Wynik wyszukiwania
Zapytanie: MURRI R
Liczba odnalezionych rekordów: 12



Przej¶cie do opcji zmiany formatu | Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/12
Nr opisu: 0000109605
Tytuł oryginału: Silicon based thin film solar cells. Ed. R. Murri.
Adres wydawniczy: [B.m.] : Bentham Science Publishers, 2013
Opis fizyczny: , 508 s.
ISBN: 978-1-60805-456-5978-1-60805-518-0
Uwagi: Publikacja nie należy do bibliografii Uczelni
Liczba arkuszy wydawniczych: 23
DOI:
Typ publikacji: 000
Język publikacji: ENG
Informacje o dostępie open-access: open-access-licence: OTHER


2/12
Nr opisu: 0000004620
Tytuł oryginału: Magnetotransport effects in semiconductors.
Autorzy: N. Pinto, R. Murri, Marian Nowak.
¬ródło: W: Handbook of thin film materials. Vol. 5: Nanomaterials and magnetic thin films. Ch. 9. Ed. by H. S. Nalwa. San Diego : Academic Press, 2002, s. 439-494, bibliogr. 297 poz.
Typ publikacji: U
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


3/12
Nr opisu: 0000007356
Tytuł oryginału: Surface and bulk values of real part of refractive index of GaSe
Autorzy: Mirosława Kępińska, R. Murri, Marian Nowak.
¬ródło: -Vacuum 2002 vol. 67 iss. 1, s. 143-147
Impact Factor: 0.723
p-ISSN: 0042-207X
e-ISSN: 1879-2715
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


4/12
Nr opisu: 0000020685
Tytuł oryginału: Temperaturowa zależno¶ć przerwy energetycznej krystalicznego siarczku galu.
Autorzy: Mirosława Kępińska, R. Murri, Marian Nowak, Maria** Szałajko.
¬ródło: W: Nowe technologie i materiały w metalurgii i inżynierii materiałowej. Materiały X seminarium naukowego, Katowice, 10 maja 2002. [Katowice] : [Wydział Inżynierii Materiałowej, Metalurgii i Transportu Politechniki ¦l±skiej], [2002], s. 199-202, bibliogr. 13 poz.
Organizator: Wydział Inżynierii Materiałowej, Metalurgii i Transportu Politechniki ¦l±skiej
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. Cz.01 116281


5/12
Nr opisu: 0000000176
Tytuł oryginału: Temperature dependence of optical energy gap of gallium selenide
Autorzy: Mirosława Kępińska, Marian Nowak, Z. Kovalyuk, R. Murri.
¬ródło: -J. Wide Bandgap Mater. 2001 vol. 8 no. 3/4, s. 251-259, bibliogr. 19 poz.
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


6/12
Nr opisu: 0000010667
Tytuł oryginału: Temperature dependence of optical energy gap of GaSe.
Autorzy: Mirosława Kępińska, Z. Kovalyuk, R. Murri, Marian Nowak.
¬ródło: W: Novel applications of wide bandgap layers. 3rd International conference, Zakopane 26-30 June 2001. Abstract book. Eds: J. Szmidt, A. Werbowy. New York : Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2001, s. 146
Organizator: [Institute of Microelectronics and Optoelectronics. Faculty of Electronics and Information Technology. Warsaw University of Technology]
Typ publikacji: K
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


7/12
Nr opisu: 0000000177
Tytuł oryginału: Temperature dependence of optical parameters of gallium sulphide
Autorzy: Mirosława Kępińska, Marian Nowak, Maria** Szałajko, R. Murri.
¬ródło: -J. Wide Bandgap Mater. 2001 vol. 8 no 3/4, s. 241-249, bibliogr. 17 poz.
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


8/12
Nr opisu: 0000010666
Tytuł oryginału: Temperature dependence of optical parameters of GaS.
Autorzy: Mirosława Kępińska, R. Murri, Marian Nowak, Maria** Szałajko.
¬ródło: W: Novel applications of wide bandgap layers. 3rd International conference, Zakopane 26-30 June 2001. Abstract book. Eds: J. Szmidt, A. Werbowy. New York : Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2001, s. 145
Organizator: [Institute of Microelectronics and Optoelectronics. Faculty of Electronics and Information Technology. Warsaw University of Technology]
Typ publikacji: K
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


9/12
Nr opisu: 0000033247
Tytuł oryginału: Determining carrier lifetime using frequency dependence in contactless photoelectromagnetic investigations of semiconductors
Autorzy: B. Loncierz, R. Murri, Marian Nowak.
¬ródło: -Thin Solid Films 1995 vol. 266 iss. 2, s. 274-277, bibliogr. 26 poz.
p-ISSN: 0040-6090
e-ISSN: 1879-2731
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


10/12
Nr opisu: 0000061947
Tytuł oryginału: Some comments on semiempirical coherence factor used for description of optical transmittance, photoconductivity and photoelectromagnetic efect in a - Si.
Autorzy: V. Augelli, R. Murri, Marian Nowak.
¬ródło: W: 4th Conference on Surface Physics, ŁódĽ, November 14th-16th, 1989. Proceedings. Vol. 7. Institute of Physics. Technical University of Warsaw. ŁódĽ : Wydaw. Uniwersytetu Łódzkiego, 1990, s. 19-22, bibliogr. 2 poz.
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. 97157


11/12
Nr opisu: 0000060920
Tytuł oryginału: Interference photoconduvtivity and photoelectromagnetic effect in amorphous silicon
Autorzy: V. Augelli, R. Murri, Marian Nowak.
¬ródło: -Phys. Rev. B 1989 vol.39 nr 12, s. 8336-8346, bibliogr. 13 poz.
p-ISSN: 1098-0121
e-ISSN: 1550-235X
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


12/12
Nr opisu: 0000062333
Tytuł oryginału: Quantum efficiency coefficients for photoconductivity and photoelectromagnetic effect in amorphous silicon.
Autorzy: V. Augelli, R. Murri, Marian Nowak.
¬ródło: W: 3rd Conference on Surface Physics, Zakopane, 7th - 11th November 1988. Proceedings. Vol. 5. Institute of Technical Physics. Military Technical Academy. Warsaw. ŁódĽ : Wydaw. Uniwersytetu Łódzkiego, 1989, s. 15-18, bibliogr. 5 poz.
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. Mg 97155


stosuj±c format:
Nowe wyszukiwanie