Wynik wyszukiwania
Zapytanie: DIELEKTRYK HFO2
Liczba odnalezionych rekordów: 1



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/1
Nr opisu: 0000116389
Tytuł oryginału: Influence of oxygen-plasma treatment on AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with HfO2 by atomic layer deposition: leakage current and density of states reduction
Autorzy: R. Stoklas, D. Gregusova, M. Blaho, K. Frohlich, J. Novak, Maciej* Matys, Z. Yatabe, P. Kordos, T. Hashizume.
Źródło: -Semicond. Sci. Technol. 2017 vol. 32 iss. 4, bibliogr. 29 poz.
Impact Factor: 2.280
Punktacja MNiSW: 30.000
p-ISSN: 0268-1242
e-ISSN: 1361-6641
DOI:
Słowa kluczowe polskie: AlGaN/GaN ; stany międzypowierzchni ; dielektryk HfO2 ; XPS ; ALD
Słowa kluczowe angielskie: AlGaN/GaN ; interface states ; HfO2 dielectric ; XPS ; ALD ; oxygen-plasma treatment
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.


stosując format:
Nowe wyszukiwanie