Wynik wyszukiwania
Zapytanie: MOSFET
Liczba odnalezionych rekordów: 30



Przej¶cie do opcji zmiany formatu | Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/30
Nr opisu: 0000136097
Tytuł oryginału: Porównanie falowników klasy DE z pasma 13,56 MHz zbudowanych na tranzystorach SiC MOSFET i GaN FET
Tytuł w wersji angielskiej: Comparison of 13.56 MHz band class DE inverters built with SiC MOSFET and GaN FET transistors
Autorzy: Krzysztof Przybyła, Marcin Kasprzak.
¬ródło: -Prz. Elektrot. 2020 R. 96 nr 7, s. 68-71, bibliogr. 15 poz.
Punktacja MNiSW: 20.000
p-ISSN: 0033-2097
e-ISSN: 2449-9544
DOI:
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy DE ; wysoka częstotliwo¶ć ; SiC ; GaN ; MOSFET ; drajwer
Słowa kluczowe angielskie: class DE inverter ; high frequency ; SiC ; GaN ; MOSFET ; driver
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.677
Informacje o dostępie open-access: open-access-text-version: FINAL_PUBLISHED open-access-licence: OTHER open-access-release-time: AT_PUBLICATION open-access-article-mode: OPEN_JOURNAL
Dostęp on-line:


2/30
Nr opisu: 0000134052
Tytuł oryginału: Porównanie falowników klasy DE z pasma 13,56 MHz zbudowanych na tranzystorach SiC MOSFET i GaN FET.
Tytuł w wersji angielskiej: Comparison of 13.56 MHz band class DE inverters built with SiC MOSFET and GaN FET transistors
Autorzy: Krzysztof Przybyła, Marcin Kasprzak.
¬ródło: W: Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym "SENE 2019". XIV Konferencja naukowa, ŁódĽ, 20-22 listopada 2019. [Dokument elektroniczny]. ŁódĽ : Instytut Automatyki Politechniki Łódzkiej, 2019, pamięć USB (PenDrive) s. 1-4, bibliogr. 16 poz.
ISBN: 978-83-66287-33-4
Organizator: Instytut Automatyki Politechniki Łódzkiej
Punktacja MNiSW: 20.000
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,5
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy DE ; wysoka częstotliwo¶ć ; SiC ; GaN ; MOSFET ; drajwer
Słowa kluczowe angielskie: class DE inverter ; high frequency ; SiC ; GaN ; MOSFET ; driver
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


3/30
Nr opisu: 0000122075
Tytuł oryginału: Porównanie falowników klasy D-ZVS 300 kHz do nagrzewania indukcyjnego z tranzystorami MOSFET na bazie Si oraz SiC
Tytuł w wersji angielskiej: Comparison of 300 kHz Class d-ZVS inverters for induction heating with MOSFET transistors based on Si and SiC
Autorzy: Marcin Kasprzak, Krzysztof Przybyła.
¬ródło: -Prz. Elektrot. 2018 R. 94 nr 3, s. 60-64, bibliogr. 14 poz.
Punktacja MNiSW: 14.000
p-ISSN: 0033-2097
e-ISSN: 2449-9544
DOI:
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy D-ZVS ; SiC ; MOSFET ; poł±czenie równoległe
Słowa kluczowe angielskie: class D-ZVS inverter ; SiC ; MOSFET ; parallel connection
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.677
Informacje o dostępie open-access: open-access-text-version: FINAL_PUBLISHED open-access-licence: OTHER open-access-release-time: AT_PUBLICATION open-access-article-mode: OPEN_JOURNAL
Dostęp on-line:


