Wynik wyszukiwania
Zapytanie: SURFACE STATES
Liczba odnalezionych rekordów: 8



Przej¶cie do opcji zmiany formatu | Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/8
Nr opisu: 0000139064
Tytuł oryginału: Effect of carrier drift-diffusion transport process on thermal quenching of photoluminescence in GaN
Autorzy: M. Matys, Bogusława Adamowicz, T. Kachi, T. Hashizume.
¬ródło: -J. Phys., D Appl. Phys. 2021 vol. 54 iss. 5, s. 1-13, bibliogr. 33 poz.
Impact Factor: 3.169
Punktacja MNiSW: 70.000
p-ISSN: 0022-3727
e-ISSN: 1361-6463
DOI:
Słowa kluczowe polskie: GaN ; stan powierzchniowy
Słowa kluczowe angielskie: GaN ; surface states ; drift diffusion
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Informacje o dostępie open-access: open-access-text-version: FINAL_PUBLISHED open-access-licence: CC-BY open-access-release-time: AT_PUBLICATION open-access-article-mode: OPEN_JOURNAL
Dostęp on-line:


2/8
Nr opisu: 0000025449
Tytuł oryginału: Comparative study of the GaAs(1 0 0) surface cleaned by atomic hydrogen
Autorzy: Paweł* Tomkiewicz, A. Winkler, Jacek** Szuber.
¬ródło: -Appl. Surf. Sci. 2006 vol. 252 iss. 21, s. 7647-7658, bibliogr. 58 poz.
Uwagi: Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005
Impact Factor: 1.436
p-ISSN: 0169-4332
DOI:
Słowa kluczowe polskie: GaAs ; wodór atomowy ; spektroskopia elektronów Augera ; spektrometria masowa ; stan powierzchniowy ; poziom Fermiego ; funkcja pracy ; potencjał jonizacyjny
Słowa kluczowe angielskie: GaAs ; atomic hydrogen ; Auger electron spectroscopy ; mass spectrometry ; surface states ; Fermi level ; work function ; ionization potential
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


3/8
Nr opisu: 0000029174
Tytuł oryginału: Dynamics and control of recombination process at semiconductor surfaces, interfaces and nano-structures
Autorzy: H. Hasegawa, T. Sato, S. Kasai, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume.
¬ródło: -Sol. Energy 2006 vol. 80 iss. 6, s. 629-644, bibliogr.
Impact Factor: 1.431
p-ISSN: 0038-092X
DOI:
Słowa kluczowe polskie: stan powierzchniowy ; rekombinacja powierzchniowa ; spektroskopia tunelowa ; nanostruktura
Słowa kluczowe angielskie: surface states ; surface recombination ; tunnelling spectroscopy ; nanostructure ; Fermi level pinning ; capacitance voltage method
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


4/8
Nr opisu: 0000025312
Tytuł oryginału: Room temperature photoluminescence studies of nitrided InP(100) surfaces
Autorzy: Sebastian* Arabasz, Bogusława Adamowicz, M. Petit, B. Gruzza, C. Robert-Goumet, T. Piwnowski, M. Bugajski, H. Hasegawa.
¬ródło: -Mater. Sci. Eng., C Mater. Biol. Appl. 2006 vol. 26 nr 2/3, s. 378-382, bibliogr. 28 poz.
Impact Factor: 1.325
p-ISSN: 0928-4931
e-ISSN: 1873-0191
DOI:
Słowa kluczowe polskie: InP ; powierzchnia ; pasywacja ; azotowanie ; stan powierzchniowy ; fotoluminescencja ; model zjawisk nierównowagowych
Słowa kluczowe angielskie: InP ; surface ; passivation ; nitridation ; surface states ; photoluminescence ; model of non-equilibrium phenomena
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


5/8
Nr opisu: 0000018248
Tytuł oryginału: High-sensitivity NO2 sensor based on n-type InP epitaxial layers
Autorzy: K. Wierzbowska, Bogusława Adamowicz, L. Mazet, J. Brunet, A. Pauly, L. Bideux, Ch. Varenne, L. Berry, J.P. Germain.
¬ródło: -Opt. Appl. 2005 vol. 35 no. 3, s. 655-662, bibliogr. 11 poz.
Impact Factor: 0.459
p-ISSN: 0078-5466
e-ISSN: 1899-7015
Słowa kluczowe polskie: fosforek indu ; warstwa epitaksjalna ; czujnik gazu ; stan powierzchniowy ; symulacja komputerowa
Słowa kluczowe angielskie: indium phosphide ; epitaxial layer ; gas sensor ; surface states ; computer simulation
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3422
Dostęp on-line:


6/8
Nr opisu: 0000018246
Tytuł oryginału: Influence of surface states and bulk traps on non-equilibrium phenomena at GaAs and GaN surfaces
Autorzy: Marcin** Miczek, Bogusława Adamowicz, T. Hashizume, H. Hasegawa.
¬ródło: -Opt. Appl. 2005 vol. 35 no. 3, s. 355-361, bibliogr. 28 poz.
Impact Factor: 0.459
p-ISSN: 0078-5466
e-ISSN: 1899-7015
Słowa kluczowe polskie: arsenek galu ; azotek galu ; stan powierzchniowy ; fotoluminescencja ; fotonapięcie powierzchniowe
Słowa kluczowe angielskie: gallium arsenide ; gallium nitride ; surface states ; photoluminescence ; surface photovoltage
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. P.3422
Dostęp on-line:


7/8
Nr opisu: 0000007661
Tytuł oryginału: Characterisation of the electronic status of III-V-based surfaces and interfaces for nanoelectronics applications.
Autorzy: Bogusława Adamowicz, H. Hasegawa.
¬ródło: W: 27-th International Conference and Exhibition IMAPS - Poland 2003, Podlesice, Gliwice, 16-19 September, 2003. Proceedings. Eds: M. Drelichowska [i in.]. [Kraków] : [International Microelectronics and Packaging Society IMAPS. Poland Chapter], 2003, s. 11-20, bibliogr. 32 poz.
Organizator: International Microelectronics and Packaging Society IMAPS. Poland Chapter [i in.]
Słowa kluczowe polskie: stan powierzchniowy ; rekombinacja powierzchniowa ; poziom Fermiego ; pasywacja ; fotoluminescencja ; fotonapięcie powierzchniowe ; algorytm genetyczny
Słowa kluczowe angielskie: surface states ; surface recombination ; Fermi level ; passivation ; photoluminescence ; surface photovoltage ; genetic algorithm
Typ publikacji: RK
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: K
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła: P¦l. sygn. Cz.01 78241


8/8
Nr opisu: 0000123735
Tytuł oryginału: Rigorous analysis of the electronic properties of InP interfaces for gas sensing
Autorzy: Bogusława Adamowicz, Marcin** Miczek, C. Brun, B. Gruzza, H. Hasegawa.
¬ródło: -Thin Solid Films 2003 vol. 436 iss. 1, s. 101-106, bibliogr. 24 poz.
Uwagi: Referat wygłoszony na: 3rd International Seminar on Semiconductor Gas Sensors. SGS'2002, Ustroń, Poland, 19-22 September 2002
Impact Factor: 1.598
p-ISSN: 0040-6090
e-ISSN: 1879-2731
DOI:
Słowa kluczowe polskie: InP ; interfejs ; wła¶ciwo¶ci elektroniczne ; stan powierzchniowy ; poziom Fermiego ; wykrywanie gazu
Słowa kluczowe angielskie: InP ; interface ; electronic properties ; surface states ; Fermi level ; gas sensing
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:


stosuj±c format:
Nowe wyszukiwanie