Nr opisu: | 0000076718 |
Tytuł oryginału: | Optical properties of SbSI heterostructures. |
Autorzy: | Bartłomiej Toroń, Marian Nowak, Andrzej Grabowski, Mirosława Kępińska, Janusz** Szala, Tomasz Rzychoń. |
Źródło: | W: Photonic fiber and crystal devices. Advances in materials and innovations in device applications VI, San Diego, California, United States, 12-13 August, 2012. Eds: Shizhuo Yin, Ruyan Guo. Bellingham : SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2012, paper no. 8497-58 s. 1-8, bibliogr. 27 poz. |
Seria: | (Proceedings of SPIE ; vol. 8497 0277-786X) |
DOI: | |
Słowa kluczowe polskie: | antymon ; kryształ ; dioda ; promieniowanie laserowe ; własności optyczne ; półprzewodnik ; heterozłącze |
Słowa kluczowe angielskie: | antimony ; crystal ; diode ; laser irradiation ; optical properties ; semiconductor ; heterojunction |
Typ publikacji: | RK |
Język publikacji: | ENG |
Zasieg terytorialny: | Z |
Afiliacja: | praca afiliowana w PŚl. |
Nr opisu: | 0000073357 |
Tytuł oryginału: | Własności optyczne, chemiczne, elektronowe i morfologiczne struktur AlGaN/GaN. |
Autorzy: | Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, D. Pundyk, Mirosława Kępińska, Piotr* Bobek, Andrzej** Klimasek, T. Hashizume. |
Źródło: | W: III Krajowa Konferencja Nanotechnologii. NANO 2009, Warszawa, 22-26 czerwca 2009 r. Streszczenia. Red. J. Kaniewski. Warszawa : Instytut Technologii Elektronowej, 2009, s. 62, bibliogr. 2 poz. |
Organizator: | Instytut Technologii Elektronowej [et al.] |
Słowa kluczowe polskie: | heterozłącze ; własności optyczne ; własności chemiczne ; własności elektronowe ; AlGaN/GaN |
Słowa kluczowe angielskie: | heterojunction ; optical properties ; chemical properties ; electron properties ; AlGaN/GaN |
Typ publikacji: | K |
Język publikacji: | POL |
Zasieg terytorialny: | K |
Afiliacja: | praca afiliowana w PŚl. |