4/30
Nr opisu: 0000122113
Tytuł oryginału: Quasi - rezonansowy dwufazowy przekształtnik DC/DC podwyższaj±cy napięcie
Tytuł w wersji angielskiej: Quasi - resonant two-phase DC/DC boost converter
Autorzy: Piotr Zimoch.
¬ródło: -Prz. Elektrot. 2018 R. 94 nr 3, s. 116-119, bibliogr. 8 poz.
Punktacja MNiSW: 14.000
p-ISSN: 0033-2097
e-ISSN: 2449-9544
DOI:
Słowa kluczowe polskie: przekształtnik podwyższaj±cy napięcie ; zawór rezonansowy ; ZVS ; MOSFET
Słowa kluczowe angielskie: boost converter ; resonant switch ; ZVS ; MOSFET
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.677
Informacje o dostępie open-access: open-access-text-version: FINAL_PUBLISHED open-access-licence: OTHER open-access-release-time: AT_PUBLICATION open-access-article-mode: OPEN_JOURNAL
Dostęp on-line:


5/30
Nr opisu: 0000121201
Tytuł oryginału: Weryfikacja mocy strat w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET na bazie Si i SiC
Tytuł w wersji angielskiej: Verification of power losses in the gate circuit in selected MOSFET transistors based on Si and SiC
Autorzy: Krzysztof Przybyła.
¬ródło: -Prz. Elektrot. 2018 R. 94 nr 1, s. 129-132, bibliogr. 12 poz.
Punktacja MNiSW: 14.000
p-ISSN: 0033-2097
e-ISSN: 2449-9544
DOI:
Słowa kluczowe polskie: straty mocy ; MOSFET ; obwód bramkowy ; SiC
Słowa kluczowe angielskie: power losses ; MOSFET ; circuit gate ; SiC
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.677
Informacje o dostępie open-access: open-access-text-version: FINAL_PUBLISHED open-access-licence: OTHER open-access-release-time: AT_PUBLICATION open-access-article-mode: OPEN_JOURNAL
Dostęp on-line:


6/30
Nr opisu: 0000122111
Tytuł oryginału: Wpływ obudowy tranzystora SiC MOSFET na sprawno¶ć energetyczn± falownika klasy DE z pasma 13,56 MHz
Tytuł w wersji angielskiej: Influence of transistor's case on efficiency of Class DE inverter from 13,56 MHz band
Autorzy: Krzysztof Przybyła, Marcin Kasprzak.
¬ródło: -Prz. Elektrot. 2018 R. 94 nr 3, s. 87-90, bibliogr. 14 poz.
Punktacja MNiSW: 14.000
p-ISSN: 0033-2097
e-ISSN: 2449-9544
DOI:
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy DE ; wysoka częstotliwo¶ć ; SiC ; MOSFET ; drajwer
Słowa kluczowe angielskie: class DE inverter ; high frequency ; SiC ; MOSFET ; driver
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.677
Informacje o dostępie open-access: open-access-text-version: FINAL_PUBLISHED open-access-licence: OTHER open-access-release-time: AT_PUBLICATION open-access-article-mode: OPEN_JOURNAL
Dostęp on-line:


7/30
Nr opisu: 0000122132
Tytuł oryginału: Porównanie falowników klasy D-ZVS 300 kHz do nagrzewania indukcyjnego z tranzystorami MOSFET na bazie Si oraz SiC.
Tytuł w wersji angielskiej: Comparison of 300 kHz Class D-ZVS inverters for induction heating with MOSFET transistors based on Si and SiC
Autorzy: Marcin Kasprzak, Krzysztof Przybyła.
¬ródło: W: Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym. SENE 2017. XIII Krajowa konferencja naukowa, ŁódĽ, 22-24 listopada 2017. [Dokument elektroniczny]. ŁódĽ : Instytut Automatyki Politechniki Łódzkiej, 2017, pamięć USB (PenDrive) s. 1-5, bibliogr. 14 poz.
ISBN: 978-83-7283-840-7
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,5
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy D-ZVS ; SiC ; MOSFET ; poł±czenie równoległe
Słowa kluczowe angielskie: class D-ZVS inverter ; SiC ; MOSFET ; parallel placement
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


