 0000049454
Tytuł oryginału: Wielowejściowy tranzystor polowy MOS o bramkach swobodnych.
Twórcy: Lesław** Topór-Kamiński.
Źródło: Patent. Polska, nr 200 087. Int. Cl. H01L 29/772. Politechnika Śląska, Polska
Zgłosz. nr 347 756 z 26.05.2001. Opubl. 31.12.2008, 4 s.
Słowa kluczowe polskie: tranzystor polowy MOS ; MOSFET ; tranzystor polowy metal- tlenek-półprzewodnik ; bramka swobodna
Słowa kluczowe angielskie: field-effect transistor MOS ; MOSFET ; Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor ; free gate
Typ publikacji: OP
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.
Lokalizacja Źródła: PŚl. N/Pt
Dostęp on-line:


stosując format:
Nowe wyszukiwanie