Wynik wyszukiwania
Zapytanie: APPL PHYS LETT
Liczba odnalezionych rekordów: 8



Przej¶cie do opcji zmiany formatu | Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/8
Nr opisu: 0000121704
Tytuł oryginału: Electronic and magneto-transport in chirality sorted carbon nanotube films
Autorzy: Dawid Janas, N. Czechowski, Z. Adamus, T. Giżewski.
¬ródło: -Appl. Phys. Lett. 2018 vol. 112 iss. 5, s. 053104-1 - 053104-5, bibliogr. 42 poz.
Impact Factor: 3.521
Punktacja MNiSW: 40.000
p-ISSN: 0003-6951
e-ISSN: 1077-3118
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


2/8
Nr opisu: 0000117236
Tytuł oryginału: Origin of positive fixed charge at insulator/AlGaN interfaces and its control by AlGaN composition
Autorzy: Maciej* Matys, R. Stoklas, M. Blaho, Bogusława Adamowicz.
¬ródło: -Appl. Phys. Lett. 2017 vol. 110 iss. 24, s. 243505-1 - 243505-5, bibliogr. 26 poz.
Impact Factor: 3.495
Punktacja MNiSW: 40.000
p-ISSN: 0003-6951
e-ISSN: 1077-3118
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


3/8
Nr opisu: 0000107795
Tytuł oryginału: High-temperature ultraviolet detection based on surface photovoltage effect in SiN passivated n-GaN films
Autorzy: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, Z. Zytkiewicz, A. Taube, R. Kruszka, A. Piotrowska.
¬ródło: -Appl. Phys. Lett. 2016 vol. 109 iss. 5, art. nr 051106, s. 1-5, bibliogr. 25 poz.
Impact Factor: 3.411
Punktacja MNiSW: 40.000
p-ISSN: 0003-6951
e-ISSN: 1077-3118
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


4/8
Nr opisu: 0000104060
Tytuł oryginału: Towards monomaterial p-n junctions Single-step fabrication of tin oxide films and their non-destructive characterisation by angle-dependent X-ray photoelectron spectroscopy
Autorzy: Maciej Krzywiecki, A. Sarfraz, A. Erbe.
¬ródło: -Appl. Phys. Lett. 2015 vol. 107 iss. 23, s. 231601-1 - 23601-5, bibliogr. 56 poz.
Impact Factor: 3.142
Punktacja MNiSW: 40.000
p-ISSN: 0003-6951
e-ISSN: 1077-3118
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


5/8
Nr opisu: 0000115447
Tytuł oryginału: Direct evidence of delayed electroluminescence from carbon nanotubes on the macroscale
Autorzy: Dawid Janas, N. Czechowski, S. Mackowski, K. Koziol.
¬ródło: -Appl. Phys. Lett. 2014 vol. 104, s. 261107-1 - 261107-4, bibliogr. 31 poz.
Impact Factor: 3.302
Punktacja MNiSW: 40.000
p-ISSN: 0003-6951
e-ISSN: 1077-3118
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


6/8
Nr opisu: 0000095200
Tytuł oryginału: Direct measurement of donor-like interface state density and energy distribution at insulator/AlGaN interface in metal/Al2O3/AlGaN/GaN by photocapacitance method
Autorzy: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, Y. Hori, T. Hashizume.
¬ródło: -Appl. Phys. Lett. 2013 vol. 103 iss. 23, s. 021603-1 - 021603-4, bibliogr. 20 poz.
Impact Factor: 3.515
Punktacja MNiSW: 40.000
p-ISSN: 0003-6951
e-ISSN: 1077-3118
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


7/8
Nr opisu: 0000115443
Tytuł oryginału: Electroluminescence from carbon nanotube films resistively heated in air
Autorzy: Dawid Janas, N. Czechowski, B. Krajnik, S. Mackowski, K. Koziol.
¬ródło: -Appl. Phys. Lett. 2013 vol. 102, s. 181104-1 - 181104-4, bibliogr. 33 poz.
Impact Factor: 3.515
Punktacja MNiSW: 40.000
p-ISSN: 0003-6951
e-ISSN: 1077-3118
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


8/8
Nr opisu: 0000084466
Tytuł oryginału: Determination of the deep donor-like interface state density distribution in metal/Al2O3/n-GaN structures from the photocapacitance-light intensity measurement
Autorzy: Maciej* Matys, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
¬ródło: -Appl. Phys. Lett. 2012 vol. 101 iss. 23, s. 231608-1 - 231608-4, bibliogr. 18 poz.
Impact Factor: 3.794
Punktacja MNiSW: 40.000
p-ISSN: 0003-6951
e-ISSN: 1077-3118
DOI:
Słowa kluczowe polskie: zwi±zki aluminium ; zwi±zki galu ; półprzewodnik grupy III-V ; struktura MIS ; fotopojemno¶ć ; pasmo walencyjne ; półprzewodnik szerokoprzerwowy
Słowa kluczowe angielskie: aluminium compounds ; gallium compounds ; III-V semiconductor ; MIS structure ; photocapacitance ; valence band ; wide bandgap semiconductor
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


stosuj±c format:
Nowe wyszukiwanie