Wynik wyszukiwania
Zapytanie: MATYS M
Liczba odnalezionych rekordów: 6



Przej¶cie do opcji zmiany formatu | Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/6
Nr opisu: 0000139064
Tytuł oryginału: Effect of carrier drift-diffusion transport process on thermal quenching of photoluminescence in GaN
Autorzy: M. Matys, Bogusława Adamowicz, T. Kachi, T. Hashizume.
¬ródło: -J. Phys., D Appl. Phys. 2021 vol. 54 iss. 5, s. 1-13, bibliogr. 33 poz.
Impact Factor: 3.169
Punktacja MNiSW: 70.000
p-ISSN: 0022-3727
e-ISSN: 1361-6463
DOI:
Słowa kluczowe polskie: GaN ; stan powierzchniowy
Słowa kluczowe angielskie: GaN ; surface states ; drift diffusion
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Informacje o dostępie open-access: open-access-text-version: FINAL_PUBLISHED open-access-licence: CC-BY open-access-release-time: AT_PUBLICATION open-access-article-mode: OPEN_JOURNAL
Dostęp on-line:


2/6
Nr opisu: 0000139111
Tytuł oryginału: All-optical transistor using deep-level defects in nitride semiconductors for room temperature optical computing
Autorzy: M. Matys, Alina Domanowska, Anna Michalewicz, Bogusława Adamowicz, T. Kachi.
¬ródło: -AIP Adv. 2020 vol. 10 iss. 10, s. 1-25, bibliogr. 25 poz.
Impact Factor: 1.337
Punktacja MNiSW: 70.000
p-ISSN: 2158-3226
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Informacje o dostępie open-access: open-access-text-version: FINAL_PUBLISHED open-access-licence: CC-BY open-access-release-time: AT_PUBLICATION open-access-article-mode: OPEN_JOURNAL
Dostęp on-line:


3/6
Nr opisu: 0000127121
Tytuł oryginału: On the interpretation of cathodoluminescence intensity maps of wide band gap nanowires
Autorzy: M. Matys, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: -Nanotechnology 2019 vol. 30 iss. 3, s. 1-8, bibliogr. 30 poz.
Impact Factor: 3.551
Punktacja MNiSW: 100.000
p-ISSN: 0957-4484
e-ISSN: 1361-6528
DOI:
Słowa kluczowe polskie: szerokopasmowe materiały szczelinowe ; azotek galu ; metoda elementów skończonych
Słowa kluczowe angielskie: wide band gap materials ; gallium nitride ; finite element method
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


4/6
Nr opisu: 0000127652
Tytuł oryginału: Enhancement of channel electric field in AlGaN/GaN multi-nanochannel high electron mobility transistors
Autorzy: M. Matys, K. Nishiguchi, Bogusława Adamowicz, J. Kuzmik, T. Hashizume.
¬ródło: -J. Appl. Phys. 2018 vol. 124 iss. 22, art. no. 224502 s. 1-8, bibliogr. 32 poz.
Impact Factor: 2.328
Punktacja MNiSW: 35.000
p-ISSN: 0021-8979
e-ISSN: 1089-7550
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


5/6
Nr opisu: 0000120835
Tytuł oryginału: Disorder induced gap states as a cause of threshold voltage instabilities in Al2O3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors
Autorzy: M. Matys, S. Kaneki, K. Nishiguchi, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
¬ródło: -J. Appl. Phys. 2017 vol. 122 iss. 22, art. no. 224504 s. 1-8, bibliogr. 31 poz.
Impact Factor: 2.176
Punktacja MNiSW: 35.000
p-ISSN: 0021-8979
e-ISSN: 1089-7550
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


6/6
Nr opisu: 0000112646
Tytuł oryginału: On the origin of interface states at oxide/III-nitride heterojunction interfaces
Autorzy: M. Matys, B. Adamowicz, Alina Domanowska, Anna Michalewicz, R. Stoklas, M. Akazawa, Z. Yatabe, T. Hashizume.
¬ródło: -J. Appl. Phys. 2016 vol. 120 iss. 22, art. no. 225305 s. 1-12, bibliogr. 42 poz.
Impact Factor: 2.068
Punktacja MNiSW: 35.000
p-ISSN: 0021-8979
e-ISSN: 1089-7550
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


stosuj±c format:
Nowe wyszukiwanie