Wynik wyszukiwania
Zapytanie:
SURFACE STATES
Liczba odnalezionych rekordów:
7
Przej¶cie do opcji zmiany formatu
|
Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku
|
Pobranie pliku do edytora
|
Przesłanie wyników do modułu analizy
|
excel
|
Nowe wyszukiwanie
1/7
Nr opisu:
0000025449
Tytuł oryginału:
Comparative study of the GaAs(1 0 0) surface cleaned by atomic hydrogen
Autorzy:
Paweł*
Tomkiewicz
, A.
Winkler
, Jacek**
Szuber
.
¬ródło:
-
Appl. Surf. Sci.
2006 vol. 252 iss. 21
, s. 7647-7658, bibliogr. 58 poz.
Uwagi:
Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005
Impact Factor:
1.436
p-ISSN:
0169-4332
DOI:
Słowa kluczowe polskie:
GaAs
;
wodór atomowy
;
spektroskopia elektronów Augera
;
spektrometria masowa
;
stan powierzchniowy
;
poziom Fermiego
;
funkcja pracy
;
potencjał jonizacyjny
Słowa kluczowe angielskie:
GaAs
;
atomic hydrogen
;
Auger electron spectroscopy
;
mass spectrometry
;
surface states
;
Fermi level
;
work function
;
ionization potential
Typ publikacji:
A
Język publikacji:
ENG
Zasieg terytorialny:
Z
Afiliacja:
praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:
2/7
Nr opisu:
0000029174
Tytuł oryginału:
Dynamics and control of recombination process at semiconductor surfaces, interfaces and nano-structures
Autorzy:
H.
Hasegawa
, T.
Sato
, S.
Kasai
, Bogusława
Adamowicz
, T.
Hashizume
.
¬ródło:
-
Sol. Energy
2006 vol. 80 iss. 6
, s. 629-644, bibliogr.
Impact Factor:
1.431
p-ISSN:
0038-092X
DOI:
Słowa kluczowe polskie:
stan powierzchniowy
;
rekombinacja powierzchniowa
;
spektroskopia tunelowa
;
nanostruktura
Słowa kluczowe angielskie:
surface states
;
surface recombination
;
tunnelling spectroscopy
;
nanostructure
;
Fermi level pinning
;
capacitance voltage method
Typ publikacji:
A
Język publikacji:
ENG
Zasieg terytorialny:
Z
Afiliacja:
praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:
3/7
Nr opisu:
0000025312
Tytuł oryginału:
Room temperature photoluminescence studies of nitrided InP(100) surfaces
Autorzy:
Sebastian*
Arabasz
, Bogusława
Adamowicz
, M.
Petit
, B.
Gruzza
, C.
Robert-Goumet
, T.
Piwnowski
, M.
Bugajski
, H.
Hasegawa
.
¬ródło:
-
Mater. Sci. Eng., C Mater. Biol. Appl.
2006 vol. 26 nr 2/3
, s. 378-382, bibliogr. 28 poz.
Impact Factor:
1.325
p-ISSN:
0928-4931
e-ISSN:
1873-0191
DOI:
Słowa kluczowe polskie:
InP
;
powierzchnia
;
pasywacja
;
azotowanie
;
stan powierzchniowy
;
fotoluminescencja
;
model zjawisk nierównowagowych
Słowa kluczowe angielskie:
InP
;
surface
;
passivation
;
nitridation
;
surface states
;
photoluminescence
;
model of non-equilibrium phenomena
Typ publikacji:
A
Język publikacji:
ENG
Zasieg terytorialny:
Z
Afiliacja:
praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:
4/7
Nr opisu:
0000018248
Tytuł oryginału:
High-sensitivity NO
2
sensor based on n-type InP epitaxial layers
Autorzy:
K.
Wierzbowska
, Bogusława
Adamowicz
, L.
Mazet
, J.
Brunet
, A.
Pauly
, L.
Bideux
, Ch.
Varenne
, L.
Berry
, J.P.
Germain
.
¬ródło:
-
Opt. Appl.
2005 vol. 35 no. 3
, s. 655-662, bibliogr. 11 poz.
