Wynik wyszukiwania
Zapytanie: TRANZYSTOR MOSFET
Liczba odnalezionych rekordów: 22



Przej¶cie do opcji zmiany formatu | Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/22
Nr opisu: 0000132122
Tytuł oryginału: Analiza i badania wysokoczęstotliwo¶ciowych falowników klasy DE z tranzystorami MOSFET na bazie SiC i GaN. Rozprawa doktorska.
Autorzy: Krzysztof Przybyła.
Miejsce i rok obrony: Gliwice, 2019
Opis fizyczny: , 143 k., bibliogr. 118 poz.
Uczelnia i wydział: Politechnika ¦l±ska. Wydział Elektryczny.
Promotor: dr hab. inż. Marcin Kasprzak, dr inż. Marcin Zygmanowski
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy DE ; wysoka częstotliwo¶ć ; tranzystor MOSFET ; SiC ; GaN
Słowa kluczowe angielskie: class DE inverter ; high frequency ; MOSFET transistor ; SiC ; GaN
Typ publikacji: D
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦. sygn. R-5607+CD
Dostęp BCP¦:


2/22
Nr opisu: 0000122077
Tytuł oryginału: Falownik klasy E (30 MHz, 300 W) z niskostratnym drajwerem hybrydowym
Tytuł w wersji angielskiej: The Class E inverter (30MHz, 300 W) with low-losses and fast switching hybrid driver for DE series MOSFET transistors
Autorzy: Piotr Legutko.
¬ródło: -Prz. Elektrot. 2018 R. 94 nr 3, s. 69-74, bibliogr. 11 poz.
Punktacja MNiSW: 14.000
p-ISSN: 0033-2097
e-ISSN: 2449-9544
DOI:
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy E ; drajwer niskostratny ; tranzystor MOSFET ; straty mocy ; drajwer hybrydowy ; platerowanie ; bonding kulkowy ; poł±czenie drutowe
Słowa kluczowe angielskie: class E inverter ; low-losses driver ; MOSFET transistor ; power losses ; hybrid driver ; cladding ; ball-bonding ; wire bonding
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.677
Informacje o dostępie open-access: open-access-text-version: FINAL_PUBLISHED open-access-licence: OTHER open-access-release-time: AT_PUBLICATION open-access-article-mode: OPEN_JOURNAL
Dostęp on-line:


3/22
Nr opisu: 0000123685
Tytuł oryginału: Problem zwarć skro¶nych w scalonych sterownikach bramkowych pracuj±cych z częstotliwo¶ci± 30 MHz
Tytuł w wersji angielskiej: The problem of short circuits in integrated gate drivers operating at 30 MHz
Autorzy: Piotr Legutko.
¬ródło: -Prz. Elektrot. 2018 R. 94 nr 6, s. 74-77, bibliogr. 10 poz.
Punktacja MNiSW: 14.000
p-ISSN: 0033-2097
e-ISSN: 2449-9544
DOI:
Słowa kluczowe polskie: sterownik bramkowy ; drajwer niskostratny ; tranzystor MOSFET ; wysoka częstotliwo¶ć ; zwarcie skro¶ne ; straty mocy
Słowa kluczowe angielskie: MOSFET driver ; low-losses driver ; MOSFET transistor ; high frequency ; short circuit ; power losses
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.677
Informacje o dostępie open-access: open-access-text-version: FINAL_PUBLISHED open-access-licence: OTHER open-access-release-time: AT_PUBLICATION open-access-article-mode: OPEN_JOURNAL
Dostęp on-line:


4/22
Nr opisu: 0000124793
Tytuł oryginału: Problematyka okre¶lenia sprawno¶ci niskostratnych drajwerów pracuj±cych z częstotliwo¶ci± 30 MHz
Tytuł w wersji angielskiej: The problem of determining the efficiency of low-loss drivers operating at 30 MHz
Autorzy: Piotr Legutko, Marcin Kasprzak, Kamil Kierepka.
¬ródło: -Prz. Elektrot. 2018 R. 94 nr 8, s. 120-123, bibliogr. 13 poz.
Punktacja MNiSW: 14.000
p-ISSN: 0033-2097
e-ISSN: 2449-9544
DOI:
Słowa kluczowe polskie: sterownik bramkowy ; drajwer niskostratny ; sprawno¶ć ; tranzystor MOSFET ; wysoka częstotliwo¶ć
Słowa kluczowe angielskie: driver ; MOSFET transistor ; low-losses driver ; high-frequency ; efficiency
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.677
Informacje o dostępie open-access: open-access-text-version: FINAL_PUBLISHED open-access-licence: OTHER open-access-release-time: AT_PUBLICATION open-access-article-mode: OPEN_JOURNAL
Dostęp on-line:


5/22
Nr opisu: 0000122065
Tytuł oryginału: Straty mocy i rezystancja zastępcza zwi±zane z przeładowywaniem nieliniowej pojemno¶ci wyj¶ciowej tranzystora MOSFET
Tytuł w wersji angielskiej: Power losses and equivalent resistance associated with cyclic charging and discharging of nonlinear output capacitance of MOSFET transistor
Autorzy: Zbigniew Kaczmarczyk, Michał Zellner, Krystian Frania.
¬ródło: -Prz. Elektrot. 2018 R. 94 nr 3, s. 55-59, bibliogr. 9 poz.
Punktacja MNiSW: 14.000
p-ISSN: 0033-2097
e-ISSN: 2449-9544
DOI:
Słowa kluczowe polskie: falownik rezonansowy ; tranzystor MOSFET ; pojemno¶ć nieliniowa ; wysoka częstotliwo¶ć ; straty mocy
Słowa kluczowe angielskie: resonant inverter ; MOSFET transistor ; nonlinear capacitance ; high frequency ; power losses
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.677
Informacje o dostępie open-access: open-access-text-version: FINAL_PUBLISHED open-access-licence: OTHER open-access-release-time: AT_PUBLICATION open-access-article-mode: OPEN_JOURNAL
Dostęp on-line:


6/22
Nr opisu: 0000118716
Tytuł oryginału: Analiza wysokoczęstotliwo¶ciowych drajwerów tranzystorów MOSFET mocy stosowanych w falownikach rezonansowych. Rozprawa doktorska.
Autorzy: Piotr Legutko.
Miejsce i rok obrony: Gliwice, 2017
Opis fizyczny: , 145 k., 114 poz.
Uczelnia i wydział: Politechnika ¦l±ska. Wydział Elektryczny.
Promotor: dr hab. inż. Marcin Kasprzak, dr inż. Mariusz Stępień
Słowa kluczowe polskie: tranzystor MOSFET ; elektronika przemysłowa ; wysoka częstotliwo¶ć ; falownik rezonansowy ; straty mocy ; sterownik bramkowy
Słowa kluczowe angielskie: MOSFET transistor ; industrial electornics ; high frequency ; resonant inverter ; power losses ; gate driver
Typ publikacji: D
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. R-5390+CD


7/22
Nr opisu: 0000122135
Tytuł oryginału: Falownik klasy E (30 MHz, 300 W) z niskostratnym drajwerem hybrydowym.
Tytuł w wersji angielskiej: The class E Inverter (30 MHz, 300 W) with low-losses and fast switching hybrid driver for DE series MOSFET transistors
Autorzy: Piotr Legutko.
¬ródło: W: Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym. SENE 2017. XIII Krajowa konferencja naukowa, ŁódĽ, 22-24 listopada 2017. [Dokument elektroniczny]. ŁódĽ : Instytut Automatyki Politechniki Łódzkiej, 2017, pamięć USB (PenDrive) s. 1-6, bibliogr. 11 poz.
ISBN: 978-83-7283-840-7
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,5
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy E ; drajwer niskostratny ; tranzystor MOSFET ; straty mocy ; drajwer hybrydowy ; cienkie poł±czenia drutowe ; platerowanie
Słowa kluczowe angielskie: class E inverter ; low-losses driver ; resonant inverter ; MOSFET transistor ; power losses ; thermal clad ; hybrid driver ; wire-bonding ; ball-bonding
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


8/22
Nr opisu: 0000122126
Tytuł oryginału: Straty mocy i rezystancja zastępcza zwi±zane z przeładowywaniem nieliniowej pojemno¶ci wyj¶ciowej tranzystora MOSFET.
Tytuł w wersji angielskiej: Power losses and equivalent resistance associated with cyclic charging and discharging of nonlinear output capacitance of MOSFET transistor
Autorzy: Zbigniew Kaczmarczyk, Michał Zellner, Krystian Frania.
¬ródło: W: Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym. SENE 2017. XIII Krajowa konferencja naukowa, ŁódĽ, 22-24 listopada 2017. [Dokument elektroniczny]. ŁódĽ : Instytut Automatyki Politechniki Łódzkie, 2017, pamięć USB (PenDrive) s. 1-5, bibliogr. 9 poz.
ISBN: 978-83-7283-840-7
Organizator: j
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,5
Słowa kluczowe polskie: falownik rezonansowy ; tranzystor MOSFET ; pojemno¶ć nieliniowa ; wysoka częstotliwo¶ć ; straty mocy
Słowa kluczowe angielskie: resonant inverter ; MOSFET transistor ; nonlinear capacitance ; high frequency ; power losses
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


