Wynik wyszukiwania
Zapytanie:
CONSTANT PHASE ELEMENT
Liczba odnalezionych rekordów:
4
Przejście do opcji zmiany formatu
|
Wyświetlenie wyników w wersji do druku
|
Pobranie pliku do edytora
|
Przesłanie wyników do modułu analizy
|
excel
|
Nowe wyszukiwanie
1/4
Nr opisu:
0000046254
Tytuł oryginału:
Analysis of electrical equivalent circuit of metal-insulator-semiconductor structure based on admittance measurements
Autorzy:
Stanisław**
Kochowski
, Michał*
Szydłowski
, R.
Paszkiewicz
, B.
Paszkiewicz
.
Źródło:
-
Mater. Sci. Pol.
2008 vol. 26 no. 1
, s. 63-69, bibliogr. 13 poz.
Impact Factor:
0.368
p-ISSN:
2083-1331
e-ISSN:
2083-134X
Słowa kluczowe polskie:
spektroskopia impedancyjna
;
struktura typu metal-izolator-półprzewodnik
;
element stałofazowy
;
własności elektryczne
;
krzem
Słowa kluczowe angielskie:
impedance spectroscopy
;
metal-insulator-semiconductor structure
;
constant phase element
;
electrical properties
;
silicon
Typ publikacji:
A
Język publikacji:
ENG
Zasieg terytorialny:
K
Afiliacja:
praca afiliowana w PŚl.
Lokalizacja Źródła:
PŚl. sygn. P.4054
Dostęp on-line:
2/4
Nr opisu:
0000011168
Tytuł oryginału:
Characterization of the interface and the bulk phenomena in metal-SiO2-(n) GaAs structure by analysis of the equivalent circuit parameters at different temperatures
Autorzy:
Stanisław**
Kochowski
, K.
Nitsch
, B.
Paszkiewicz
, R.
Paszkiewicz
.
Źródło:
-
Thin Solid Films
2004 vol. 467 iss. 1/2
, s. 190-196, bibliogr. 42 poz.
Impact Factor:
1.647
p-ISSN:
0040-6090
e-ISSN:
1879-2731
DOI:
Słowa kluczowe polskie:
element stałofazowy
;
właściwości elektryczne
;
miernictwo elektryczne
;
arsenek galu
Słowa kluczowe angielskie:
constant phase element
;
electrical properties
;
electrical measurement
;
gallium arsenide
;
metal-insulator-semiconductor structure
Typ publikacji:
A
Język publikacji:
ENG
Zasieg terytorialny:
Z
Afiliacja:
praca afiliowana w PŚl.
Dostęp on-line:
3/4
Nr opisu:
0000011325
Tytuł oryginału:
Studies of GaAs metal-insulator-semiconductor strucutres by the admittance spectroscopy method
Autorzy:
Stanisław**
Kochowski
, K.
Nitsch
, B.
Paszkiewicz
, R.
Paszkiewicz
, M.
Szydlowski
.
Źródło:
-
Appl. Surf. Sci.
2004 vol. 235 iss. 3
, s. 389-394, bibliogr. 28 poz.
Impact Factor:
1.497
p-ISSN:
0169-4332
DOI:
Słowa kluczowe polskie:
element stałofazowy
;
struktura metal-izolator-półprzewodnik
;
właściwości elektryczne
;
pomiary elektryczne
;
arsenek galu
Słowa kluczowe angielskie:
constant phase element
;
metal-insulator-semiconductor structure
;
electrical properties
;
electrical measurements
;
gallium arsenide
Typ publikacji:
A
Język publikacji:
ENG
Zasieg terytorialny:
Z
Afiliacja:
praca afiliowana w PŚl.
Dostęp on-line:
4/4
Nr opisu:
0000008347
Tytuł oryginału:
Two constant phase element behaviour of the admittance characteristics of GaAs metal-insulator-semiconductor structure with deep traps
Autorzy:
Stanisław**
Kochowski
, K.
Nitsch
, B.
Paszkiewicz
, R.
Paszkiewicz
.
Źródło:
-
Thin Solid Films
2003 vol. 444 iss. 1/2
, s. 208-214, bibliogr. 34 poz.
Impact Factor:
1.598
p-ISSN:
0040-6090
e-ISSN:
1879-2731
Słowa kluczowe polskie:
element stałofazowy
;
struktura metal-izolator-półprzewodnik
;
właściwości elektryczne
;
arsenek galu
Słowa kluczowe angielskie:
constant phase element
;
metal-insulator-semiconductor structure
;
electrical properties
;
gallium arsenide
Typ publikacji:
A
Język publikacji:
ENG
Zasieg terytorialny:
Z
Afiliacja:
praca afiliowana w PŚl.
Dostęp on-line:
stosując format:
standardowy
pełny z etykietami pól
roboczy
redakcja skr.
redakcja peł.
kontrolny
Nowe wyszukiwanie