Impact Factor:
0.459
p-ISSN:
0078-5466
e-ISSN:
1899-7015
Słowa kluczowe polskie:
fosforek indu
;
warstwa epitaksjalna
;
czujnik gazu
;
stan powierzchniowy
;
symulacja komputerowa
Słowa kluczowe angielskie:
indium phosphide
;
epitaxial layer
;
gas sensor
;
surface states
;
computer simulation
Typ publikacji:
A
Język publikacji:
ENG
Zasieg terytorialny:
K
Afiliacja:
praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła:
P¦l. sygn. P.3422
Dostęp on-line:
5/7
Nr opisu:
0000018246
Tytuł oryginału:
Influence of surface states and bulk traps on non-equilibrium phenomena at GaAs and GaN surfaces
Autorzy:
Marcin**
Miczek
, Bogusława
Adamowicz
, T.
Hashizume
, H.
Hasegawa
.
¬ródło:
-
Opt. Appl.
2005 vol. 35 no. 3
, s. 355-361, bibliogr. 28 poz.
Impact Factor:
0.459
p-ISSN:
0078-5466
e-ISSN:
1899-7015
Słowa kluczowe polskie:
arsenek galu
;
azotek galu
;
stan powierzchniowy
;
fotoluminescencja
;
fotonapięcie powierzchniowe
Słowa kluczowe angielskie:
gallium arsenide
;
gallium nitride
;
surface states
;
photoluminescence
;
surface photovoltage
Typ publikacji:
A
Język publikacji:
ENG
Zasieg terytorialny:
K
Afiliacja:
praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła:
P¦l. sygn. P.3422
Dostęp on-line:
6/7
Nr opisu:
0000007661
Tytuł oryginału:
Characterisation of the electronic status of III-V-based surfaces and interfaces for nanoelectronics applications.
Autorzy:
Bogusława
Adamowicz
, H.
Hasegawa
.
¬ródło:
W:
27-th International Conference and Exhibition IMAPS - Poland 2003, Podlesice, Gliwice, 16-19 September, 2003
. Proceedings. Eds: M. Drelichowska [i in.]. [Kraków] : [International Microelectronics and Packaging Society IMAPS. Poland Chapter], 2003
, s. 11-20, bibliogr. 32 poz.
Organizator:
International Microelectronics and Packaging Society IMAPS. Poland Chapter [i in.]
Słowa kluczowe polskie:
stan powierzchniowy
;
rekombinacja powierzchniowa
;
poziom Fermiego
;
pasywacja
;
fotoluminescencja
;
fotonapięcie powierzchniowe
;
algorytm genetyczny
Słowa kluczowe angielskie:
surface states
;
surface recombination
;
Fermi level
;
passivation
;
photoluminescence
;
surface photovoltage
;
genetic algorithm
Typ publikacji:
RK
Język publikacji:
ENG
Zasieg terytorialny:
K
Afiliacja:
praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła:
P¦l. sygn. Cz.01 78241
7/7
Nr opisu:
0000123735
Tytuł oryginału:
Rigorous analysis of the electronic properties of InP interfaces for gas sensing
Autorzy:
Bogusława
Adamowicz
, Marcin**
Miczek
, C.
Brun
, B.
Gruzza
, H.
Hasegawa
.
¬ródło:
-
Thin Solid Films
2003 vol. 436 iss. 1
, s. 101-106, bibliogr. 24 poz.
Uwagi:
Referat wygłoszony na: 3rd International Seminar on Semiconductor Gas Sensors. SGS'2002, Ustroń, Poland, 19-22 September 2002
Impact Factor:
1.598
p-ISSN:
0040-6090
e-ISSN:
1879-2731
DOI:
Słowa kluczowe polskie:
InP
;
interfejs
;
wła¶ciwo¶ci elektroniczne
;
stan powierzchniowy
;
poziom Fermiego
;
wykrywanie gazu
Słowa kluczowe angielskie:
InP
;
interface
;
electronic properties
;
surface states
;
Fermi level
;
gas sensing
Typ publikacji:
A
Język publikacji:
ENG
Zasieg terytorialny:
Z
Afiliacja:
praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:
stosuj±c format:
standardowy
pełny z etykietami pól
roboczy
redakcja skr.
redakcja peł.
kontrolny
Nowe wyszukiwanie