Nr opisu: | 0000093840 |
Tytuł oryginału: | Analiza chemiczna AES pasywacyjnych warstw na powierzchni GaN, AlGaN i SiC. |
Autorzy: | Alina Domanowska, Rafał* Ucka, Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, M. Sochacki, Z. Żytkiewicz, M. Sobańska, K. Kłosek, A. Taube, R. Kruszka, J. Żywicki. |
¬ródło: | W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 193 + tekst na CD-ROM |
ISBN: | 978-83-934712-6-3 |
Organizator: | Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej |
Uwagi: | Pełny tekst na CD-ROM |
Liczba arkuszy wydawniczych: | 1 |
Słowa kluczowe polskie: | Al2O3 ; SixNy ; SiO2 ; pasywacja ; analiza chemiczna ; spektroskopia elektronów Augera ; struktura metal-izolator-półprzewodnik |
Słowa kluczowe angielskie: | Al2O3 ; SixNy ; SiO2 ; passivation ; chemical analysis ; Auger electron spectroscopy ; metal-insulator-semiconductor structure |
Typ publikacji: | RK |
Język publikacji: | POL |
Zasieg terytorialny: | K |
Afiliacja: | praca afiliowana w P¦l. |