Wynik wyszukiwania
Zapytanie: TRANZYSTOR POLOWY MOS
Liczba odnalezionych rekordów: 5



Przej¶cie do opcji zmiany formatu | Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/5
Nr opisu: 0000081232
Tytuł oryginału: Tranzystor polowy MOS o bramce swobodnej zł±czowej.
Twórcy: Lesław** Topór-Kamiński, Piotr Holajn.
¬ródło: Patent. Polska, nr 205 008. Int. Cl. H01L 29/772. Politechnika ¦l±ska, Polska
Zgłosz nr 361 122 z 07.07.2003. Opubl. 31.03.2010, 4 s.
Słowa kluczowe polskie: tranzystor polowy MOS ; bramka swobodna
Słowa kluczowe angielskie: metal-oxide-semiconductor FET ; free gate
Typ publikacji: OP
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. N/Pt
Dostęp on-line:


2/5
Nr opisu: 0000081228
Tytuł oryginału: Tranzystor polowy MOS o bramce swobodnej z sprzężeniem wewnętrznym.
Twórcy: Lesław** Topór-Kamiński.
¬ródło: Patent. Polska, nr 203 843. Int. Cl. H01L 29/772. Politechnika ¦l±ska, Polska
Zgłosz. nr 353 815 z 10.05.2002. Opubl. 30.11.2009, 4 s.
Słowa kluczowe polskie: tranzystor polowy MOS ; bramka swobodna
Słowa kluczowe angielskie: metal-oxide-semiconductor FET ; free gate
Typ publikacji: OP
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. N/Pt
Dostęp on-line:


3/5
Nr opisu: 0000049454
Tytuł oryginału: Wielowej¶ciowy tranzystor polowy MOS o bramkach swobodnych.
Twórcy: Lesław** Topór-Kamiński.
¬ródło: Patent. Polska, nr 200 087. Int. Cl. H01L 29/772. Politechnika ¦l±ska, Polska
Zgłosz. nr 347 756 z 26.05.2001. Opubl. 31.12.2008, 4 s.
Słowa kluczowe polskie: tranzystor polowy MOS ; MOSFET ; tranzystor polowy metal- tlenek-półprzewodnik ; bramka swobodna
Słowa kluczowe angielskie: field-effect transistor MOS ; MOSFET ; Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor ; free gate
Typ publikacji: OP
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. N/Pt
Dostęp on-line:


4/5
Nr opisu: 0000025311
Tytuł oryginału: Elektroniczne przyrz±dy półprzewodnikowe. Zasady działania diod i tranzystorów - rozwi±zywanie zadań.
Autorzy: Krzysztof** Waczyński, Edyta Wróbel.
Adres wydawniczy: Gliwice : Wydaw. Politechniki ¦l±skiej, 2007
Opis fizyczny: , 251 s., bibliogr. 22 poz.
Uwagi: Skrypt nr 2396
Słowa kluczowe polskie: półprzewodnik ; no¶nik ładunku ; dioda półprzewodnikowa ; tranzystor bipolarny ; tranzystor polowy MOS ; konduktywno¶ć elektryczna
Słowa kluczowe angielskie: semiconductor ; charge carrier ; semiconductor diode ; bipolar transistor ; field-effect transistor MOS ; electrical conductivity
Typ publikacji: P
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l.


5/5
Nr opisu: 0000024296
Tytuł oryginału: Mówi±ce przyrz±dy
Autorzy: Piotr Kłosowski, Jacek Izydorczyk.
¬ródło: -Prz. Telekom. 1998 R. 71 nr 3, s. 185-187, bibliogr. 6 poz.
p-ISSN: 0033-2399
Słowa kluczowe polskie: prawo Moore'a ; tranzystor polowy MOS ; technologia CMOS
Słowa kluczowe angielskie: Moore's law ; metal-oxide-semiconductor FET ; CMOS technology
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.704


stosuj±c format:
Nowe wyszukiwanie