9/22
Nr opisu: 0000110404
Tytuł oryginału: Falownik klasy E (30 MHz, 300 W) z niskostratnym drajwerem hybrydowym własnej konstrukcji.
Tytuł w wersji angielskiej: The 30 MHz, 300 W class e inverter with low-loss hybrid driver of own designed
Autorzy: Piotr Legutko, Marcin Kasprzak.
¬ródło: W: II Seminarium Młodych Naukowców Wydziału Elektrycznego Politechniki ¦l±skiej. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki ¦l±skiej, 2016, s. 91-93, bibliogr. 1 poz.
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,2
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy E ; wysokoczęstotliwo¶ciowy drajwer ; drajwer hybrydowy ; tranzystor MOSFET
Słowa kluczowe angielskie: class E inverter ; high frequency driver ; hybrid driver ; MOSFET transistor
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


10/22
Nr opisu: 0000107445
Tytuł oryginału: Falownik rezonansowy klasy D 300 kHz/20 kW z tranzystorami SiC MOSFET.
Autorzy: Marcin Kasprzak, Zbigniew Kaczmarczyk, Piotr Legutko, Krzysztof Przybyła.
¬ródło: W: Energoelektronika w nauce i dydaktyce. ENiD 2016. XV Sympozjum, Gliwice - Tarnowskie Góry, 12-14 maja 2016. Materiały. Politechnika ¦l±ska. Wydział Elektryczny. Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki ¦l±skiej, 2016, s. 141-144, bibliogr. 8 poz.
ISBN: 978-83-911058-2-5
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,2
Słowa kluczowe polskie: falownik rezonansowy ; tranzystor MOSFET ; SiC
Słowa kluczowe angielskie: resonant inverter ; MOSFET transistor ; SiC
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


11/22
Nr opisu: 0000110406
Tytuł oryginału: Porównanie strat mocy w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET Si i SiC o zbliżonej klasie pr±dowo-napięciowej.
Tytuł w wersji angielskiej: Camprison of power losses in gate circuit of selected Si and SiC MOSFET tranzistors in similar current-voltage class
Autorzy: Krzysztof Przybyła, Marcin Kasprzak.
¬ródło: W: II Seminarium Młodych Naukowców Wydziału Elektrycznego Politechniki ¦l±skiej. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki ¦l±skiej, 2016, s. 94-96, bibliogr. 3 poz.
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,2
Słowa kluczowe polskie: straty mocy ; tranzystor MOSFET ; SiC ; Si ; obwód bramkowy
Słowa kluczowe angielskie: power losses ; MOSFET transistor ; SiC ; Si ; circuit gate
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


12/22
Nr opisu: 0000107443
Tytuł oryginału: Wła¶ciwo¶ci tranzystorów MOSFET na bazie SiC i GaN.
Autorzy: Krzysztof Przybyła.
¬ródło: W: Energoelektronika w nauce i dydaktyce. ENiD 2016. XV Sympozjum, Gliwice - Tarnowskie Góry, 12-14 maja 2016. Materiały. Politechnika ¦l±ska. Wydział Elektryczny. Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki ¦l±skiej, 2016, s. 129-134, bibliogr. 16 poz.
ISBN: 978-83-911058-2-5
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,3
Słowa kluczowe polskie: tranzystor MOSFET ; węglik krzemu ; azotek galu ; SiC ; GaN
Słowa kluczowe angielskie: MOSFET transistor ; silicon carbide ; gallium nitride ; SiC ; GaN
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