8/30
Nr opisu: 0000122226
Tytuł oryginału: Quasi - rezonansowy dwufazowy przekształtnik DC/DC podwyższaj±cy napięcie.
Tytuł w wersji angielskiej: Quasi - resonant two-phase DC/DC boost converter
Autorzy: Piotr Zimoch.
¬ródło: W: Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym. SENE 2017. XIII Krajowa konferencja naukowa, ŁódĽ, 22-24 listopada 2017. [Dokument elektroniczny]. ŁódĽ : [b.w.], 2017, pamięć USB (PenDrive) s. 1-4, bibliogr. 8 poz.
ISBN: 978-83-7283-840-7
Organizator: Instytut Automatyki Politechniki Łódzkiej
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,5
Słowa kluczowe polskie: przekształtnik podwyższaj±cy napięcie ; zawór rezonansowy ; ZVS ; MOSFET
Słowa kluczowe angielskie: boost converter ; resonant switch ; ZVS ; MOSFET
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


9/30
Nr opisu: 0000127072
Tytuł oryginału: Selection of 5 kW Converter Leg for Power Electronic System
Autorzy: Marcin Zygmanowski, Jarosław Michalak, Michał Jeleń, Grzegorz Jarek.
¬ródło: -Meas. Autom. Monit. 2017 vol. 63 nr 8, s.282-287, bibliogr.
Punktacja MNiSW: 11.000
p-ISSN: 2450-2855
Słowa kluczowe polskie: IGBT ; węglik krzemu ; SiC ; MOSFET ; microgrid
Słowa kluczowe angielskie: IGBT ; silicon carbide ; SiC ; MOSFET ; inverter ; microgrid
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Informacje o dostępie open-access: open-access-text-version: FINAL_PUBLISHED open-access-licence: CC-BY open-access-release-time: AT_PUBLICATION open-access-article-mode: OPEN_JOURNAL
Dostęp on-line:


10/30
Nr opisu: 0000122223
Tytuł oryginału: Wpływ obudowy tranzystora SiC MOSFET na sprawno¶ć energetyczn± falownika klasy DE z pasma 13,56 MHz.
Tytuł w wersji angielskiej: Influence of transistor's case on efficiency of Class DE inverter from 13.56 MHz band
Autorzy: Krzysztof Przybyła, Marcin Kasprzak.
¬ródło: W: Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym. SENE 2017. XIII Krajowa konferencja naukowa, ŁódĽ, 22-24 listopada 2017. [Dokument elektroniczny]. ŁódĽ : Instytut Automatyki Politechniki Łódzkie, 2017, pamięć USB (PenDrive) s. 1-4, bibliogr. 14 poz.
ISBN: 978-83-7283-840-7
Organizator: j
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,5
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy DE ; wysoka częstotliwo¶ć ; SiC ; MOSFET ; drajwer
Słowa kluczowe angielskie: class DE inverter ; high frequency ; SiC ; MOSFET ; driver
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


11/30
Nr opisu: 0000122770
Tytuł oryginału: Possible application of SiC and GaN MOSFET transistors in class de inverter
Tytuł w wersji polskiej: Możliwo¶ci zastosowania tranzystorów MOSFET na bazie SiC oraz GaN w falowniku klasy DE
Autorzy: Krzysztof Przybyła.
¬ródło: -Pr. Nauk. P¦l., Elektr. 2016 R. 62 z. 3/4, s. 23-33, bibliogr. 25 poz.
Punktacja MNiSW: 6.000
p-ISSN: 1897-8827
Słowa kluczowe polskie: MOSFET ; SiC ; GaN ; falownik klasy DE
Słowa kluczowe angielskie: MOSFET ; SiC ; GaN ; class DE inverter
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3348
Dostęp on-line:


12/30
Nr opisu: 0000110902
Tytuł oryginału: Selection of 5 kW converter leg for power electronic system for residential buildings.
Tytuł w wersji polskiej: Dobór gałęzi przekształtnika 5 kW interfejsu energoelektronicznego w budynkach mieszkalnych
Autorzy: Marcin Zygmanowski, Jarosław Michalak, Michał Jeleń, Grzegorz Jarek, Jan** Popczyk.
¬ródło: W: 2016 18th European Conference on Power Electronics and Applications. EPE'16 ECCE Europe, [Karlsruhe, Germany, 5-9 September 2016]. Piscataway : Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2016, s. 1-10, bibliogr. 9 poz.
ISBN: 978-1-5090-1410-1978-9-0758-1524-5
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,5
Bazy indeksuj±ce publikację: IEEE Xplore; INSPEC; Scopus; Web of Science
DOI:
Słowa kluczowe polskie: projektowanie ; węglik krzemu ; SiC ; MOSFET ; microgrid
Słowa kluczowe angielskie: design ; IGBT ; silicon carbide ; SiC ; MOSFET ; microgrid
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


13/30
Nr opisu: 0000106658
Tytuł oryginału: Układy dopasowania L-C oraz L-LC w falownikach klasy D do nagrzewania indukcyjnego - teoria i praktyka
Tytuł w wersji angielskiej: L-C and L-LC matching circuits in Class D inverters for induction heating - the theory and practice
Autorzy: Marcin Kasprzak, Piotr Legutko, Kamil Kierepka.
¬ródło: -Prz. Elektrot. 2016 R. 92 nr 6, s. 8-11, bibliogr. 12 poz.
Punktacja MNiSW: 14.000
p-ISSN: 0033-2097
e-ISSN: 2449-9544
DOI:
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy D ; MOSFET ; L-LC ; nagrzewanie indukcyjne
Słowa kluczowe angielskie: class D inverter ; MOSFET ; L-LC ; induction heating
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.677
Informacje o dostępie open-access: open-access-licence: OTHER
Dostęp on-line:


14/30
Nr opisu: 0000105709
Tytuł oryginału: Wysokoczęstotliwo¶ciowe drajwery dedykowane do tranzystorów MOSFET serii DE.
Tytuł w wersji angielskiej: High frequency drivers for DE series MOSFET transistors
Autorzy: Piotr Legutko, Marcin Kasprzak.
¬ródło: W: Seminarium Młodych Naukowców Wydziału Elektrycznego Politechniki ¦l±skiej. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki ¦l±skiej, 2016, s. 81-83, bibliogr. 3 poz.
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,1
Słowa kluczowe polskie: sterownik bramkowy ; MOSFET ; transformator
Słowa kluczowe angielskie: gate driver ; MOSFET ; transformer
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


15/30
Nr opisu: 0000107444
Tytuł oryginału: Wysokoczęstotliwo¶ciowe drajwery dedykowane do tranzystorów MOSFET serii DE - rozwi±zania i perspektywa rozwoju.
Autorzy: Piotr Legutko.
¬ródło: W: Energoelektronika w nauce i dydaktyce. ENiD 2016. XV Sympozjum, Gliwice - Tarnowskie Góry, 12-14 maja 2016. Materiały. Politechnika ¦l±ska. Wydział Elektryczny. Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki ¦l±skiej, 2016, s. 135-140, bibliogr. 9 poz.
ISBN: 978-83-911058-2-5
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,3
Słowa kluczowe polskie: sterownik bramkowy ; MOSFET ; tranzystor ; drajwer
Słowa kluczowe angielskie: gate driver ; MOSFET ; transistor ; driver
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


16/30
Nr opisu: 0000103151
Tytuł oryginału: Układy dopasowania L-C oraz L-LC w falownikach klasy D do nagrzewania indukcyjnego - teoria i praktyka.
Tytuł w wersji angielskiej: L-C and L-LC matching circuits in Class D inverters for induction heating - the theory and practice
Autorzy: Marcin Kasprzak, Piotr Legutko, Kamil Kierepka.
¬ródło: W: Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym. SENE 2015. XII Krajowa konferencja naukowa, ŁódĽ, 18-20 listopada 2015. [Dokument elektroniczny]. ŁódĽ : [b.w.], 2015, dysk optyczny (CD-ROM) s. 1-4, bibliogr. 12 poz.
ISBN: 978-83-7283-697-7
Organizator: Instytut Automatyki Politechniki Łódzkiej
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,25
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy D ; MOSFET ; L-LC ; nagrzewanie indukcyjne
Słowa kluczowe angielskie: class D inverter ; MOSFET ; L-LC ; induction heating
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


