Wynik wyszukiwania
Zapytanie:
FIELD-EFFECT TRANSISTOR MOS
Liczba odnalezionych rekordów:
2
Przejście do opcji zmiany formatu
|
Wyświetlenie wyników w wersji do druku
|
Pobranie pliku do edytora
|
Przesłanie wyników do modułu analizy
|
excel
|
Nowe wyszukiwanie
1/2
Nr opisu:
0000049454
Tytuł oryginału:
Wielowejściowy tranzystor polowy MOS o bramkach swobodnych.
Twórcy:
Lesław**
Topór-Kamiński
.
Źródło:
Patent. Polska, nr 200 087.
Int. Cl. H01L 29/772. Politechnika Śląska, Polska
Zgłosz. nr 347 756 z 26.05.2001. Opubl. 31.12.2008, 4 s.
Słowa kluczowe polskie:
tranzystor polowy MOS
;
MOSFET
;
tranzystor polowy metal- tlenek-półprzewodnik
;
bramka swobodna
Słowa kluczowe angielskie:
field-effect transistor MOS
;
MOSFET
;
Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor
;
free gate
Typ publikacji:
OP
Język publikacji:
POL
Zasieg terytorialny:
K
Afiliacja:
praca afiliowana w PŚl.
Lokalizacja Źródła:
PŚl. N/Pt
Dostęp on-line:
2/2
Nr opisu:
0000025311
Tytuł oryginału:
Elektroniczne przyrządy półprzewodnikowe. Zasady działania diod i tranzystorów - rozwiązywanie zadań.
Autorzy:
Krzysztof**
Waczyński
, Edyta
Wróbel
.
Adres wydawniczy:
Gliwice : Wydaw. Politechniki Śląskiej, 2007
Opis fizyczny:
, 251 s., bibliogr. 22 poz.
Uwagi:
Skrypt nr 2396
Słowa kluczowe polskie:
półprzewodnik
;
nośnik ładunku
;
dioda półprzewodnikowa
;
tranzystor bipolarny
;
tranzystor polowy MOS
;
konduktywność elektryczna
Słowa kluczowe angielskie:
semiconductor
;
charge carrier
;
semiconductor diode
;
bipolar transistor
;
field-effect transistor MOS
;
electrical conductivity
Typ publikacji:
P
Język publikacji:
POL
Zasieg terytorialny:
K
Afiliacja:
praca afiliowana w PŚl.
Lokalizacja Źródła:
PŚl.
stosując format:
standardowy
pełny z etykietami pól
roboczy
redakcja skr.
redakcja peł.
kontrolny
Nowe wyszukiwanie