Wynik wyszukiwania
Zapytanie:
SULFIDATION
Liczba odnalezionych rekordów:
3
Przej¶cie do opcji zmiany formatu
|
Wy¶wietlenie wyników w wersji do druku
|
Pobranie pliku do edytora
|
Przesłanie wyników do modułu analizy
|
excel
|
Nowe wyszukiwanie
1/3
Nr opisu:
0000023850
Tytuł oryginału:
Wpływ składu chemicznego atmosfery korozyjnej na odporno¶ć stopów na osnowie fazy Fe
3
Al.
Tytuł w wersji angielskiej:
Influence of chemical composition of the corrosion atmosphere on hot-corrosion resistance of Fe
3
Al alloys
Autorzy:
Barbara**
Dytkowicz
, Adam**
Hernas
.
¬ródło:
W:
XXXIV Szkoła Inżynierii Materiałowej, Kraków - Krynica, 26-29 IX 2006
. Akademia Górniczo-Hutnicza im. St. Staszica w Krakowie. Wydział Inżynierii Metali i Informatyki Przemysłowej. [Kraków] : [Edukacja], [2006]
, s. 305-310, bibliogr. 9 poz.
Słowa kluczowe polskie:
faza międzymetaliczna Fe-Al
;
utlenianie
;
korozja wysokotemperaturowa
;
siarkowanie
;
chlorowanie
Słowa kluczowe angielskie:
Fe-Al intermetallics
;
oxidation
;
high-temperature corrosion
;
sulfidation
;
chlorination
Typ publikacji:
RK
Język publikacji:
POL
Zasieg terytorialny:
K
Afiliacja:
praca afiliowana w P¦l.
Lokalizacja ¬ródła:
P¦l. sygn. Cz.01 116661
2/3
Nr opisu:
0000025453
Tytuł oryginału:
XPS analysis of surface chemistry of near surface region of epiready GaAs(1 0 0) surface treated with (NH
4
)
2
S
x
solution
Autorzy:
Sebastian*
Arabasz
, E.
Bergignat
, G.
Hollinger
, Jacek**
Szuber
.
¬ródło:
-
Appl. Surf. Sci.
2006 vol. 252 iss. 21
, s. 7659-7663, bibliogr. 32 poz.
Uwagi:
Zawiera materiały z: Fourth International Workshop on Semiconductor Surface Passivation. SSP'05, Ustroń, Poland, 10-13 September 2005
Impact Factor:
1.436
p-ISSN:
0169-4332
DOI:
Słowa kluczowe polskie:
GaAs
;
pasywacja
;
XPS
;
siarkowanie
Słowa kluczowe angielskie:
GaAs
;
passivation
;
XPS
;
sulfidation
Typ publikacji:
A
Język publikacji:
ENG
Zasieg terytorialny:
Z
Afiliacja:
praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:
3/3
Nr opisu:
0000025543
Tytuł oryginału:
XPS study of surface chemistry of epiready GaAs(1 0 0) surface after (NH
4
)
2
S
x
passivation
Autorzy:
Sebastian*
Arabasz
, E.
Bergignat
, G.
Hollinger
, Jacek**
Szuber
.
¬ródło:
-
Vacuum
2006 vol. 80 iss. 8
, s. 888-893, bibliogr. 36 poz.
Impact Factor:
0.834
p-ISSN:
0042-207X
e-ISSN:
1879-2715
DOI:
Słowa kluczowe polskie:
GaAs
;
siarkowanie
;
pasywacja
;
XPS
;
półprzewodnik
Słowa kluczowe angielskie:
GaAs
;
sulfidation
;
passivation
;
XPS
;
semiconductor
Typ publikacji:
A
Język publikacji:
ENG
Zasieg terytorialny:
Z
Afiliacja:
praca afiliowana w P¦l.
Dostęp on-line:
stosuj±c format:
standardowy
pełny z etykietami pól
roboczy
redakcja skr.
redakcja peł.
kontrolny
Nowe wyszukiwanie