17/30
Nr opisu: 0000113996
Tytuł oryginału: Wysokoczęstotliwo¶ciowe falowniki rezonansowe klasy DE i E - modelowanie, sterowanie, zastosowania
Tytuł w wersji angielskiej: High frequency class DE and E resonant inverters - modeling, control, applications
Autorzy: Marcin Kasprzak, Zbigniew Kaczmarczyk, Piotr Legutko, Piotr Zale¶ny.
¬ródło: -Pr. Nauk. P¦l., Elektr. 2015 R. 61 z. 4, s. 69-80, bibliogr. 18 poz.
Punktacja MNiSW: 6.000
p-ISSN: 1897-8827
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy DE ; falownik klasy E ; MOSFET ; drajwer ; nagrzewanie pojemno¶ciowe
Słowa kluczowe angielskie: class DE inverter ; class E inverter ; MOSFET ; driver ; dielectric heating
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3348
Informacje o dostępie open-access: open-access-licence: OTHER
Dostęp on-line:


18/30
Nr opisu: 0000100978
Tytuł oryginału: Porównanie układów dopasowania L-C oraz L-LC dla falownika klasy D 1,5 kW/300 kHz
Tytuł w wersji angielskiej: The comparison of L-C and L-LC matching circuts for Class D 1,5 kW/300 kHz inverter
Autorzy: Marcin Kasprzak, Piotr Legutko, Kamil Kierepka.
¬ródło: -Pr. Nauk. P¦l., Elektr. 2014 R. 60 z. 2/3, s. 83-93, bibliogr. 11 poz.
Punktacja MNiSW: 6.000
p-ISSN: 1897-8827
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy D ; MOSFET ; falownik L-LC ; nagrzewanie indukcyjne
Słowa kluczowe angielskie: D class inverter ; MOSFET ; L-LC inverter ; induction heating
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3348
Informacje o dostępie open-access: open-access-licence: OTHER
Dostęp on-line:


19/30
Nr opisu: 0000092028
Tytuł oryginału: Sterowanie falownika klasy DE metod± PWM-FM
Tytuł w wersji angielskiej: PWM-FM control of Class DE inverter
Autorzy: Marcin Kasprzak.
¬ródło: -Prz. Elektrot. 2014 R. 90 nr 6, s. 83-86, bibliogr. 11 poz.
Punktacja MNiSW: 14.000
p-ISSN: 0033-2097
DOI:
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy DE ; PWM ; MOSFET ; komutacja optymalna
Słowa kluczowe angielskie: class DE inverter ; PWM ; MOSFET ; optimal commutation
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.677
Informacje o dostępie open-access: open-access-licence: OTHER
Dostęp on-line:


20/30
Nr opisu: 0000081567
Tytuł oryginału: Falownik klasy D-ZVS 300 kHz/1,5 kW do nagrzewania indukcyjnego - możliwo¶ci pracy w klasie D i DE
Tytuł w wersji angielskiej: Class D-ZVS 300 kHz/1,5 kW inverter for induction heating - possibilities of Class D and DE operation
Autorzy: Marcin Kasprzak.
¬ródło: -Prz. Elektrot. 2013 R. 89 nr 4, s. 29-32, bibliogr. 15 poz.
Punktacja MNiSW: 14.000
p-ISSN: 0033-2097
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy D ; ZVS ; MOSFET ; komutacja optymalna
Słowa kluczowe angielskie: class D inverter ; ZVS ; MOSFET ; optimal commutation
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.677
Dostęp on-line:


