Wynik wyszukiwania
Zapytanie:
GAAS
Liczba odnalezionych rekordów:
5
Przej¶cie do opcji zmiany formatu
|
Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku
|
Pobranie pliku do edytora
|
Przesłanie wyników do modułu analizy
|
excel
|
Nowe wyszukiwanie
1/5
Nr opisu:
0000063355
Tytuł oryginału:
Surface passivation of III-V semiconductors for future CMOS devices - past research, present status and key issues for future
Autorzy:
H.
Hasegawa
, M.
Akazawa
, Alina
Domanowska
, Bogusława
Adamowicz
.
¬ródło:
-
Appl. Surf. Sci.
2010 vol. 256 iss. 19
, s. 5698-5707, bibliogr. 65 poz.
Impact Factor:
1.795
p-ISSN:
0169-4332
DOI:
Słowa kluczowe polskie:
półprzewodnik grupy III-V
;
pasywacja powierzchni
;
MISFET
;
dielektryk o wysokiej przenikalno¶ci elektrycznej
;
arsenek galu
;
GaAs
;
fotoluminescencja
Słowa kluczowe angielskie:
III-V semiconductor
;
surface passivation
;
MISFET
;
high-k dielectric
;
gallium arsenide
;
GaAs
;
photoluminescence
Typ publikacji:
A
Język publikacji:
ENG
Zasieg terytorialny:
Z
Afiliacja:
praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:
2/5
Nr opisu:
0000047690
Tytuł oryginału:
Analysis of mechanism of carbon removal from GaAs(1 0 0) surface by atomic hydrogen
Autorzy:
Paweł*
Tomkiewicz
, A.
Winkler
, Maciej
Krzywiecki
, T.
Chasse
, Jacek**
Szuber
.
¬ródło:
-
Appl. Surf. Sci.
2008 vol. 254 iss. 24
, s. 8035-8040, bibliogr. 42 poz.
Impact Factor:
1.576
p-ISSN:
0169-4332
DOI:
Słowa kluczowe polskie:
GaAs
;
oczyszczanie
;
wytrawianie
;
wodór atomowy
;
spektroskopia elektronów Augera
;
spektrometria mas
;
rentgenowska spektroskopia fotoelektronów
Słowa kluczowe angielskie:
GaAs
;
cleaning
;
etching
;
atomic hydrogen
;
Auger electron spectroscopy
;
mass spectrometry
;
X-ray photoelectron spectroscopy
Typ publikacji:
A
Język publikacji:
ENG
Zasieg terytorialny:
Z
Afiliacja:
praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:
3/5
Nr opisu:
0000025449
Tytuł oryginału:
Comparative study of the GaAs(1 0 0) surface cleaned by atomic hydrogen
Autorzy:
Paweł*
Tomkiewicz
, A.
Winkler
, Jacek**
Szuber
.
¬ródło:
-
Appl. Surf. Sci.
2006 vol. 252 iss. 21
, s. 7647-7658, bibliogr. 58 poz.
Uwagi:
Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005
Impact Factor:
1.436
p-ISSN:
0169-4332
DOI:
Słowa kluczowe polskie:
GaAs
;
wodór atomowy
;
spektroskopia elektronów Augera
;
spektrometria masowa
;
stan powierzchniowy
;
poziom Fermiego
;
funkcja pracy
;
potencjał jonizacyjny
Słowa kluczowe angielskie:
GaAs
;
atomic hydrogen
;
Auger electron spectroscopy
;
mass spectrometry
;
surface states
;
Fermi level
;
work function
;
ionization potential
Typ publikacji:
A
Język publikacji:
ENG
Zasieg terytorialny:
Z
Afiliacja:
praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:
4/5
Nr opisu:
0000025453
Tytuł oryginału:
XPS analysis of surface chemistry of near surface region of epiready GaAs(1 0 0) surface treated with (NH
4
)
2
S
x
solution
Autorzy:
Sebastian*
Arabasz
, E.
Bergignat
, G.
Hollinger
, Jacek**
Szuber
.
¬ródło:
-
Appl. Surf. Sci.
2006 vol. 252 iss. 21
, s. 7659-7663, bibliogr. 32 poz.
Uwagi:
Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005
Impact Factor:
1.436
p-ISSN:
0169-4332
DOI:
Słowa kluczowe polskie:
GaAs
;
pasywacja
;
XPS
;
siarkowanie
Słowa kluczowe angielskie:
GaAs
;
passivation
;
XPS
;
sulfidation
Typ publikacji:
A
Język publikacji:
ENG
Zasieg terytorialny:
Z
Afiliacja:
praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:
5/5
Nr opisu:
0000025543
Tytuł oryginału:
XPS study of surface chemistry of epiready GaAs(1 0 0) surface after (NH
4
)
2
S
x
passivation
Autorzy:
Sebastian*
Arabasz
, E.
Bergignat
, G.
Hollinger
, Jacek**
Szuber
.
¬ródło:
-
Vacuum
2006 vol. 80 iss. 8
, s. 888-893, bibliogr. 36 poz.
Impact Factor:
0.834
p-ISSN:
0042-207X
e-ISSN:
1879-2715
DOI:
Słowa kluczowe polskie:
GaAs
;
siarkowanie
;
pasywacja
;
XPS
;
półprzewodnik
Słowa kluczowe angielskie:
GaAs
;
sulfidation
;
passivation
;
XPS
;
semiconductor
Typ publikacji:
A
Język publikacji:
ENG
Zasieg terytorialny:
Z
Afiliacja:
praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:
stosuj±c format:
standardowy
pełny z etykietami pól
roboczy
redakcja skr.
redakcja peł.
kontrolny
Nowe wyszukiwanie