Nr opisu: | 0000134052 |
Tytuł oryginału: | Porównanie falowników klasy DE z pasma 13,56 MHz zbudowanych na tranzystorach SiC MOSFET i GaN FET. |
Tytuł w wersji angielskiej: | Comparison of 13.56 MHz band class DE inverters built with SiC MOSFET and GaN FET transistors |
Autorzy: | Krzysztof Przybyła, Marcin Kasprzak. |
¬ródło: | W: Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym "SENE 2019". XIV Konferencja naukowa, ŁódĽ, 20-22 listopada 2019. [Dokument elektroniczny]. ŁódĽ : Instytut Automatyki Politechniki Łódzkiej, 2019, pamięć USB (PenDrive) s. 1-4, bibliogr. 16 poz. |
ISBN: | 978-83-66287-33-4 |
Organizator: | Instytut Automatyki Politechniki Łódzkiej |
Punktacja MNiSW: | 20.000 |
Liczba arkuszy wydawniczych: | 0,5 |
Słowa kluczowe polskie: | falownik klasy DE ; wysoka częstotliwo¶ć ; SiC ; GaN ; MOSFET ; drajwer |
Słowa kluczowe angielskie: | class DE inverter ; high frequency ; SiC ; GaN ; MOSFET ; driver |
Typ publikacji: | RK |
Język publikacji: | POL |
Zasieg terytorialny: | K |
Afiliacja: | praca afiliowana w P¦l. |
Nr opisu: | 0000122223 |
Tytuł oryginału: | Wpływ obudowy tranzystora SiC MOSFET na sprawno¶ć energetyczn± falownika klasy DE z pasma 13,56 MHz. |
Tytuł w wersji angielskiej: | Influence of transistor's case on efficiency of Class DE inverter from 13.56 MHz band |
Autorzy: | Krzysztof Przybyła, Marcin Kasprzak. |
¬ródło: | W: Sterowanie w energoelektronice i napędzie elektrycznym. SENE 2017. XIII Krajowa konferencja naukowa, ŁódĽ, 22-24 listopada 2017. [Dokument elektroniczny]. ŁódĽ : Instytut Automatyki Politechniki Łódzkie, 2017, pamięć USB (PenDrive) s. 1-4, bibliogr. 14 poz. |
ISBN: | 978-83-7283-840-7 |
Organizator: | j |
Liczba arkuszy wydawniczych: | 0,5 |
Słowa kluczowe polskie: | falownik klasy DE ; wysoka częstotliwo¶ć ; SiC ; MOSFET ; drajwer |
Słowa kluczowe angielskie: | class DE inverter ; high frequency ; SiC ; MOSFET ; driver |
Typ publikacji: | RK |
Język publikacji: | POL |
Zasieg terytorialny: | K |
Afiliacja: | praca afiliowana w P¦l. |