| Nr opisu: | 0000113757 |
| Tytuł oryginału: | Influence of nitrogen implantation on electrical properties of Al/SiO2/4H-SiC MOS structure. |
| Autorzy: | K. Król, M. Sochacki, M. Turek, J. Zuk, M. Przewlocki, T. Gutt, P. Borowicz, M. Guziewicz, Jacek** Szuber, Monika Kwoka, Piotr* Ko¶cielniak, J. Szmidt. |
| ¬ródło: | W: Silicon carbide and related materials 2012. Selected, peer reviewed papers from the 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012), September 2-6, 2012, St. Petersburg, Russian Federation. Ed. by Alexander A. Lebedev, Sergey Yu. Davydov, Pavel A. Ivanov and Mikhail E. Levinshtein. Durnten-Zurich : Trans Tech Publications, 2013, s. 733-736, bibliogr. 6 poz. |
| ISBN: | 978-3-03785-624-6978-3-03785-624-6 |
| Seria: | (Materials Science Forum ; vol. 740/742 0255-5476) |
| Liczba arkuszy wydawniczych: | 0,4 |
| Bazy indeksuj±ce publikację: | Scopus; Web of Science |
| DOI: | |
| Słowa kluczowe polskie: | implantacja jonów ; węglik krzemu ; utlenianie termiczne |
| Słowa kluczowe angielskie: | ion implantation ; silicon carbide ; thermal oxidation ; ion implantation damage |
| Typ publikacji: | RK |
| Język publikacji: | ENG |
| Zasieg terytorialny: | Z |
| Afiliacja: | praca afiliowana w P¦l. |
| Nr opisu: | 0000082758 |
| Tytuł oryginału: | Redukcja stanów pułapkowych w strukturze MOS 4H-SiC(0001) pod wpływem implantacji azotu - wpływ profilu implantacji. |
| Autorzy: | K. Król, M. Sochacki, W. Strupiński, M. Turek, J. Żuk, P. Borowicz, H. Przewłocki, Monika Kwoka, Piotr* Ko¶cielniak, Jacek** Szuber, J. Szmidt. |
| ¬ródło: | W: Technologia elektronowa. ELTE '2013. XI Konferencja naukowa, Ryn, 10-20 kwietnia 2013. [Dokument elektroniczny]. Warszawa : Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej, 2013, dysk optyczny (CD-ROM) s. 155-156, bibliogr. 3 poz. |
| ISBN: | 978-83-64102-00-4 |
| Organizator: | Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej |
| Liczba arkuszy wydawniczych: | 0,1 |
| Słowa kluczowe polskie: | stan pułapkowy ; implantacja jonów ; struktura MOS |
| Słowa kluczowe angielskie: | trapping state ; ion implantation ; MOS structure |
| Typ publikacji: | RK |
| Język publikacji: | POL |
| Zasieg terytorialny: | K |
| Afiliacja: | praca afiliowana w P¦l. |
| Nr opisu: | 0000083622 |
| Tytuł oryginału: | Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych (INTechFun). |
| Autorzy: | A. Piotrowska, P. Mihalovits, E. Kamińska, M. Borysiewicz, M. Guziewicz, M. Ekielski, M. Juchniewicz, K. Korwin-Mikke, A. Taube, R. Kruszka, I. Pasternak, Z. Adamus, K. Gołaszewska, A. Barcz, A. Czerwiński, T. Gutt, H. Przewłocki, G. Zaremba, P. Bogusławski, O. Volnianska, Z. Żytkiewicz, E. Dynowska, M. Sawicki, W. Nakwaski, A. Brozi, Tadeusz Pustelny, Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, J. Szmidt, M. Sochacki, M. Borecki. |
| ¬ródło: | W: Dziesi±ta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 05-09.06.2011]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2011, s. 129-130 |
| Organizator: | Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej |
| Uwagi: | Pełny tekst na CD-ROM |
| Słowa kluczowe polskie: | nanoelektronika ; fotonika ; spintronika ; półprzewodnik szerokoprzerwowy ; tlenek cienkowarstwowy |
| Słowa kluczowe angielskie: | nanoelectronics ; photonics ; spintronics ; wide bandgap semiconductor ; thin-film oxide |
| Typ publikacji: | RK |
| Język publikacji: | ENG |
| Zasieg terytorialny: | K |
| Afiliacja: | praca afiliowana w P¦l. |
| Nr opisu: | 0000082623 |
| Tytuł oryginału: | Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych (InTechFun). |
| Autorzy: | A. Piotrowska, P. Mihalovits, E. Kamińska, M. Borysiewicz, M. Guziewicz, M. Ekielski, M. Juchniewicz, K. Korwin-Mikke, A. Taube, R. Kruszka, I. Pasternak, Z. Adamus, K. Gołaszewska, A. Barcz, A. Czerwiński, M. Wzorek, T. Gutt, H. Przewłocki, G. Zaremba, P. Bogusławski, O. Volnianska, Z. Żytkiewicz, E. Dynowska, M. Sawicki, W. Nakwaski, A. Brozi, Tadeusz Pustelny, Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, J. Szmidt, M. Sochacki, M. Borecki. |
| ¬ródło: | W: Dziewi±ta Krajowa Konferencja Elektroniki, [Darłówko Wschodnie, 30.05-02.06.2010]. Materiały konferencji. [Gdańsk] : [Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk], 2010, s. 29-30 |
| Organizator: | Polskie Towarzystwo Elektrotechniki Teoretycznej i Stosowanej. Oddział Gdańsk, Wydział Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej |
| Uwagi: | Pełny tekst na CD-ROM |
| Słowa kluczowe polskie: | nanoelektronika ; fotonika ; spintronika ; technika laserowa ; półprzewodnik szerokoprzerwowy ; tlenek cienkowarstwowy |
| Słowa kluczowe angielskie: | nanoelectronics ; photonics ; spintronics ; laser technique ; wide bandgap semiconductor ; thin-film oxide |
| Typ publikacji: | RK |
| Język publikacji: | POL |
| Zasieg terytorialny: | K |
| Afiliacja: | praca afiliowana w P¦l. |