13/22
Nr opisu: 0000105621
Tytuł oryginału: Wysokoczęstotliwo¶ciowe, dyskretne drajwery małej mocy dedykowane do tranzystorów MOSFET serii DE
Tytuł w wersji angielskiej: The low-losses and fast switching hybrid drivers for DE series MOSFET transistors
Autorzy: Piotr Legutko.
¬ródło: -Prz. Elektrot. 2016 R. 92 nr 4, s. 132-136, bibliogr. 17 poz.
Punktacja MNiSW: 14.000
p-ISSN: 0033-2097
e-ISSN: 2449-9544
DOI:
Słowa kluczowe polskie: wysokoczęstotliwo¶ciowy drajwer ; falownik rezonansowy ; tranzystor MOSFET ; straty mocy ; parametry pasożytnicze
Słowa kluczowe angielskie: high frequency driver ; resonant inverter ; MOSFET transistor ; power losses ; parasitic parameters ; thermal clad
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.677
Informacje o dostępie open-access: open-access-licence: OTHER
Dostęp on-line:


14/22
Nr opisu: 0000100441
Tytuł oryginału: Analiza zjawisk cieplnych w tranzystorach polowych MOSFET.
Autorzy: Łukasz* Cichoń, Ewa Majchrzak.
¬ródło: W: Metody komputerowe - 2015. Studencka konferencja naukowa, Gliwice, maj 2015. Instytut Mechaniki i Inżynierii Obliczeniowej. Wydział Mechaniczny Technologiczny. Politechnika ¦l±ska. Gliwice : Instytut Mechaniki i Inżynierii Obliczeniowej. Wydział Mechaniczny Technologiczny. Politechnika ¦l±ska, 2015, s. 9-12, bibliogr. 3 poz.
ISBN: 978-930523-2-5
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,2
Słowa kluczowe polskie: tranzystor MOSFET ; zjawiska cieplne ; przepływ ciepła w mikroskali
Słowa kluczowe angielskie: MOSFET transistor ; heat effects ; microscale heat transfer
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. Cz.O1 144119, Mg 144120
Dostęp on-line:


15/22
Nr opisu: 0000103154
Tytuł oryginału: Wysokoczęstotliwo¶ciowe, dyskretne drajwery małej mocy dedykowane do tranzystorów MOSFET serii DE.
Tytuł w wersji angielskiej: The low-losses and fast switching hybrid drivers for DE series MOSFET transistors
Autorzy: Piotr Legutko.
¬ródło: W: Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym. SENE 2015. XII Krajowa konferencja naukowa, ŁódĽ, 18-20 listopada 2015. [Dokument elektroniczny]. ŁódĽ : [b.w.], 2015, dysk optyczny (CD-ROM) s. 1-5, bibliogr. 17 poz.
ISBN: 978-83-7283-697-7
Organizator: Instytut Automatyki Politechniki Łódzkiej
Liczba arkuszy wydawniczych: 0,25
Słowa kluczowe polskie: wysokoczęstotliwo¶ciowy drajwer ; falownik rezonansowy ; tranzystor MOSFET ; straty mocy ; parametry pasożytnicze
Słowa kluczowe angielskie: high frequency driver ; resonant inverter ; MOSFET transistor ; power losses ; parasitic parameters ; thermal clad
Typ publikacji: RK
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.


16/22
Nr opisu: 0000091690
Tytuł oryginału: Niskostratny drajwer tranzystora MOSFET mocy
Tytuł w wersji angielskiej: Low loss power MOSFET driver
Autorzy: Piotr Legutko.
¬ródło: -Pomiary Autom. Kontr. 2014 vol. 60 nr 3, s. 188-191, bibliogr. 11 poz.
Punktacja MNiSW: 11.000
p-ISSN: 0032-4140
Słowa kluczowe polskie: drajwer ; straty mocy ; tranzystor MOSFET
Słowa kluczowe angielskie: driver ; power losses ; MOSFET transistor
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.661
Informacje o dostępie open-access: open-access-licence: OTHER
Dostęp on-line:


17/22
Nr opisu: 0000091564
Tytuł oryginału: Wysokoczęstotliwo¶ciowe drajwery tranzystorów MOFSET mocy
Tytuł w wersji angielskiej: High-frequency power MOFSET drivers
Autorzy: Piotr Legutko.
¬ródło: -Prz. Elektrot. 2014 R. 90 nr 5, s. 229-234, bibliogr. 17 poz.
Punktacja MNiSW: 14.000
p-ISSN: 0033-2097
DOI:
Słowa kluczowe polskie: drajwer ; analiza ; straty mocy ; tranzystor MOSFET
Słowa kluczowe angielskie: driver ; analysis ; power losses ; MOSFET transistor
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.677
Informacje o dostępie open-access: open-access-licence: OTHER
Dostęp on-line:


18/22
Nr opisu: 0000094734
Tytuł oryginału: Nowe niskostratne drajwery transystorów MOSFET mocy
Tytuł w wersji angielskiej: The new low-losses power MOSFET drivers
Autorzy: Piotr Legutko.
¬ródło: -Pr. Nauk. P¦l., Elektr. 2013 R. 59 z. 2/3, s. 67-77, bibliogr. 10 poz.
Punktacja MNiSW: 6.000
p-ISSN: 1897-8827
Słowa kluczowe polskie: sterownik bramkowy ; analiza ; moc czynna ; straty mocy ; tranzystor MOSFET ; tranzystor mocy
Słowa kluczowe angielskie: gate driver ; analysis ; active power ; power losses ; MOSFET transistor ; power transistor
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3348
Informacje o dostępie open-access: open-access-licence: OTHER
Dostęp on-line:


19/22
Nr opisu: 0000077709
Tytuł oryginału: Możliwo¶ci realizacji falownika klasy DE 13,56 MHz 500 W pracy optymalnej
Tytuł w wersji angielskiej: The possibility of realization of 13.56 MHZ/500 W class DE inverter at optimum commutation mode
Autorzy: Marcin Kasprzak.
¬ródło: -Pr. Nauk. P¦l., Elektr. 2011 R. 57 z. 2 (218), s. 79-89, bibliogr. 19 poz.
Punktacja MNiSW: 4.000
p-ISSN: 1897-8827
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy DE ; przeł±czanie miękkie ; wysoka częstotliwo¶ć ; MOSFET ; tranzystor MOSFET
Słowa kluczowe angielskie: class DE inverter ; soft switching ; high frequency ; MOSFET ; MOSFET transistor
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3348
Informacje o dostępie open-access: open-access-licence: OTHER
Dostęp on-line:


20/22
Nr opisu: 0000057543
Tytuł oryginału: Analiza wła¶ciwo¶ci falownika klasy E przy maksymalnych częstotliwo¶ciach przeł±czania tranzystorów mocy MOSFET. Rozprawa doktorska.
Autorzy: Wojciech* Jurczak.
Miejsce i rok obrony: Gliwice, 2010
Opis fizyczny: , 159 k., bibliogr.
Uczelnia i wydział: Politechnika ¦l±ska. Wydział Elektryczny.
Promotor: dr hab. inż. Zbigniew Kaczmarczyk
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy E ; tranzystor mocy ; tranzystor MOSFET
Słowa kluczowe angielskie: class E inverter ; power transistor ; MOSFET transistor
Typ publikacji: D
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. Cz. Ab. R-4626 + CD
Dostęp BCP¦:


21/22
Nr opisu: 0000028315
Tytuł oryginału: Poprawa wła¶ciwo¶ci energetycznych falowników klasy E przez maksymalizację wykorzystania tranzystora.
Autorzy: Zbigniew Kaczmarczyk.
Adres wydawniczy: Gliwice : Wydaw. Politechniki ¦l±skiej, 2007
Opis fizyczny: , 177 s., bibliogr. 112 poz.
Seria: (Zeszyty Naukowe ; Politechnika ¦l±ska nr 1749 Elektryka ; z. 200)
Uwagi: Rozprawa habilitacyjna
Słowa kluczowe polskie: falownik klasy E ; tranzystor mocy ; tranzystor MOSFET ; wła¶ciwo¶ci energetyczne
Słowa kluczowe angielskie: class E inverter ; power transistor ; MOSFET transistor ; energetic properties
Typ publikacji: M
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3348
Informacje o dostępie open-access: open-access-licence: OTHER
Dostęp BCP¦:


22/22
Nr opisu: 0000009667
Tytuł oryginału: Falownik rezonansowy klasy DE 8 MHz z drajwerem sinusoidalnym
Tytuł w wersji angielskiej: Class DE, 8 MHz resonant inverter with sinusoidal gate driver of Mosfet
Autorzy: Marcin Kasprzak.
¬ródło: -Zesz. Nauk. P¦l., Elektr. 2004 z. 192, s. 85-90, bibliogr. 12 poz.
p-ISSN: 0072-4688
Słowa kluczowe polskie: falownik rezonansowy ; klasa DE ; tranzystor MOSFET ; drajwer
Słowa kluczowe angielskie: resonant inverter ; class DE ; MOSFET transistor ; driver
Typ publikacji: A
Język publikacji: POL
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3348


stosuj±c format:
Nowe wyszukiwanie