Nr opisu: | 0000107445 |
Tytuł oryginału: | Falownik rezonansowy klasy D 300 kHz/20 kW z tranzystorami SiC MOSFET. |
Autorzy: | Marcin Kasprzak, Zbigniew Kaczmarczyk, Piotr Legutko, Krzysztof Przybyła. |
¬ródło: | W: Energoelektronika w nauce i dydaktyce. ENiD 2016. XV Sympozjum, Gliwice - Tarnowskie Góry, 12-14 maja 2016. Materiały. Politechnika ¦l±ska. Wydział Elektryczny. Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki. Gliwice : Wydział Elektryczny Politechniki ¦l±skiej, 2016, s. 141-144, bibliogr. 8 poz. |
ISBN: | 978-83-911058-2-5 |
Liczba arkuszy wydawniczych: | 0,2 |
Słowa kluczowe polskie: | falownik rezonansowy ; tranzystor MOSFET ; SiC |
Słowa kluczowe angielskie: | resonant inverter ; MOSFET transistor ; SiC |
Typ publikacji: | RK |
Język publikacji: | POL |
Zasieg terytorialny: | K |
Afiliacja: | praca afiliowana w P¦l. |