21/30
Nr opisu: 0000078150
Tytuł oryginału: Falownik klasy DE 8 MHz/300 W z rezonansowym sterownikiem klasy D o sinusoidalnym kształcie napięcia bramkowego
Tytuł w wersji angielskiej: 8 MHz/300 W Class DE Inverter with Class D sinusoidal gate voltage resonant driver
Autorzy: Marcin Kasprzak.
¬ródło: -Prz. Elektrot. 2013 R. 89 nr 2a, s. 28-33, bibliogr. 16 poz.
Punktacja MNiSW: 14.000
p-ISSN: 0033-2097
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy DE ; MOSFET ; drajwer ; sprawno¶ć falownika
Słowa kluczowe angielskie: class DE inverter ; MOSFET ; driver ; inverter efficiency
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.677
Dostęp on-line:


22/30
Nr opisu: 0000093412
Tytuł oryginału: Możliwo¶ci realizacji falownika klasy DE 13,56 MhZ 500 W przy pracy optymalnej
Tytuł w wersji angielskiej: The possibility of realization of 13.56 MhZ/500 W class de inverter at optimum commutation mode
Autorzy: Marcin Kasprzak.
¬ródło: -Pr. Nauk. P¦l., Elektr. 2013 R. 59 z. 1, s. 93-102, bibliogr. 19 poz.
Punktacja MNiSW: 6.000
p-ISSN: 1897-8827
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy DE ; przeł±czanie miękkie ; wysoka częstotliwo¶ć ; MOSFET ; drajwer
Słowa kluczowe angielskie: class DE inverter ; soft switching ; high frequency ; MOSFET ; driver
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3348
Informacje o dostępie open-access: open-access-licence: OTHER
Dostęp on-line:


23/30
Nr opisu: 0000070879
Tytuł oryginału: Falownik klasy DE 13,56 MHz/450 W - wpływ nieliniowej pojemno¶ci wyj¶ciowej tranzystora Mosfet na sterowanie metod± AM
Tytuł w wersji angielskiej: 13.56 MHz/450 W class DE inverter - influence of nonlinear Mosfet output capacitance on AM modulation
Autorzy: Marcin Kasprzak.
¬ródło: -Prz. Elektrot. 2012 R. 88 nr 4b, s. 122-127, bibliogr. 21 poz.
Punktacja MNiSW: 15.000
p-ISSN: 0033-2097
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy DE ; MOSFET ; pojemno¶ć nieliniowa
Słowa kluczowe angielskie: class DE inverter ; MOSFET ; nonlinear capacitance
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.677
Dostęp on-line:


24/30
Nr opisu: 0000077709
Tytuł oryginału: Możliwo¶ci realizacji falownika klasy DE 13,56 MHz 500 W pracy optymalnej
Tytuł w wersji angielskiej: The possibility of realization of 13.56 MHZ/500 W class DE inverter at optimum commutation mode
Autorzy: Marcin Kasprzak.
¬ródło: -Pr. Nauk. P¦l., Elektr. 2011 R. 57 z. 2 (218), s. 79-89, bibliogr. 19 poz.
Punktacja MNiSW: 4.000
p-ISSN: 1897-8827
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy DE ; przeł±czanie miękkie ; wysoka częstotliwo¶ć ; MOSFET ; tranzystor MOSFET
Słowa kluczowe angielskie: class DE inverter ; soft switching ; high frequency ; MOSFET ; MOSFET transistor
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3348
Informacje o dostępie open-access: open-access-licence: OTHER
Dostęp on-line:


25/30
Nr opisu: 0000068889
Tytuł oryginału: Falownik klasy DE 13,56 MHz/500 W z drajwerem typu flyback - pomiary sprawno¶ci
Tytuł w wersji angielskiej: 13,56 MHz/500 W Class DE inverter with flyback topology driver - measurement of efficiency
Autorzy: Marcin Kasprzak.
¬ródło: -Pr. Nauk. P¦l., Elektr. 2010 R. 56 z. 4 (216), s. 103-113, bibliogr. 13 poz.
p-ISSN: 1897-8827
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy DE ; MOSFET ; drajwer ; Flyback
Słowa kluczowe angielskie: class DE inverter ; MOSFET ; driver ; Flyback
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3348
Informacje o dostępie open-access: open-access-licence: OTHER
Dostęp on-line:


26/30
Nr opisu: 0000055547
Tytuł oryginału: Falownik klasy DE 13,56MHZ/500W z drajwerem typu flyback
Autorzy: Marcin Kasprzak, D. Rędzia.
¬ródło: -Prz. Elektrot. 2010 R. 86 nr 2, s. 243-246, bibliogr. 11 poz.
Impact Factor: 0.242
p-ISSN: 0033-2097
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy E ; przeł±czanie miękkie ; wysoka częstotliwo¶ć ; wysoka sprawno¶ć ; MOSFET
Słowa kluczowe angielskie: class E inverter ; soft switching ; high frequency ; high efficiency ; MOSFET
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.677
Dostęp on-line:


27/30
Nr opisu: 0000055777
Tytuł oryginału: Falownik klasy E 27 MHz, 500 W o podwyższonej sprawno¶ci
Autorzy: Zbigniew Kaczmarczyk, Wojciech* Jurczak.
¬ródło: -Prz. Elektrot. 2010 R. 86 nr 2, s. 221-224, bibliogr. 13 poz.
Impact Factor: 0.242
p-ISSN: 0033-2097
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy E ; przeł±czanie miękkie ; wysoka częstotliwo¶ć ; MOSFET
Słowa kluczowe angielskie: class E inverter ; soft switching ; high frequency ; high efficiency ; MOSFET
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.677
Dostęp on-line:


28/30
Nr opisu: 0000048668
Tytuł oryginału: Falownik klasy E - 27MHz, 500 W
Autorzy: Zbigniew Kaczmarczyk, Wojciech* Jurczak.
¬ródło: -Pr. Nauk. P¦l., Elektr. 2008 R. 54 z. 4 (208), s. 207-218, bibliogr. 10 poz.
p-ISSN: 1897-8827
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy E ; przeł±czanie miękkie ; wysoka częstotliwo¶ć ; MOSFET
Słowa kluczowe angielskie: class E inverter ; soft switching ; high frequency ; MOSFET
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3348


29/30
Nr opisu: 0000049454
Tytuł oryginału: Wielowej¶ciowy tranzystor polowy MOS o bramkach swobodnych.
Twórcy: Lesław** Topór-Kamiński.
¬ródło: Patent. Polska, nr 200 087. Int. Cl. H01L 29/772. Politechnika ¦l±ska, Polska
Zgłosz. nr 347 756 z 26.05.2001. Opubl. 31.12.2008, 4 s.
Słowa kluczowe polskie: tranzystor polowy MOS ; MOSFET ; tranzystor polowy metal- tlenek-półprzewodnik ; bramka swobodna
Słowa kluczowe angielskie: field-effect transistor MOS ; MOSFET ; Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor ; free gate
Typ publikacji: OP
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. N/Pt
Dostęp on-line:


30/30
Nr opisu: 0000011352
Tytuł oryginału: Multiple-input floating-gate MOS transistor in analogue electronics circuit
Autorzy: Lesław** Topór-Kamiński, Piotr Holajn.
¬ródło: -Bull. Pol. Acad. Sci., Tech. Sci. 2004 vol. 52 no. 3, s. 251-256, bibliogr. 8 poz.
p-ISSN: 0239-7528
e-ISSN: 0239-7528
Słowa kluczowe polskie: MOSFET ; bramka pływaj±ca ; wzmacniacz analogowy ; wielowej¶ciowy wzmacniacz operacyjny
Słowa kluczowe angielskie: MOSFET ; floating gate ; analogue amplifier ; multiple-input operational amplifier ; voltage controlled resistor
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.1277
Dostęp on-line:


stosuj±c format:
Nowe wyszukiwanie