Nr opisu: | 0000133268 |
Tytuł oryginału: | Feasibility of high frequency zero-voltage switching boost converters achieving high power density using wide-bandgap devices. |
Autorzy: | Piotr Zimoch, Kamil Kierepka, Marcin Kasprzak. |
¬ródło: | W: 2019 International Conference on Electrical Drives & Power Electronics (EDPE). 9th Joint Slovakian-Croatian Conference, 24-26 September 2019, Novy Smokovec, The High Tatras, Slovak Republic. Conference proceedings. Piscataway : Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2019, s. 24-29, bibliogr. 12 poz. |
ISBN: | 978-1-7281-0390-7978-1-7281-0389-1 |
Organizator: | Faculty of Electrical Engineering and Informatics. Technical University of Kosice. Slovakia [et al.] |
Punktacja MNiSW: | 20.000 |
Liczba arkuszy wydawniczych: | 0,5 |
Bazy indeksuj±ce publikację: | IEEE Xplore; INSPEC; Scopus; Web of Science |
DOI: | |
Słowa kluczowe polskie: | GaN ; gęsto¶ć mocy ; przekształtnik DC/DC typu boost ; przeł±czenie miękkie |
Słowa kluczowe angielskie: | GaN ; power density ; DC/DC boost converter ; zero voltage switching |
Typ publikacji: | RK |
Język publikacji: | ENG |
Zasieg terytorialny: | Z |
Afiliacja: | praca afiliowana w P¦l. |
Dostęp on-line: | |
Nr opisu: | 0000134052 |
Tytuł oryginału: | Porównanie falowników klasy DE z pasma 13,56 MHz zbudowanych na tranzystorach SiC MOSFET i GaN FET. |
Tytuł w wersji angielskiej: | Comparison of 13.56 MHz band class DE inverters built with SiC MOSFET and GaN FET transistors |
Autorzy: | Krzysztof Przybyła, Marcin Kasprzak. |
¬ródło: | W: Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym "SENE 2019". XIV Konferencja naukowa, ŁódĽ, 20-22 listopada 2019. [Dokument elektroniczny]. ŁódĽ : Instytut Automatyki Politechniki Łódzkiej, 2019, pamięć USB (PenDrive) s. 1-4, bibliogr. 16 poz. |
ISBN: | 978-83-66287-33-4 |
Organizator: | Instytut Automatyki Politechniki Łódzkiej |
Punktacja MNiSW: | 20.000 |
Liczba arkuszy wydawniczych: | 0,5 |
Słowa kluczowe polskie: | falownik klasy DE ; wysoka częstotliwo¶ć ; SiC ; GaN ; MOSFET ; drajwer |
Słowa kluczowe angielskie: | class DE inverter ; high frequency ; SiC ; GaN ; MOSFET ; driver |
Typ publikacji: | RK |
Język publikacji: | POL |
Zasieg terytorialny: | K |
Afiliacja: | praca afiliowana w P¦l. |
Nr opisu: | 0000093838 |
Tytuł oryginału: | Fotodetektor ultrafioletu na bazie struktur metal/izolator/GaN i AlGaN/GaN. |
Autorzy: | Bogusława Adamowicz, Rafał* Ucka, Maciej* Matys, Alina Domanowska, Z. Żytkiewicz, M. Sobańska, A. Taube, R. Kruszka. |
¬ródło: | W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 184 + tekst na CD-ROM |
ISBN: | 978-83-934712-6-3 |
Organizator: | Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej |
Uwagi: | Pełny tekst na CD-ROM |
Liczba arkuszy wydawniczych: | 1 |
Słowa kluczowe polskie: | fotodetektor ultrafioletu ; GaN ; AlGaN/GaN ; stan powierzchniowy ; fotonapięcie powierzchniowe ; fotopojemno¶ć ; pasywacja ; struktura metal-izolator-półprzewodnik |
Słowa kluczowe angielskie: | UV photodetector ; GaN ; AlGaN/GaN ; surface condition ; surface photovoltage ; photocapacitance ; passivation ; metal-insulator-semiconductor structure |
Typ publikacji: | RK |
Język publikacji: | POL |
Zasieg terytorialny: | K |
Afiliacja: | praca afiliowana w P¦l. |
Nr opisu: | 0000093844 |
Tytuł oryginału: | Wykorzystanie nanodrutów GaN na podłożach Si w strukturach sensorów chemicznych. |
Autorzy: | K. Kłosek, M. Sobańska, Z. Żytkiewicz, A. Wierzbicka, A. Reszka, R. Kruszka, K. Gołaszewska, Maciej Setkiewicz, Tadeusz Pustelny. |
¬ródło: | W: Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłowo, 10-13.06.2013]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2013, s. 201-203 + tekst na CD-ROM |
ISBN: | 978-83-934712-6-3 |
Organizator: | Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej |
Uwagi: | Pełny tekst na CD-ROM |
Liczba arkuszy wydawniczych: | 0,51 |
Słowa kluczowe polskie: | GaN ; sensor chemiczny ; nanodruty ; epitaksja z wi±zek molekularnych |
Słowa kluczowe angielskie: | GaN ; chemical sensor ; nanowires ; molecular beam epitaxy |
Typ publikacji: | RK |
Język publikacji: | POL |
Zasieg terytorialny: | K |
Afiliacja: | praca afiliowana w P¦l. |
Nr opisu: | 0000041375 |
Tytuł oryginału: | Response to oxygen and chemical properties of SnO2 thin-film gas sensors. |
Autorzy: | Bogusława Adamowicz, Weronika Izydorczyk, Jacek Izydorczyk, Andrzej** Klimasek, Wiesław Jakubik, J. Żywicki. |
¬ródło: | W: Proceedings of the 9th Electron Technology Conference. ELTE 2007, Cracow, 4-7 September 2007. Ed. by B. Dziurdzia, T. Pisarkiewicz. [B.m.] : Elsevier, 2008, s. 966-970, bibliogr. 16 poz. |
Seria: | (Vacuum ; vol. 82, iss. 10 0042-207X) |
Słowa kluczowe polskie: | GaN ; technika wzrostu MOVPE ; podłoża proszkowe nanokrystaliczne |
Słowa kluczowe angielskie: | GaN ; MOVPE growth technique ; nanocrystalline powder substrates |
Typ publikacji: | RK |
Język publikacji: | ENG |
Zasieg terytorialny: | Z |
Afiliacja: | praca afiliowana w P¦l. |
Dostęp on-line: | |